JPH0758647B2 - 結晶質軟磁性薄膜 - Google Patents
結晶質軟磁性薄膜Info
- Publication number
- JPH0758647B2 JPH0758647B2 JP61146226A JP14622686A JPH0758647B2 JP H0758647 B2 JPH0758647 B2 JP H0758647B2 JP 61146226 A JP61146226 A JP 61146226A JP 14622686 A JP14622686 A JP 14622686A JP H0758647 B2 JPH0758647 B2 JP H0758647B2
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- Japan
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- soft magnetic
- magnetic thin
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、良好な軟磁気特性を示し高保磁力記録媒体用
の磁気ヘッド材料等に好適な軟磁性薄膜に関するもので
ある。
の磁気ヘッド材料等に好適な軟磁性薄膜に関するもので
ある。
〔発明の概要〕 本発明は、Fe,Al,Ge（Feの一部をCoで置換したものを含
む）とTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hf
の少なくとも１種を組合わせた新規な組成を有する軟磁
性薄膜を提供し、特に耐摩耗性に優れた軟磁性薄膜を提
供するものである。
む）とTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hf
の少なくとも１種を組合わせた新規な組成を有する軟磁
性薄膜を提供し、特に耐摩耗性に優れた軟磁性薄膜を提
供するものである。
例えばオーディオテープレコーダやVTR（ビデオテープ
レコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録信号
の高密度化や高品質化等が進められており、この高記録
密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にFe,Co,
Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用いた、いわゆ
るメタルテープや、強磁性金属材料を真空薄膜形成技術
によりベースフィルム上に直接被着した、いわゆる蒸着
テープ等が開発され、各分野で実用化されている。
レコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録信号
の高密度化や高品質化等が進められており、この高記録
密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にFe,Co,
Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用いた、いわゆ
るメタルテープや、強磁性金属材料を真空薄膜形成技術
によりベースフィルム上に直接被着した、いわゆる蒸着
テープ等が開発され、各分野で実用化されている。
ところで、このような高抗磁力を有する磁気記録媒体の
特性を発揮せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料の
特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一
の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、
高透磁率を併せて有することが要求される。例えば、従
来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェライ
ト材で飽和磁束密度が低く、また、パーマロイでは耐摩
耗性に問題がある。
特性を発揮せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料の
特性として、高い飽和磁束密度を有するとともに、同一
の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、
高透磁率を併せて有することが要求される。例えば、従
来磁気ヘッドのコア材料として多用されているフェライ
ト材で飽和磁束密度が低く、また、パーマロイでは耐摩
耗性に問題がある。
そこで、かかる諸要求を満たすコア材料の一つとして、
本願出願人は先に特許願昭60−218736号においてFe−Al
−Ge（Feの一部をCoで置換したものを含む）系合金から
なる軟磁性薄膜を提案した。
本願出願人は先に特許願昭60−218736号においてFe−Al
−Ge（Feの一部をCoで置換したものを含む）系合金から
なる軟磁性薄膜を提案した。
ところで現在、磁気ヘッド材に対し高密度記録が要求さ
れているために、テープと磁気ヘッド間の相対速度が上
昇しつつあるのが現状である。従って、初期の磁気ヘッ
ドの電磁変換特性を長時間に亘って維持するためにコア
材に耐摩耗性についての要求が厳しくなっているのが現
状である。
れているために、テープと磁気ヘッド間の相対速度が上
昇しつつあるのが現状である。従って、初期の磁気ヘッ
ドの電磁変換特性を長時間に亘って維持するためにコア
材に耐摩耗性についての要求が厳しくなっているのが現
状である。
このような状況から、高品質化，高記録密度化を図るた
めの磁気記録媒体の高抗磁力化の試みも、従来のコア材
料を用いる限りにおいて、摩耗性の限界から自ずと制約
を受けている。
めの磁気記録媒体の高抗磁力化の試みも、従来のコア材
料を用いる限りにおいて、摩耗性の限界から自ずと制約
を受けている。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、Fe−Al−Ge（Feの一部をCoで置換したも
のを含む）系合金のより一層の改善を目的とするもので
あり、良好な軟磁気特性（透磁率や抗磁力等）、高飽和
磁束密度を有し、しかも耐摩耗性に優れ、記録，再生特
性の良好な軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
ものであって、Fe−Al−Ge（Feの一部をCoで置換したも
のを含む）系合金のより一層の改善を目的とするもので
あり、良好な軟磁気特性（透磁率や抗磁力等）、高飽和
磁束密度を有し、しかも耐摩耗性に優れ、記録，再生特
性の良好な軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと長期に亘り
鋭意研究の結果、特に耐摩耗性の改善という観点から、
Ti,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの少な
くとも１種以上の元素をFe−Al−Ge（Feの一部をCoで置
換したものを含む）系合金に添加することが有効である
ことを見出した。
鋭意研究の結果、特に耐摩耗性の改善という観点から、
Ti,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの少な
くとも１種以上の元素をFe−Al−Ge（Feの一部をCoで置
換したものを含む）系合金に添加することが有効である
ことを見出した。
そこで、本発明の結晶質軟磁性薄膜は、FeaAlcGedM
e（ただしa,c,d,eはそれぞれ組成比を原子％として表
し、ＭはTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの
少なくとも１種を表す。）なる組成式で示され、その組
成範囲が 68≦ａ≦84 １≦ｃ≦31 １≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦６ ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100 なる関係を満足することを特徴とするものである。
e（ただしa,c,d,eはそれぞれ組成比を原子％として表
し、ＭはTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの
少なくとも１種を表す。）なる組成式で示され、その組
成範囲が 68≦ａ≦84 １≦ｃ≦31 １≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦６ ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100 なる関係を満足することを特徴とするものである。
また、本願の第２の発明の結晶質軟磁性薄膜は、FeaCob
AlcGedMe（ただしa,b,c,d,eはそれぞれ組成比を原子％
として表し、ＭはTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,N
i,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種を表す。）なる組成式で示
され、その組成範囲が 68≦ａ≦84 ０＜ｂ≦15 １≦ｃ≦31 １≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦６ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100 なる関係を満足することを特徴とするものである。
AlcGedMe（ただしa,b,c,d,eはそれぞれ組成比を原子％
として表し、ＭはTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,N
i,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種を表す。）なる組成式で示
され、その組成範囲が 68≦ａ≦84 ０＜ｂ≦15 １≦ｃ≦31 １≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦６ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100 なる関係を満足することを特徴とするものである。
すなわち、本発明の軟磁性薄膜は、Fe,Al,Ge（Feの一部
をCoで置換したものを含む）を基本組成とする合金にT
i,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの少なく
とも１種を添加してなるものであって、耐摩耗性や軟磁
気特性に優れ、高飽和磁束密度Bsを有するものである。
をCoで置換したものを含む）を基本組成とする合金にT
i,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの少なく
とも１種を添加してなるものであって、耐摩耗性や軟磁
気特性に優れ、高飽和磁束密度Bsを有するものである。
また、基本合金として用いられるFe−Al−Ge（Feの一部
をCoで置換したものを含む）合金の組成中Alの一部もし
くは全部をGaで、またはGeの一部もしくは全部をSiで置
換した組成の合金も基本合金に含むものとする。
をCoで置換したものを含む）合金の組成中Alの一部もし
くは全部をGaで、またはGeの一部もしくは全部をSiで置
換した組成の合金も基本合金に含むものとする。
本発明の軟磁性薄膜においては、各成分元素の組成比を
所定の範囲内に設定することが好ましく、この範囲を外
れると磁歪が大きくなり、磁気特性が劣化する。特に、
基本合金に添加するTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,
Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種の添加量については、0.5
原子％より少ない場合には目的とする耐摩耗性の改善効
果が得られず、６原子％より多い場合には磁気特性の劣
化を招いてしまう。
所定の範囲内に設定することが好ましく、この範囲を外
れると磁歪が大きくなり、磁気特性が劣化する。特に、
基本合金に添加するTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,
Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種の添加量については、0.5
原子％より少ない場合には目的とする耐摩耗性の改善効
果が得られず、６原子％より多い場合には磁気特性の劣
化を招いてしまう。
上記軟磁性薄膜の製造方法としては種々の方法が考えら
れるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
れるが、なかでも真空薄膜形成技術によるのが良い。
この真空薄膜形成技術の手法としては、スパッタリング
やイオンプレーティング，真空蒸着法，クラスター・イ
オンビーム法等が挙げられる。
やイオンプレーティング，真空蒸着法，クラスター・イ
オンビーム法等が挙げられる。
また、上記各成分元素の組成を調節する方法としては、 ｉ）各成分元素を所定の割合となるように秤量し、これ
らをあからじめ例えば高周波溶解炉等で溶解して合金イ
ンゴットを形成しておき、この合金インゴットを蒸発源
として使用する方法、 ii）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発源
の数で組成を制御する方法、 iii）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 iv）合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち込
む方法、 等が挙げられる。
らをあからじめ例えば高周波溶解炉等で溶解して合金イ
ンゴットを形成しておき、この合金インゴットを蒸発源
として使用する方法、 ii）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発源
の数で組成を制御する方法、 iii）各成分の単独元素の蒸発源を用意し、これら蒸発
源に加える出力（印加電圧）を制御して蒸発スピードを
コントロールし組成を制御する方法、 iv）合金を蒸発源として蒸着しながら他の元素を打ち込
む方法、 等が挙げられる。
なお、上述の真空薄膜形成技術等により膜付けされた軟
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
磁性薄膜は、そのままの状態では保磁力は若干高い値を
示し良好な軟磁気特性が得られないので、熱処理を施し
て膜の歪を除去し、軟磁気特性を改善することが好まし
い。
このように、軟磁性薄膜の構成元素としてFe,Al,Ge（Fe
の一部をCoで置換したものを含む）を基本組成とする合
金にTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの
少なくとも１種を選び添加し、これらの組成比を所定の
範囲内に設定することにより、耐摩耗性に非常に優れた
軟磁性薄膜となる。
の一部をCoで置換したものを含む）を基本組成とする合
金にTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの
少なくとも１種を選び添加し、これらの組成比を所定の
範囲内に設定することにより、耐摩耗性に非常に優れた
軟磁性薄膜となる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこの実施例に限定されるものではないことは言う
までもない。
発明がこの実施例に限定されるものではないことは言う
までもない。
先ず、99.9％以上の純度を有する電解鉄，電解コバル
ト、99.99％の純度を有するアルミニウム、99.999％の
純度を有するゲルマニウム及び94.0〜99.9％の純度を有
するTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの
少なくとも１種の添加元素をそれぞれ所定の組成比とな
るように秤量し、アルゴン雰囲気中で高周波誘導加熱炉
を用いて溶解・鋳造後、さらに機械加工を行って直径10
5mm,厚み4mmのスパッタリング用合金ターゲットを作製
した。
ト、99.99％の純度を有するアルミニウム、99.999％の
純度を有するゲルマニウム及び94.0〜99.9％の純度を有
するTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの
少なくとも１種の添加元素をそれぞれ所定の組成比とな
るように秤量し、アルゴン雰囲気中で高周波誘導加熱炉
を用いて溶解・鋳造後、さらに機械加工を行って直径10
5mm,厚み4mmのスパッタリング用合金ターゲットを作製
した。
次に、この合金ターゲットを用いて、プレーナー・マグ
ネトロン型RFスパッタリング装置により、到達ガス圧8.
0×10-6Torr,アルゴンガス分圧4.0×10-3Torr,予備スパ
ッタ１時間，スパッタ時間45分，投入電力300Wの条件で
スパッタリングを行い、水冷した結晶化ガラス基板（商
品名 PEG3130C HOYA社製）上に膜厚約２μｍの薄膜を
得た。
ネトロン型RFスパッタリング装置により、到達ガス圧8.
0×10-6Torr,アルゴンガス分圧4.0×10-3Torr,予備スパ
ッタ１時間，スパッタ時間45分，投入電力300Wの条件で
スパッタリングを行い、水冷した結晶化ガラス基板（商
品名 PEG3130C HOYA社製）上に膜厚約２μｍの薄膜を
得た。
上述の方法に従い、軟磁性薄膜が形成された基板を500
℃で１時間真空アニールを行い、作製した軟磁性薄膜の
各サンプルについて、軟磁性薄膜の膜組成を分析し、室
温における飽和磁束密度Bs,抗磁力Hc,実行透磁率μeff
（1MHzにおける値），耐摩耗性について調べた。
℃で１時間真空アニールを行い、作製した軟磁性薄膜の
各サンプルについて、軟磁性薄膜の膜組成を分析し、室
温における飽和磁束密度Bs,抗磁力Hc,実行透磁率μeff
（1MHzにおける値），耐摩耗性について調べた。
ここで、飽和磁束密度Bsは試料振動磁束計（VSM）、抗
磁力HcはＢ−Ｈループトレーサ、透磁率μは８の字コイ
ル型透磁率計で測定した。
磁力HcはＢ−Ｈループトレーサ、透磁率μは８の字コイ
ル型透磁率計で測定した。
また、耐摩耗性は次のようにして測定した。つまり、第
１図に示すようにダミーヘッド（１）のテープ摺動面上
に先ず、Cr下地層として0.2〜0.4μｍのCrの薄膜層
（２）を基板加熱温度200〜300℃，到達ガス圧8.0×10
-6Torr,アルゴンガス分圧4.0×10-3Torr,予備スパッタ
１時間，スパッタ時間10分，投入電力200W条件で付着さ
せた。その際ダミーヘッドを200〜300℃に加熱し10分間
逆スパッタを行った。
１図に示すようにダミーヘッド（１）のテープ摺動面上
に先ず、Cr下地層として0.2〜0.4μｍのCrの薄膜層
（２）を基板加熱温度200〜300℃，到達ガス圧8.0×10
-6Torr,アルゴンガス分圧4.0×10-3Torr,予備スパッタ
１時間，スパッタ時間10分，投入電力200W条件で付着さ
せた。その際ダミーヘッドを200〜300℃に加熱し10分間
逆スパッタを行った。
その後、所定の組成を持つ軟磁性薄膜（３）（各サンプ
ル）を膜厚約10μｍとなるように基板加熱温度200〜300
℃，到達ガス圧8.0×10-6Torr,アルゴンガス分圧4.0×1
0-3Torr,予備スパッタ１時間，スパッタ時間３時間、投
入電力300Wの条件で付着させたその際にもダミーヘッド
を200〜300℃に加熱し10分間逆スパッタを行った。
ル）を膜厚約10μｍとなるように基板加熱温度200〜300
℃，到達ガス圧8.0×10-6Torr,アルゴンガス分圧4.0×1
0-3Torr,予備スパッタ１時間，スパッタ時間３時間、投
入電力300Wの条件で付着させたその際にもダミーヘッド
を200〜300℃に加熱し10分間逆スパッタを行った。
ダミーヘッド摺動面上に軟磁性薄膜（３）を上述のよう
にしてスパッタリングにて形成された後、第２図に示す
ようにヘッド各板（４）に接着剤（５）を用いて装着し
た。接着剤（５）が充分硬化した後、１インチVTR（ソ
ニー社製，商品名BVH−1000）用ヘッドドラムに台板
（４）ごと装着した。その際、ダミーヘッド（１）の突
出量が80±５μｍとなるように調整した。
にしてスパッタリングにて形成された後、第２図に示す
ようにヘッド各板（４）に接着剤（５）を用いて装着し
た。接着剤（５）が充分硬化した後、１インチVTR（ソ
ニー社製，商品名BVH−1000）用ヘッドドラムに台板
（４）ごと装着した。その際、ダミーヘッド（１）の突
出量が80±５μｍとなるように調整した。
上記ダミーヘッド（１）を装着した１インチVTR（ソニ
ー社製，商品名BVH−1000）にセットし、γ−Fe2O3系テ
ープ（ソニー社製，商品名Ｖ−16−64A）を用いて摩耗
製のテストを行った。その時のテープとダミーヘッドの
相対スピードは25.59m/secである。ダミーヘッドはテー
プ走行時間５時間毎にドラムより取り外し、顕微鏡（倍
率×400）を用いてテープ摺動面からマーカーまでの距
離を測定した。一つの試料につき６個のダミーヘッドを
作り、それらの測定値の平均値をもって摩耗度とした。
テープ走行時間は、合計15時間である。耐摩耗値は、テ
ープ走行時間と摩耗量の関係を最小自乗法により算出し
たときの直線の傾きである。
ー社製，商品名BVH−1000）にセットし、γ−Fe2O3系テ
ープ（ソニー社製，商品名Ｖ−16−64A）を用いて摩耗
製のテストを行った。その時のテープとダミーヘッドの
相対スピードは25.59m/secである。ダミーヘッドはテー
プ走行時間５時間毎にドラムより取り外し、顕微鏡（倍
率×400）を用いてテープ摺動面からマーカーまでの距
離を測定した。一つの試料につき６個のダミーヘッドを
作り、それらの測定値の平均値をもって摩耗度とした。
テープ走行時間は、合計15時間である。耐摩耗値は、テ
ープ走行時間と摩耗量の関係を最小自乗法により算出し
たときの直線の傾きである。
各サンプルの組成と各々についての測定結果を第１表〜
第４表に示す。
第４表に示す。
上記第１表〜第４表より、Fe,Al,Ge（Feの一部をCoで置
換したものを含む）にTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,R
e,Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種の添加元素を添加する
ことによって耐摩耗性について非常に優れた軟磁性薄膜
となることがわかった。
換したものを含む）にTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,R
e,Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種の添加元素を添加する
ことによって耐摩耗性について非常に優れた軟磁性薄膜
となることがわかった。
上述の説明からも明らかなように、軟磁性薄膜の成分元
素としてFe,Al,Ge（Feの一部をCoで置換したものを含
む）からなる合金中にTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,R
e,Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種の添加元素を添加し、
これらの組成比を所定の値に設定することにより、従来
の軟磁性薄膜より優れた耐摩耗性を確保することが可能
になった。
素としてFe,Al,Ge（Feの一部をCoで置換したものを含
む）からなる合金中にTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,Ru,Os,Ir,R
e,Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種の添加元素を添加し、
これらの組成比を所定の値に設定することにより、従来
の軟磁性薄膜より優れた耐摩耗性を確保することが可能
になった。
また、センダスト合金を凌ぐ飽和磁束密度Bsも達成する
ことができ、軟磁気特性にも優れている軟磁性薄膜とす
ることが可能となった。
ことができ、軟磁気特性にも優れている軟磁性薄膜とす
ることが可能となった。
したがって、この軟磁性薄膜を例えば磁気ヘッドのコア
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高抗磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
等記録，再生特性の良好な磁気ヘッドとすることができ
る。
材料として用いることにより、磁気記録媒体の高抗磁力
化に充分対処することができ、高品質化や高記録密度化
等記録，再生特性の良好な磁気ヘッドとすることができ
る。
第１図は耐摩耗性を測定するためのダミーヘッドの構成
を示す斜視図であり、第２図は軟磁性薄膜を付着したダ
ミーヘッドのヘッド台板への取り付け状態を示す模式的
な平面図である。 １……ダミーヘッド ３……軟磁性薄膜 ４……ヘッド台板
を示す斜視図であり、第２図は軟磁性薄膜を付着したダ
ミーヘッドのヘッド台板への取り付け状態を示す模式的
な平面図である。 １……ダミーヘッド ３……軟磁性薄膜 ４……ヘッド台板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 落合 祥隆 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 松田 秀樹 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 岩崎 洋 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 阿蘇 興一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−27941（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−104106（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−104107（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】FeaAlcGedMe（ただしa,c,d,eはそれぞれ組
成比を原子％として表し、ＭはTi,Zr,Nb,Ta,W,Mo,Mn,O
s,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種を表す。）なる
組成式で示され、その組成範囲が 68≦ａ≦84 １≦ｃ≦31 １≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦６ ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100 なる関係を満足することを特徴とする結晶質軟磁性薄
膜。 - 【請求項２】FeaCobAlcGedMe（ただしa,b,c,d,eはそれ
ぞれ組成比を原子％として表し、ＭはTi,Zr,Nb,Ta,W,M
o,Mn,Ru,Os,Ir,Re,Ni,Pd,Pt,Hfの少なくとも１種を表
す。）なる組成式で示され、その組成範囲が 68≦ａ≦84 ０＜ｂ≦15 １≦ｃ≦31 １≦ｄ≦31 0.5≦ｅ≦６ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝100 なる関係を満足することを特徴とする結晶質軟磁性薄
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146226A JPH0758647B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 結晶質軟磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146226A JPH0758647B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 結晶質軟磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633406A JPS633406A (ja) | 1988-01-08 |
| JPH0758647B2 true JPH0758647B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=15402962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61146226A Expired - Fee Related JPH0758647B2 (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 結晶質軟磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758647B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607612B1 (en) | 1999-05-14 | 2003-08-19 | Migaku Takahashi | Magnetic alloy and magnetic recording medium and method for preparation thereof, and target for forming magnetic film and magnetic recording device |
| JP4856395B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2012-01-18 | 株式会社佐藤工業所 | コンクリート軌道スラブの成形用型枠 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104870B2 (ja) * | 1981-08-11 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | 非晶質薄膜の製造方法 |
| JPH0789526B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1995-09-27 | ソニー株式会社 | 結晶質軟磁性薄膜 |
| JPH0828298B2 (ja) * | 1985-10-31 | 1996-03-21 | ソニー株式会社 | 軟磁性薄膜 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61146226A patent/JPH0758647B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633406A (ja) | 1988-01-08 |
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