JPH0550054B2 - - Google Patents
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- JPH0550054B2 JPH0550054B2 JP59112023A JP11202384A JPH0550054B2 JP H0550054 B2 JPH0550054 B2 JP H0550054B2 JP 59112023 A JP59112023 A JP 59112023A JP 11202384 A JP11202384 A JP 11202384A JP H0550054 B2 JPH0550054 B2 JP H0550054B2
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体磁性面に対して垂直方向の
残留磁化を用いて信号の記録を行なう所謂垂直磁
化記録方式において使用される垂直磁化記録媒体
の製法に関するものである。
残留磁化を用いて信号の記録を行なう所謂垂直磁
化記録方式において使用される垂直磁化記録媒体
の製法に関するものである。
従来、例えばコンピユータ等の記憶媒体やオー
デイオテープレコーダやビデオテープレコーダ等
の記録媒体として使用される磁気記録媒体におい
ては、一般に基板上に被着形成される磁気記録層
に対して水平方向の磁化（面内方向磁化）を行な
つてその記録を行なつている。
デイオテープレコーダやビデオテープレコーダ等
の記録媒体として使用される磁気記録媒体におい
ては、一般に基板上に被着形成される磁気記録層
に対して水平方向の磁化（面内方向磁化）を行な
つてその記録を行なつている。
ところが、この面内方向磁化による記録の場
合、記録信号が短波長になるにつれ、すなわち記
録密度が高まるにつれ、媒体内の反磁界が増して
残留磁束密度が減衰し、再生出力が減少するとい
う欠点を有している。
合、記録信号が短波長になるにつれ、すなわち記
録密度が高まるにつれ、媒体内の反磁界が増して
残留磁束密度が減衰し、再生出力が減少するとい
う欠点を有している。
そこでさらに従来、磁気記録媒体の記録層の厚
さ方向の磁化により記録を行なう垂直磁化記録方
式が提案されており、この垂直磁化記録方式によ
れば記録波長が短波長になるにしたがい減磁界が
小さくなることから、特に短波長記録、高密度記
録において上述した面内方向磁化による記録より
有利であることが知られている。
さ方向の磁化により記録を行なう垂直磁化記録方
式が提案されており、この垂直磁化記録方式によ
れば記録波長が短波長になるにしたがい減磁界が
小さくなることから、特に短波長記録、高密度記
録において上述した面内方向磁化による記録より
有利であることが知られている。
そして、この種の記録方式に用いられる垂直磁
化記録媒体としては、高分子フイルム等の非磁性
基板上にCo−Cr合金により垂直磁化記録層を被
着形成したものが考えられているが、なかでも上
記非磁性基板と垂直磁化記録層との間に面内磁化
層としてFe−Ni合金からなる高透磁率磁性薄膜
層を設け、記録効率や再生効率の向上を図つた２
層膜垂直磁化記録媒体が注目されている。
化記録媒体としては、高分子フイルム等の非磁性
基板上にCo−Cr合金により垂直磁化記録層を被
着形成したものが考えられているが、なかでも上
記非磁性基板と垂直磁化記録層との間に面内磁化
層としてFe−Ni合金からなる高透磁率磁性薄膜
層を設け、記録効率や再生効率の向上を図つた２
層膜垂直磁化記録媒体が注目されている。
ところで、この２層薄膜垂直磁化記録媒体にお
いては、上記高透磁率磁性薄膜層の磁気特性が重
要で、例えば上記高透磁率磁性薄膜層の抗磁力
Hcが高いとこの磁性薄膜層の磁気抵抗が大きく
なつて記録効率や再生効率を低下してしまう。そ
こで、上記高透磁率磁性薄膜層の材質として抗磁
力Hcの小さなFe−Ni合金が使用されているが、
それでも上記Fe−Ni合金膜を真空蒸着法により
製造しようとする場合には、製造条件によつては
抗磁力Hcが20〜30エルステツドにも達してしま
い、十分な記録・再生効率が得られない。
いては、上記高透磁率磁性薄膜層の磁気特性が重
要で、例えば上記高透磁率磁性薄膜層の抗磁力
Hcが高いとこの磁性薄膜層の磁気抵抗が大きく
なつて記録効率や再生効率を低下してしまう。そ
こで、上記高透磁率磁性薄膜層の材質として抗磁
力Hcの小さなFe−Ni合金が使用されているが、
それでも上記Fe−Ni合金膜を真空蒸着法により
製造しようとする場合には、製造条件によつては
抗磁力Hcが20〜30エルステツドにも達してしま
い、十分な記録・再生効率が得られない。
一方、Fe−Ni合金の飽和磁束密度は、上記Fe
−Ni合金の組成がFe21.5重量％、Ni78.5重量％
であるときに10800ガウス程度であり、Niの含有
量が減少するとこの飽和磁束密度が増加すること
が知られている。したがつて、飽和磁束密度の大
きなFe−Ni合金を用いて抗磁力Hcの小さなFe−
Ni合金膜が得られれば、これを面内磁化層とし
て用いることによりさらに記録効率に優れ再生出
力の大きな垂直磁化記録媒体が得られるものと考
えられるが、この場合にもいかにして抗磁力Hc
を小さくするかが大きな課題となつている。
−Ni合金の組成がFe21.5重量％、Ni78.5重量％
であるときに10800ガウス程度であり、Niの含有
量が減少するとこの飽和磁束密度が増加すること
が知られている。したがつて、飽和磁束密度の大
きなFe−Ni合金を用いて抗磁力Hcの小さなFe−
Ni合金膜が得られれば、これを面内磁化層とし
て用いることによりさらに記録効率に優れ再生出
力の大きな垂直磁化記録媒体が得られるものと考
えられるが、この場合にもいかにして抗磁力Hc
を小さくするかが大きな課題となつている。
そこで本発明は、面内磁化層として優れた磁気
的性質を示し、特に抗磁力Hcの小さな高透磁率
磁性薄膜層の製造方法を提供し、もつて記録効率
や再生効率の優れた垂直磁化記録媒体を製造する
ことが可能な垂直磁化記録媒体の製法を提供する
ことを目的とする。
的性質を示し、特に抗磁力Hcの小さな高透磁率
磁性薄膜層の製造方法を提供し、もつて記録効率
や再生効率の優れた垂直磁化記録媒体を製造する
ことが可能な垂直磁化記録媒体の製法を提供する
ことを目的とする。
本発明は、上述の如き目的を達成するために、
基体上にNiを70〜78.5重量％含有するFe−Ni合
金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度を
ｙ℃、Niの含有量をｘ重量％としたときにｙ≧
4.5x−110なる関係を満たすように制御しながら
蒸着形成した後、上記高透磁率磁性薄膜上に膜厚
が100〜500ÅのTi薄膜及びCo−Cr合金よりなる
垂直磁化記録層を蒸着形成することを特徴とする
ものである。
基体上にNiを70〜78.5重量％含有するFe−Ni合
金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度を
ｙ℃、Niの含有量をｘ重量％としたときにｙ≧
4.5x−110なる関係を満たすように制御しながら
蒸着形成した後、上記高透磁率磁性薄膜上に膜厚
が100〜500ÅのTi薄膜及びCo−Cr合金よりなる
垂直磁化記録層を蒸着形成することを特徴とする
ものである。
すなわち、本発明においては、先ず、Fe−Ni
合金インゴツトの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱
するための加熱手段（ヒータや電子銃等）とを備
えた真空蒸着装置内に、上記蒸発源と対向してポ
リイミド等の非磁性材料により形成される基体を
配置し、上記蒸発源を上記加熱手段によつて加熱
して上記基体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率
磁性薄膜を蒸着形成するが、このとき、上記基体
を例えば赤外線ヒータ等の加熱手段を用いて所定
の温度に加熱制御しておくのである。
合金インゴツトの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱
するための加熱手段（ヒータや電子銃等）とを備
えた真空蒸着装置内に、上記蒸発源と対向してポ
リイミド等の非磁性材料により形成される基体を
配置し、上記蒸発源を上記加熱手段によつて加熱
して上記基体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率
磁性薄膜を蒸着形成するが、このとき、上記基体
を例えば赤外線ヒータ等の加熱手段を用いて所定
の温度に加熱制御しておくのである。
本発明者等の実験によれば、上記基体の温度を
高くしておくことにより、得られる高透磁率磁性
薄膜層の抗磁力Hcが大幅に小さくなることか判
明した。例えば、Fe21.5重量％、Ni78.5重量％を
含有するFe−Ni合金を用い基体温度を100℃〜
260℃の範囲で変化させて膜厚0.39μｍの高透磁率
磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率
磁性薄膜層の抗磁力Hcは、第１図中直線ａで示
すように、基体温度を180℃以上にすると急激に
減少し、特に基体温度を約230℃以上とすれば抗
磁力Hcが10エルステツド以下、上記基体温度を
約245℃以上とすれば抗磁力Hcが５エルステツド
以下にまで減少することが分かつた。同様に、
Fe25重量％、Ni75重量％を含有するFe−Ni合金
を用いた場合には第１図中直線ｂで示すように、
またFe30重量％、Ni70重量％を含有するFe−Ni
合金を用いた場合には第１図中直線Ｃで示すよう
に、それぞれ基体温度の上昇に伴なつて抗磁力
Hcが急激に小さくなる。
高くしておくことにより、得られる高透磁率磁性
薄膜層の抗磁力Hcが大幅に小さくなることか判
明した。例えば、Fe21.5重量％、Ni78.5重量％を
含有するFe−Ni合金を用い基体温度を100℃〜
260℃の範囲で変化させて膜厚0.39μｍの高透磁率
磁性薄膜層を作製したところ、得られる高透磁率
磁性薄膜層の抗磁力Hcは、第１図中直線ａで示
すように、基体温度を180℃以上にすると急激に
減少し、特に基体温度を約230℃以上とすれば抗
磁力Hcが10エルステツド以下、上記基体温度を
約245℃以上とすれば抗磁力Hcが５エルステツド
以下にまで減少することが分かつた。同様に、
Fe25重量％、Ni75重量％を含有するFe−Ni合金
を用いた場合には第１図中直線ｂで示すように、
またFe30重量％、Ni70重量％を含有するFe−Ni
合金を用いた場合には第１図中直線Ｃで示すよう
に、それぞれ基体温度の上昇に伴なつて抗磁力
Hcが急激に小さくなる。
上記第１図をもとに、Fe−Ni合金に含まれる
Ni含有量及び基体温度と得られる高透磁率磁性
薄膜層の抗磁力Hcの関係を求めたところ、第２
図に示すような結果が得られた。すなわち、抗磁
力Hcが10エルステツドよりも小さい高透磁率磁
性薄膜層を得るためには第２図中直線Ａよりも高
い温度に基体を加熱すればよく、また抗磁力Hc
が５エルステツドよりも小さい高透磁率磁性薄膜
層を得るためには第２図中直線Ｂよりも高い温度
に基体を設定すればよい。
Ni含有量及び基体温度と得られる高透磁率磁性
薄膜層の抗磁力Hcの関係を求めたところ、第２
図に示すような結果が得られた。すなわち、抗磁
力Hcが10エルステツドよりも小さい高透磁率磁
性薄膜層を得るためには第２図中直線Ａよりも高
い温度に基体を加熱すればよく、また抗磁力Hc
が５エルステツドよりも小さい高透磁率磁性薄膜
層を得るためには第２図中直線Ｂよりも高い温度
に基体を設定すればよい。
一方、上記Fe−Ni合金においては、第３図に
示すように、Niの含有量が減少するのに伴なつ
て飽和磁束密度が増加する。
示すように、Niの含有量が減少するのに伴なつ
て飽和磁束密度が増加する。
したがつて、上記Fe−Ni合金に含まれるNiの
含有量を減らすとともに、このFe−Ni合金を蒸
着する際の基体の温度を高くしておくことによ
り、飽和磁束密度が大きく抗磁力Hcが小さい高
透磁率磁性薄膜層が得られる。ここで、上記Fe
−Ni合金に含まれるNiの含有量は、通常使用さ
れるFe−Ni合金のNi含有量である78.5重量％よ
りも少なければ飽和磁束密度の点で有利である
が、この含有量があまり少ないと結晶磁気異方性
や磁歪が大きくなつて上記高透磁率磁性薄膜層と
して好ましくない。実用的な範囲としては、上記
Niの含有量が70〜78.5重量％である。一方、この
ときの基体の温度としては、190℃以上であれば
抗磁力Hcが急激に小さくなり、特にNiの含有量
が70重量％のときには抗磁力Hcが10エルステツ
ド以下になるが、Fe−Ni合金に含まれるNiの含
有量に応じて第２図に基づき設定することが好ま
しい。すなわち、抗磁力Hcを５エルステツド以
下とするためには、Niの含有量をｘ重量％、基
体の温度をｙ℃としたときに、 ｙ≧4.5x−110 なる関係（直線Ｂよりも上の領域）を満たすよう
に設定する。このとき、基体の温度を400℃以上
に設定すると、上記基体を熱により損傷する虞れ
があるので好ましくない。
含有量を減らすとともに、このFe−Ni合金を蒸
着する際の基体の温度を高くしておくことによ
り、飽和磁束密度が大きく抗磁力Hcが小さい高
透磁率磁性薄膜層が得られる。ここで、上記Fe
−Ni合金に含まれるNiの含有量は、通常使用さ
れるFe−Ni合金のNi含有量である78.5重量％よ
りも少なければ飽和磁束密度の点で有利である
が、この含有量があまり少ないと結晶磁気異方性
や磁歪が大きくなつて上記高透磁率磁性薄膜層と
して好ましくない。実用的な範囲としては、上記
Niの含有量が70〜78.5重量％である。一方、この
ときの基体の温度としては、190℃以上であれば
抗磁力Hcが急激に小さくなり、特にNiの含有量
が70重量％のときには抗磁力Hcが10エルステツ
ド以下になるが、Fe−Ni合金に含まれるNiの含
有量に応じて第２図に基づき設定することが好ま
しい。すなわち、抗磁力Hcを５エルステツド以
下とするためには、Niの含有量をｘ重量％、基
体の温度をｙ℃としたときに、 ｙ≧4.5x−110 なる関係（直線Ｂよりも上の領域）を満たすよう
に設定する。このとき、基体の温度を400℃以上
に設定すると、上記基体を熱により損傷する虞れ
があるので好ましくない。
ところで、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力Hcは、上述の基体の温度に加えて、第４図に
示すように膜厚にも依存し、例えば基体温度を
260℃に設定した場合には、第４図中曲線ｄで示
すように、膜厚が大きくなるにしたがつて抗磁力
Hcが単調に小さくなるが、基体の温度が低い
（180℃）と、第４図中曲線ｅで示すように膜厚
0.39μｍで抗磁力Hcが最大となることが分かつ
た。したがつて、上述のように膜厚0.39μｍにお
いて抗磁力Hcを満足するように基体の温度を設
定すれば、膜厚が異なつても抗磁力Hcが充分に
小さくなることは明らかである。
力Hcは、上述の基体の温度に加えて、第４図に
示すように膜厚にも依存し、例えば基体温度を
260℃に設定した場合には、第４図中曲線ｄで示
すように、膜厚が大きくなるにしたがつて抗磁力
Hcが単調に小さくなるが、基体の温度が低い
（180℃）と、第４図中曲線ｅで示すように膜厚
0.39μｍで抗磁力Hcが最大となることが分かつ
た。したがつて、上述のように膜厚0.39μｍにお
いて抗磁力Hcを満足するように基体の温度を設
定すれば、膜厚が異なつても抗磁力Hcが充分に
小さくなることは明らかである。
上述のように、Fe−Ni合金に含まれるNiの含
有量を適宜選択するとともに、上記Niの含有量
に応じて基体の温度を制御しながら高透磁率磁性
薄膜層を蒸着形成した後、こと高透磁率磁性薄膜
層上にTi薄膜及び垂直磁化記録層を順次スパツ
タ法や蒸着法等により被着形成し、垂直磁化記録
媒体を完成する。
有量を適宜選択するとともに、上記Niの含有量
に応じて基体の温度を制御しながら高透磁率磁性
薄膜層を蒸着形成した後、こと高透磁率磁性薄膜
層上にTi薄膜及び垂直磁化記録層を順次スパツ
タ法や蒸着法等により被着形成し、垂直磁化記録
媒体を完成する。
上記垂直磁化記録層は、Crを10〜25原子％を
含み残部CoからなるCo−Cr合金をスパツタ法や
蒸着法等により被着することにより作製されるも
のであつて、これによつて垂直方向の配向に優れ
たものが得られる。
含み残部CoからなるCo−Cr合金をスパツタ法や
蒸着法等により被着することにより作製されるも
のであつて、これによつて垂直方向の配向に優れ
たものが得られる。
また、上記Ti薄膜は、垂直磁化膜性の優れた
Co−Cr合金膜を形成するために設けられるもの
であつて、その膜厚は100〜500Åに選定される。
上記Ti薄膜の膜厚が100Å未満では、Tiの連続膜
が形成しにくく、Tiの下地膜としての効果が不
充分となる虞れがあり、また上記膜厚が500Åを
越えてもCo−Cr合金膜の磁気的特性や機械的特
性にこれ以上の効果が認められない。なお、この
Ti薄膜は、場合によつては無くともよい。
Co−Cr合金膜を形成するために設けられるもの
であつて、その膜厚は100〜500Åに選定される。
上記Ti薄膜の膜厚が100Å未満では、Tiの連続膜
が形成しにくく、Tiの下地膜としての効果が不
充分となる虞れがあり、また上記膜厚が500Åを
越えてもCo−Cr合金膜の磁気的特性や機械的特
性にこれ以上の効果が認められない。なお、この
Ti薄膜は、場合によつては無くともよい。
以上述べたように、基体の温度を高くしておく
ことにより、抗磁力Hcの小さいFe−Ni合金膜を
製造することができ、このFe−Ni合金膜を垂直
磁化記録媒体の面内磁化層として用いることによ
り記録・再生効率を向上することができるととも
に、Fe−Ni合金に含まれるNi含有量を選択する
ことにより飽和磁束密度を向上して上記記録・再
生効率のより一層の向上を図ることが可能となる
のである。
ことにより、抗磁力Hcの小さいFe−Ni合金膜を
製造することができ、このFe−Ni合金膜を垂直
磁化記録媒体の面内磁化層として用いることによ
り記録・再生効率を向上することができるととも
に、Fe−Ni合金に含まれるNi含有量を選択する
ことにより飽和磁束密度を向上して上記記録・再
生効率のより一層の向上を図ることが可能となる
のである。
以下、本発明の具体的な実施例について説明す
るが、本発明がこれら実施例に限定されるもので
ないことは言うまでもない。
るが、本発明がこれら実施例に限定されるもので
ないことは言うまでもない。
実施例 １
厚さ25μｍのポリイミドフイルムを赤外線ヒー
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度39Å／secの条件でFe−Ni
合金（Fe含有量30重量％、Ni含有量70重量％）
を蒸着し、膜厚3900ÅのFe−Ni合金膜を得た。
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度39Å／secの条件でFe−Ni
合金（Fe含有量30重量％、Ni含有量70重量％）
を蒸着し、膜厚3900ÅのFe−Ni合金膜を得た。
次いで、上記Fe−Ni合金膜上に真空度2.0×
10-6Torr、蒸着速度14Å／secの条件で膜厚300
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度32Å／secの条
件で膜厚0.1μｍのCo−Cr合金膜を形成してサン
プルテープを作製した。
10-6Torr、蒸着速度14Å／secの条件で膜厚300
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度32Å／secの条
件で膜厚0.1μｍのCo−Cr合金膜を形成してサン
プルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ、2.0エルステツドであ
つた。
磁力Hcを測定したところ、2.0エルステツドであ
つた。
比較例 １
先の実施例１において、ポリイミドフイルムの
加熱温度を180℃とし、他は実施例１と同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
加熱温度を180℃とし、他は実施例１と同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ、13エルステツドであ
つた。
磁力Hcを測定したところ、13エルステツドであ
つた。
実施例 ２
厚さ25μｍのポリイミドフイルムを赤外線ヒー
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度39Å／secの条件でFe−Ni
合金（Fe含有量25重量％、Ni含有量75重量％）
を蒸着し、膜厚3900ÅのFe−Ni合金膜を得た。
タで220℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度39Å／secの条件でFe−Ni
合金（Fe含有量25重量％、Ni含有量75重量％）
を蒸着し、膜厚3900ÅのFe−Ni合金膜を得た。
次いで、上記Fe−Ni合金膜上に真空度2.0×
10-6Torr、蒸着速度14Å／secの条件で膜厚300
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度32Å／secの条
件で膜厚0.1μｍのCo−Cr合金膜を形成してサン
プルテープを作製した。
10-6Torr、蒸着速度14Å／secの条件で膜厚300
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度32Å／secの条
件で膜厚0.1μｍのCo−Cr合金膜を形成してサン
プルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ、6.5エルステツドであ
つた。
磁力Hcを測定したところ、6.5エルステツドであ
つた。
比較例 ２
先の実施例２において、ポリイミドフイルムの
加熱温度を180℃とし、他は実施例２と同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
加熱温度を180℃とし、他は実施例２と同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ、29エルステツドであ
つた。
磁力Hcを測定したところ、29エルステツドであ
つた。
実施例 ３
厚さ25μｍのポリイミドフイルムを赤外線ヒー
タで260℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度39Å／secの条件でFe−Ni
合金（Fe含有量21.5重量％、Ni含有量78.5重量
％）を蒸着し、膜厚3900ÅのFe−Ni合金膜を得
た。
タで260℃に加熱し、このフイルム上に真空度2.0
×10-6Torr、蒸着速度39Å／secの条件でFe−Ni
合金（Fe含有量21.5重量％、Ni含有量78.5重量
％）を蒸着し、膜厚3900ÅのFe−Ni合金膜を得
た。
次いで、上記Fe−Ni合金膜上に真空度2.0×
10-6Torr、蒸着速度14Å／secの条件で膜厚300
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度32Å／secの条
件で膜厚0.1μｍのCo−Cr合金膜を形成してサン
プルテープを作製した。
10-6Torr、蒸着速度14Å／secの条件で膜厚300
ÅのTi薄膜を蒸着形成し、さらにこのTi薄膜上
に真空度2.0×10-6Torr、蒸着速度32Å／secの条
件で膜厚0.1μｍのCo−Cr合金膜を形成してサン
プルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ、1.2エルステツドであ
つた。
磁力Hcを測定したところ、1.2エルステツドであ
つた。
比較例 ３
先の実施例３において、ポリイミドフイルムの
加熱温度を180℃とし、他は実施例３の同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
加熱温度を180℃とし、他は実施例３の同様の方
法によつてサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのFe−Ni合金膜の抗
磁力Hcを測定したところ、27エルステツドであ
つた。
磁力Hcを測定したところ、27エルステツドであ
つた。
上述の実施例の説明からも明らかなように、本
発明においては、高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成
する際の基体温度をNi含有量に応じて制御する
ことにより抗磁力Hcの小さな磁性薄膜層を形成
することが可能となり、さらに上記高透磁率磁性
薄膜層を構成するFe−Ni合金に含まれるNiの含
有量を調整することにより飽和磁束密度の大きな
磁性薄膜層を形成することが可能となるので、優
れた磁気的性質を有する高透磁率磁性薄膜層を得
ることができ、したがつて記録効率や再生効率の
優れた垂直磁化記録媒体を製造することが可能と
なつている。
発明においては、高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成
する際の基体温度をNi含有量に応じて制御する
ことにより抗磁力Hcの小さな磁性薄膜層を形成
することが可能となり、さらに上記高透磁率磁性
薄膜層を構成するFe−Ni合金に含まれるNiの含
有量を調整することにより飽和磁束密度の大きな
磁性薄膜層を形成することが可能となるので、優
れた磁気的性質を有する高透磁率磁性薄膜層を得
ることができ、したがつて記録効率や再生効率の
優れた垂直磁化記録媒体を製造することが可能と
なつている。
第１図は高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際
の基体の温度と得られる磁性薄膜層の抗磁力Hc
の関係を示す特性図、第２図はFe−Ni合金に含
まれるNi含有量及び基体温度と抗磁力Hcの関係
を示す特性図、第３図はFe−Ni合金に含まれる
Ni含有量と飽和磁束密度の関係を示す特性図、
第４図は高透磁率磁性薄膜層の膜厚と抗磁力Hc
の関係を示す特性図である。
の基体の温度と得られる磁性薄膜層の抗磁力Hc
の関係を示す特性図、第２図はFe−Ni合金に含
まれるNi含有量及び基体温度と抗磁力Hcの関係
を示す特性図、第３図はFe−Ni合金に含まれる
Ni含有量と飽和磁束密度の関係を示す特性図、
第４図は高透磁率磁性薄膜層の膜厚と抗磁力Hc
の関係を示す特性図である。
Claims (1)
- １ 基体上にNiを70〜78.5重量％含有するFe−
Ni合金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体
温度をｙ℃、Niの含有量をｘ重量％としたとき
にｙ≧4.5x−110なる関係を満たすように制御し
ながら蒸着形成した後、上記高透磁率磁性薄膜上
に膜厚が100〜500ÅのTi薄膜及びCo−Cr合金よ
りなる垂直磁化記録層を蒸着形成することを特徴
とする垂直磁化記録媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202384A JPS60254423A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202384A JPS60254423A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254423A JPS60254423A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0550054B2 true JPH0550054B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=14576052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11202384A Granted JPS60254423A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254423A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS58169332A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11202384A patent/JPS60254423A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS58169332A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60254423A (ja) | 1985-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |