JPH0533461B2 - - Google Patents
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- JPH0533461B2 JPH0533461B2 JP58223069A JP22306983A JPH0533461B2 JP H0533461 B2 JPH0533461 B2 JP H0533461B2 JP 58223069 A JP58223069 A JP 58223069A JP 22306983 A JP22306983 A JP 22306983A JP H0533461 B2 JPH0533461 B2 JP H0533461B2
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、多層から成る磁性薄膜を非磁性基体
表面上に有する磁気記録媒体の製造方法に関す
る。より詳細には、本発明は表面性及び配向性の
良好な垂直磁化型磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
表面上に有する磁気記録媒体の製造方法に関す
る。より詳細には、本発明は表面性及び配向性の
良好な垂直磁化型磁気記録媒体の製造方法に関す
る。
従来技術
近年、磁気記録の高密度化を目的として記録媒
体の磁性体薄膜面に垂直の方向に磁化させる方式
のいわゆる垂直磁化磁気記録媒体がいくつか提案
されている。かかる垂直磁化型磁気記録媒体の１
つとして、ポリイミド基板上にMo−Fe−Niの低
抗磁力材層を、更にその上にCo−Crの磁気記録
層を形成した２層構造の磁性薄膜から成る磁気記
録媒体が特公昭58−91号公報に開示されている。
磁性薄膜をこのような２層構造とした場合、低保
磁力の高透磁率磁性層によつてCo−Cr垂直磁化
膜裏面の磁気回路が部分的に閉じられ、減磁作用
が更に軽減され、残留磁化が強まる等の利点があ
る。
体の磁性体薄膜面に垂直の方向に磁化させる方式
のいわゆる垂直磁化磁気記録媒体がいくつか提案
されている。かかる垂直磁化型磁気記録媒体の１
つとして、ポリイミド基板上にMo−Fe−Niの低
抗磁力材層を、更にその上にCo−Crの磁気記録
層を形成した２層構造の磁性薄膜から成る磁気記
録媒体が特公昭58−91号公報に開示されている。
磁性薄膜をこのような２層構造とした場合、低保
磁力の高透磁率磁性層によつてCo−Cr垂直磁化
膜裏面の磁気回路が部分的に閉じられ、減磁作用
が更に軽減され、残留磁化が強まる等の利点があ
る。
このように磁性薄膜をそれぞれ異る特性を有す
る層から成る多層構造とすることにより全体とし
て所望の性質を有する磁性薄膜を得ることも可能
になる。
る層から成る多層構造とすることにより全体とし
て所望の性質を有する磁性薄膜を得ることも可能
になる。
従来技術の欠点
上記した２層構造の磁性薄膜を形成する場合、
従来、非磁性基体を室温以上（特公昭58−91号公
報の実施例では250℃）に加熱し、その上に低保
磁力の高透磁率磁性層をスパツタリングにより形
成し、更にその上にCo−Crの磁気記録層をスパ
ツタリングにより形成する方法がとられている。
かかる方法によつた場合、低保磁力の高透磁率磁
性層は多結晶構造となり、膜表面には様々な結晶
面、例えば１１０，１１１，１００面などが露出
している。この多結晶構造の層の上に垂直磁化膜
となる磁気記録層を形成するならば、該磁気記録
層を形成する初期過程において高透磁率磁性層表
面の様々な結晶面の影響を受け、磁気記録層の結
晶が部分的に成長しやすかつたり、しにくかつた
りする。たとえば、１１１面上には成長しやす
く、他の面上には成長しにくいという状況にな
る。その結果、磁気記録層の結晶の成長、配向性
は乱れ、膜の表面性が悪くなる。
従来、非磁性基体を室温以上（特公昭58−91号公
報の実施例では250℃）に加熱し、その上に低保
磁力の高透磁率磁性層をスパツタリングにより形
成し、更にその上にCo−Crの磁気記録層をスパ
ツタリングにより形成する方法がとられている。
かかる方法によつた場合、低保磁力の高透磁率磁
性層は多結晶構造となり、膜表面には様々な結晶
面、例えば１１０，１１１，１００面などが露出
している。この多結晶構造の層の上に垂直磁化膜
となる磁気記録層を形成するならば、該磁気記録
層を形成する初期過程において高透磁率磁性層表
面の様々な結晶面の影響を受け、磁気記録層の結
晶が部分的に成長しやすかつたり、しにくかつた
りする。たとえば、１１１面上には成長しやす
く、他の面上には成長しにくいという状況にな
る。その結果、磁気記録層の結晶の成長、配向性
は乱れ、膜の表面性が悪くなる。
他方、特開昭57−117122号には非磁性支持基体
の表面にまず第１層として軟磁性非晶質層を形成
した後、その上に第２層として垂直磁化型の結晶
質強磁性合金薄膜を形成することにより、垂直磁
気記録を強化することが記載されている。しかし
ながら、この文献には非晶質膜の形成方法は記載
されていない。
の表面にまず第１層として軟磁性非晶質層を形成
した後、その上に第２層として垂直磁化型の結晶
質強磁性合金薄膜を形成することにより、垂直磁
気記録を強化することが記載されている。しかし
ながら、この文献には非晶質膜の形成方法は記載
されていない。
また、特開昭57−2086321号には同様な２層構
造の垂直磁気記録媒体が記載されて、具体的に第
１層の非晶質合金の組成とスパツタ法による製造
方法が記載されている。しかし、非晶質化するた
めには所定の組成が必要であると記載それており
（第９貢第８〜12行）、組成並びに製造条件の選択
に不便がある。
造の垂直磁気記録媒体が記載されて、具体的に第
１層の非晶質合金の組成とスパツタ法による製造
方法が記載されている。しかし、非晶質化するた
めには所定の組成が必要であると記載それており
（第９貢第８〜12行）、組成並びに製造条件の選択
に不便がある。
特開昭57−27427号にも同様な記載があるが、
しかし、非晶質化するためには所定の組成及び条
件を選択する必要がある。
しかし、非晶質化するためには所定の組成及び条
件を選択する必要がある。
発明の目的
上記の本発明の目的は、非磁性基体上に直接又
は他の膜を介して第１の結晶質の磁性薄膜を形成
し、該第１の結晶質の磁性薄膜の表面を非晶質化
処理した後、第２の結晶質の磁性薄膜を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法により
達成される。
は他の膜を介して第１の結晶質の磁性薄膜を形成
し、該第１の結晶質の磁性薄膜の表面を非晶質化
処理した後、第２の結晶質の磁性薄膜を形成する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法により
達成される。
より具体的には、第１の結晶質の磁性薄膜の表
面の非晶質化処理はイオン注入により行われる。
面の非晶質化処理はイオン注入により行われる。
また、第１の結晶質の磁性薄膜は高透磁率磁性
薄膜であり、第２の結晶質の磁性薄膜は垂直磁化
型磁性薄膜である。
薄膜であり、第２の結晶質の磁性薄膜は垂直磁化
型磁性薄膜である。
第１の結晶質の磁性薄膜はパーマロイであり第
２の結晶質の磁性薄膜はコバルト−クロム合金で
あることが好ましい。
２の結晶質の磁性薄膜はコバルト−クロム合金で
あることが好ましい。
本発明によると、第１の結晶質の磁性薄膜とし
ては任意の軟磁性材料が選択でき、従来のように
磁性薄膜の形成過程において膜組成、成膜方法が
限定されることがないため、所望の特性を容易に
得ることができる。また成膜に続いて行われる非
晶質化では、非晶質化層の厚みが極めて薄いため
高透磁率磁性薄膜の磁気特性に影響を与えること
がない。
ては任意の軟磁性材料が選択でき、従来のように
磁性薄膜の形成過程において膜組成、成膜方法が
限定されることがないため、所望の特性を容易に
得ることができる。また成膜に続いて行われる非
晶質化では、非晶質化層の厚みが極めて薄いため
高透磁率磁性薄膜の磁気特性に影響を与えること
がない。
従つて、本発明によれば、垂直磁化膜の配向性
が良く磁気記録特性が向上し、更に表面性が良好
な磁気記録媒体を得ることができる。低保磁力の
高透磁率磁性膜はパーマロイ、アルパーム、セン
ダスト等の合金、各種フエライト等を用いて形成
することができ、パーマロイが高い透磁率を有す
る点から好適に使用できる。
が良く磁気記録特性が向上し、更に表面性が良好
な磁気記録媒体を得ることができる。低保磁力の
高透磁率磁性膜はパーマロイ、アルパーム、セン
ダスト等の合金、各種フエライト等を用いて形成
することができ、パーマロイが高い透磁率を有す
る点から好適に使用できる。
非晶質の低保磁力、高透磁率磁性膜は、基体を
冷却しスパツタリングや蒸着することによつて、
あるいはメツキやCVD（化学蒸着法）によつて形
成することができる。一旦結晶質の低保磁力、高
透磁率磁性膜を形成し、この表面にイオン注入す
ることにより、少なくとも表面層を非晶質化した
膜とすることによつて本発明の目的は達成され
る。
冷却しスパツタリングや蒸着することによつて、
あるいはメツキやCVD（化学蒸着法）によつて形
成することができる。一旦結晶質の低保磁力、高
透磁率磁性膜を形成し、この表面にイオン注入す
ることにより、少なくとも表面層を非晶質化した
膜とすることによつて本発明の目的は達成され
る。
本発明において、基体を冷却するには液化ガス
等を用いることができ、液体窒素が好適である。
等を用いることができ、液体窒素が好適である。
本発明において、非晶質膜の膜厚みは少なくと
も100Å程度であれば、本発明の効果が得られる。
も100Å程度であれば、本発明の効果が得られる。
イオン注入法で、まず、低保磁力の多結晶高等
磁率磁性膜をスパツタリング等の方法により形成
する。次に、この膜の表面にイオンを注入する。
この注入イオンのエネルギーにより膜の表面層の
結晶配列が乱されて非晶質化する。注入するイオ
ンは特に限定されないが、Ar+やN2 +等のイオン
半径の大きいものを使用するのが効果的である。
イオンの注入量は１cm2当り1014〜1017個、イオン
注入時の加速電圧を数十〜数百KVで行うのが好
ましい。非晶質化される表面層の厚さは特に限定
されないが、100Å程度の厚さまで非晶質化すれ
ば本発明の効果は十分に達成される。
磁率磁性膜をスパツタリング等の方法により形成
する。次に、この膜の表面にイオンを注入する。
この注入イオンのエネルギーにより膜の表面層の
結晶配列が乱されて非晶質化する。注入するイオ
ンは特に限定されないが、Ar+やN2 +等のイオン
半径の大きいものを使用するのが効果的である。
イオンの注入量は１cm2当り1014〜1017個、イオン
注入時の加速電圧を数十〜数百KVで行うのが好
ましい。非晶質化される表面層の厚さは特に限定
されないが、100Å程度の厚さまで非晶質化すれ
ば本発明の効果は十分に達成される。
垂直磁化膜としては、コバルト・コルム（Co
−Cr）、コバルト・バナジウム（Co−Ｖ）等の合
金、コバルト−リン（Co−Ｐ）等を用いること
ができ、Co−Crが垂直異方性を容易に制御し得
る点から好適に用いられる。結晶質の垂直磁化膜
は、上記のようにして非晶質膜の層を形成した基
体の温度を通常、室温以上にまで戻した後に、上
記の非晶質膜の層の上にスパツタリング、蒸着、
メツキ、プラズマCVD等の方法によつてCo−Cr
等の膜を層に形成することによつて得られる。
−Cr）、コバルト・バナジウム（Co−Ｖ）等の合
金、コバルト−リン（Co−Ｐ）等を用いること
ができ、Co−Crが垂直異方性を容易に制御し得
る点から好適に用いられる。結晶質の垂直磁化膜
は、上記のようにして非晶質膜の層を形成した基
体の温度を通常、室温以上にまで戻した後に、上
記の非晶質膜の層の上にスパツタリング、蒸着、
メツキ、プラズマCVD等の方法によつてCo−Cr
等の膜を層に形成することによつて得られる。
本発明において膜が結晶質であるか非晶質であ
るかは例えばＸ線回折あるいは電子線回折によつ
て確認することができる。
るかは例えばＸ線回折あるいは電子線回折によつ
て確認することができる。
本発明は、上記の好適な具体例のみに限られ
ず、多数の種類の磁性層に適用することができ、
表面性及び配向性の改良された多層構造の磁性薄
膜を有する磁気記録媒体を提供することができ
る。
ず、多数の種類の磁性層に適用することができ、
表面性及び配向性の改良された多層構造の磁性薄
膜を有する磁気記録媒体を提供することができ
る。
以下に実施例を示して本発明を一層詳しく説明
する。
する。
比較例 １
厚さ50μｍのポリイミドフイルムを基体ホルダ
ーに装着して真空容器内に入れ、真空容器内を２
×10-6Trooまで排気した。次にアルゴンガスを
５×10-3Trooまで導入し、基体を液体窒素によ
り77゜Kに冷却した。パーマロイ合金をRF電力
200Wで10分間スパツタリングしてこの基体上に
パーマロイの膜を形成した。得られたパーマロイ
膜は組成が元素の重量基準でFe：Ni：Mo＝17：
78：５であり、厚さは0.5μｍ、保磁力Hc＝0.10e、
最大透磁率μｍ＝150000であつた。このパーマロ
イ膜のＸ線回折では、結晶面を示すピークが現わ
れず、非晶質であることが分つた。
ーに装着して真空容器内に入れ、真空容器内を２
×10-6Trooまで排気した。次にアルゴンガスを
５×10-3Trooまで導入し、基体を液体窒素によ
り77゜Kに冷却した。パーマロイ合金をRF電力
200Wで10分間スパツタリングしてこの基体上に
パーマロイの膜を形成した。得られたパーマロイ
膜は組成が元素の重量基準でFe：Ni：Mo＝17：
78：５であり、厚さは0.5μｍ、保磁力Hc＝0.10e、
最大透磁率μｍ＝150000であつた。このパーマロ
イ膜のＸ線回折では、結晶面を示すピークが現わ
れず、非晶質であることが分つた。
次に、基体温度を室温にまで戻し、他の条件は
上記と同様にしてスパツタリングを行つて非晶質
のパーマロイ膜上にCo−Cr合金膜の層を形成し
た。得られたCo−Cr合金膜は、Co：Crの重量比
＝80：20であつた。パーマロイ役とCo−Cr合金
膜との２層構造から成る磁性薄膜は、磁性層全膜
厚＝1.0μｍ、垂直方向の保磁力Hc＝5000e、飽和
磁化Ms＝390Gであつた。この２層膜のＸ線回折
では、Co−Crの［001］軸が膜面に対して垂直方
向に配向していることがわかり、Hep（002）面の
ロツキングカーブをとつたところこの半値幅
Δθ30＝3゜であつた。この膜の表面は第１図に顕微
鏡写真で示すように平坦であつた。
上記と同様にしてスパツタリングを行つて非晶質
のパーマロイ膜上にCo−Cr合金膜の層を形成し
た。得られたCo−Cr合金膜は、Co：Crの重量比
＝80：20であつた。パーマロイ役とCo−Cr合金
膜との２層構造から成る磁性薄膜は、磁性層全膜
厚＝1.0μｍ、垂直方向の保磁力Hc＝5000e、飽和
磁化Ms＝390Gであつた。この２層膜のＸ線回折
では、Co−Crの［001］軸が膜面に対して垂直方
向に配向していることがわかり、Hep（002）面の
ロツキングカーブをとつたところこの半値幅
Δθ30＝3゜であつた。この膜の表面は第１図に顕微
鏡写真で示すように平坦であつた。
比較例 ２
パーマロイ膜を形成する際の温度を室温にした
以外は実施例１と同一の条件でパーマロイ膜の層
を形成した。得られたパーマロイ膜は、厚さ0.5μ
ｍ、保磁力Hc＝0.20e、最大透磁率μｍ＝150000
であつた。このパーマロイ膜のＸ線回折では結晶
面を示すピークが現われ、多結晶質であることが
分つた。
以外は実施例１と同一の条件でパーマロイ膜の層
を形成した。得られたパーマロイ膜は、厚さ0.5μ
ｍ、保磁力Hc＝0.20e、最大透磁率μｍ＝150000
であつた。このパーマロイ膜のＸ線回折では結晶
面を示すピークが現われ、多結晶質であることが
分つた。
次にこの多結晶質のパーマロイ膜の上に実施例
１と同時にCo−Cr合金膜を形成した。こうして
得たパーマロイ膜とCo−Cr膜との２層構造の磁
性薄膜は、磁性層全膜厚＝1.0μｍ、垂直方向の保
磁力Hc＝4000e、飽和磁化＝400Gであつた。こ
の磁性膜はロツキングカーブの半値幅△θ50＝12゜
と大きくCo−Cr結晶の配向性の乱れていること
がわかる。この膜の表面は第２図に顕微鏡写真で
示すように凹凸があつた。
１と同時にCo−Cr合金膜を形成した。こうして
得たパーマロイ膜とCo−Cr膜との２層構造の磁
性薄膜は、磁性層全膜厚＝1.0μｍ、垂直方向の保
磁力Hc＝4000e、飽和磁化＝400Gであつた。こ
の磁性膜はロツキングカーブの半値幅△θ50＝12゜
と大きくCo−Cr結晶の配向性の乱れていること
がわかる。この膜の表面は第２図に顕微鏡写真で
示すように凹凸があつた。
実施例 １
厚さ50μｍのポリイミドフイルムを基体ホルダ
ーに装着して真空容器内に入れ、真空容器内を２
×10-6Trooまで排気した。次にアルゴンガスを
５×10-3Trooまで導入し、基体を100℃に加熱し
た。パーマロイ合金をRF電力200Wで10分間スパ
ツタリングしてこの基体上にパーマロイの膜を形
成した。得られたパーマロイ膜は組成が元素の重
量基準でFe：Ni：Mo＝17：78：５であり、厚さ
は0.5μｍ、保磁力Hc＝0.10e、最大透磁率μｍ＝
150000であつた。このパーマロイ膜のＸ線回折で
は、結晶面を示すピークが現われ、多結晶質であ
ることが分つた。
ーに装着して真空容器内に入れ、真空容器内を２
×10-6Trooまで排気した。次にアルゴンガスを
５×10-3Trooまで導入し、基体を100℃に加熱し
た。パーマロイ合金をRF電力200Wで10分間スパ
ツタリングしてこの基体上にパーマロイの膜を形
成した。得られたパーマロイ膜は組成が元素の重
量基準でFe：Ni：Mo＝17：78：５であり、厚さ
は0.5μｍ、保磁力Hc＝0.10e、最大透磁率μｍ＝
150000であつた。このパーマロイ膜のＸ線回折で
は、結晶面を示すピークが現われ、多結晶質であ
ることが分つた。
次に、パーマロイ膜を形成した基体をイオン注
入装置に設置し、N2 +イオンを加速電圧50KVで
１cm2当り１×1016個注入した。イオン注入後のパ
ーマロイ膜を電子線回折で調べたところ、表面層
は非晶質化していることが確認された。
入装置に設置し、N2 +イオンを加速電圧50KVで
１cm2当り１×1016個注入した。イオン注入後のパ
ーマロイ膜を電子線回折で調べたところ、表面層
は非晶質化していることが確認された。
次に、パーマロイ膜の成形時と同じ条件でスパ
ツタリングを行つて表面を非晶質化したパーマロ
イ膜上にCo−Cr合金膜の層を形成した。得られ
たCo−Cr合金膜は、Co：Crの重量比＝80：20で
あつた。パーマロイ膜とCo−Cr合金膜との２層
構造から成る磁性薄膜は、磁性層全膜厚＝1.0μ
ｍ、垂直方向の保磁力Hc＝5000e、飽和磁化Ms
＝390Gであつた。この２層膜のＸ線回折では、
Co−Crの［001］軸が膜面に対して垂直方向に配
向していることがわかり、hep（002）面のロツキ
ングカーブをとつたところその半値幅△θ50＝3゜
であつた。この膜の表面は第３図に顕微鏡写真で
示すように平坦であつた。
ツタリングを行つて表面を非晶質化したパーマロ
イ膜上にCo−Cr合金膜の層を形成した。得られ
たCo−Cr合金膜は、Co：Crの重量比＝80：20で
あつた。パーマロイ膜とCo−Cr合金膜との２層
構造から成る磁性薄膜は、磁性層全膜厚＝1.0μ
ｍ、垂直方向の保磁力Hc＝5000e、飽和磁化Ms
＝390Gであつた。この２層膜のＸ線回折では、
Co−Crの［001］軸が膜面に対して垂直方向に配
向していることがわかり、hep（002）面のロツキ
ングカーブをとつたところその半値幅△θ50＝3゜
であつた。この膜の表面は第３図に顕微鏡写真で
示すように平坦であつた。
第１，３図は、本発明の範囲の磁気記録媒体の
磁性薄膜の表面の粒子構造を示す顕微鏡写真（倍
率125倍）である。第２図は、比較例で得られた
磁気記録媒体の磁性薄膜の表面構造を示す顕微鏡
写真（倍率125倍）である。
磁性薄膜の表面の粒子構造を示す顕微鏡写真（倍
率125倍）である。第２図は、比較例で得られた
磁気記録媒体の磁性薄膜の表面構造を示す顕微鏡
写真（倍率125倍）である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非磁性基体上に直接又は他の膜を介して第１
の結晶質の磁性薄膜を形成し、該第１の結晶質の
磁性薄膜の表面を非晶質化処理した後、第２の結
晶質の磁性薄膜を形成することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 ２ 第１の結晶質の磁性薄膜の表面の非晶質化処
理はイオン注入により行われることを特徴とする
第１項記載の磁気記録媒体の製造方法。 ３ 第１の結晶質の磁性薄膜は高透磁率磁性薄膜
であり、第２の結晶質の磁性薄膜は垂直磁化型磁
性薄膜であることを特徴とする第１項又は第２項
記載の磁気記録媒体の製造方法。 ４ 第１の結晶質の磁性薄膜はパーマロイであり
第２の結晶質の磁性薄膜はコバルト−クロム合金
であることを特徴とする前記第１項ないし第３項
記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223069A JPS60117413A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/675,302 US4642270A (en) | 1983-11-29 | 1984-11-27 | Magnetic recording medium |
| DE19843443601 DE3443601A1 (de) | 1983-11-29 | 1984-11-29 | Magnetaufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223069A JPS60117413A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117413A JPS60117413A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0533461B2 true JPH0533461B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=16792339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223069A Granted JPS60117413A (ja) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642270A (ja) |
| JP (1) | JPS60117413A (ja) |
| DE (1) | DE3443601A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157715A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS6289214A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| FR2600178B1 (fr) * | 1986-06-16 | 1988-10-07 | Bull Sa | Element d'enregistrement magnetique destine a etre utilise dans une imprimante magnetographique |
| US4842917A (en) * | 1986-09-01 | 1989-06-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and process for producing the same |
| US5202149A (en) * | 1990-07-25 | 1993-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making a magnetic recording medium |
| JPH0834001B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1996-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5390142A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-14 | Kappa Numerics, Inc. | Memory material and method for its manufacture |
| US5313176A (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-17 | Motorola Lighting, Inc. | Integrated common mode and differential mode inductor device |
| US5718983A (en) * | 1992-10-30 | 1998-02-17 | Kappa Numerics, Inc. | Thin film composite having ferromagnetic and piezoelectric properties comprising a layer of Pb-Cd-Fe and a layer of Cr-Zn-(Te or Tl) |
| JPH09506049A (ja) * | 1993-10-29 | 1997-06-17 | カッパ ヌーメリックス，インコーポレーテッド | メモリー材料およびその製造法 |
| US6416880B1 (en) * | 1993-12-09 | 2002-07-09 | Seagate Technology, Llc | Amorphous permalloy films and method of preparing the same |
| JPH08129718A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-21 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気センサ |
| US5763071A (en) * | 1996-03-11 | 1998-06-09 | Seagate Technology, Inc. | High areal density magnetic recording medium with dual magnetic layers |
| US6753072B1 (en) | 2000-09-05 | 2004-06-22 | Seagate Technology Llc | Multilayer-based magnetic media with hard ferromagnetic, anti-ferromagnetic, and soft ferromagnetic layers |
| US7736765B2 (en) * | 2004-12-28 | 2010-06-15 | Seagate Technology Llc | Granular perpendicular magnetic recording media with dual recording layer and method of fabricating same |
| US8110298B1 (en) | 2005-03-04 | 2012-02-07 | Seagate Technology Llc | Media for high density perpendicular magnetic recording |
| US8119263B2 (en) * | 2005-09-22 | 2012-02-21 | Seagate Technology Llc | Tuning exchange coupling in magnetic recording media |
| US8389048B2 (en) * | 2006-02-10 | 2013-03-05 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method for production thereof and magnetic recording and reproducing device |
| JP4597933B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2010-12-15 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法、並びに磁気記録再生装置 |
| US8697260B2 (en) * | 2008-07-25 | 2014-04-15 | Seagate Technology Llc | Method and manufacture process for exchange decoupled first magnetic layer |
| US7867637B2 (en) * | 2008-11-17 | 2011-01-11 | Seagate Technology Llc | Low coupling oxide media (LCOM) |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727427A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57117122A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Magnetic recording body |
| JPS57208631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Vertical magnetic recording medium |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52118424A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-04 | Ajinomoto Co Inc | Dithiocarbonate derivatives |
| JPS5891A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 熱交換装置 |
-
1983
- 1983-11-29 JP JP58223069A patent/JPS60117413A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-27 US US06/675,302 patent/US4642270A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-29 DE DE19843443601 patent/DE3443601A1/de active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727427A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-13 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57117122A (en) * | 1981-01-08 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Magnetic recording body |
| JPS57208631A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-21 | Hitachi Ltd | Vertical magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60117413A (ja) | 1985-06-24 |
| US4642270A (en) | 1987-02-10 |
| DE3443601A1 (de) | 1985-06-13 |
| DE3443601C2 (ja) | 1988-11-10 |
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| JPH0582653B2 (ja) | ||
| JPH0311531B2 (ja) |