JPS60254414A - 垂直磁化記録媒体 - Google Patents
垂直磁化記録媒体Info
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- JPS60254414A JPS60254414A JP11202484A JP11202484A JPS60254414A JP S60254414 A JPS60254414 A JP S60254414A JP 11202484 A JP11202484 A JP 11202484A JP 11202484 A JP11202484 A JP 11202484A JP S60254414 A JPS60254414 A JP S60254414A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体磁性面に対して垂直方向の残留磁化
を用いて信号記録を行なう所謂垂直磁化記録方式におい
て使用される垂直磁化記録媒体に関するものでめる。
を用いて信号記録を行なう所謂垂直磁化記録方式におい
て使用される垂直磁化記録媒体に関するものでめる。
従来、例えばコンピュータ等の記憶媒体やオーディオテ
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行なってその記録を行なっている。
ープレコーダやビデオテープレコーダ等の記録媒体とし
て使用される磁気記録媒体においては、一般に基板上に
被着形成される磁気記録層に対して水平方向の磁化（面
内方向磁化）を行なってその記録を行なっている。
ところが、この面内方向磁化による記録の場合、記録信
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の反磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有している。
そこでさらに従来、磁気記録媒体の記録層の厚さ方向の
磁化によシ記録を行なう垂直磁化記録方式が提案されて
おり、この垂直磁化記録方式によれば記録波長が短波長
になるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短
波長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化に
よる記録より有利であることが知られている。
磁化によシ記録を行なう垂直磁化記録方式が提案されて
おり、この垂直磁化記録方式によれば記録波長が短波長
になるにしたがい減磁界が小さくなることから、特に短
波長記録、高密度記録において上述した面内方向磁化に
よる記録より有利であることが知られている。
そして、この種の記録方式に用いらむる垂直磁化記録媒
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＣｏ−
Ｃｒ合金により垂直磁化記録層を蒸着形成したものが考
えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化記
録層との間に面内磁化層としてＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金か
らなる高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率
の向上を図った２層膜垂直磁化記録媒体が注目されてい
る。この２層膜垂直磁化記録媒体においては、上記高透
磁率磁性薄膜層が、面内磁化層として垂直磁気ヘッドの
補助磁極からの出来を主磁極に集中させるように働き、
記録・再生効率を大きくするのでろる。
体としては、高分子フィルム等の非磁性基板上にＣｏ−
Ｃｒ合金により垂直磁化記録層を蒸着形成したものが考
えられているが、なかでも上記非磁性基板と垂直磁化記
録層との間に面内磁化層としてＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金か
らなる高透磁率磁性薄膜層を設け、記録効率や再生効率
の向上を図った２層膜垂直磁化記録媒体が注目されてい
る。この２層膜垂直磁化記録媒体においては、上記高透
磁率磁性薄膜層が、面内磁化層として垂直磁気ヘッドの
補助磁極からの出来を主磁極に集中させるように働き、
記録・再生効率を大きくするのでろる。
ところで、この２層膜垂直磁化記録媒体においては、上
記高透磁率磁性薄膜層の磁気特性が重要で、例えば上記
高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｅが高いとこの磁性薄膜
層が磁化されにくくなり、記録効率や再生効率を低下し
てしまう虞れがろる。
記高透磁率磁性薄膜層の磁気特性が重要で、例えば上記
高透磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｅが高いとこの磁性薄膜
層が磁化されにくくなり、記録効率や再生効率を低下し
てしまう虞れがろる。
そこで、上記高透磁率磁性薄膜層の材質として抗磁力Ｈ
ｃの小さなＦｅ−Ｎ＝金合金使用さゎているが、それで
も膜厚２０００Å以上のＦ ｅ −Ｎ ｂ合金膜を真空
蒸着法によシ製造しようとする場合には、製造条件によ
っては抗磁力Ｈｃが２０〜３０エルステツドにも達して
しまい、十分な記録・再生効率が得られない虞れがるる
。上記高透磁率磁性薄膜層の膜厚としては、所定の記録
・再生効率を確保するためには０．２μ（２０００人）
以上でらることが望ましく、シたがって膜厚２０００′
ｐ−以上で抗磁力ＨＣの小さいＦｅ−Ｎ＝合金膜が要望
されている。
ｃの小さなＦｅ−Ｎ＝金合金使用さゎているが、それで
も膜厚２０００Å以上のＦ ｅ −Ｎ ｂ合金膜を真空
蒸着法によシ製造しようとする場合には、製造条件によ
っては抗磁力Ｈｃが２０〜３０エルステツドにも達して
しまい、十分な記録・再生効率が得られない虞れがるる
。上記高透磁率磁性薄膜層の膜厚としては、所定の記録
・再生効率を確保するためには０．２μ（２０００人）
以上でらることが望ましく、シたがって膜厚２０００′
ｐ−以上で抗磁力ＨＣの小さいＦｅ−Ｎ＝合金膜が要望
されている。
上記Ｆ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜の抗磁力ＨＣを小さくする
には、このＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜を蒸着する際に基体
の温度を上げておくことが考えられるが、この場合には
基体の耐熱性の問題等によって限界がろる。
には、このＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜を蒸着する際に基体
の温度を上げておくことが考えられるが、この場合には
基体の耐熱性の問題等によって限界がろる。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものでめりて、面内磁化層として優れた磁気的性質（抗
磁力ＨＣが小さい）を示す高透磁率磁性薄膜層を比較的
低い基体温度で作製し、これによシ記録効率や再生効率
の大きな垂直磁化記録媒体を提供することを目的とする
。
ものでめりて、面内磁化層として優れた磁気的性質（抗
磁力ＨＣが小さい）を示す高透磁率磁性薄膜層を比較的
低い基体温度で作製し、これによシ記録効率や再生効率
の大きな垂直磁化記録媒体を提供することを目的とする
。
すなわち、本発明に係る垂直磁化記録媒体は、基体上に
、３００〜１０００ ’Ａの膜厚を有するＴｂ薄膜層、
０．２〜１．０／ｊの膜厚を有しＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金
よシなる高透磁率磁性薄膜層、及びＣｏ−Ｃｒ合金よシ
なる垂直磁化記録層をこの順にそれぞれ蒸着形成してな
るものでろって、Ｔｂ薄膜層を下地膜として設けること
によって比較的低い基体温度でＦｅ−ＮＬ合金膜の抵抗
磁率化を図シ、基体として用いる高分子フィルムの耐熱
性に対する要求を緩和するものである。
、３００〜１０００ ’Ａの膜厚を有するＴｂ薄膜層、
０．２〜１．０／ｊの膜厚を有しＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金
よシなる高透磁率磁性薄膜層、及びＣｏ−Ｃｒ合金よシ
なる垂直磁化記録層をこの順にそれぞれ蒸着形成してな
るものでろって、Ｔｂ薄膜層を下地膜として設けること
によって比較的低い基体温度でＦｅ−ＮＬ合金膜の抵抗
磁率化を図シ、基体として用いる高分子フィルムの耐熱
性に対する要求を緩和するものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明を適用した垂直磁化記録媒体を示す要部
断面図でろって、本発明に係る垂直磁化記録媒体１０は
、ポリイミドやポリエチレンテレフタレートの如き高分
子フィルム等によって形成される基体１上に、先ずＴｂ
を蒸着することによシ形成されるＴｂ薄膜層２を設け、
このＴｉ薄膜層ｚ上にＦ ｅ −Ｎ ｂ合金からなる高
透磁率磁性薄膜層３を蒸着形成し、さらにこの高透磁率
磁性薄膜層３上ＫＴ＝中間層４を介してｃｏ−Ｃｒ合金
よシなる垂直磁化記録層５を積層形成することによって
構成され、例えば第２図に示すように、この垂直磁化記
録媒体１０に刻して主磁極６と補助磁極７とを備えた垂
面磁気ヘッド２０を摺接移動したときに、上記補助磁極
７からの磁束（図中、破線で示す。）を上記高透磁率磁
性薄膜層３によって主磁極６に集束し、この集束した磁
束によって上記垂直磁化記録層５を厚み方向に磁化して
信号記録を行なうように構成されている。
断面図でろって、本発明に係る垂直磁化記録媒体１０は
、ポリイミドやポリエチレンテレフタレートの如き高分
子フィルム等によって形成される基体１上に、先ずＴｂ
を蒸着することによシ形成されるＴｂ薄膜層２を設け、
このＴｉ薄膜層ｚ上にＦ ｅ −Ｎ ｂ合金からなる高
透磁率磁性薄膜層３を蒸着形成し、さらにこの高透磁率
磁性薄膜層３上ＫＴ＝中間層４を介してｃｏ−Ｃｒ合金
よシなる垂直磁化記録層５を積層形成することによって
構成され、例えば第２図に示すように、この垂直磁化記
録媒体１０に刻して主磁極６と補助磁極７とを備えた垂
面磁気ヘッド２０を摺接移動したときに、上記補助磁極
７からの磁束（図中、破線で示す。）を上記高透磁率磁
性薄膜層３によって主磁極６に集束し、この集束した磁
束によって上記垂直磁化記録層５を厚み方向に磁化して
信号記録を行なうように構成されている。
上記高透磁率磁性薄膜層３は、例えばＦｅの含有量２１
．５重量％、ＮＬの含有量７８．５重量％でめるＦｅ−
ＮＬ金合金所謂パーマロイ）を蒸着することによシ形成
されるが、上記垂直磁気へラド２０の磁束に対する磁気
抵抗を減らし、上記垂直磁化記録層５に対する記録効率
を十分病めるために、その膜厚は０．２〜１．０μに設
定されている。この膜厚が０．２μ未満では、上記記録
効率や再生効率を確保することは難かしく、また上記膜
厚が１．０μを越えると媒体の厚さが厚くなりクラック
も生じ易くなってしまう。
．５重量％、ＮＬの含有量７８．５重量％でめるＦｅ−
ＮＬ金合金所謂パーマロイ）を蒸着することによシ形成
されるが、上記垂直磁気へラド２０の磁束に対する磁気
抵抗を減らし、上記垂直磁化記録層５に対する記録効率
を十分病めるために、その膜厚は０．２〜１．０μに設
定されている。この膜厚が０．２μ未満では、上記記録
効率や再生効率を確保することは難かしく、また上記膜
厚が１．０μを越えると媒体の厚さが厚くなりクラック
も生じ易くなってしまう。
ここで、上記高透磁率磁性薄膜層３の膜厚が０゜２μを
越えると抗磁力Ｈｃが大きくなってしまうので、上記高
透磁率磁性薄膜層３の下地膜としてＴｂ薄膜層２を設け
ておく必要がある。
越えると抗磁力Ｈｃが大きくなってしまうので、上記高
透磁率磁性薄膜層３の下地膜としてＴｂ薄膜層２を設け
ておく必要がある。
本発明者等の研究によれば、上記抗磁力Ｔ（ｃの変化は
、上記高透磁率磁性薄膜層３を構成するＦｅ−Ｎ＝合金
膜の膜面に垂直方向を磁化容易軸とする一軸磁気異方性
の有無と対応しており、例えば第３図に示すように、上
記Ｆｅ−Ｎｂ合金膜の膜厚が０．２μを越えると一軸磁
気異方性定数Ｋｕが急激に犬きくなシ、これに対応して
抗磁力Ｈｃも大きくなることが分かった。
、上記高透磁率磁性薄膜層３を構成するＦｅ−Ｎ＝合金
膜の膜面に垂直方向を磁化容易軸とする一軸磁気異方性
の有無と対応しており、例えば第３図に示すように、上
記Ｆｅ−Ｎｂ合金膜の膜厚が０．２μを越えると一軸磁
気異方性定数Ｋｕが急激に犬きくなシ、これに対応して
抗磁力Ｈｃも大きくなることが分かった。
そして、さらに本発明者等の実験によりば、上記−軸磁
気異方性の抑制に下地膜としてＴＡ薄膜を形成しておく
ことが有効で、したがって抗磁力ＨＣの抑制にも有効で
めることが判明した。
気異方性の抑制に下地膜としてＴＡ薄膜を形成しておく
ことが有効で、したがって抗磁力ＨＣの抑制にも有効で
めることが判明した。
第４図は、蒸着時の基体１温度と得られる高透磁率磁性
薄膜層３の一軸磁気異方性定数Ｋｕの関係を示すもので
ろって、曲線ａは膜厚７００ＡのＴｂ薄膜層２を下地膜
として設けた場合、曲線すは膜厚２８ ｏＡのＴｂ薄膜
層２を下地膜として設けた場合、曲線Ｃは下地膜を設け
なかった場合の一軸磁気異方性定数ＫＨの変化を示すも
のでめる。
薄膜層３の一軸磁気異方性定数Ｋｕの関係を示すもので
ろって、曲線ａは膜厚７００ＡのＴｂ薄膜層２を下地膜
として設けた場合、曲線すは膜厚２８ ｏＡのＴｂ薄膜
層２を下地膜として設けた場合、曲線Ｃは下地膜を設け
なかった場合の一軸磁気異方性定数ＫＨの変化を示すも
のでめる。
なお、ここで高透磁率磁性薄膜層３の膜厚は３９ＯＯλ
（０，３９μ）とし、また、−軸磁気異方性定数Ｋｕは
磁化曲線より次式を用いてめた。
（０，３９μ）とし、また、−軸磁気異方性定数Ｋｕは
磁化曲線より次式を用いてめた。
化（ｅ１ｍ／、３ ）を表わす。〕
この第４図ニジ、Ｔｂ薄膜層２を設けない場合及びＴｂ
薄膜層２の膜厚が２８０人である場合には、基体１温度
が２３５℃以上にならないと一軸磁気異方性定数Ｋｕが
零とならないのに対して、ＴＡ薄膜層２の膜厚が７００
人である場合には２０５℃以上で一軸磁気異方性定数Ｋ
ｕが零となっており、低い基体１温度で垂直磁気異方性
のない状態となることが分かる。この−軸磁気異方性定
数Ｋｕが零の状態で抗磁力Ｈｃ５エルステッド以下が実
現される。第５図は、膜厚３９００’Ａの高透磁率磁性
薄膜層３を真空蒸着法で作製するに際し、基体１に直接
Ｆｅ−Ｎｂ合金膜を蒸着した場合（図中、曲線Ｃ）と、
下地膜として膜厚２８０ＡのＴｂ薄膜層２を蒸着してか
らＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜を蒸着した場合（図中、曲線
Ｂ）及び下地膜として膜厚７００’ＡのＴｂ薄膜層２を
蒸着してからＦｅ−Ｎｂ合金膜を蒸着した場合（図中、
曲線Ａ）の各基体１温度における抗磁力Ｈｃの変化を示
すものでろって、この第５図からＴｂ薄膜層２が無い場
合及びＴｂ薄膜層２の膜厚がｚｓｏ′ｐ、である場合に
は基体１温度が２３５℃以上で、一方、Ｔｂ薄膜層２の
膜厚が７ｏｏｄである場合には基体１温度が２０５℃以
−ヒで抗磁力Ｈｃが５エルステツド以下になることが分
かる。
薄膜層２の膜厚が２８０人である場合には、基体１温度
が２３５℃以上にならないと一軸磁気異方性定数Ｋｕが
零とならないのに対して、ＴＡ薄膜層２の膜厚が７００
人である場合には２０５℃以上で一軸磁気異方性定数Ｋ
ｕが零となっており、低い基体１温度で垂直磁気異方性
のない状態となることが分かる。この−軸磁気異方性定
数Ｋｕが零の状態で抗磁力Ｈｃ５エルステッド以下が実
現される。第５図は、膜厚３９００’Ａの高透磁率磁性
薄膜層３を真空蒸着法で作製するに際し、基体１に直接
Ｆｅ−Ｎｂ合金膜を蒸着した場合（図中、曲線Ｃ）と、
下地膜として膜厚２８０ＡのＴｂ薄膜層２を蒸着してか
らＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜を蒸着した場合（図中、曲線
Ｂ）及び下地膜として膜厚７００’ＡのＴｂ薄膜層２を
蒸着してからＦｅ−Ｎｂ合金膜を蒸着した場合（図中、
曲線Ａ）の各基体１温度における抗磁力Ｈｃの変化を示
すものでろって、この第５図からＴｂ薄膜層２が無い場
合及びＴｂ薄膜層２の膜厚がｚｓｏ′ｐ、である場合に
は基体１温度が２３５℃以上で、一方、Ｔｂ薄膜層２の
膜厚が７ｏｏｄである場合には基体１温度が２０５℃以
−ヒで抗磁力Ｈｃが５エルステツド以下になることが分
かる。
すなわち、Ｔｂ薄膜層２のｊ膜厚が３００’Ａ以上とな
るように蒸着することによシ、よシ低温にて抗磁力Ｈｃ
の小さいＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜、すなわち高透磁率磁
性薄膜層３を作製することが可能になる。
るように蒸着することによシ、よシ低温にて抗磁力Ｈｃ
の小さいＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜、すなわち高透磁率磁
性薄膜層３を作製することが可能になる。
したがって、上記ＴｉＪ薄膜層２の膜厚としては、３０
０〜１０００人の範囲内でめることが好ましく、上記膜
厚が３００人未満では効果がほとんど期待できない。ま
た、上記Ｔｂ薄膜層２は、記録・再生には何ら寄与しな
いものでろるのでその膜厚はなるべく薄いほうがよく、
さらにこの膜厚がろまシ゛厚いとクラック等が発生する
虞れもらるので、実用的には上記膜厚は１ｏｏｏＷ以下
であることが好ましい。
０〜１０００人の範囲内でめることが好ましく、上記膜
厚が３００人未満では効果がほとんど期待できない。ま
た、上記Ｔｂ薄膜層２は、記録・再生には何ら寄与しな
いものでろるのでその膜厚はなるべく薄いほうがよく、
さらにこの膜厚がろまシ゛厚いとクラック等が発生する
虞れもらるので、実用的には上記膜厚は１ｏｏｏＷ以下
であることが好ましい。
ところで、本発明は上記高透磁率磁性薄膜層３がＦ ｅ
２１．５重量％、 Ｎ Ｌ ７８．５重量％からなる
Ｆｅ−Ｎｂ合金膜にニジ形成さｎる場合のみならず、結
晶磁気異方性や磁歪の小さい組成範囲のＦ’ ｅ −Ｎ
Ａ合金膜によって形成される場合にも適用可能でるる。
２１．５重量％、 Ｎ Ｌ ７８．５重量％からなる
Ｆｅ−Ｎｂ合金膜にニジ形成さｎる場合のみならず、結
晶磁気異方性や磁歪の小さい組成範囲のＦ’ ｅ −Ｎ
Ａ合金膜によって形成される場合にも適用可能でるる。
一方、上記垂直磁化記録層５は、Ｃｒを１０〜。
２５原子チを含み残部ＣＯからなるＣｏ−Ｃｒ合金をス
パッタ法や蒸着法等によシ被着することによシ作製され
るものでろって、これによって垂直方向の配向に優わた
ものが得らむる。
パッタ法や蒸着法等によシ被着することによシ作製され
るものでろって、これによって垂直方向の配向に優わた
ものが得らむる。
また、上記Ｔｂ中間層４は、上記垂直磁化記録層５の膜
成長速度を向上し優れたＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成するた
めに設けられるものであって、その膜厚は１００〜５ｏ
ｏＬに選定される。上記Ｔｂ中間層４の膜厚が１００λ
未満では、Ｔｂの連続膜が形成しにくく、Ｃ０−Ｃｒ合
金膜の下地膜としての効果が不充分となる虞れがロシ、
また上記膜厚がｓｏ ｏ人を越えてもＣｏ−Ｃｒ合金膜
の磁気的特性や機械的特性にこむ以上の効果が認めら詐
ない。なお、とのＴＬ甲間層４は、場合によっては無く
ともよい。
成長速度を向上し優れたＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成するた
めに設けられるものであって、その膜厚は１００〜５ｏ
ｏＬに選定される。上記Ｔｂ中間層４の膜厚が１００λ
未満では、Ｔｂの連続膜が形成しにくく、Ｃ０−Ｃｒ合
金膜の下地膜としての効果が不充分となる虞れがロシ、
また上記膜厚がｓｏ ｏ人を越えてもＣｏ−Ｃｒ合金膜
の磁気的特性や機械的特性にこむ以上の効果が認めら詐
ない。なお、とのＴＬ甲間層４は、場合によっては無く
ともよい。
このように構成される垂直磁化記録媒体１０にｐいては
、下地膜としてＴｂ薄膜層２を設けているので、基体１
温度が低い状態で抗磁力Ｈｃの小さい高透磁率磁性薄膜
層３を作製することができ、したがって基体ＩＫ用いる
高分子フィルムの耐熱性に対する要求が緩和され、安価
な高分子材料をことができるのでるる。
、下地膜としてＴｂ薄膜層２を設けているので、基体１
温度が低い状態で抗磁力Ｈｃの小さい高透磁率磁性薄膜
層３を作製することができ、したがって基体ＩＫ用いる
高分子フィルムの耐熱性に対する要求が緩和され、安価
な高分子材料をことができるのでるる。
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
実施例１
非磁性基板でめる厚さ２５μＩｎのポリイミドフィルム
を赤外線ヒータで２２０℃に加熱し、このフィルム上に
真空度２．ＯＸ １０’−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４
人／ ｓｅｃの条件で膜厚７００人のＴｂ薄膜層を蒸着
形成し、続いて真空を破らずに蒸着速度３９λ／ｓｅｃ
で膜厚３９００’ＡのＦｅ−Ｎｂ合金薄膜（Ｆｅ含有量
２１．５重量％、ＮＬ含有量７８．５重量％）を蒸着形
成した。
を赤外線ヒータで２２０℃に加熱し、このフィルム上に
真空度２．ＯＸ １０’−’Ｔｏｒｒ、蒸着速度１４
人／ ｓｅｃの条件で膜厚７００人のＴｂ薄膜層を蒸着
形成し、続いて真空を破らずに蒸着速度３９λ／ｓｅｃ
で膜厚３９００’ＡのＦｅ−Ｎｂ合金薄膜（Ｆｅ含有量
２１．５重量％、ＮＬ含有量７８．５重量％）を蒸着形
成した。
次いで、とのＦｅ−Ｎ＝合金薄膜上に、真空度２、 Ｏ
Ｘ １０”Ｔｏｒｒ 、基板温度１８０℃、蒸着速度１
４ Ａ／ｓｅｃの条件で膜厚３００人のＴＬ中間層を形
成し、さらに上記ＴＬ中間層上に、真空度２゜Ｏｘ １
０””’Ｔｏｒｒ、基板温度１８０℃、蒸着速度３２に
／ｓｅｅの条件で膜厚０．１μｍのＣｏ−Ｃｒ合金膜を
蒸着形成してサンプルテープを作製した。
Ｘ １０”Ｔｏｒｒ 、基板温度１８０℃、蒸着速度１
４ Ａ／ｓｅｃの条件で膜厚３００人のＴＬ中間層を形
成し、さらに上記ＴＬ中間層上に、真空度２゜Ｏｘ １
０””’Ｔｏｒｒ、基板温度１８０℃、蒸着速度３２に
／ｓｅｅの条件で膜厚０．１μｍのＣｏ−Ｃｒ合金膜を
蒸着形成してサンプルテープを作製した。
得らむたサンプルテープのＦ ｅ −Ｎ Ｌ合金薄膜に
ついて、その抗磁力［Ｃを測定したところ１．１エルス
テツドでメジ、極めて抗磁力Ｈｃの小さなものであった
。
ついて、その抗磁力［Ｃを測定したところ１．１エルス
テツドでメジ、極めて抗磁力Ｈｃの小さなものであった
。
比較例１
非磁性基板である厚さ２５μＩｎのポリイミドフィルム
を赤外線ヒータで２２０℃に加熱し、このフィルム上に
真空度２．Ｏｘ １０””Ｔｏｒｒ、蒸着速度３９ Ａ
／ｓｅｃの条件で膜厚ａ９ｏｏＡのＦｅ−Ｎｂ合金薄膜
（Ｆｅ含有量２１．５重量％、ＮＡ含有量７８．５重量
％）を蒸着形成した。
を赤外線ヒータで２２０℃に加熱し、このフィルム上に
真空度２．Ｏｘ １０””Ｔｏｒｒ、蒸着速度３９ Ａ
／ｓｅｃの条件で膜厚ａ９ｏｏＡのＦｅ−Ｎｂ合金薄膜
（Ｆｅ含有量２１．５重量％、ＮＡ含有量７８．５重量
％）を蒸着形成した。
次いで、このＦｅ−Ｎｂ合金薄膜上に、真空度２、ＯＸ
１０−’Ｔｏｒｒ、基板温度１８０℃、蒸着速度１４
’Ａ／ ｓｅｅの条件で膜厚ａｏｏＣＰ、のＴｊ、中
間層を形成した。
１０−’Ｔｏｒｒ、基板温度１８０℃、蒸着速度１４
’Ａ／ ｓｅｅの条件で膜厚ａｏｏＣＰ、のＴｊ、中
間層を形成した。
さらに、上記ＴＬ中間層上に、真空度２．０Ｘ１０−’
Ｔｏｒｒ 、基板温度１８０℃、蒸着速度３２′Ａ／
ｓｅｃの条件で膜厚０．１／Ｊｌｎのｃｏ−ｃｒ合金膜
を蒸着形成してサンプルテープを作製した。
Ｔｏｒｒ 、基板温度１８０℃、蒸着速度３２′Ａ／
ｓｅｃの条件で膜厚０．１／Ｊｌｎのｃｏ−ｃｒ合金膜
を蒸着形成してサンプルテープを作製した。
得られたサンプルテープのｐ ｅ −Ｎ Ｌ合金薄膜に
ついて、その抗磁力Ｈｃを測定したところ１３エルステ
ツドでめった。
ついて、その抗磁力Ｈｃを測定したところ１３エルステ
ツドでめった。
比較例２
先の実施例１において、Ｔｂ薄膜層の膜厚を２８０Ａと
し、実施例１と同様の方法に、１サンプルテープを作製
した。
し、実施例１と同様の方法に、１サンプルテープを作製
した。
得られたサンプルテープのＦｅ−Ｎｂ合金薄膜について
１．その抗磁力Ｈｃを測定したところ１゜エルステッド
でめった。
１．その抗磁力Ｈｃを測定したところ１゜エルステッド
でめった。
上述の実施例の説明からも明らかなように、本発明にお
いては高透磁率磁性薄膜層の下地膜としてＴ＝薄膜層を
設けているので、基体温度の低い状態で抗磁力ＨＣの小
さな高透磁率磁性薄膜層を作製することが可能となシ、
シたがって記録・再生効率の優れた垂直磁化記録媒体が
得らねるとともに、基体として用いる高分子フィルムの
耐熱性に対する要求も緩和されるのでろる。
いては高透磁率磁性薄膜層の下地膜としてＴ＝薄膜層を
設けているので、基体温度の低い状態で抗磁力ＨＣの小
さな高透磁率磁性薄膜層を作製することが可能となシ、
シたがって記録・再生効率の優れた垂直磁化記録媒体が
得らねるとともに、基体として用いる高分子フィルムの
耐熱性に対する要求も緩和されるのでろる。
第１図は本発明を適用した垂直磁化記録媒体の構成を概
略的に示す要部断面図であり、第２図は垂直磁化記録方
式を説明する模式図である。 第３図はｌｉ’ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜厚と一軸磁気異方
性定数Ｋｕの関係を示す特性図でるる。 第４図は蒸着時の基体温度と得らねる高透磁率磁性薄膜
層の一軸磁気異方性定数Ｋｕの関係をＴｂ薄膜層を設け
た場合とＴｂ薄膜層を設けない場合とを比較して示す特
性図でめシ、第５図は蒸着時の基体温度と得らｎる高透
磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃの関係をＴ＝薄膜層を設け
た場合とＴＬ薄膜層を設けない場合とを比較して示す特
性図でるる。 １・・・基体 ２・・・ＴＬ薄膜層 ３・・・高透磁率磁性薄膜層 ５・・・垂直磁化記録層 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第１図 ０ 第２図 ９ 第３図 第４図 ！ａ！戊（℃）−
略的に示す要部断面図であり、第２図は垂直磁化記録方
式を説明する模式図である。 第３図はｌｉ’ ｅ −Ｎ Ｌ合金膜厚と一軸磁気異方
性定数Ｋｕの関係を示す特性図でるる。 第４図は蒸着時の基体温度と得らねる高透磁率磁性薄膜
層の一軸磁気異方性定数Ｋｕの関係をＴｂ薄膜層を設け
た場合とＴｂ薄膜層を設けない場合とを比較して示す特
性図でめシ、第５図は蒸着時の基体温度と得らｎる高透
磁率磁性薄膜層の抗磁力Ｈｃの関係をＴ＝薄膜層を設け
た場合とＴＬ薄膜層を設けない場合とを比較して示す特
性図でるる。 １・・・基体 ２・・・ＴＬ薄膜層 ３・・・高透磁率磁性薄膜層 ５・・・垂直磁化記録層 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − 第１図 ０ 第２図 ９ 第３図 第４図 ！ａ！戊（℃）−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に、３００〜１ｏｏｏＫの膜厚を有するＴＬ薄膜
層、０．２〜１．Ｏｐの膜厚を有しＦｅ −Ｎ；。 合金よシなる高透磁率磁性薄膜層、及びＣｏ−Ｃｒ合金
よシなる垂直磁化記録層をこの順にそれぞれ蒸着形成し
てなる垂直磁化記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202484A JPS60254414A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11202484A JPS60254414A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254414A true JPS60254414A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0518168B2 JPH0518168B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=14576081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11202484A Granted JPS60254414A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 垂直磁化記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254414A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58155516A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11202484A patent/JPS60254414A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58155516A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518168B2 (ja) | 1993-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |