JPS6064413A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPS6064413A JPS6064413A JP17137683A JP17137683A JPS6064413A JP S6064413 A JPS6064413 A JP S6064413A JP 17137683 A JP17137683 A JP 17137683A JP 17137683 A JP17137683 A JP 17137683A JP S6064413 A JPS6064413 A JP S6064413A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、所定の形状を有する非磁性基体上に被層した
Ｃｏ とＣｏ酸化物から構成される垂直磁化膜に係り、
特にかかる垂直磁化膜を用いた磁気テープあるいは磁気
ディスクに関する。
Ｃｏ とＣｏ酸化物から構成される垂直磁化膜に係り、
特にかかる垂直磁化膜を用いた磁気テープあるいは磁気
ディスクに関する。
発明者等は先に真空蒸着法でＣｏ ｔ−蒸着する際Ｃｏ
蒸気流を基体表面に対して垂直に入射させるとともに、
過当な酸素を導入しながら形成したＣ。
蒸気流を基体表面に対して垂直に入射させるとともに、
過当な酸素を導入しながら形成したＣ。
蒸着膜が、膜内の酸素含有量３０〜４θ原子チにおいて
垂直磁化膜となることを提案した。
垂直磁化膜となることを提案した。
このＣｏ Ｏ光垂直磁化膜は、従来からよく知られてい
るＣｏ−Ｃｒ等の合金系材料を用いた垂直磁化膜に比較
して、膜厚が０．１μｎＩ以下の＃膜においても垂直磁
化膜となることや、Ｃｏ Ｏ糸材料自身の曲は剛性率が
小さいことから、柔軟性が請求される磁気テープやフロ
ッピーディスク用媒体として好ましい１パ械的特性を持
っている。
るＣｏ−Ｃｒ等の合金系材料を用いた垂直磁化膜に比較
して、膜厚が０．１μｎＩ以下の＃膜においても垂直磁
化膜となることや、Ｃｏ Ｏ糸材料自身の曲は剛性率が
小さいことから、柔軟性が請求される磁気テープやフロ
ッピーディスク用媒体として好ましい１パ械的特性を持
っている。
しかしながら、このＣｏ Ｏ糸垂直磁化１１瞑１に２い
ては垂直配向性の目安となる。Ｍｒ上／ Ｍ ｒ ７（
臆面に垂直方向に磁界を印加した時の残′Ｉｌｉ磁化Ｍ
ｒ上と膜面内に磁界を印加した時の残留磁化Ｍｒ７の比
）はたかだか１．３程度であり、Ｃｏ Ｏｒ垂直磁化膜
においてＭｒ１／Ｍｒ／が３程度となることから比較す
ると、Ｃｏ−０系磁性膜では垂直磁化膜としての磁気特
性が劣っているという問題点がめるとともに、その飽和
磁束密度（４πＭｇ） か３．５００Ｇ以下では垂直磁
化膜とならない欠点がめった。
ては垂直配向性の目安となる。Ｍｒ上／ Ｍ ｒ ７（
臆面に垂直方向に磁界を印加した時の残′Ｉｌｉ磁化Ｍ
ｒ上と膜面内に磁界を印加した時の残留磁化Ｍｒ７の比
）はたかだか１．３程度であり、Ｃｏ Ｏｒ垂直磁化膜
においてＭｒ１／Ｍｒ／が３程度となることから比較す
ると、Ｃｏ−０系磁性膜では垂直磁化膜としての磁気特
性が劣っているという問題点がめるとともに、その飽和
磁束密度（４πＭｇ） か３．５００Ｇ以下では垂直磁
化膜とならない欠点がめった。
本発明の目的は、上記したようなＣｏ Ｏ光垂直磁化膜
の欠点を改良して、その磁気特性を向上させ、垂直磁気
記録用媒体として好適な垂直磁化膜を提供することにあ
る。
の欠点を改良して、その磁気特性を向上させ、垂直磁気
記録用媒体として好適な垂直磁化膜を提供することにあ
る。
上記目的を達成するための本発明の構成は、表面を酸化
物層で債われ７ｔ Ｃｏの針状結晶粒子群から構成され
た多結晶薄膜磁性体からなり、該磁性体を構成するＣｏ
Ｏ針状結晶粒子の長軸方向が、所定形状を有した非磁性
基体表面に対して、平均的に垂直方向に配向した垂直磁
化ｊ換において、非磁性基体表面と垂直磁化膜の間に、
中間層として、Ｃｏ（Ｊ＋ ＮｉＵ＋ Ｂ’ｅＯ＋ ’
ｌ’ｉ（Ｌ ＮｂＣＬ ＶＯ等の酸化物層を設けること
にある。
物層で債われ７ｔ Ｃｏの針状結晶粒子群から構成され
た多結晶薄膜磁性体からなり、該磁性体を構成するＣｏ
Ｏ針状結晶粒子の長軸方向が、所定形状を有した非磁性
基体表面に対して、平均的に垂直方向に配向した垂直磁
化ｊ換において、非磁性基体表面と垂直磁化膜の間に、
中間層として、Ｃｏ（Ｊ＋ ＮｉＵ＋ Ｂ’ｅＯ＋ ’
ｌ’ｉ（Ｌ ＮｂＣＬ ＶＯ等の酸化物層を設けること
にある。
一般に従来刀）らよく知られているＣｏ Ｃｒ膜が垂直
磁化膜となる理由についてはつき′のように考エラれて
いる。スパッタリング法あるいは真空蒸着法で作製した
Ｃｏ Ｃｒ膜の断面をＳＥＭ等で観察すると、膜面に垂
直方向に結晶粒子が成長した柱状構造が観察される。垂
直磁気異方性の大きいＣｏＣｒ膜は、この柱状方向に沿
ってＣ。
磁化膜となる理由についてはつき′のように考エラれて
いる。スパッタリング法あるいは真空蒸着法で作製した
Ｃｏ Ｃｒ膜の断面をＳＥＭ等で観察すると、膜面に垂
直方向に結晶粒子が成長した柱状構造が観察される。垂
直磁気異方性の大きいＣｏＣｒ膜は、この柱状方向に沿
ってＣ。
のＣ軸が配向していることが、Ｘ線回折法により解析さ
れている。Ｃｏ Ｃｒ膜の垂直磁気異方性は、このＣｏ
０Ｃ軸が垂直配回していることに一つの原因があるが、
さらにＣｒｔ添加することにより、Ｃｏ Ｃｓ膜の飽和
磁化（Ｍｓ）が減少し、Ｃ１１１１が垂直配向している
ことに由来する垂直磁気異方性の太き＠ （Ｋｕ ）が
、磁化が膜面に垂直方向に向いた時の静磁エネルギ（２
πＭ８２）より大となるという下記（１）式の関係が満
たされていることが二査目の理由である。
れている。Ｃｏ Ｃｒ膜の垂直磁気異方性は、このＣｏ
０Ｃ軸が垂直配回していることに一つの原因があるが、
さらにＣｒｔ添加することにより、Ｃｏ Ｃｓ膜の飽和
磁化（Ｍｓ）が減少し、Ｃ１１１１が垂直配向している
ことに由来する垂直磁気異方性の太き＠ （Ｋｕ ）が
、磁化が膜面に垂直方向に向いた時の静磁エネルギ（２
πＭ８２）より大となるという下記（１）式の関係が満
たされていることが二査目の理由である。
Ｋｕ ＞ ２ｙｒ Ｍｓ” −（１）
Ｃｏ Ｕ系磁性膜においても、そのｌ０ｒｔｈｌはＣ０
Ｃｒ膜と類似した柱伏嘱造をもち、ＣｏのＣ軸が膜面に
垂直方向に配向している。−Ｅた常温において非磁性の
酸化コバルト（ＣｏＯ）が存在していることがＸ線回折
法により知ることができる。
Ｃｒ膜と類似した柱伏嘱造をもち、ＣｏのＣ軸が膜面に
垂直方向に配向している。−Ｅた常温において非磁性の
酸化コバルト（ＣｏＯ）が存在していることがＸ線回折
法により知ることができる。
このことからもわかるように、ＣｏＯ系磁系膜性膜直磁
化膜となり得る原因は、Ｃｏ Ｃｒ膜の場合と同様にＣ
ｏ０Ｃ軸が垂直配向していることと非磁性のＣｏＯが存
在することにより静磁エネルギが減少することにあると
考えられる。
化膜となり得る原因は、Ｃｏ Ｃｒ膜の場合と同様にＣ
ｏ０Ｃ軸が垂直配向していることと非磁性のＣｏＯが存
在することにより静磁エネルギが減少することにあると
考えられる。
ところでＣｏ Ｏ光垂直磁化膜では、その磁気特性がＣ
ｏ Ｃｒｌｆ％に比較し劣っていることを述べたが、そ
の主な原因はＣｏ粒子のＣ軸配向性が、筐だＣｏ Ｃｒ
に比較して劣っている点にあると考えられる。
ｏ Ｃｒｌｆ％に比較し劣っていることを述べたが、そ
の主な原因はＣｏ粒子のＣ軸配向性が、筐だＣｏ Ｃｒ
に比較して劣っている点にあると考えられる。
発明者等は、Ｃｏ粒子のＣ軸配向性を改善する方法とし
て、あらかじめ基体表面ｖｃｃｏｏ＋Ｎｒｏ＋Ｆ”ｅＯ
，’ｒｉｏ、ＮｂＯ，ＶＯ等の金属酸化物を下地層とし
て真空蒸着法６Ａいはスパッタリング法で形成した後、
Ｃｏ Ｕ系磁性膜を作製することにより、磁気特性が改
善されることを見出した。
て、あらかじめ基体表面ｖｃｃｏｏ＋Ｎｒｏ＋Ｆ”ｅＯ
，’ｒｉｏ、ＮｂＯ，ＶＯ等の金属酸化物を下地層とし
て真空蒸着法６Ａいはスパッタリング法で形成した後、
Ｃｏ Ｕ系磁性膜を作製することにより、磁気特性が改
善されることを見出した。
特にこのようにして作製したＣｏ Ｏ光垂直磁化膜のＭ
ｒ土とＭｒ／の比は２．０以上となり、下地層が存在し
なかった場合の１．３に比較して大巾に向上するととも
に、飽和磁束密度（４πＭｓ）が３．５００Ｇ以下の場
合においても垂直磁化膜を得ることが可能となった。
ｒ土とＭｒ／の比は２．０以上となり、下地層が存在し
なかった場合の１．３に比較して大巾に向上するととも
に、飽和磁束密度（４πＭｓ）が３．５００Ｇ以下の場
合においても垂直磁化膜を得ることが可能となった。
以上の効果は、Ｃｏ Ｕ光垂直磁化膜が垂直磁気記録用
媒体として適用できる可能性を拡けるものであり、その
実用上の利点は大きい。
媒体として適用できる可能性を拡けるものであり、その
実用上の利点は大きい。
以下、本発明を比較例ケまじえ、実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
来施例１
第１図に示した電子線加熱型蒸着装置ケ用い、光学研磨
されたガラス基板上にＣｏの蒸着を行なった。第１図に
おいて、１はガラス基板、２はＥＢ蒸着源、３はニード
ルバルブ、４は基板加熱用ヒーター、５はシャッターで
ある。な＞ＥＢｉＪｔ源は４個のハースをもって寂り、
ノ・−スケ回転させることにより、真空を破ることな（
，４４ｎｆ朔の元素あるいは化合物を連続蒸着できるよ
うになっている。
されたガラス基板上にＣｏの蒸着を行なった。第１図に
おいて、１はガラス基板、２はＥＢ蒸着源、３はニード
ルバルブ、４は基板加熱用ヒーター、５はシャッターで
ある。な＞ＥＢｉＪｔ源は４個のハースをもって寂り、
ノ・−スケ回転させることにより、真空を破ることな（
，４４ｎｆ朔の元素あるいは化合物を連続蒸着できるよ
うになっている。
上記の装置を用い、ｃｏ蒸気流と基板法線のなす月就θ
を９０°に設定し、基板温度１００Ｃ，蒸蒸着速度約１
．ｏｏｏ人／蒜、酸素分圧４Ｘ１０−’Ｔ（＋ｒｒの酸
素過剰の条件で第１回目のＣｏの蒸着を行ない、膜厚約
０．１μｍの半透明なＣｏ酸化物の膜を形成した。その
後シャッターを閉じ、酸素分圧を減らし、再度Ｃｏの蒸
着を行なった。二回目の蒸着に２いては酸素分圧ｅＯＸ
１０−’ 、 １．０ＸＩＯ−’、１．５ＸｌＯ’−
’、２．４ＸｌＯ”’、３．１×１０−’ Ｔｏ ｒｒ
の５通りとし、膜厚約０．１μｍの試料Ａ１〜Ａ５を得
た。
を９０°に設定し、基板温度１００Ｃ，蒸蒸着速度約１
．ｏｏｏ人／蒜、酸素分圧４Ｘ１０−’Ｔ（＋ｒｒの酸
素過剰の条件で第１回目のＣｏの蒸着を行ない、膜厚約
０．１μｍの半透明なＣｏ酸化物の膜を形成した。その
後シャッターを閉じ、酸素分圧を減らし、再度Ｃｏの蒸
着を行なった。二回目の蒸着に２いては酸素分圧ｅＯＸ
１０−’ 、 １．０ＸＩＯ−’、１．５ＸｌＯ’−
’、２．４ＸｌＯ”’、３．１×１０−’ Ｔｏ ｒｒ
の５通りとし、膜厚約０．１μｍの試料Ａ１〜Ａ５を得
た。
また比較試料として、Ｃｏの酸化物層分設けず、直接ガ
ラス基板上に、他の条件を同じにして酸素分圧０ＸＩＯ
”５，１．２Ｘ１０−’、１．５Ｘ１０”’。
ラス基板上に、他の条件を同じにして酸素分圧０ＸＩＯ
”５，１．２Ｘ１０−’、１．５Ｘ１０”’。
２．５ Ｘ １０−’ 、 ３．２ Ｘ １０−’ Ｔ
ｏｒｒの条件で作製した５種角のＣｏ蒸着膜Ｂ１〜Ｂ５
を得た。
ｏｒｒの条件で作製した５種角のＣｏ蒸着膜Ｂ１〜Ｂ５
を得た。
これら付耐１０棟類のＣｏ蒸Ｍ膜試料について、その磁
気時性をＶＳｈｉ（試料振動型磁力計）により測定した
。その結果を第２図に図表で示す。図中、土、／はそれ
ぞれ印加磁界が膜面に垂直方向、７１６面内方向である
ことを示している。−なお酸素過剰な条件に寂いて、第
１回目に蒸着したＣｏ膜は、反射Ｘ線回折像を解析する
ことにより、−ｅ化コバルト（Ｃｏａｌ）となっている
ことがわかった。
気時性をＶＳｈｉ（試料振動型磁力計）により測定した
。その結果を第２図に図表で示す。図中、土、／はそれ
ぞれ印加磁界が膜面に垂直方向、７１６面内方向である
ことを示している。−なお酸素過剰な条件に寂いて、第
１回目に蒸着したＣｏ膜は、反射Ｘ線回折像を解析する
ことにより、−ｅ化コバルト（Ｃｏａｌ）となっている
ことがわかった。
第１表から分かるように、下地層としてＣＯＯ膜を設け
た試料Ａ１〜Ａ５においては、飽和磁束密度（４πＭｇ
）が６．３００Ｇ近傍においてＭｒ上／Ｍｒｚ が１．
（１以上となり垂直磁化膜が実現する。
た試料Ａ１〜Ａ５においては、飽和磁束密度（４πＭｇ
）が６．３００Ｇ近傍においてＭｒ上／Ｍｒｚ が１．
（１以上となり垂直磁化膜が実現する。
きらに飽和磁束密度が減少すると、Ｍ、土／ Ｍ ｒ
／は増大し３．４００ＧＫ′ｓ３−いて最大値２．０ヲ
とる。
／は増大し３．４００ＧＫ′ｓ３−いて最大値２．０ヲ
とる。
また１、５００Ｇにおいても１．８となり、また良好な
垂直磁化膜となっている。一方、ＣＯＯを下地層として
設けていない試料（Ｂｌ〜Ｂ５）においては、飽和磁束
密度が３．５００ Ｇ以下になると、Ｍｒ上／Ｍｒ／
Ｆｌｌ、０以下となりもはや垂直磁化ノ漢とならす、ま
たＭｒ上／ 、Ｍ ｒ ／の最大１直はせいぜい１．３
程度であり、ＣｏＯを下地層として設けた場合に較べ磁
気特性の劣っていることは明らかである。
垂直磁化膜となっている。一方、ＣＯＯを下地層として
設けていない試料（Ｂｌ〜Ｂ５）においては、飽和磁束
密度が３．５００ Ｇ以下になると、Ｍｒ上／Ｍｒ／
Ｆｌｌ、０以下となりもはや垂直磁化ノ漢とならす、ま
たＭｒ上／ 、Ｍ ｒ ／の最大１直はせいぜい１．３
程度であり、ＣｏＯを下地層として設けた場合に較べ磁
気特性の劣っていることは明らかである。
実施例２
実施例１と同じ装置を用いて、ＣＯ蒸気流と基板法線の
なす角度θを９０°に設定し、基叡温朋１００Ｃ１蒸着
速度約ｉ、ｏｏｏ人／―、酸素分圧７Ｘ １０−’ Ｔ
ｏ ｒｒの酸素過剰状態で、Ｃｏの蒸着ケ行ない、膜
厚０．１μｍのＣｏ酸化物層を形成した。
なす角度θを９０°に設定し、基叡温朋１００Ｃ１蒸着
速度約ｉ、ｏｏｏ人／―、酸素分圧７Ｘ １０−’ Ｔ
ｏ ｒｒの酸素過剰状態で、Ｃｏの蒸着ケ行ない、膜
厚０．１μｍのＣｏ酸化物層を形成した。
その後シャッターを閉じ、酸素分圧１．５Ｘ１０−’。
２．４ Ｘ １０−’ Ｔｏ ｒｒの条件で、再度Ｃｏ
の蒸着を行ない膜厚０．１μｍの試料Ｃ１とＣ２を得た
。これらの試料の磁気特性を第２表に示す。
の蒸着を行ない膜厚０．１μｍの試料Ｃ１とＣ２を得た
。これらの試料の磁気特性を第２表に示す。
なお、酸素過剰な条件において蒸着したＣｏ膜は、Ｘ線
回折像を解析することにより、酸化コバル） （Ｃｏｇ
０４）となっていることがわかっている。
回折像を解析することにより、酸化コバル） （Ｃｏｇ
０４）となっていることがわかっている。
第２表かられかるように、下地層としてＣＯ３Ｏ４膜を
設けると、飽和磁束密度が６．１００Ｇ、３．５００Ｇ
におけるＭ ｒ 工／ ｙｌ 、 、ｔ ’はそれぞれ
０．９，０．７となり、もはや垂直磁化膜とならず、ｃ
ｏ、０４膜は垂直磁化膜の実現を逆に阻害する。
設けると、飽和磁束密度が６．１００Ｇ、３．５００Ｇ
におけるＭ ｒ 工／ ｙｌ 、 、ｔ ’はそれぞれ
０．９，０．７となり、もはや垂直磁化膜とならず、ｃ
ｏ、０４膜は垂直磁化膜の実現を逆に阻害する。
以上の実施例１．２かられかるように、ｃｏ酸化物を下
地層として用いた場合、Ｃｏ−０系垂直磁化膜の特性数
置に対して、二価のＣｏＯ膜が有効であり、それ以上の
酸化価数をもつＣｏ３Ｏ４は逆に垂直磁化膜の実現を阻
害するのである。
地層として用いた場合、Ｃｏ−０系垂直磁化膜の特性数
置に対して、二価のＣｏＯ膜が有効であり、それ以上の
酸化価数をもつＣｏ３Ｏ４は逆に垂直磁化膜の実現を阻
害するのである。
実施例３
第１図に示した電子線加熱型蒸着装置を用い１、下地層
として膜圧約０．１μｍのＴｉｅ膜、Ｎｉｐ膜、Ｆｅｄ
膜、ＮｂＯ膜、ＶＯ膜を形ＤＥＬ、た後、酸素分圧約２
、ｓ ｘ １ ｏ−’ 、６るいは３． ＯＸ １０−
’ Ｔ６ｒｒの条件で、膜厚約０．１μｍのＣｏ Ｏ基
磁性膜を形成し、合計１０棟類の試料を得た。Ｔｉｅ膜
はＴｊＯのペレットを用いてＥＢ蒸恵を行った他は、Ｎ
ｉｐ膜、Ｆ’ｅＯ膜、Ｎｂ０Ｍ、ＶＯ膜については、Ｃ
ｏＯ膜の形成方法と同様に、適当な酸素分圧のもとて各
種金蝿単体をガラス基板上蒸着し下地層とした。まｆｃ
Ｃｏ Ｏ基磁性膜の蒸着条件は酸素分圧を除き、実施例
１と同じである。
として膜圧約０．１μｍのＴｉｅ膜、Ｎｉｐ膜、Ｆｅｄ
膜、ＮｂＯ膜、ＶＯ膜を形ＤＥＬ、た後、酸素分圧約２
、ｓ ｘ １ ｏ−’ 、６るいは３． ＯＸ １０−
’ Ｔ６ｒｒの条件で、膜厚約０．１μｍのＣｏ Ｏ基
磁性膜を形成し、合計１０棟類の試料を得た。Ｔｉｅ膜
はＴｊＯのペレットを用いてＥＢ蒸恵を行った他は、Ｎ
ｉｐ膜、Ｆ’ｅＯ膜、Ｎｂ０Ｍ、ＶＯ膜については、Ｃ
ｏＯ膜の形成方法と同様に、適当な酸素分圧のもとて各
種金蝿単体をガラス基板上蒸着し下地層とした。まｆｃ
Ｃｏ Ｏ基磁性膜の蒸着条件は酸素分圧を除き、実施例
１と同じである。
仁れら１０種類のｃｏ＃着膜の磁気特性を、第３表に示
す。
す。
なお、下地層の結晶構造はＸ線回折法により、Ｔｉｅ、
Ｎｉｐ、Ｆｅｄ、ＮｂＯ，ＶＯの二価の酸化物となって
いることを確認した。
Ｎｉｐ、Ｆｅｄ、ＮｂＯ，ＶＯの二価の酸化物となって
いることを確認した。
第３表かられかるように、下地層として、’１’ｉ０゜
ＮｊＯ，Ｆｅｄ、ＮｂＯ，ＶＯ膜を設けた試料は、第１
表に示した下地層を設けていない試料が垂直磁化膜とな
り得ない、飽和磁束密度１．５００Ｇ付近においても、
角型比Ｍ ｒｘ ／ Ｍ Ｂが０．１７以上の垂直磁化
膜となっている。また飽和磁束密度が約３．５００Ｇ付
近における角型比Ｍ ｒ １／’ Ｍ ｓは、いずれの
試料についても０．１９以上となる。
ＮｊＯ，Ｆｅｄ、ＮｂＯ，ＶＯ膜を設けた試料は、第１
表に示した下地層を設けていない試料が垂直磁化膜とな
り得ない、飽和磁束密度１．５００Ｇ付近においても、
角型比Ｍ ｒｘ ／ Ｍ Ｂが０．１７以上の垂直磁化
膜となっている。また飽和磁束密度が約３．５００Ｇ付
近における角型比Ｍ ｒ １／’ Ｍ ｓは、いずれの
試料についても０．１９以上となる。
特に’１’ｉ０．ＶＯ，ＮｉＯ膜を下地層とした試料で
はＭｒ上／ Ｍ ｓが０．２４以上となり、場らに保磁
力Ｈｃ上も７θ００ｅと高保磁力化きれ、優れた垂直磁
化膜奮得る仁とができる。
はＭｒ上／ Ｍ ｓが０．２４以上となり、場らに保磁
力Ｈｃ上も７θ００ｅと高保磁力化きれ、優れた垂直磁
化膜奮得る仁とができる。
また上記した二価の金−酸化物以外に、’ｒｌｏ２゜α
−Ｆｅｔｕｓ等の高級酸化物を下地層として形成し、Ｃ
ｏＯ系磁系膜性膜気特注を検討したが、実施例３のＣｏ
３０４の場合と同様に、垂直磁化膜の実現を阻害する
か、！特性向上には効果のないことが確かめられた。
−Ｆｅｔｕｓ等の高級酸化物を下地層として形成し、Ｃ
ｏＯ系磁系膜性膜気特注を検討したが、実施例３のＣｏ
３０４の場合と同様に、垂直磁化膜の実現を阻害する
か、！特性向上には効果のないことが確かめられた。
以上の実施例からもわ〃）るように、ｃｏ−〇基磁性膜
の賑直磁気特性を向上させる下地Ｊ曽としては、ＣｏＯ
の他に、Ｔ ｒ （Ｊ ＋ Ｎ ｒ Ｏ＋ ｋ ｅ Ｏ
＋ Ｎ ｂ Ｏ＋ｖＯ等の酸化物膜が有効であることが
わかる。なかでもＴｉｅ、Ｎｉｐ、ＶＯ膜で顕微な効果
を示すことが明らかとなつ友。
の賑直磁気特性を向上させる下地Ｊ曽としては、ＣｏＯ
の他に、Ｔ ｒ （Ｊ ＋ Ｎ ｒ Ｏ＋ ｋ ｅ Ｏ
＋ Ｎ ｂ Ｏ＋ｖＯ等の酸化物膜が有効であることが
わかる。なかでもＴｉｅ、Ｎｉｐ、ＶＯ膜で顕微な効果
を示すことが明らかとなつ友。
以上詳述した実施例から、ＣｏＯ系垂直磁化膜の磁気特
性を向上させるには、ＣｏＯ系垂直磁化膜を形成する前
に、あらかじめ基体上にＣｏｄ。
性を向上させるには、ＣｏＯ系垂直磁化膜を形成する前
に、あらかじめ基体上にＣｏｄ。
Ｔｉｅ、Ｎｉｐ、Ｆｅｄ、ＮｂＯ，ＶＯの二価の金属酸
化膜を形成することが有効なことがわかる。
化膜を形成することが有効なことがわかる。
なお、以上の実施例で述べたＣｏ蒸着膜の作製条件、例
えば、酸素分圧は、Ｃｏの蒸着速度との相対的な関係に
よって定まるものでおす、以上の実施例の制限を受ける
ものではない。また下地膜の形成法を真空蒸゛看法にか
ぎったが、所望の組成？もった金Ｍ酸化物をターケラト
としたスパッタリング法、るるいは酸素雰囲気中におけ
る反応性スパッタリング法を用いて下地膜を形成しても
、実施例と同様な効果が得られることは言うまでもない
。
えば、酸素分圧は、Ｃｏの蒸着速度との相対的な関係に
よって定まるものでおす、以上の実施例の制限を受ける
ものではない。また下地膜の形成法を真空蒸゛看法にか
ぎったが、所望の組成？もった金Ｍ酸化物をターケラト
としたスパッタリング法、るるいは酸素雰囲気中におけ
る反応性スパッタリング法を用いて下地膜を形成しても
、実施例と同様な効果が得られることは言うまでもない
。
蒸着用の基体としては、従来用いられている右壁ポリマ
ー、例えばポリエステル、あるいは表面に絶縁膜を形成
した金属板、例えばＡｔ板等が用いられる。また、基体
の形状は通常、長尺状もしくは円板状とするが、必要に
応じて任意の形状としてよい。
ー、例えばポリエステル、あるいは表面に絶縁膜を形成
した金属板、例えばＡｔ板等が用いられる。また、基体
の形状は通常、長尺状もしくは円板状とするが、必要に
応じて任意の形状としてよい。
以上説明したところから明らかなように、本発明は、Ｃ
ｏ Ｏ光垂直磁化膜の磁気特性を向上させ、さらにＣｏ
Ｏ光垂直磁化膜の特長である小さな曲げ一１性率を高
めることがないため、磁気テープ、磁気フロッピーディ
スク用型＠磁気記録媒体材料として大きな効果を有する
。
ｏ Ｏ光垂直磁化膜の磁気特性を向上させ、さらにＣｏ
Ｏ光垂直磁化膜の特長である小さな曲げ一１性率を高
めることがないため、磁気テープ、磁気フロッピーディ
スク用型＠磁気記録媒体材料として大きな効果を有する
。
第１図は本発明の蒸着膜の作製に用いた電子線加熱型魚
屑装置の概略図である。
屑装置の概略図である。
Claims (1)
- 表面を酸化物層で覆われたＣｏの針状結晶粒子群から構
成された多結晶薄膜磁性体からなり、該磁性体を構成す
るＣＯＯ針状結晶粒子の長軸方向が、所定形状を有した
非磁性基体表面に対して、平均的に垂直方向に配向した
垂直磁化膜において、非磁性基体表面と垂直磁化膜の間
に、中間層として、Ｃｏｄ、Ｎｉｐ、Ｆｅｄ、Ｔｉｅ、
ＮｂＯ，ＶＯ等の酸化物層を設けたことを特徴とした垂
直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17137683A JPS6064413A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17137683A JPS6064413A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064413A true JPS6064413A (ja) | 1985-04-13 |
| JPH0576764B2 JPH0576764B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=15922028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17137683A Granted JPS6064413A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064413A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220411A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-13 | Nec Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| US6020060A (en) * | 1997-09-25 | 2000-02-01 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, process for producing the same and magnetic disk device |
| US6183893B1 (en) | 1998-04-06 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| US6403203B2 (en) | 1997-05-29 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same |
| US6562453B1 (en) | 1999-06-07 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
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Citations (2)
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| JPS5868229A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-23 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS59184799A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Hisanori Bando | 人工格子及びその製造法 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17137683A patent/JPS6064413A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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| JPS5868229A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-23 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
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| US6183893B1 (en) | 1998-04-06 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic storage apparatus using the same |
| US6562453B1 (en) | 1999-06-07 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US6770389B2 (en) | 1999-07-06 | 2004-08-03 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| US6759148B2 (en) | 2000-09-01 | 2004-07-06 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
| US7138195B2 (en) | 2000-09-01 | 2006-11-21 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording media and magnetic storage |
| US7862913B2 (en) | 2006-10-23 | 2011-01-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Oxide magnetic recording layers for perpendicular recording media |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576764B2 (ja) | 1993-10-25 |
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