JPS60117413A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- Y10T428/12854—Next to Co-, Fe-, or Ni-base component
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- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12937—Co- or Ni-base component next to Fe-base component
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、多層から成る磁性薄膜を非磁性基体表面上に
有する磁気記録媒体に関する。より詳細には、本発明は
表面性及び配向性の良好な垂直磁化型磁気記録媒体に関
する。
有する磁気記録媒体に関する。より詳細には、本発明は
表面性及び配向性の良好な垂直磁化型磁気記録媒体に関
する。
従来技術
近年、磁気記録の高密度化を目的として記録媒体の磁性
体薄膜面に垂直の方向に磁化させる方式のいわゆる垂直
磁化型磁気記録媒体がいくつが提案されている。かかる
垂直磁化型磁気記録媒体の１つとして、ポリイミド基板
上にＭｏ−Ｆｅ−Ｎｉの低抗磁力材層を、更にその上に
Ｃｏ−Ｃｒの磁気記録層を形成した２層構造の磁性薄膜
から成る磁気記録媒体が特公昭５８−９１号公報に開示
されている。磁性薄膜をこのような２層構造とした場合
、低保磁力の高透磁率磁性層によってＣｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜裏面の磁気回路が部分的に閉じられ、減磁作用が更
に軽減され、残留磁化が強まる等の利点がある。
体薄膜面に垂直の方向に磁化させる方式のいわゆる垂直
磁化型磁気記録媒体がいくつが提案されている。かかる
垂直磁化型磁気記録媒体の１つとして、ポリイミド基板
上にＭｏ−Ｆｅ−Ｎｉの低抗磁力材層を、更にその上に
Ｃｏ−Ｃｒの磁気記録層を形成した２層構造の磁性薄膜
から成る磁気記録媒体が特公昭５８−９１号公報に開示
されている。磁性薄膜をこのような２層構造とした場合
、低保磁力の高透磁率磁性層によってＣｏ−Ｃｒ垂直磁
化膜裏面の磁気回路が部分的に閉じられ、減磁作用が更
に軽減され、残留磁化が強まる等の利点がある。
このように磁性薄膜をそれぞれ異る特性を有する層から
成る多層構造とすることにより全体として所殖の性質を
有する磁性薄膜を得ることも可能になる。
成る多層構造とすることにより全体として所殖の性質を
有する磁性薄膜を得ることも可能になる。
従来技術の欠点
上記した２層構造の磁性薄膜を形成する場合、従来、非
磁性基体を室温以上（特公昭５８−９１号公報の実施例
では２５０℃）に加熱し、その上に低保磁力の高透磁率
磁性層をスパッタリングにより形成し、更にその上にＣ
ｏ−Ｃｒの磁気記録層をスパッタリングにより形成する
方法がとられている。かかる方法によった場合、低保磁
力の高透磁率磁性層は多結晶構造となり、膜表面には様
々な結晶面、例えば（１１０）、（１１１）、（１００
）面などが露出している。この多結晶構造の層の上に垂
直磁化膜となる磁気記録層を形成するならば、該磁気記
録層な形成する初期過程において高透磁率磁性層表面の
様々な結晶面の影響を受け、磁気記録層の結晶が部分的
に成長しやすかったり、しにくかったりする。たとえば
、（１１１）面上には成長しやすく、他の面上には成長
しにくいという状況になる。その結果、磁気記録層の結
晶の成長、配向性は乱れ、膜の表面性が悪くなる。
磁性基体を室温以上（特公昭５８−９１号公報の実施例
では２５０℃）に加熱し、その上に低保磁力の高透磁率
磁性層をスパッタリングにより形成し、更にその上にＣ
ｏ−Ｃｒの磁気記録層をスパッタリングにより形成する
方法がとられている。かかる方法によった場合、低保磁
力の高透磁率磁性層は多結晶構造となり、膜表面には様
々な結晶面、例えば（１１０）、（１１１）、（１００
）面などが露出している。この多結晶構造の層の上に垂
直磁化膜となる磁気記録層を形成するならば、該磁気記
録層な形成する初期過程において高透磁率磁性層表面の
様々な結晶面の影響を受け、磁気記録層の結晶が部分的
に成長しやすかったり、しにくかったりする。たとえば
、（１１１）面上には成長しやすく、他の面上には成長
しにくいという状況になる。その結果、磁気記録層の結
晶の成長、配向性は乱れ、膜の表面性が悪くなる。
発明の目的
本発明の目的は、表面性、配向性が優れた多層構造の磁
性薄膜を有してなる磁気記録媒体を提供することにある
。
性薄膜を有してなる磁気記録媒体を提供することにある
。
発明の構成
上記の本発明の目的は、非磁性基体表面上に磁性薄膜を
多層に形成した磁気記録媒体において、少なくとも１層
を結晶質の膜とし、少なくとも１層を非晶質の膜とする
ことによって達成される。
多層に形成した磁気記録媒体において、少なくとも１層
を結晶質の膜とし、少なくとも１層を非晶質の膜とする
ことによって達成される。
本発明において多層構造の磁性薄膜の少なくとも１層を
非晶質の膜とすることが必須である。非晶質の膜は様々
な結晶面が表面にＭｔＢしている多結晶構造の膜と興な
り一様な表面を有する。その結果、この非晶質膜上に結
晶質の膜を形成した場合は下地の影響をほとんど受けず
、部分的な結晶成長の優劣もないため結晶質膜の結晶成
長配向性も乱れず、また表面性も良好な膜となる。
非晶質の膜とすることが必須である。非晶質の膜は様々
な結晶面が表面にＭｔＢしている多結晶構造の膜と興な
り一様な表面を有する。その結果、この非晶質膜上に結
晶質の膜を形成した場合は下地の影響をほとんど受けず
、部分的な結晶成長の優劣もないため結晶質膜の結晶成
長配向性も乱れず、また表面性も良好な膜となる。
本発明の好適な実施態様は、非磁性基体表面上に非晶質
低保磁力の高透磁率磁性膜の層を形成し、その上に垂直
磁化膜の層を形成して成る垂直磁化型磁気記録媒体であ
る。低保磁力の高透磁率磁性き、パーマロイが高い透磁
率を有する点から好適に使用できる。
低保磁力の高透磁率磁性膜の層を形成し、その上に垂直
磁化膜の層を形成して成る垂直磁化型磁気記録媒体であ
る。低保磁力の高透磁率磁性き、パーマロイが高い透磁
率を有する点から好適に使用できる。
非晶質の低保磁力、高透磁率磁性層は、基体を冷却して
スパッタリングや蒸着することによって、あるいはメッ
キやｃｖｎ（化学蒸着法）によって形成することができ
る。また、一旦結晶質の低保磁力、高透磁率磁性膜を形
成し、この表面にイオン注入することにより、非晶質化
した表面層を形成することによっても本発明の目的は達
成される。
スパッタリングや蒸着することによって、あるいはメッ
キやｃｖｎ（化学蒸着法）によって形成することができ
る。また、一旦結晶質の低保磁力、高透磁率磁性膜を形
成し、この表面にイオン注入することにより、非晶質化
した表面層を形成することによっても本発明の目的は達
成される。
本発明において、基体を冷却するには液化ガス等を用い
ることができ、液体窒素が好適である。
ることができ、液体窒素が好適である。
本発明において、非晶質膜の膜厚みは少なくとも１００
人程度あれば、本発明の効果が得られる。
人程度あれば、本発明の効果が得られる。
イオン注入法では、まず、低保磁力の多結晶高透磁率磁
性膜をスパッタリング等の方法により形成する。次に、
この膜の表面にイオンを注入する。
性膜をスパッタリング等の方法により形成する。次に、
この膜の表面にイオンを注入する。
この注入イオンのエネルギーにより膜の表面層の結晶配
列が乱されて非晶質化する。注入するイオンは特に限定
されないが、Ａｒ＋やＮＪ等のイオン半径の大きいもの
を使用するのが効果的である。イオンの注入量は１６Ｆ
？当り１０１４〜１０区丁個、イオン注入時の加速電圧
を数十〜数百ＫＶで行うのが好ましい。非晶質化される
表面層の厚さは特に限定されないが、１００人程度の厚
さまで非晶質化すれば本発明の効果は十分に達成される
。
列が乱されて非晶質化する。注入するイオンは特に限定
されないが、Ａｒ＋やＮＪ等のイオン半径の大きいもの
を使用するのが効果的である。イオンの注入量は１６Ｆ
？当り１０１４〜１０区丁個、イオン注入時の加速電圧
を数十〜数百ＫＶで行うのが好ましい。非晶質化される
表面層の厚さは特に限定されないが、１００人程度の厚
さまで非晶質化すれば本発明の効果は十分に達成される
。
垂直磁化膜としては、コバルト・り胃ム（Ｃｏ−Ｃｒ）
、コバルト・バナジウム（Ｃｏ−Ｖ）等の合金、コバル
ト−リン（Ｃｏ−Ｐ）等を用いることができ、Ｃｏ−０
ｒが垂直異方性を容易に制御し得る点から好適に用いら
れる。結晶質の垂直磁化膜は、上記のようにして非晶質
膜の層を形成した基体の温度を通常、室温以上にまで戻
した後に、上記の非晶質膜の層の上に大バッタリング、
蒸着、メッキ、プラズマＣＶＤ等の方法によってＣｏ−
Ｃｒ等の膜を層に形成することによって得られる。
、コバルト・バナジウム（Ｃｏ−Ｖ）等の合金、コバル
ト−リン（Ｃｏ−Ｐ）等を用いることができ、Ｃｏ−０
ｒが垂直異方性を容易に制御し得る点から好適に用いら
れる。結晶質の垂直磁化膜は、上記のようにして非晶質
膜の層を形成した基体の温度を通常、室温以上にまで戻
した後に、上記の非晶質膜の層の上に大バッタリング、
蒸着、メッキ、プラズマＣＶＤ等の方法によってＣｏ−
Ｃｒ等の膜を層に形成することによって得られる。
本発明において膜が結晶質であるか非晶質であるかは例
えばＸ′ｍ回折あるいは電子線回折によって確認するこ
とができる。
えばＸ′ｍ回折あるいは電子線回折によって確認するこ
とができる。
本発明は、上記の好適な具体例のみに限られず、多数の
種類の磁性層に適用することができ、表面性及び配向性
の改良された多層構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体
を提供することができる。
種類の磁性層に適用することができ、表面性及び配向性
の改良された多層構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体
を提供することができる。
以下に実施例を示して本発明を一層詳しく説明する。
実施例１
した。次にアルゴンガスを５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ
まで導入し、基体を液体窒素により７７°Ｋに冷却した
。パーマリ４合金をＲＦ電力２００Ｗで１０分間スパッ
タリングしてこの基体上にパーマロイの膜を形成した。
まで導入し、基体を液体窒素により７７°Ｋに冷却した
。パーマリ４合金をＲＦ電力２００Ｗで１０分間スパッ
タリングしてこの基体上にパーマロイの膜を形成した。
得られたパーマロイ膜は組成が元素の重置基準でＦｅ
：Ｎｌ ：Ｍｏ＝ １７ ： ７８ ： ５であり、厚
さはα５μｍ１保磁力Ｈｃ ＝ ０． Ｉ Ｑ ｅ 。
：Ｎｌ ：Ｍｏ＝ １７ ： ７８ ： ５であり、厚
さはα５μｍ１保磁力Ｈｃ ＝ ０． Ｉ Ｑ ｅ 。
最大透磁率μｍ＝１５０，０００であった。このパーマ
ロイ膜のＸ線回折では、結晶面を示すピークが現われず
、非晶質であることが分った。
ロイ膜のＸ線回折では、結晶面を示すピークが現われず
、非晶質であることが分った。
次に、基体温度を室温にまで戻し、他の条件は上記と同
様にしてスパッタリングを行って非晶質のパーマｐイ膜
上にＣｏ−Ｃｒ合金膜の層を形成゛した。得られたＣｏ
−Ｃｒ合金膜は、Ｃｏ：Ｃｒの重量比＝８０：２０であ
った。パーマロイｍ トＣｏ −Ｃ’ｒ合金膜との２層
構造から成る磁性薄膜は、磁性層全膜厚＝１０μｍ１垂
直方向の保磁力Ｈｃ ＝５０００ｓ、飽和磁化Ｍ ｓ
＝ ３９０ Ｇであまた。
様にしてスパッタリングを行って非晶質のパーマｐイ膜
上にＣｏ−Ｃｒ合金膜の層を形成゛した。得られたＣｏ
−Ｃｒ合金膜は、Ｃｏ：Ｃｒの重量比＝８０：２０であ
った。パーマロイｍ トＣｏ −Ｃ’ｒ合金膜との２層
構造から成る磁性薄膜は、磁性層全膜厚＝１０μｍ１垂
直方向の保磁力Ｈｃ ＝５０００ｓ、飽和磁化Ｍ ｓ
＝ ３９０ Ｇであまた。
この２層膜のＸ線回折では、Ｃｏ−Ｃｒの［００１］軸
が膜面に対して垂直方向に配向していることがわかり、
ｈｃｐｌ（００２３面のロッキングカーブをとつたとこ
ろその半値幅△θ、ｏ＝３°であった。この膜の表面は
第１図に顕微鏡写真で示すように平坦であった。
が膜面に対して垂直方向に配向していることがわかり、
ｈｃｐｌ（００２３面のロッキングカーブをとつたとこ
ろその半値幅△θ、ｏ＝３°であった。この膜の表面は
第１図に顕微鏡写真で示すように平坦であった。
比較例１
パーマロイ膜を形成する際の温度を室温にした以外は実
施例１と同一の条件でパーマロイ膜の層を形成した。得
られたパーマロイ膜は、厚さα５μｍ１保磁力Ｈｃ ＝
： ０．２０ ｅ 、最大透磁率μｍ−１５０、ＯＯＯ
であった。このパーマロイ膜のＸ線回折では結晶面を示
すピークが現われ、多結晶質であることが分った。
施例１と同一の条件でパーマロイ膜の層を形成した。得
られたパーマロイ膜は、厚さα５μｍ１保磁力Ｈｃ ＝
： ０．２０ ｅ 、最大透磁率μｍ−１５０、ＯＯＯ
であった。このパーマロイ膜のＸ線回折では結晶面を示
すピークが現われ、多結晶質であることが分った。
次にこの多結晶質のパーマロイ膜の上に実施例１と同様
にＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成した。こうして得たパーマロ
イ膜とＣｏ−Ｃｒ膜との２層構造の磁性薄膜は、磁性層
全膜厚＝１０μｍ１垂直方向の保磁力Ｈｃ ＝ ４００
０ ｅ 、飽和磁化＝４００Ｇであった。この磁性膜は
ロッキングカーブの半値幅△θ、＝１２°と大き（Ｃｏ
−Ｃｒ結晶の配向性の乱れていることがわかる。この膜
の表面は第２図にｗ！Ａ微鏡耳鏡写真すように凹凸があ
った。
にＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成した。こうして得たパーマロ
イ膜とＣｏ−Ｃｒ膜との２層構造の磁性薄膜は、磁性層
全膜厚＝１０μｍ１垂直方向の保磁力Ｈｃ ＝ ４００
０ ｅ 、飽和磁化＝４００Ｇであった。この磁性膜は
ロッキングカーブの半値幅△θ、＝１２°と大き（Ｃｏ
−Ｃｒ結晶の配向性の乱れていることがわかる。この膜
の表面は第２図にｗ！Ａ微鏡耳鏡写真すように凹凸があ
った。
実施例２
厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを基体ホルダーに装
着して真空容器内に入れ、真空容器内を２ Ｘ １０７
’ Ｔ、ｏ’ｒｒまで排気した。次にアルゴンカスを５
Ｘ １０−” ’Ｔｏｒｒまで導入し、基体を１００
℃に加熱した。パーマリ４合金をＲＦ電力２００Ｗで１
０分間スパッタリングしてこの基体上にパーマロイの膜
を形成した。得られたパーマロイ膜は組成が元素の重量
基準でＦｅ ：Ｎｉ ：Ｍｏ ＝ １７ ニア８：５で
あり、厚さは０．５μｍ１保磁力Ｈｃ ＝Ｑ、１０ｓ、
最大透磁率μｍ ＝ １５０．０００であった。このパ
ーマロイ膜のｘｉ回折では、結晶面を示すピークが現わ
れ、多結晶質であることが分った０ 次に、パーマロイ膜を形成した基体をイオン注入装置に
設置し、Ｎ、 イオンを加速電圧５０Ｋｖで１ｃｒｎｔ
当りｌＸ１０１’個注入した。イオン注入後のパーマ
ロイ膜を電子線回折で調べたところ、表面層は非晶質化
していることが確認された。
着して真空容器内に入れ、真空容器内を２ Ｘ １０７
’ Ｔ、ｏ’ｒｒまで排気した。次にアルゴンカスを５
Ｘ １０−” ’Ｔｏｒｒまで導入し、基体を１００
℃に加熱した。パーマリ４合金をＲＦ電力２００Ｗで１
０分間スパッタリングしてこの基体上にパーマロイの膜
を形成した。得られたパーマロイ膜は組成が元素の重量
基準でＦｅ ：Ｎｉ ：Ｍｏ ＝ １７ ニア８：５で
あり、厚さは０．５μｍ１保磁力Ｈｃ ＝Ｑ、１０ｓ、
最大透磁率μｍ ＝ １５０．０００であった。このパ
ーマロイ膜のｘｉ回折では、結晶面を示すピークが現わ
れ、多結晶質であることが分った０ 次に、パーマロイ膜を形成した基体をイオン注入装置に
設置し、Ｎ、 イオンを加速電圧５０Ｋｖで１ｃｒｎｔ
当りｌＸ１０１’個注入した。イオン注入後のパーマ
ロイ膜を電子線回折で調べたところ、表面層は非晶質化
していることが確認された。
次に、パーマロイ膜の成形時と同じ条件でスパツタリン
グを行って表面を非晶質化したパーマロイ膜上にＣｏ−
Ｃｒ合金膜の層を形成した。得られたＣｏ−Ｃｒ合金膜
は、Ｃｏ：Ｃｒの重量比＝８０：２０であった。パーマ
ロイ換とＣｏ−Ｃｒ合金膜との２層構造から成る磁性薄
膜は、磁性層全膜厚＝ｔＯμｍ１垂直方向の保磁力Ｈｃ
＝ ５０００ ｅ ％飽和磁化Ｍ ｓ ＝ ３９０
Ｇであった。この２層膜のＸ線回折では、Ｃｏ−Ｃｒの
［００１］軸が膜面に対して垂１〃方向に配向している
ことがわかり、ｈａｐ （’ＯＯ２）面のロッキングカ
ーブをとったところその半値幅△θ、＝３°であった。
グを行って表面を非晶質化したパーマロイ膜上にＣｏ−
Ｃｒ合金膜の層を形成した。得られたＣｏ−Ｃｒ合金膜
は、Ｃｏ：Ｃｒの重量比＝８０：２０であった。パーマ
ロイ換とＣｏ−Ｃｒ合金膜との２層構造から成る磁性薄
膜は、磁性層全膜厚＝ｔＯμｍ１垂直方向の保磁力Ｈｃ
＝ ５０００ ｅ ％飽和磁化Ｍ ｓ ＝ ３９０
Ｇであった。この２層膜のＸ線回折では、Ｃｏ−Ｃｒの
［００１］軸が膜面に対して垂１〃方向に配向している
ことがわかり、ｈａｐ （’ＯＯ２）面のロッキングカ
ーブをとったところその半値幅△θ、＝３°であった。
この膜の表面は第３図に顕微鏡写真で示すように平坦で
あった０
あった０
第１．３図は、本発明の＠囲の磁気記録媒体の磁性薄膜
の表面構造を示す顕微鏡写真（倍率１２５倍）である。 第２図は、比較例で得られた磁気記録媒体の磁性薄膜の
表面構造を示す顕微鏡写真（倍率１２５倍）である。 第゛１図 第４２図 第３図 手続補正書（方式） 昭和５９年５月１２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 昭和５８年特 願第２２５０６９号発明の
名称 磁気記録媒体 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （５０６）ティーディーケイ株式会社代理人 補正命令通知の日付 昭和５９年２月２８日−− 補市の対象 補正の内容 別紙の通り １、 明細書５頁１２行の１、アモルファス」を削除す
る。 ２、 同１１頁下から４行及び１行の「表面構造」を「
表面の粒子構造」に訂正する。
の表面構造を示す顕微鏡写真（倍率１２５倍）である。 第２図は、比較例で得られた磁気記録媒体の磁性薄膜の
表面構造を示す顕微鏡写真（倍率１２５倍）である。 第゛１図 第４２図 第３図 手続補正書（方式） 昭和５９年５月１２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 事件の表示 昭和５８年特 願第２２５０６９号発明の
名称 磁気記録媒体 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （５０６）ティーディーケイ株式会社代理人 補正命令通知の日付 昭和５９年２月２８日−− 補市の対象 補正の内容 別紙の通り １、 明細書５頁１２行の１、アモルファス」を削除す
る。 ２、 同１１頁下から４行及び１行の「表面構造」を「
表面の粒子構造」に訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも２Ｍから成る磁性薄膜を非磁性基体表面
上に形成して成る磁気記録媒体において、少なくとも１
層が結晶質の膜であり、少なくとも１層が非晶質の膜で
あることを特徴とする磁気記録媒体。 ２、磁性薄膜が非晶質の層と該層に隣接した結晶質の層
との２層を含み、該非晶質の層が非磁性基体に一層近い
特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 五 非晶質の層が低保磁力の高透磁率磁性膜であり、結
晶質の層が垂直磁化型膜である特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の磁気記録媒体。 ４、 非晶質の層がパーマｐイ膜であり、結晶質ノ層が
コバルト−クロム膜である特許請求の範囲第１項〜第３
項のいずれか１項記載の磁気記録媒体０ ５、 非晶質の層が少なくとも１００人の厚みを有する
膜である特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223069A JPS60117413A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/675,302 US4642270A (en) | 1983-11-29 | 1984-11-27 | Magnetic recording medium |
| DE19843443601 DE3443601A1 (de) | 1983-11-29 | 1984-11-29 | Magnetaufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223069A JPS60117413A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117413A true JPS60117413A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0533461B2 JPH0533461B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=16792339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223069A Granted JPS60117413A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642270A (ja) |
| JP (1) | JPS60117413A (ja) |
| DE (1) | DE3443601A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289214A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| US5202149A (en) * | 1990-07-25 | 1993-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making a magnetic recording medium |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157715A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| FR2600178B1 (fr) * | 1986-06-16 | 1988-10-07 | Bull Sa | Element d'enregistrement magnetique destine a etre utilise dans une imprimante magnetographique |
| US4842917A (en) * | 1986-09-01 | 1989-06-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| JPH0834001B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1996-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5390142A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-14 | Kappa Numerics, Inc. | Memory material and method for its manufacture |
| US5718983A (en) * | 1992-10-30 | 1998-02-17 | Kappa Numerics, Inc. | Thin film composite having ferromagnetic and piezoelectric properties comprising a layer of Pb-Cd-Fe and a layer of Cr-Zn-(Te or Tl) |
| US5313176A (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-17 | Motorola Lighting, Inc. | Integrated common mode and differential mode inductor device |
| ES2192557T3 (es) * | 1993-10-29 | 2003-10-16 | Kappa Numerics Inc | Material para memoria y metodo para su fabricacion. |
| US6416880B1 (en) * | 1993-12-09 | 2002-07-09 | Seagate Technology, Llc | Amorphous permalloy films and method of preparing the same |
| US5763071A (en) * | 1996-03-11 | 1998-06-09 | Seagate Technology, Inc. | High areal density magnetic recording medium with dual magnetic layers |
| US6753072B1 (en) | 2000-09-05 | 2004-06-22 | Seagate Technology Llc | Multilayer-based magnetic media with hard ferromagnetic, anti-ferromagnetic, and soft ferromagnetic layers |
| US7736765B2 (en) * | 2004-12-28 | 2010-06-15 | Seagate Technology Llc | Granular perpendicular magnetic recording media with dual recording layer and method of fabricating same |
| US8110298B1 (en) | 2005-03-04 | 2012-02-07 | Seagate Technology Llc | Media for high density perpendicular magnetic recording |
| US8119263B2 (en) * | 2005-09-22 | 2012-02-21 | Seagate Technology Llc | Tuning exchange coupling in magnetic recording media |
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| JP4597933B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2010-12-15 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法、並びに磁気記録再生装置 |
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| US7867637B2 (en) | 2008-11-17 | 2011-01-11 | Seagate Technology Llc | Low coupling oxide media (LCOM) |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5727427A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57117122A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Magnetic recording body |
| JPS57208631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Vertical magnetic recording medium |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52118424A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-04 | Ajinomoto Co Inc | Dithiocarbonate derivatives |
| JPS5891A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 熱交換装置 |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58223069A patent/JPS60117413A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-27 US US06/675,302 patent/US4642270A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-29 DE DE19843443601 patent/DE3443601A1/de active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS6289214A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4642270A (en) | 1987-02-10 |
| DE3443601A1 (de) | 1985-06-13 |
| DE3443601C2 (ja) | 1988-11-10 |
| JPH0533461B2 (ja) | 1993-05-19 |
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