JPH0313646B2 - - Google Patents
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- JPH0313646B2 JPH0313646B2 JP56093822A JP9382281A JPH0313646B2 JP H0313646 B2 JPH0313646 B2 JP H0313646B2 JP 56093822 A JP56093822 A JP 56093822A JP 9382281 A JP9382281 A JP 9382281A JP H0313646 B2 JPH0313646 B2 JP H0313646B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は、垂直磁気記録方式において使用する
磁気記録媒体に関するものである。 垂直磁気記録方式は、テープ、デイスク等の磁
気記録媒体の走行方向と垂直方向、すなわち、磁
気記録媒体の厚さ方向に磁化容易軸をもつた記録
用磁性媒体層が表面に設けられた磁気記録媒体を
使用し、該厚さ方向に強い磁化分布を生じる垂直
磁気記録用磁気ヘツドを用い、磁気記録媒体を厚
さ方向に磁化し、この方向に磁性媒体層の磁化を
残留させるようにしたものである。このように、
磁気記録媒体の厚さ方向に残留磁化分布がある
と、自己減磁界の発生が少なく、損失の少ない高
密度記録が可能になる（例えば、特許公報特開昭
52−134706号参照）。 以上のような垂直磁気記録方式に使用される垂
直磁気記録媒体としては、上部に媒体面垂直方向
に磁化容易軸を有する磁性層を設け、下部に高透
磁率磁性層を設けた２層構造の記録媒体が高特性
を有することが知られている（例えば特許公報、
特開昭52−78403号参照）。 媒体面垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層と
しては、Crを15〜28at％程度含有するCo−Cr合
金薄膜が有効であることが知られている（例えば
IEE Trans.Mag.14、p849参照）。また、Co−Cr
合金にRhを添加した薄膜も垂直記録媒体として
有効であるとされている（電子通信学会技術研究
報告MR80−43参照）。 前述した２層構造の垂直磁気記録媒体のなかの
高透磁率磁性層としてはNi−Fe合金が用いられ
ている（IEEE Trans.Mag15、p1456）。 上述した垂直磁化膜Co−Cr合金薄膜の垂直磁
気異方性は、主に六方晶Co−Cr合金の結晶異方
性によるものである。すなわち、Co−Cr合金薄
膜の磁化の垂直配向度は、六方晶Co−Cr合金薄
膜Ｃ軸の膜面垂直方向配向度に依存するものであ
る。 第１表に、ガラス基板上にスパツタ法により作
製した膜厚1μｍのCo80−Cr20薄膜と、ガラス基板
上にスパツタ法によりNi81Fe13合金薄膜（膜厚
0.5μｍ）を作製し、さらに引き続いて該Ni81Fe19
合金薄膜上にスパツタ法により作製した膜厚1μ
ｍのCo80−Cr20合金薄膜との六方晶結晶Ｃ軸の膜
面垂直方向への配向度を示す。なお、該配向度
は、六方晶Co80−Cr20合金薄膜の（0002）面によ
るＸ線回折線のロツキング曲線半値幅ΔΘ50（度）
により評価した。すなわち、ΔΘ50が小さくなる
ほど六方晶Co−Cr合金薄膜の膜面垂直方向への
Ｃ軸配向度が良くなり磁化容易軸の垂直配向度が
良くなる。第１表より、ガラス基板上に直接作製
したCo−Cr薄膜の膜面垂直方向へのＣ軸配向度
にくらべて、間にNiFe合金薄膜を設けた場合の
Co−Cr薄膜の膜面垂直方向へのＣ軸配向度は、
１／２程度であることがわかる。
磁気記録媒体に関するものである。 垂直磁気記録方式は、テープ、デイスク等の磁
気記録媒体の走行方向と垂直方向、すなわち、磁
気記録媒体の厚さ方向に磁化容易軸をもつた記録
用磁性媒体層が表面に設けられた磁気記録媒体を
使用し、該厚さ方向に強い磁化分布を生じる垂直
磁気記録用磁気ヘツドを用い、磁気記録媒体を厚
さ方向に磁化し、この方向に磁性媒体層の磁化を
残留させるようにしたものである。このように、
磁気記録媒体の厚さ方向に残留磁化分布がある
と、自己減磁界の発生が少なく、損失の少ない高
密度記録が可能になる（例えば、特許公報特開昭
52−134706号参照）。 以上のような垂直磁気記録方式に使用される垂
直磁気記録媒体としては、上部に媒体面垂直方向
に磁化容易軸を有する磁性層を設け、下部に高透
磁率磁性層を設けた２層構造の記録媒体が高特性
を有することが知られている（例えば特許公報、
特開昭52−78403号参照）。 媒体面垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層と
しては、Crを15〜28at％程度含有するCo−Cr合
金薄膜が有効であることが知られている（例えば
IEE Trans.Mag.14、p849参照）。また、Co−Cr
合金にRhを添加した薄膜も垂直記録媒体として
有効であるとされている（電子通信学会技術研究
報告MR80−43参照）。 前述した２層構造の垂直磁気記録媒体のなかの
高透磁率磁性層としてはNi−Fe合金が用いられ
ている（IEEE Trans.Mag15、p1456）。 上述した垂直磁化膜Co−Cr合金薄膜の垂直磁
気異方性は、主に六方晶Co−Cr合金の結晶異方
性によるものである。すなわち、Co−Cr合金薄
膜の磁化の垂直配向度は、六方晶Co−Cr合金薄
膜Ｃ軸の膜面垂直方向配向度に依存するものであ
る。 第１表に、ガラス基板上にスパツタ法により作
製した膜厚1μｍのCo80−Cr20薄膜と、ガラス基板
上にスパツタ法によりNi81Fe13合金薄膜（膜厚
0.5μｍ）を作製し、さらに引き続いて該Ni81Fe19
合金薄膜上にスパツタ法により作製した膜厚1μ
ｍのCo80−Cr20合金薄膜との六方晶結晶Ｃ軸の膜
面垂直方向への配向度を示す。なお、該配向度
は、六方晶Co80−Cr20合金薄膜の（0002）面によ
るＸ線回折線のロツキング曲線半値幅ΔΘ50（度）
により評価した。すなわち、ΔΘ50が小さくなる
ほど六方晶Co−Cr合金薄膜の膜面垂直方向への
Ｃ軸配向度が良くなり磁化容易軸の垂直配向度が
良くなる。第１表より、ガラス基板上に直接作製
したCo−Cr薄膜の膜面垂直方向へのＣ軸配向度
にくらべて、間にNiFe合金薄膜を設けた場合の
Co−Cr薄膜の膜面垂直方向へのＣ軸配向度は、
１／２程度であることがわかる。
【表】
このNi−Fe合金薄膜上のCo−Cr薄膜の膜面垂
直方向へのＣ軸配向度を改善する手段として、両
薄膜間にSiO2膜、あるいはAl2O3膜等の非晶質膜
を設けることが考えられる（例えば、特許公報、
特開昭54−51804号参照）。しかしながら、間にこ
のような非磁性膜を設けることは、それだけ垂直
磁気記録媒体としての特性劣化をもたらすのみな
らず、記録媒体作製工程をそれだけ複雑にする。 本発明の目的は、上記従来技術の難点を解消
し、垂直配向度の良好な垂直磁化膜と該垂直磁化
膜の下部に設けられた高透磁率磁性体層とを具備
する垂直磁気記録媒体を提供することにあり、さ
らに詳しくは垂直配向度の良好な垂直磁化膜の作
製が可能な前記高透磁率磁性体層を具備する複合
垂直磁気記録媒体を提供することにある。 前記目的を達成するため、本発明の垂直磁気記
録媒体は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸が存在
する磁性体からなる垂直磁化膜と該垂直磁化膜の
下部に設けられた高透磁率磁性体層とを具備し、
且つ、上記高透磁率磁性体層はFe、Co、Niから
なる群より選択された少なくとも１つの金属元素
を65〜95at％、Cr、Mo、Ｖ、Ｗ、Nbからなる
群より選択された少なくとも１つの金属元素を
35at％以下、Ti、Zr、Hfからなる群より選択さ
れた少なくとも１つの金属元素を５〜35at％含み
優位的に非晶質な合金からなるものである。 本発明者等は、下層の高透磁率磁性膜として、
優位的に非晶質な金属磁性薄膜を用いることによ
り、該合金薄膜上に六方晶Ｃ軸の膜面垂直方向へ
の配向度の良いCo−Cr薄膜を作製可能であるこ
とを見出した。本発明はこの新規なる発見に基づ
いて構成されたものである。 前記垂直磁化膜を構成する材料としては周知の
Co−Cr合金を用いることができる。このCo−Cr
合金のCr量は15〜28at％とする。Cr量が15％未
満では、六方晶Ｃ軸が膜面垂直方向へ配向せず、
Cr量が28％を越えると飽和磁束密度が1000Gauss
以下となつて磁気記録媒体として使用する場合の
出力が低下し、いずれも好ましくない。また、こ
のCo−Cr合金にRh、Dy、Sm、Gd、Eu、Tb、
Nd、Ho、Er、Pr等の少なくとも１元素を添加
した合金を用いてもよい。 前記高透磁率磁性体層の組成において、Fe、
Co、Niの少なくと一種が95at％を越える場合に
は該合金薄膜は非晶質ではなくなり、65at％未満
の場合には該合金薄膜の飽和磁束密度BSが小さ
くなりすぎるため（BS＜2kG）上層の垂直磁化膜
による飽和が生じ、高透磁率膜としての性能が劣
化する。Cr、Mo、Ｖ、Ｗ、Nbの少なくとも一
種が30at％を越える場合には該合金薄膜のBSが
小さくなりすぎる。また、Ti、Zr、Hfの少なく
とも一種が35at％を越える場合にはBSが小さく
なりすぎ、5at％未満の場合には該合金薄膜は優
位的に非晶質な合金薄膜ではなくなる。いずれの
場合も好ましくない。 なお、本発明の高透磁率合金薄膜の透磁率は10
以上、より望ましくは100以上であることが必要
である。該薄膜の透磁率が10以下の場合には、垂
直磁気記録用磁気ヘツドを用いて、垂直記録媒体
に記録を行なう際の記録電流が大きくなり、高透
磁率膜としての用を足さなくなる。 また、本発明の高透磁率合金薄膜の飽和磁束密
度BSは上層の垂直磁化膜のBSよりも大きいこと
が望ましく、例えば垂直磁化膜としてCo−23wt
％Cr合金を用いる場合、該高透磁率合金薄膜の
BSは2KG以上であることが望ましい。 優位的に非晶質な合金からなる前記高透磁率磁
性体層を被着する基板を構成する基板材料は、従
来磁気記録媒体に用いられていたものを使用する
ことができるが、通常、ガラス、Al、ポリイミ
ド系樹脂材、ポリエステル系樹脂材を用いる。ま
たこれらの材料の表面にアルミナ層やカツプリン
グ材層等を設けてもよい。また、基板は板状で
も、フレキシブルなテープ状でもよい。 垂直磁化膜の厚さは、周知のように、0.05〜5μ
ｍとし、優位的に非晶質な合金からなる高透磁率
磁性体層の厚さは0.05μｍ以上、好ましくは0.5μ
ｍ以上とする。高透磁率磁性体層の厚さが上記よ
り薄いと、記録電流を大にする必要を生じ、好ま
しくない。 なお、本明細書において、優位的に非晶質な合
金とは、通常のＸ線回折パタンにおいて特定のピ
ークが認められない状態の合金を示すものとす
る。 以下、本発明を実施例により詳しく説明する。 実施例 １ Co、Mo、Zr各粉末を原子数比で80：9.5：10.5
の割合で混合し焼結して作製した円板をターゲツ
トとし、ガラス基板上、およびAl基板上にスパ
ツタ法により膜厚1μｍの非晶質合金薄膜を作製
した。なお、本薄膜はＸ線回折のハローパターン
よりその非晶質性を確認した。つぎに、この非晶
質合金薄膜上にスパツタ法によりCo80Cr20からな
る膜厚1μｍの薄膜（垂直磁化膜）を被着した。
このようにして作製された磁気記録媒体の断面図
を第１図に示す。１はガラスもしくはAlからな
る基板、２は非晶質磁性合金薄膜（高透磁率磁性
体層）、３は垂直磁化膜である。なお、実施例２
で得られる磁気記録媒体の断面も第１図と同様で
ある。本実施例で得られた磁気記録媒体の垂直磁
化膜３のΔΘ50、高透磁率磁性体層２の飽和磁束
密度BSならびに透磁率μを第２表に示す。ΔΘ50
は前述のように六方晶Co−Cr合金薄膜の（0002）
面によるＸ線回折線のロツキング曲線半値幅を示
し、この値が小なる程六方晶Co−Cr合金薄膜の
膜面垂直方向へのＣ軸配向度が良好となり、磁化
容易軸の垂直配向度が良くなる。 第２表より明らかなように、本実施例におい
て、非晶質合金磁性薄膜上に被着したCo−Cr合
金薄膜の六方晶Ｃ軸の膜面垂直方向への配向度
は、第１表に示されていパーマロイ膜上のCo−
Cr合金膜の場合に比較してはるかに良好であり、
ガラス基板上に被着したCo−Cr合金膜とほぼ同
等である。また、第２表より、本実施例におい
て、ガラス基板を用いた場合とAl基板を用いた
場合の、垂直磁気記録媒体の特性の差は認められ
ないことが分る。なお、第２表には以下に述べる
実施例２のデータも記載してある。
直方向へのＣ軸配向度を改善する手段として、両
薄膜間にSiO2膜、あるいはAl2O3膜等の非晶質膜
を設けることが考えられる（例えば、特許公報、
特開昭54−51804号参照）。しかしながら、間にこ
のような非磁性膜を設けることは、それだけ垂直
磁気記録媒体としての特性劣化をもたらすのみな
らず、記録媒体作製工程をそれだけ複雑にする。 本発明の目的は、上記従来技術の難点を解消
し、垂直配向度の良好な垂直磁化膜と該垂直磁化
膜の下部に設けられた高透磁率磁性体層とを具備
する垂直磁気記録媒体を提供することにあり、さ
らに詳しくは垂直配向度の良好な垂直磁化膜の作
製が可能な前記高透磁率磁性体層を具備する複合
垂直磁気記録媒体を提供することにある。 前記目的を達成するため、本発明の垂直磁気記
録媒体は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸が存在
する磁性体からなる垂直磁化膜と該垂直磁化膜の
下部に設けられた高透磁率磁性体層とを具備し、
且つ、上記高透磁率磁性体層はFe、Co、Niから
なる群より選択された少なくとも１つの金属元素
を65〜95at％、Cr、Mo、Ｖ、Ｗ、Nbからなる
群より選択された少なくとも１つの金属元素を
35at％以下、Ti、Zr、Hfからなる群より選択さ
れた少なくとも１つの金属元素を５〜35at％含み
優位的に非晶質な合金からなるものである。 本発明者等は、下層の高透磁率磁性膜として、
優位的に非晶質な金属磁性薄膜を用いることによ
り、該合金薄膜上に六方晶Ｃ軸の膜面垂直方向へ
の配向度の良いCo−Cr薄膜を作製可能であるこ
とを見出した。本発明はこの新規なる発見に基づ
いて構成されたものである。 前記垂直磁化膜を構成する材料としては周知の
Co−Cr合金を用いることができる。このCo−Cr
合金のCr量は15〜28at％とする。Cr量が15％未
満では、六方晶Ｃ軸が膜面垂直方向へ配向せず、
Cr量が28％を越えると飽和磁束密度が1000Gauss
以下となつて磁気記録媒体として使用する場合の
出力が低下し、いずれも好ましくない。また、こ
のCo−Cr合金にRh、Dy、Sm、Gd、Eu、Tb、
Nd、Ho、Er、Pr等の少なくとも１元素を添加
した合金を用いてもよい。 前記高透磁率磁性体層の組成において、Fe、
Co、Niの少なくと一種が95at％を越える場合に
は該合金薄膜は非晶質ではなくなり、65at％未満
の場合には該合金薄膜の飽和磁束密度BSが小さ
くなりすぎるため（BS＜2kG）上層の垂直磁化膜
による飽和が生じ、高透磁率膜としての性能が劣
化する。Cr、Mo、Ｖ、Ｗ、Nbの少なくとも一
種が30at％を越える場合には該合金薄膜のBSが
小さくなりすぎる。また、Ti、Zr、Hfの少なく
とも一種が35at％を越える場合にはBSが小さく
なりすぎ、5at％未満の場合には該合金薄膜は優
位的に非晶質な合金薄膜ではなくなる。いずれの
場合も好ましくない。 なお、本発明の高透磁率合金薄膜の透磁率は10
以上、より望ましくは100以上であることが必要
である。該薄膜の透磁率が10以下の場合には、垂
直磁気記録用磁気ヘツドを用いて、垂直記録媒体
に記録を行なう際の記録電流が大きくなり、高透
磁率膜としての用を足さなくなる。 また、本発明の高透磁率合金薄膜の飽和磁束密
度BSは上層の垂直磁化膜のBSよりも大きいこと
が望ましく、例えば垂直磁化膜としてCo−23wt
％Cr合金を用いる場合、該高透磁率合金薄膜の
BSは2KG以上であることが望ましい。 優位的に非晶質な合金からなる前記高透磁率磁
性体層を被着する基板を構成する基板材料は、従
来磁気記録媒体に用いられていたものを使用する
ことができるが、通常、ガラス、Al、ポリイミ
ド系樹脂材、ポリエステル系樹脂材を用いる。ま
たこれらの材料の表面にアルミナ層やカツプリン
グ材層等を設けてもよい。また、基板は板状で
も、フレキシブルなテープ状でもよい。 垂直磁化膜の厚さは、周知のように、0.05〜5μ
ｍとし、優位的に非晶質な合金からなる高透磁率
磁性体層の厚さは0.05μｍ以上、好ましくは0.5μ
ｍ以上とする。高透磁率磁性体層の厚さが上記よ
り薄いと、記録電流を大にする必要を生じ、好ま
しくない。 なお、本明細書において、優位的に非晶質な合
金とは、通常のＸ線回折パタンにおいて特定のピ
ークが認められない状態の合金を示すものとす
る。 以下、本発明を実施例により詳しく説明する。 実施例 １ Co、Mo、Zr各粉末を原子数比で80：9.5：10.5
の割合で混合し焼結して作製した円板をターゲツ
トとし、ガラス基板上、およびAl基板上にスパ
ツタ法により膜厚1μｍの非晶質合金薄膜を作製
した。なお、本薄膜はＸ線回折のハローパターン
よりその非晶質性を確認した。つぎに、この非晶
質合金薄膜上にスパツタ法によりCo80Cr20からな
る膜厚1μｍの薄膜（垂直磁化膜）を被着した。
このようにして作製された磁気記録媒体の断面図
を第１図に示す。１はガラスもしくはAlからな
る基板、２は非晶質磁性合金薄膜（高透磁率磁性
体層）、３は垂直磁化膜である。なお、実施例２
で得られる磁気記録媒体の断面も第１図と同様で
ある。本実施例で得られた磁気記録媒体の垂直磁
化膜３のΔΘ50、高透磁率磁性体層２の飽和磁束
密度BSならびに透磁率μを第２表に示す。ΔΘ50
は前述のように六方晶Co−Cr合金薄膜の（0002）
面によるＸ線回折線のロツキング曲線半値幅を示
し、この値が小なる程六方晶Co−Cr合金薄膜の
膜面垂直方向へのＣ軸配向度が良好となり、磁化
容易軸の垂直配向度が良くなる。 第２表より明らかなように、本実施例におい
て、非晶質合金磁性薄膜上に被着したCo−Cr合
金薄膜の六方晶Ｃ軸の膜面垂直方向への配向度
は、第１表に示されていパーマロイ膜上のCo−
Cr合金膜の場合に比較してはるかに良好であり、
ガラス基板上に被着したCo−Cr合金膜とほぼ同
等である。また、第２表より、本実施例におい
て、ガラス基板を用いた場合とAl基板を用いた
場合の、垂直磁気記録媒体の特性の差は認められ
ないことが分る。なお、第２表には以下に述べる
実施例２のデータも記載してある。
【表】
実施例 ２
Co83Ti17の組成の焼結ターゲツトを用いて非晶
質合金薄膜をスパツタ法により被着したことを除
いて、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。本試料のCo−Cr合金薄膜のΔΘ50、高透磁
率磁性体層のBSおよびμを第２表に示す。 第２表より明らかなように、本実施例におい
て、非晶質合金磁性薄膜上に被着したCo−Cr合
金薄膜の六方晶Ｃ軸の膜面垂直方向への配向度
は、第１表に示されているパーマロイ膜上のCo
−Cr合金膜の場合に比較してはるかに良好であ
るのみでなく、ガラス基板上に被着したCo−Cr
合金膜よりもさらにすぐれている。また、実施例
１と同様に、ガラス基板を用いた場合とAl基板
を用いた場合の、磁気記録媒体の特性の差は認め
られない。 実施例 ３ つぎにAl基板上に作製した実施例１、２の垂
直記録媒体と、Al基板上に膜厚1μｍのNi80Fe20
合金薄膜を設けさらにその上に膜厚1μｍの
Co80Cr20薄膜を設けた記録媒体（比較例）に、垂
直ヘツドを用いて記録を行ない、ギヤツプ長0.2μ
ｍのリング型ヘツドを用いて再生を行ないその記
録電流特性を検討した。結果を第２図に示す。第
２図より、実施例１、２の記録媒体の記録電流特
性には互いに差がなく、パーマロイ上にCo−Cr
薄膜を設けた記録媒体にくらべて特性が優れてい
ることがわかる。 本実施例で用いた垂直記録ヘツドは補助励磁型
のもので、このようなヘツドの詳細は例えば「S.
Iwasaki、Y.Nakamura：IEEE、Trans.Mag.、
MAG−14、p.436（1978）」に記載されている。 以上、述べてきたように、高透磁率非晶質合金
薄膜上に作製したCo−Cr薄膜は、垂直磁気記録
媒体として秀れた特性を示すことがあきらかにな
つた。 なお、本発明のなかで述べたきた高透磁率非晶
質合金薄膜の組成はスパツタターゲツトの組成で
示してある。ただし、スパツタターゲツト組成と
作製された膜組成の間の差は少ない。 また、スパツタターゲツトとしては焼結体に限
る必要はなく溶解ターゲツトや、主成分金属板上
に他の成分よりなる小さい板を並べたものでも良
い。また、高透率非晶質合金薄膜は蒸着法や、溶
解急冷法により作製することも有効である。
質合金薄膜をスパツタ法により被着したことを除
いて、実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製
した。本試料のCo−Cr合金薄膜のΔΘ50、高透磁
率磁性体層のBSおよびμを第２表に示す。 第２表より明らかなように、本実施例におい
て、非晶質合金磁性薄膜上に被着したCo−Cr合
金薄膜の六方晶Ｃ軸の膜面垂直方向への配向度
は、第１表に示されているパーマロイ膜上のCo
−Cr合金膜の場合に比較してはるかに良好であ
るのみでなく、ガラス基板上に被着したCo−Cr
合金膜よりもさらにすぐれている。また、実施例
１と同様に、ガラス基板を用いた場合とAl基板
を用いた場合の、磁気記録媒体の特性の差は認め
られない。 実施例 ３ つぎにAl基板上に作製した実施例１、２の垂
直記録媒体と、Al基板上に膜厚1μｍのNi80Fe20
合金薄膜を設けさらにその上に膜厚1μｍの
Co80Cr20薄膜を設けた記録媒体（比較例）に、垂
直ヘツドを用いて記録を行ない、ギヤツプ長0.2μ
ｍのリング型ヘツドを用いて再生を行ないその記
録電流特性を検討した。結果を第２図に示す。第
２図より、実施例１、２の記録媒体の記録電流特
性には互いに差がなく、パーマロイ上にCo−Cr
薄膜を設けた記録媒体にくらべて特性が優れてい
ることがわかる。 本実施例で用いた垂直記録ヘツドは補助励磁型
のもので、このようなヘツドの詳細は例えば「S.
Iwasaki、Y.Nakamura：IEEE、Trans.Mag.、
MAG−14、p.436（1978）」に記載されている。 以上、述べてきたように、高透磁率非晶質合金
薄膜上に作製したCo−Cr薄膜は、垂直磁気記録
媒体として秀れた特性を示すことがあきらかにな
つた。 なお、本発明のなかで述べたきた高透磁率非晶
質合金薄膜の組成はスパツタターゲツトの組成で
示してある。ただし、スパツタターゲツト組成と
作製された膜組成の間の差は少ない。 また、スパツタターゲツトとしては焼結体に限
る必要はなく溶解ターゲツトや、主成分金属板上
に他の成分よりなる小さい板を並べたものでも良
い。また、高透率非晶質合金薄膜は蒸着法や、溶
解急冷法により作製することも有効である。
第１図は本発明の一実施例における垂直磁気記
録媒体の断面図、第２図は本発明ならびに従来の
垂直磁気記録媒体の記録電流特性を示すグラフで
ある。 １……基板、２……非晶質磁性合金薄膜（高透
磁率磁性体層）、３……垂直磁化膜。
録媒体の断面図、第２図は本発明ならびに従来の
垂直磁気記録媒体の記録電流特性を示すグラフで
ある。 １……基板、２……非晶質磁性合金薄膜（高透
磁率磁性体層）、３……垂直磁化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 膜面に垂直な方向に磁化容易軸が存在する磁
性体からなる垂直磁化膜と、該垂直磁化膜の下部
に設けられた高透磁率磁性体層とを具備した複合
磁気記録媒体において、上記高透磁率磁性体層は
Fe、Co、Niからなる群より選択された少なくと
も１つの金属元素を65〜95at％、Cr、Mo、Ｖ、
Ｗ、Nbからなる群より選択された少なくとも１
つの金属元素を35at％以下、Ti、Zr、Hfからな
る群より選択された少なくとも１つの金属元素を
５〜35at％含み優位的に非晶質な合金からなるこ
とを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ２ 上記垂直磁化膜は、15〜28at％のCrを含む
Co合金からなる特許請求の範囲第１項記載の垂
直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56093822A JPS57208631A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Vertical magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56093822A JPS57208631A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Vertical magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57208631A JPS57208631A (en) | 1982-12-21 |
| JPH0313646B2 true JPH0313646B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=14093086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56093822A Granted JPS57208631A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Vertical magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57208631A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130440A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-03 | Seiko Epson Corp | 磁気デイスク |
| JPS59142739A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Seiko Epson Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6063710A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-12 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク媒体 |
| JPS60117413A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS60157715A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS63184913A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS63200316A (ja) * | 1987-02-14 | 1988-08-18 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5242761A (en) * | 1990-07-03 | 1993-09-07 | Digital Equipment Corporation Japan | Magnetic recording medium comprising NiFe and CoZr alloy crystalline magnetic alloy layers and a Co-Cr vertically magnetizable layer |
| JP4583659B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2010-11-17 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727427A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP56093822A patent/JPS57208631A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727427A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57208631A (en) | 1982-12-21 |
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