JPS60254423A - 垂直磁化記録媒体の製法 - Google Patents
垂直磁化記録媒体の製法Info
- Publication number
- JPS60254423A JPS60254423A JP11202384A JP11202384A JPS60254423A JP S60254423 A JPS60254423 A JP S60254423A JP 11202384 A JP11202384 A JP 11202384A JP 11202384 A JP11202384 A JP 11202384A JP S60254423 A JPS60254423 A JP S60254423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- content
- coercive force
- thin film
- permeability magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体磁性面に対して垂直方向の残留磁化
を用いて信号の記録を行なう所謂垂直磁化記録方式にお
いて使用される垂直磁化記録媒体の製法に関するもので
ある。
を用いて信号の記録を行なう所謂垂直磁化記録方式にお
いて使用される垂直磁化記録媒体の製法に関するもので
ある。
従来、例えばコンピュータ等の記憶媒体やオーディオテ
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行なってその記録を行なっている。
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行なってその記録を行なっている。
ところが、この面内方向磁化による記録の場合、記録信
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。
そこでさらに従来、磁気記録媒体の記録層の厚さ方向の
磁化により記録を行なう垂直磁化記録方式が提案されて
おり、この垂直磁化記録方式によれば記録波長が短波長
になるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短
波長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化に
よる記録より有利であることが知られている。
磁化により記録を行なう垂直磁化記録方式が提案されて
おり、この垂直磁化記録方式によれば記録波長が短波長
になるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短
波長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化に
よる記録より有利であることが知られている。
そして、この種の記録方式に用いられる垂直磁化記録媒
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＣｏ−
Ｃｒ合金により垂直磁化記録層を蒸着形成したものが考
えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化記
録層との間に面内磁化層としてＦｅ−Ｎｉ合金からなる
高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率の向上
を図った２層膜垂直磁化記録媒体が注目されている。
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＣｏ−
Ｃｒ合金により垂直磁化記録層を蒸着形成したものが考
えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化記
録層との間に面内磁化層としてＦｅ−Ｎｉ合金からなる
高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率の向上
を図った２層膜垂直磁化記録媒体が注目されている。
ところで、この２層膜垂直磁化記録媒体においては、上
記高透磁率磁性薄膜層の磁気特性が重要で、例えば上記
高透磁率磁性薄膜層の抗磁力ＨＣが高いとこの磁性薄膜
層の磁気抵抗が大きくなって記録効率や再生効率を低下
してしまう。そこで、上記高透磁率磁性薄膜層の材質と
して抗磁力Ｈｅの小さなＦ’ｅ−Ｎｉ合金が使用されて
いるが、それでも上記１’ｉ’ｅ−Ｎｉ合金膜を真空蒸
着法によシ製造しようとする場合には、製造条件によっ
ては抗磁力ＨＣが２０〜３０エルステツドにも達してし
まい、十分な記録・再生効率が得られない虞れがある。
記高透磁率磁性薄膜層の磁気特性が重要で、例えば上記
高透磁率磁性薄膜層の抗磁力ＨＣが高いとこの磁性薄膜
層の磁気抵抗が大きくなって記録効率や再生効率を低下
してしまう。そこで、上記高透磁率磁性薄膜層の材質と
して抗磁力Ｈｅの小さなＦ’ｅ−Ｎｉ合金が使用されて
いるが、それでも上記１’ｉ’ｅ−Ｎｉ合金膜を真空蒸
着法によシ製造しようとする場合には、製造条件によっ
ては抗磁力ＨＣが２０〜３０エルステツドにも達してし
まい、十分な記録・再生効率が得られない虞れがある。
一方、Ｆｅ−Ｎｉ合金の飽和磁束密度は、上記１ｉ’ｅ
−Ｎｒ金合金組成がＦｅ ２１．５重量％、 Ｎｉ ７
８．５重量％であるときに１ｏｓｏｏガウス程度であり
、Ｎｉの含有量が減少するとこの飽和磁束密度が増加す
ることが知られている。したがって、飽和磁束密度の大
きなＦｅ−Ｎｉ合金を用いて抗磁力ＨＣの小さなＦｅ−
Ｎ ｉ合金膜が得られれば、これを面内磁化層として用
いることによシさらに記録効率に優れ再生出力の大きな
垂直磁化記録媒体が得られるものと考えられるが、この
場合にもいかにして抗磁力Ｈｅを小さくするかが大きな
課題となっている。
−Ｎｒ金合金組成がＦｅ ２１．５重量％、 Ｎｉ ７
８．５重量％であるときに１ｏｓｏｏガウス程度であり
、Ｎｉの含有量が減少するとこの飽和磁束密度が増加す
ることが知られている。したがって、飽和磁束密度の大
きなＦｅ−Ｎｉ合金を用いて抗磁力ＨＣの小さなＦｅ−
Ｎ ｉ合金膜が得られれば、これを面内磁化層として用
いることによシさらに記録効率に優れ再生出力の大きな
垂直磁化記録媒体が得られるものと考えられるが、この
場合にもいかにして抗磁力Ｈｅを小さくするかが大きな
課題となっている。
そこで本発明は、面内磁化層として優れた磁気的性質を
示し、特に抗磁力１（ｃの小さな高透磁率磁性薄膜層の
製造方法を提供し、もって記録効率や再生効率の優れた
垂直磁化記録媒体を製造することが可能な垂直磁化記録
媒体の製法を提供することを目的とする。
示し、特に抗磁力１（ｃの小さな高透磁率磁性薄膜層の
製造方法を提供し、もって記録効率や再生効率の優れた
垂直磁化記録媒体を製造することが可能な垂直磁化記録
媒体の製法を提供することを目的とする。
本発明は、上述の如き目的を達成するために、基体上に
Ｎｉを７０〜７８．５重量％含有するＦｅ −Ｎｉ合金
よシなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度が１９０℃
以上となるように制御し７ながら蒸着形成した後、上記
高透磁率磁性薄膜層上にＣｏ−Ｃｒ合金よりなる垂直磁
化記録層を蒸着形成することを特徴とするものである。
Ｎｉを７０〜７８．５重量％含有するＦｅ −Ｎｉ合金
よシなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度が１９０℃
以上となるように制御し７ながら蒸着形成した後、上記
高透磁率磁性薄膜層上にＣｏ−Ｃｒ合金よりなる垂直磁
化記録層を蒸着形成することを特徴とするものである。
すなわち、本発明においては、先ず、ｐｅ−Ｎｉ合金イ
ンゴットの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための加
熱手段（ヒータや電子銃等）とを備えた真空蒸着装置内
に、上記蒸発源と対向してポリイミドやポリエチレンテ
レフタレート等の非磁性材料によシ形成される基体を配
置し、上記蒸発源を上記加熱手段によって加熱して上記
基体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁性薄膜を蒸着
形成するが、このとき、上記基体を例えば赤外線ヒータ
等の加熱手段を用いて所定の温度に加熱制御しておくの
である。
ンゴットの如き蒸発源とこの蒸発源を加熱するための加
熱手段（ヒータや電子銃等）とを備えた真空蒸着装置内
に、上記蒸発源と対向してポリイミドやポリエチレンテ
レフタレート等の非磁性材料によシ形成される基体を配
置し、上記蒸発源を上記加熱手段によって加熱して上記
基体の表面に蒸発原子を被着し高透磁率磁性薄膜を蒸着
形成するが、このとき、上記基体を例えば赤外線ヒータ
等の加熱手段を用いて所定の温度に加熱制御しておくの
である。
本発明者等の実験によれば、上記基体の温度を高くして
おくことにより、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力
Ｈｅが大幅に小さくなることが判明した。例えば、Ｆｅ
２１゜５重量％、Ｎｉ７８．５重量％を含有するＦｅ
−Ｎｉ合金を用い基体温度を１００℃〜２６０℃の範囲
で変化させて膜厚０３９μ幻高透磁率磁性薄膜層を作製
したところ、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｅ
は、第１図中直線ａで示すように、基体温度を１８０℃
以上にすると急激に減少し、特に基体温度を約２３０℃
以上とすれば抗磁力Ｈｅが１０エルステンド以下、上記
基体温度を約２４５℃以上とすれば抗磁力Ｈｅが５エル
ステツド以下にまで減少することが分かった。
おくことにより、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力
Ｈｅが大幅に小さくなることが判明した。例えば、Ｆｅ
２１゜５重量％、Ｎｉ７８．５重量％を含有するＦｅ
−Ｎｉ合金を用い基体温度を１００℃〜２６０℃の範囲
で変化させて膜厚０３９μ幻高透磁率磁性薄膜層を作製
したところ、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｅ
は、第１図中直線ａで示すように、基体温度を１８０℃
以上にすると急激に減少し、特に基体温度を約２３０℃
以上とすれば抗磁力Ｈｅが１０エルステンド以下、上記
基体温度を約２４５℃以上とすれば抗磁力Ｈｅが５エル
ステツド以下にまで減少することが分かった。
同様に、Ｆｅ’２５重量％、Ｎｉ７５重量％を含有する
Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いた場合には第１図中直線すで示す
ように、またＦｅ５０重量％、Ｎｉ７０重量％を含有す
るＦｅ −Ｎ ｉ合金を用いた場合には第１図中直線Ｃ
で示すように、それぞれ基体温度の上昇に伴なって抗磁
力ＨＣが急激に小さくなる。
Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いた場合には第１図中直線すで示す
ように、またＦｅ５０重量％、Ｎｉ７０重量％を含有す
るＦｅ −Ｎ ｉ合金を用いた場合には第１図中直線Ｃ
で示すように、それぞれ基体温度の上昇に伴なって抗磁
力ＨＣが急激に小さくなる。
上記第１図をもとに、Ｆｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉ含
有量及び基体温度と得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力１（Ｃの関係をめたところ、第２図に示すような結果
が得られた。すなわち、抗磁力Ｈｅが１０エルステツド
よりも小さい高透磁率磁性薄膜層を得るためには第１図
中直線Ａよりも高い温度に基体を加熱すればよく、また
抗磁力Ｈｅが５エルステツドよりも小さい高透磁率磁性
薄膜層を得るためには第１図中直線Ｂよシも高い温度に
基体を設定すればよい。
有量及び基体温度と得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁
力１（Ｃの関係をめたところ、第２図に示すような結果
が得られた。すなわち、抗磁力Ｈｅが１０エルステツド
よりも小さい高透磁率磁性薄膜層を得るためには第１図
中直線Ａよりも高い温度に基体を加熱すればよく、また
抗磁力Ｈｅが５エルステツドよりも小さい高透磁率磁性
薄膜層を得るためには第１図中直線Ｂよシも高い温度に
基体を設定すればよい。
一方、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金においては、第３図に示すよ
うに、Ｎｉの含有量が減少するのに伴なって飽和磁束密
度が増加する。
うに、Ｎｉの含有量が減少するのに伴なって飽和磁束密
度が増加する。
したがって、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有
量ヲ減らすとともに、このＦｅ−Ｎｉ合金を蒸着する際
の基体の温度を高くしておくことによシ、飽和磁束密度
が大きく抗磁力Ｈｃが小さい高透磁率磁性薄膜層が得ら
れる。ここで、上記Ｆｅ−Ｎ１合金に含まれるＮｉの含
有量は、通常使用されるＦｅ−Ｎｉ合金のＮｉ含有量で
ある７８５重量％よりも少なければ飽和磁束密度の点で
有利であるが、この含有量があまシ少ないと結晶磁気異
方性や磁歪が大きくなって上記高透磁率磁性薄膜層とし
て好ましくない。実用的な範囲としては、上記Ｎｉの含
有量が７０〜７８５重量％である。一方、このときの基
体の温度としては、１９０℃以上であれば抗磁力ＨＣが
急激に小さくなシ、特にＮ１の含有量が７０重量％のと
きには抗磁力ＨｃがｌＯエルステッド以下になるが、Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｌの含有量に応じて第２図に
基づき、設定することが好ましい。このとき、基体の温
度を４００℃以上に設定すると、上記基体を熱によシ損
傷する虞れがあるので好ましくない。
量ヲ減らすとともに、このＦｅ−Ｎｉ合金を蒸着する際
の基体の温度を高くしておくことによシ、飽和磁束密度
が大きく抗磁力Ｈｃが小さい高透磁率磁性薄膜層が得ら
れる。ここで、上記Ｆｅ−Ｎ１合金に含まれるＮｉの含
有量は、通常使用されるＦｅ−Ｎｉ合金のＮｉ含有量で
ある７８５重量％よりも少なければ飽和磁束密度の点で
有利であるが、この含有量があまシ少ないと結晶磁気異
方性や磁歪が大きくなって上記高透磁率磁性薄膜層とし
て好ましくない。実用的な範囲としては、上記Ｎｉの含
有量が７０〜７８５重量％である。一方、このときの基
体の温度としては、１９０℃以上であれば抗磁力ＨＣが
急激に小さくなシ、特にＮ１の含有量が７０重量％のと
きには抗磁力ＨｃがｌＯエルステッド以下になるが、Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｌの含有量に応じて第２図に
基づき、設定することが好ましい。このとき、基体の温
度を４００℃以上に設定すると、上記基体を熱によシ損
傷する虞れがあるので好ましくない。
ところで、得られる高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｅは
、上述の基体の温度に加えて、第４図に示すように膜厚
にも依存し、例えば基体温度ｆ：２６０℃に設定した場
合には、第４図中曲線ｄで示すように、膜厚が大きくな
るにしたがって抗磁力Ｈｅが単調に小さくなるが、基体
の温度が低い（１８０℃）と、第４図中曲線ｅで示すよ
うに膜厚０．３９μｍで抗磁力Ｈｅが最大となることが
分かった。したがって、上述のように膜厚０．３９μｍ
において抗磁力ｎｃを満足するように基体の温度を設定
すれば、膜厚が異なっても抗磁力Ｈｅが充分に小さくな
ることは明らかである。
、上述の基体の温度に加えて、第４図に示すように膜厚
にも依存し、例えば基体温度ｆ：２６０℃に設定した場
合には、第４図中曲線ｄで示すように、膜厚が大きくな
るにしたがって抗磁力Ｈｅが単調に小さくなるが、基体
の温度が低い（１８０℃）と、第４図中曲線ｅで示すよ
うに膜厚０．３９μｍで抗磁力Ｈｅが最大となることが
分かった。したがって、上述のように膜厚０．３９μｍ
において抗磁力ｎｃを満足するように基体の温度を設定
すれば、膜厚が異なっても抗磁力Ｈｅが充分に小さくな
ることは明らかである。
上述のように、Ｆｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含有量
を適宜選択するとともに、上記Ｎｉの含有量に応じて基
体の温度を制御しながら高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成
した後、この高透磁率磁性薄膜層上にＴｉ薄膜及び垂直
磁化記録層を順次スパッタ法や蒸着法等により被着形成
し、垂直磁化記録媒体を完成する。
を適宜選択するとともに、上記Ｎｉの含有量に応じて基
体の温度を制御しながら高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成
した後、この高透磁率磁性薄膜層上にＴｉ薄膜及び垂直
磁化記録層を順次スパッタ法や蒸着法等により被着形成
し、垂直磁化記録媒体を完成する。
上記垂直磁化記録層は、Ｃｒを１０〜２５原子％を含み
残部ＣｏからなるＣｏ−Ｃｔ金合金スパッタ法や蒸着法
等により被着することにより作製されるものであって、
これによって垂直方向の配向に優れたものが得られる。
残部ＣｏからなるＣｏ−Ｃｔ金合金スパッタ法や蒸着法
等により被着することにより作製されるものであって、
これによって垂直方向の配向に優れたものが得られる。
また、上記Ｔｉ薄膜は、上記垂直磁化記録層の膜成長速
度を向上し優れたＣ０−Ｃｒ合金膜を形成するために設
けられるものであって、その膜厚は１００〜５００Ｘに
選定される。上記Ｔ１薄膜の膜厚が１００Ｘ未満では、
Ｔｉの連続膜が形成１〜にりく、Ｔｉの下地膜としての
効果が不充分となる虞れがあり、また上記膜厚が５００
久を越えてもＣｏ−Ｃｒ合金膜の磁気的特性や機械的特
性にこれ以上の効果が認められない。なお、とのＴｉ薄
膜は、場合によっては無くともよい。
度を向上し優れたＣ０−Ｃｒ合金膜を形成するために設
けられるものであって、その膜厚は１００〜５００Ｘに
選定される。上記Ｔ１薄膜の膜厚が１００Ｘ未満では、
Ｔｉの連続膜が形成１〜にりく、Ｔｉの下地膜としての
効果が不充分となる虞れがあり、また上記膜厚が５００
久を越えてもＣｏ−Ｃｒ合金膜の磁気的特性や機械的特
性にこれ以上の効果が認められない。なお、とのＴｉ薄
膜は、場合によっては無くともよい。
以上述べたように、基体の温度を高くしておくことによ
り、抗磁力Ｈｃの小さいＦｅ−Ｎｉ合金膜を製造するこ
とができ、このｐｅ−Ｎｉ合金膜を垂直磁化記録媒体の
面内磁化層として用いることにより記録・再生効率を向
上することができるとともに、Ｆｅ−Ｎｉ合金に含まれ
るＮｉ含有量を選択することにより飽和磁束密度を向上
して上記記録・再生効率のより一層の向上を図ることが
可能となるのであ゛る。
り、抗磁力Ｈｃの小さいＦｅ−Ｎｉ合金膜を製造するこ
とができ、このｐｅ−Ｎｉ合金膜を垂直磁化記録媒体の
面内磁化層として用いることにより記録・再生効率を向
上することができるとともに、Ｆｅ−Ｎｉ合金に含まれ
るＮｉ含有量を選択することにより飽和磁束密度を向上
して上記記録・再生効率のより一層の向上を図ることが
可能となるのであ゛る。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
実施例１
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、ＯＸ １
０ ”ｌ’ｏｒｒ 、蒸着速度３９Ａ／ｓｅｅの条件で
Ｆｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量３０重量％、Ｎｉ含有量７
０重量％）を蒸着し、膜厚３９００Ｘのｌ’ｉ’ｅ−Ｎ
ｉ合金膜を得た。
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、ＯＸ １
０ ”ｌ’ｏｒｒ 、蒸着速度３９Ａ／ｓｅｅの条件で
Ｆｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量３０重量％、Ｎｉ含有量７
０重量％）を蒸着し、膜厚３９００Ｘのｌ’ｉ’ｅ−Ｎ
ｉ合金膜を得た。
次いで、上記ｐｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０Ｘ１０
”’Ｉ’ｏｒｒ、蒸着速度１４ Ａ／ｓｅｅの条件で
膜厚３００ＸのＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにとのＴｉ
薄膜−ヒに真空度２．ＯＸ １０−６Ｔｏｒｒ 、蒸着
速度３２ Ｘ／ｓｅｃの条件で膜厚０１μｍのｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜を形成してサンプルテープを作製した。
”’Ｉ’ｏｒｒ、蒸着速度１４ Ａ／ｓｅｅの条件で
膜厚３００ＸのＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにとのＴｉ
薄膜−ヒに真空度２．ＯＸ １０−６Ｔｏｒｒ 、蒸着
速度３２ Ｘ／ｓｅｃの条件で膜厚０１μｍのｃｏ−Ｃ
ｒ合金膜を形成してサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｅを測定したところ、２０エルステツドであった。
ｅを測定したところ、２０エルステツドであった。
比較例１
先の実施例１において、ポリイミドフィルムの加熱温度
を１８０℃とし、他は実施例１と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
を１８０℃とし、他は実施例１と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのｐｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｅを測定したところ、１３エルステツドであった。
ｅを測定したところ、１３エルステツドであった。
実施例２
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、ＯＸ １
０ ’Ｔｏｒｒ 、蒸着速度３９ Ｘ／ｓｅｅの条件で
）’ｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量２５重量％、Ｎｉ含有量
７５重量％）を蒸着し、膜厚３９００ＸのＦｅ−Ｎｉ合
金膜を得た。
２０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、ＯＸ １
０ ’Ｔｏｒｒ 、蒸着速度３９ Ｘ／ｓｅｅの条件で
）’ｅ−Ｎｉ合金（Ｆｅ含有量２５重量％、Ｎｉ含有量
７５重量％）を蒸着し、膜厚３９００ＸのＦｅ−Ｎｉ合
金膜を得た。
次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０Ｘ１０
’’ｌ’ｏｒｒ、蒸着速度１４ Ｘ／ｓｅｅの条件で
膜厚３００ＸのＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ
薄膜上に真空度２．ＯＸ １０ ’Ｔｏｒｒ 、蒸着速
度３２Ｘ／ｓｅｅの条件で膜厚０．１μｍのＣ０−Ｃｒ
合金膜を形成してサンプルテープを作製した。
’’ｌ’ｏｒｒ、蒸着速度１４ Ｘ／ｓｅｅの条件で
膜厚３００ＸのＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ
薄膜上に真空度２．ＯＸ １０ ’Ｔｏｒｒ 、蒸着速
度３２Ｘ／ｓｅｅの条件で膜厚０．１μｍのＣ０−Ｃｒ
合金膜を形成してサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−４ｉ合金膜の抗磁力■
（Ｃを測定したところ、６５エルステツドであった。
（Ｃを測定したところ、６５エルステツドであった。
比較例２
先の実施例２において、ポリイミドフィルムの加熱温度
を１８０℃とし、他は実施例２と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
を１８０℃とし、他は実施例２と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力１
１（Ｃを測定したところ、２９エルステツドであった。
１（Ｃを測定したところ、２９エルステツドであった。
実施例３゜
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを赤外線ヒータで２
６０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、ＯＸ １
０ ’ｆｏｒｒ 、蒸着速度３９ Ａ／ｓｅｃの条件で
Ｆｅ−Ｎ１合金（Ｆｅ含有量２１．５重量％、Ｎｉ含有
量７８５重量％）を蒸着し、膜厚３９０ ｏＸのＦｅ−
Ｎｉ合金膜を得た。
６０℃に加熱し、このフィルム上に真空度２、ＯＸ １
０ ’ｆｏｒｒ 、蒸着速度３９ Ａ／ｓｅｃの条件で
Ｆｅ−Ｎ１合金（Ｆｅ含有量２１．５重量％、Ｎｉ含有
量７８５重量％）を蒸着し、膜厚３９０ ｏＸのＦｅ−
Ｎｉ合金膜を得た。
次いで、上記Ｆｅ−Ｎｉ合金膜上に真空度２．０Ｘ１０
’Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１４ Ｘ／ｓｅｅの条件で膜
厚３００久のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄
膜上に真空度２．ＯＸ １０−６Ｔｏｒｒ 、蒸着速度
３２ Ｘ／ｓｅｅの条件で膜厚０１μｍのＣｏ−Ｃｒ合
金膜を形成してサンプルテープを作製した。
’Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１４ Ｘ／ｓｅｅの条件で膜
厚３００久のＴｉ薄膜を蒸着形成し、さらにこのＴｉ薄
膜上に真空度２．ＯＸ １０−６Ｔｏｒｒ 、蒸着速度
３２ Ｘ／ｓｅｅの条件で膜厚０１μｍのＣｏ−Ｃｒ合
金膜を形成してサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｉ合金膜の抗磁力Ｈ
ｃを測定したところ、１２エルステツドであった。
ｃを測定したところ、１２エルステツドであった。
比較例３
先の実施例３において、ポリイミドフィルムの加熱温度
を１８０℃とし、他は実施例３と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
を１８０℃とし、他は実施例３と同様の方法によってサ
ンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのＦｅＪＪｉ合金膜の抗磁力Ｈ
Ｃ’を測定したところ、２７エルステソドテアった。
Ｃ’を測定したところ、２７エルステソドテアった。
上述の実施例の説明からも明らかなように、本発明にお
いては、高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基体温
度を制御することによシ抗磁力）（ｃの小さな磁性薄膜
層を形成することが可能となり、さらに上記高透磁率磁
性薄膜層を構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含
有量を調整することにより飽和磁束密度の大きな磁性薄
膜層を形成することが可能となるので、優れた磁気的性
質を有する高透磁率磁性薄膜を得ることができ、したが
って記録効率や再生効率の優れた垂直磁化記録媒体を製
造することが可能となっている。
いては、高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基体温
度を制御することによシ抗磁力）（ｃの小さな磁性薄膜
層を形成することが可能となり、さらに上記高透磁率磁
性薄膜層を構成するＦｅ−Ｎｉ合金に含まれるＮｉの含
有量を調整することにより飽和磁束密度の大きな磁性薄
膜層を形成することが可能となるので、優れた磁気的性
質を有する高透磁率磁性薄膜を得ることができ、したが
って記録効率や再生効率の優れた垂直磁化記録媒体を製
造することが可能となっている。
第１図は高透磁率磁性薄膜層を蒸着形成する際の基体の
温度と得られる磁性薄膜層の抗磁力ＨＣの関係を示す特
性図、第２図はｌｌｉ’ｅ−Ｎｉ合金に含ま、れるＮｉ
含有量及び基体温度と抗磁力ＨＣの関係を示す特性図、
第３図はＦｅＪｉ合金に含まれるＮｉ含有量と飽和磁束
密度の関係を示す特性図、第４図は高透磁率磁性薄膜層
の膜厚と抗磁力ｉ（Ｃの関係を示す特性図である。 第１図 第２図 Ｎ ｉ ’ｌ； ｖｉｌｔ（’！ ’［”／＠） □第
３図 ＮｉもＩＲ’ｌ（１１＠ｌ＠） − 第４図 線厚（７Ｌ１ｍ） −
温度と得られる磁性薄膜層の抗磁力ＨＣの関係を示す特
性図、第２図はｌｌｉ’ｅ−Ｎｉ合金に含ま、れるＮｉ
含有量及び基体温度と抗磁力ＨＣの関係を示す特性図、
第３図はＦｅＪｉ合金に含まれるＮｉ含有量と飽和磁束
密度の関係を示す特性図、第４図は高透磁率磁性薄膜層
の膜厚と抗磁力ｉ（Ｃの関係を示す特性図である。 第１図 第２図 Ｎ ｉ ’ｌ； ｖｉｌｔ（’！ ’［”／＠） □第
３図 ＮｉもＩＲ’ｌ（１１＠ｌ＠） − 第４図 線厚（７Ｌ１ｍ） −
Claims (1)
- 基体上にＮｉを７０〜７８５重量％含有するＦｅ−Ｎｉ
合金よりなる高透磁率磁性薄膜層を上記基体温度が１９
０℃以上となるように制御しながら蒸着形成した後、上
記高透磁率磁性薄膜層上にＣｏ−（：ｒ合金より々る垂
直磁化記録層を蒸着形成することを特徴とする垂直磁化
記録媒体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202384A JPS60254423A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202384A JPS60254423A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254423A true JPS60254423A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0550054B2 JPH0550054B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=14576052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11202384A Granted JPS60254423A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254423A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS58169332A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11202384A patent/JPS60254423A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS58169332A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550054B2 (ja) | 1993-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59140629A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| EP0178685B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and method of making same | |
| JP2579184B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60254423A (ja) | 垂直磁化記録媒体の製法 | |
| JPS6255207B2 (ja) | ||
| JP3045797B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS6313256B2 (ja) | ||
| JPH0311531B2 (ja) | ||
| JPH0532809B2 (ja) | ||
| JPS60231911A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0315245B2 (ja) | ||
| JPH0380445A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS58171717A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0823929B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS63146417A (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS61269226A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造法 | |
| JPH07122931B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS5816512A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61122919A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPS60254414A (ja) | 垂直磁化記録媒体 | |
| JPH0485716A (ja) | 磁気ヘッド用磁性薄膜 | |
| JPS5975428A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH0656650B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0432019A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60251511A (ja) | 垂直磁化記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |