JPS62107416A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62107416A JPS62107416A JP24616785A JP24616785A JPS62107416A JP S62107416 A JPS62107416 A JP S62107416A JP 24616785 A JP24616785 A JP 24616785A JP 24616785 A JP24616785 A JP 24616785A JP S62107416 A JPS62107416 A JP S62107416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic layer
- magnetic
- thin film
- amorphous alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置等の用いられる薄膜磁気ヘ
ッドに係り、特に高保磁力の磁気記録媒体に対して高性
能を有し、耐食性のすぐれたＭ膜磁気ヘッドに関する。
ッドに係り、特に高保磁力の磁気記録媒体に対して高性
能を有し、耐食性のすぐれたＭ膜磁気ヘッドに関する。
従来から提案されている代表的な薄膜磁気ヘッドの主要
゛部所面図を第２図に示す。薄筒磁気ヘッドは、非磁性
基板上に、下部磁性層、ギャップ層、導体コイル、絶縁
層、上部磁性層を堆積して形成される。
゛部所面図を第２図に示す。薄筒磁気ヘッドは、非磁性
基板上に、下部磁性層、ギャップ層、導体コイル、絶縁
層、上部磁性層を堆積して形成される。
ところで、前述の様な構造を有する薄膜磁気ヘッドにお
いては従来、同一の軟磁性体材料で上部および下部磁性
層が形成されており、上部磁性体層は、第２図中、矢印
で示したＡ部、Ａ′部で膜厚が小さくなるため、磁気的
飽和が前記上部磁性層中で生じ、書込み効率が大幅に低
下することが指摘されていた。この問題点に対して、た
とえば特開昭６０−３５３１６号公報には、上部磁性層
の飽和磁束密度を、下部磁性層の飽和磁束密度よりも大
きくすることで解決する例が開示されている。この構造
の薄膜ヘッドでは、下部磁性層が熱的に安定な結晶質材
料であることが前提となっており上部磁性層に非晶質合
金など下部磁性層の軟磁性膜とは全く異なる構成元素か
らなっている。そのため、■上部磁性層と、下部磁性層
に用いる軟磁性膜の構成元素が異なることによる腐食電
位の相違、■結晶質材料と非結晶材料の腐食電位の相違
によって上部磁性層と下部磁性層が電池を形成し、腐食
が促進されるという問題があった。
いては従来、同一の軟磁性体材料で上部および下部磁性
層が形成されており、上部磁性体層は、第２図中、矢印
で示したＡ部、Ａ′部で膜厚が小さくなるため、磁気的
飽和が前記上部磁性層中で生じ、書込み効率が大幅に低
下することが指摘されていた。この問題点に対して、た
とえば特開昭６０−３５３１６号公報には、上部磁性層
の飽和磁束密度を、下部磁性層の飽和磁束密度よりも大
きくすることで解決する例が開示されている。この構造
の薄膜ヘッドでは、下部磁性層が熱的に安定な結晶質材
料であることが前提となっており上部磁性層に非晶質合
金など下部磁性層の軟磁性膜とは全く異なる構成元素か
らなっている。そのため、■上部磁性層と、下部磁性層
に用いる軟磁性膜の構成元素が異なることによる腐食電
位の相違、■結晶質材料と非結晶材料の腐食電位の相違
によって上部磁性層と下部磁性層が電池を形成し、腐食
が促進されるという問題があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、前記腐食促進の問題と、上部磁性層の
段差部での磁気飽和の問題を同時に解決した薄膜磁気＼
ラドを提供することにある。
段差部での磁気飽和の問題を同時に解決した薄膜磁気＼
ラドを提供することにある。
発明者等は、上部磁性層と下部磁性層が電池を形成しな
い材料、すなわち両者の磁性膜の腐食電位の差が大きく
ない材料を探索した。第３図に、磁歪入が１λＩ ＜０
．５ Ｘ １０−８のＣｏ系非晶質合金の飽和磁束密度
Ｂｓと、腐食電位（ＢｓがＩＴのＮｌａｘＦｅｚｓ合金
（結晶！ｉりの腐食１１位をＯｖとする）との関係を示
す。第１図にみられるように、Ｃｏ系非晶質合金の腐食
電位は、Ｎｉ−Ｆｅ合金の腐食電位よりも０．７ Ｖ程
度大きく、Ｃｏ系非晶貿合金間では、Ｂｓが異なる場合
、すなわち■ＣＯ以外の構成元素が異なる場合、■同一
構成元素で組成が異なる場合のいずれの場合にも腐食電
位は大きく異ならないことがわかった。
い材料、すなわち両者の磁性膜の腐食電位の差が大きく
ない材料を探索した。第３図に、磁歪入が１λＩ ＜０
．５ Ｘ １０−８のＣｏ系非晶質合金の飽和磁束密度
Ｂｓと、腐食電位（ＢｓがＩＴのＮｌａｘＦｅｚｓ合金
（結晶！ｉりの腐食１１位をＯｖとする）との関係を示
す。第１図にみられるように、Ｃｏ系非晶質合金の腐食
電位は、Ｎｉ−Ｆｅ合金の腐食電位よりも０．７ Ｖ程
度大きく、Ｃｏ系非晶貿合金間では、Ｂｓが異なる場合
、すなわち■ＣＯ以外の構成元素が異なる場合、■同一
構成元素で組成が異なる場合のいずれの場合にも腐食電
位は大きく異ならないことがわかった。
そこで、以下の構成をもつ薄膜磁気ヘッドを発明するに
至った。すなわち、本発明は、前記上部磁性層と下部磁
性層をＣｏ系非晶質合金で形成し、両者の組成あるいは
Ｃｏ以外の構成元素を変えることによって、前記上部磁
性層の飽和磁束密度Ｂｓ、前記下部磁性層の飽和磁束密
度Ｂｓ′、がＢｓ＞Ｂｓ’なる関係を満足するように制
御したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
至った。すなわち、本発明は、前記上部磁性層と下部磁
性層をＣｏ系非晶質合金で形成し、両者の組成あるいは
Ｃｏ以外の構成元素を変えることによって、前記上部磁
性層の飽和磁束密度Ｂｓ、前記下部磁性層の飽和磁束密
度Ｂｓ′、がＢｓ＞Ｂｓ’なる関係を満足するように制
御したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドである。
以下に１本発明の詳細を実施例により説明する。
実施例１
第１図に、本実施例における薄膜磁気ヘッド主要部の断
面図を示す。本薄膜ヘッドは、フオトセラム（コーニン
グ社ｆＪＩｉ） 、 Ａ ｌ ｘ Ｏｓ 、 Ｚ ｒ
Ｏｚ 。
面図を示す。本薄膜ヘッドは、フオトセラム（コーニン
グ社ｆＪＩｉ） 、 Ａ ｌ ｘ Ｏｓ 、 Ｚ ｒ
Ｏｚ 。
ＡｌｚＯｓ−ＴｉＣなどの非磁性基板１上に、Ｃｏ系非
晶質合金よりなる下部磁性層２を形成し、５ｉＯｚ、Ａ
］、ｚＯａ等よりなるギャップ層３、ＡＩ。
晶質合金よりなる下部磁性層２を形成し、５ｉＯｚ、Ａ
］、ｚＯａ等よりなるギャップ層３、ＡＩ。
Ｃｕ等からなる導体コイル４、ポリイミド系樹脂等より
なる有機又は無機絶縁層５、Ｃｏ系非晶質合金よりなる
上部磁性層６からなる。薄膜ヘッドの作製は、スパッタ
リング法、蒸着法で膜形成を行ない、パターニングは公
知のホトリソグラフィ技術を用いて行ない、切断、研削
、研摩等の工程を経て最終的なヘッド形状に仕上げた。
なる有機又は無機絶縁層５、Ｃｏ系非晶質合金よりなる
上部磁性層６からなる。薄膜ヘッドの作製は、スパッタ
リング法、蒸着法で膜形成を行ない、パターニングは公
知のホトリソグラフィ技術を用いて行ない、切断、研削
、研摩等の工程を経て最終的なヘッド形状に仕上げた。
Ｃｏ系の非晶質合金としては、上部磁性層６として、飽
和磁束密度Ｂ３が１．４Ｔ、結晶化温度Ｔｘが４６０℃
のＣｏｅｚＴａ＋ Ｚｒａ（ａｔ％）、下部磁性層２と
して飽和磁束密度Ｂｓ’が１．１Ｔ、結晶化温度Ｔｘ’
が５００℃のＣａａＴａ７Ｚｒ７（ａｔ％）を選定した
。
和磁束密度Ｂ３が１．４Ｔ、結晶化温度Ｔｘが４６０℃
のＣｏｅｚＴａ＋ Ｚｒａ（ａｔ％）、下部磁性層２と
して飽和磁束密度Ｂｓ’が１．１Ｔ、結晶化温度Ｔｘ’
が５００℃のＣａａＴａ７Ｚｒ７（ａｔ％）を選定した
。
この時、磁歪λは両者とも１λｌ ＜０．５ ｘｌｏ−
６を満足していた。またＣｏ系非晶質合金は、磁場中熱
処理によって特性の改善を行った。耐食性に関しては、
温度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒温炉の中でヘッド
を放置し、さびの有無で評価した。従来の上部磁性層６
をＣｏ系非晶質合金。
６を満足していた。またＣｏ系非晶質合金は、磁場中熱
処理によって特性の改善を行った。耐食性に関しては、
温度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒温炉の中でヘッド
を放置し、さびの有無で評価した。従来の上部磁性層６
をＣｏ系非晶質合金。
下部磁性層２をＮｉ−Ｆｅ合金とした薄膜磁気ヘッドで
は、約１５０時間の放置で変色が観察されたが、本実施
例の薄膜ヘッドでは、３００時間の放置でも変色が１＠
察されなかった。また、記録密度特性、記録電流特性は
、前記下部磁性層２をＮｉ−Ｆｅ合金としたヘッドと同
等の性能を示していた。
は、約１５０時間の放置で変色が観察されたが、本実施
例の薄膜ヘッドでは、３００時間の放置でも変色が１＠
察されなかった。また、記録密度特性、記録電流特性は
、前記下部磁性層２をＮｉ−Ｆｅ合金としたヘッドと同
等の性能を示していた。
また、Ｃｏ系非晶質合金は、飽和磁束密度Ｂｓが小さい
程結晶化温度が高いため、下部磁性層２に飽和磁束密度
Ｂｓが小さいＣｏ系非晶質合金を用いる本実施例のヘッ
ドでは、下部磁性層２形成後の他のプロセスによる熱履
歴を経ても特性劣化をなくすことができた。Ｇ ｏ−Ｗ
−Ｚ ｒ ｔ Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚ ｒ ｔＣｏ−Ｍｏ−Ｚ
ｒ＋ Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ系非晶質合金でも組成を選択す
ることによってＢｓ）Ｂｓ’ とすることができ、また
腐食電位がＢｓによって大きく変化しないことからＣｏ
−Ｔａ−Ｚｒ系非晶質合金と同等の効果があった。
程結晶化温度が高いため、下部磁性層２に飽和磁束密度
Ｂｓが小さいＣｏ系非晶質合金を用いる本実施例のヘッ
ドでは、下部磁性層２形成後の他のプロセスによる熱履
歴を経ても特性劣化をなくすことができた。Ｇ ｏ−Ｗ
−Ｚ ｒ ｔ Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚ ｒ ｔＣｏ−Ｍｏ−Ｚ
ｒ＋ Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ系非晶質合金でも組成を選択す
ることによってＢｓ）Ｂｓ’ とすることができ、また
腐食電位がＢｓによって大きく変化しないことからＣｏ
−Ｔａ−Ｚｒ系非晶質合金と同等の効果があった。
実施例２
薄膜ヘッド構造は、第１図と同等とし、上部磁性層６に
飽和磁束密度Ｂ３が１．５Ｔ 、結晶化温度Ｔｘが４６
０℃のＣｏｏｚＴａ＋ Ｚｒ１（ａｔ％）、下部磁性層
２として飽和磁束密度Ｂｓ’が１．０Ｔ、結晶化温度Ｔ
ｘ’ が５２．０℃のＣｏａｌＩＮｂｘｔ ７．ｒ４（
ａｔ％）を選定した。本実施例の薄膜ヘッドも、実施例
１の薄膜磁気ヘッドと同様のプロセスを経て形成される
。耐食性、記録密度特性、記録電流特性は、本実施例と
同等であった、Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ。
飽和磁束密度Ｂ３が１．５Ｔ 、結晶化温度Ｔｘが４６
０℃のＣｏｏｚＴａ＋ Ｚｒ１（ａｔ％）、下部磁性層
２として飽和磁束密度Ｂｓ’が１．０Ｔ、結晶化温度Ｔ
ｘ’ が５２．０℃のＣｏａｌＩＮｂｘｔ ７．ｒ４（
ａｔ％）を選定した。本実施例の薄膜ヘッドも、実施例
１の薄膜磁気ヘッドと同様のプロセスを経て形成される
。耐食性、記録密度特性、記録電流特性は、本実施例と
同等であった、Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ。
Ｃｏ−Ｍｏ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚ
ｒ系非晶質合金の任意の２つの組みあわせでも、Ｂｓ＞
ＢＳ’とすることができ、腐食電位も大きく異ならない
ことからＣｏ−Ｔａ−ＺｒとＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ非晶質合
金の組合せの薄膜磁気ヘッドと同等の効果があった。
ｒ系非晶質合金の任意の２つの組みあわせでも、Ｂｓ＞
ＢＳ’とすることができ、腐食電位も大きく異ならない
ことからＣｏ−Ｔａ−ＺｒとＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ非晶質合
金の組合せの薄膜磁気ヘッドと同等の効果があった。
第４図に、下部磁性層のＣｏ系非晶質合金の飽和磁束密
度がＩＴの時に、上部磁性層の飽和磁束密度がＢｓＴ
の薄膜ヘッドで記録電流特性を調べた時のＩｅｏ（再生
出力が飽和値の９０％となる記録電流値）と、上部磁性
層の飽和磁束密度Ｂｓとの関係を示す。上部磁性層と下
部磁性層の飽和磁束密度の差が０．２Ｔ 以上でＩｓｏ
の低下がみられ、０．４Ｔ以上で飽和の傾向にある。こ
の傾向は。
度がＩＴの時に、上部磁性層の飽和磁束密度がＢｓＴ
の薄膜ヘッドで記録電流特性を調べた時のＩｅｏ（再生
出力が飽和値の９０％となる記録電流値）と、上部磁性
層の飽和磁束密度Ｂｓとの関係を示す。上部磁性層と下
部磁性層の飽和磁束密度の差が０．２Ｔ 以上でＩｓｏ
の低下がみられ、０．４Ｔ以上で飽和の傾向にある。こ
の傾向は。
下部磁性層の飽和磁束密度Ｂｓ’ がＩＴ以外の場合も
同様であった。以上のことから、上部磁性層の飽和磁束
密度が、下部磁性層の飽和磁束密度よりも０．２Ｔ以上
大きい時に本発明の効果が著しいことがわかった。
同様であった。以上のことから、上部磁性層の飽和磁束
密度が、下部磁性層の飽和磁束密度よりも０．２Ｔ以上
大きい時に本発明の効果が著しいことがわかった。
本発明によれば、耐食性を２倍以上向上でき、かつ上部
磁性層の段差部での磁気飽和の問題を解決し、さらに下
部磁性層の熱安定性を高めることができるので、ヘッド
としての性能を落とさず信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
磁性層の段差部での磁気飽和の問題を解決し、さらに下
部磁性層の熱安定性を高めることができるので、ヘッド
としての性能を落とさず信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを
得ることができる。
第１図は、本発明による薄膜磁気ヘッド主要部の断面図
、第２図は、従来の薄膜磁気ヘッド主要部の断面図、第
３図は、磁歪λが１λＩ ＜０．５ＸＩＯ−ＢのＣｏ系
非晶質合金の飽和磁束密度Ｂｓと、腐食電位との関係を
示す図、第４図は、下部磁性層の飽和磁束密度がＩＴの
薄膜磁気ヘッドにおいて、Ｉｓｏと上部磁性層の飽和磁
束密度Ｂｓとの関係を示した図である。 １・・・非磁性基板、２・・・下部磁性層、３・・・ギ
ャップ層、４・・・導体コイル、５・・・絶縁層、６・
・・上部磁性〕 茅１図 メ、゛Ｌ軒′ｓｋ性層（Ｃ４弗品１か含ジＹＪ Ｚ 図
、第２図は、従来の薄膜磁気ヘッド主要部の断面図、第
３図は、磁歪λが１λＩ ＜０．５ＸＩＯ−ＢのＣｏ系
非晶質合金の飽和磁束密度Ｂｓと、腐食電位との関係を
示す図、第４図は、下部磁性層の飽和磁束密度がＩＴの
薄膜磁気ヘッドにおいて、Ｉｓｏと上部磁性層の飽和磁
束密度Ｂｓとの関係を示した図である。 １・・・非磁性基板、２・・・下部磁性層、３・・・ギ
ャップ層、４・・・導体コイル、５・・・絶縁層、６・
・・上部磁性〕 茅１図 メ、゛Ｌ軒′ｓｋ性層（Ｃ４弗品１か含ジＹＪ Ｚ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、上部磁性層と下部磁性層の間に、導体より成るコイ
ルを狭んで成る薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁性層と
下部磁性層にＣｏ系の非晶質合金を使用し、両者の磁性
膜のＣｏ以外の構成元素が異なるか、あるいは構成元素
は同一でその組成が異なることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 ２、前記上部磁性層をなす非晶質合金の飽和磁束密度Ｂ
＿ｓ、前記下部磁性層をなす非晶質合金の飽和磁束密度
Ｂ＿ｓ′、Ｂ＿ｓ＞Ｂ＿ｓ′、なる関係を有しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘ
ッド。 ３、前記上部磁性層の飽和磁束密度Ｂ＿ｓが前記下部磁
性層の飽和磁束密度Ｂ＿ｓ′よりも０．２Ｔ以上大きい
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の薄膜磁気ヘッド。 ４、前記、Ｃｏ系非晶質合金が、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚに系非
晶質合金、Ｃｏ−Ｗ−Ｚｒ系非晶質合金、Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｚｒ系非晶質合金、Ｃｏ−Ｍｏ−Ｚｒ系非晶質合金、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｚｒ系非晶質合金のいずれかであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか
に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24616785A JPS62107416A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24616785A JPS62107416A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62107416A true JPS62107416A (ja) | 1987-05-18 |
Family
ID=17144504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24616785A Pending JPS62107416A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62107416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03241509A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-05 JP JP24616785A patent/JPS62107416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03241509A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
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