JPH0573877A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0573877A JPH0573877A JP23442591A JP23442591A JPH0573877A JP H0573877 A JPH0573877 A JP H0573877A JP 23442591 A JP23442591 A JP 23442591A JP 23442591 A JP23442591 A JP 23442591A JP H0573877 A JPH0573877 A JP H0573877A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リング型磁気ヘッドを用いて記録再生を行う場
合において、磁気記録層の膜厚が０．１０μｍから０．
４０μｍと厚くても、記録密度特性を損なうことなく高
い再生出力を有する磁気記録媒体を提供する。 【構成】基体と記録層となるＣｏ系磁性膜と、その間に
設けた、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌの薄い中間層から構成され
る。これらの中間層は、六方晶の結晶構造をもつＣｏ系
磁性膜のＣ軸を膜面垂直方向に優先的に配向させるが、
またその配向の程度を適当に分散させる機能を持つ。
合において、磁気記録層の膜厚が０．１０μｍから０．
４０μｍと厚くても、記録密度特性を損なうことなく高
い再生出力を有する磁気記録媒体を提供する。 【構成】基体と記録層となるＣｏ系磁性膜と、その間に
設けた、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌの薄い中間層から構成され
る。これらの中間層は、六方晶の結晶構造をもつＣｏ系
磁性膜のＣ軸を膜面垂直方向に優先的に配向させるが、
またその配向の程度を適当に分散させる機能を持つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強磁性薄膜を記録層とし
て用いた磁気記録媒体に係り、高密度記録においても高
い再生出力を有する磁気記録媒体に係る。
て用いた磁気記録媒体に係り、高密度記録においても高
い再生出力を有する磁気記録媒体に係る。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大には目覚ましいもの
があり、ファイルメディアとして用いられる磁気ディス
クやフロッピィディスク、磁気テープの記憶容量の飛躍
的な向上が強く望まれている。このような情勢の中で、
磁気記録媒体は従来の塗布型媒体から高密度記録特性を
もつ強磁性薄膜を用いた薄膜型媒体へと移行しつつあ
る。
があり、ファイルメディアとして用いられる磁気ディス
クやフロッピィディスク、磁気テープの記憶容量の飛躍
的な向上が強く望まれている。このような情勢の中で、
磁気記録媒体は従来の塗布型媒体から高密度記録特性を
もつ強磁性薄膜を用いた薄膜型媒体へと移行しつつあ
る。
【０００３】ところで、磁気記録においては、情報の記
録は媒体となる強磁性層の微小領域における磁化の向き
を変化させることによって行われるのであるが、その向
きを媒体面に平行に書き込む、いわゆる長手記録方式が
広く用いられている。薄膜型磁気記録媒体においては、
その高密度化は媒体の保磁力を高めるか、磁性層の厚さ
を薄くすることによって進められている。しかし現行の
薄膜媒体においては既に５０ｎｍの極薄膜層が用いられ
ており、さらに薄膜化するには高度な薄膜技術が必要と
なるだけでなく、記録・再生特性の面から見ても、薄膜
化による再生出力の低下は避けることが出来ず、さらな
る高密度化への大きな障害となっている。
録は媒体となる強磁性層の微小領域における磁化の向き
を変化させることによって行われるのであるが、その向
きを媒体面に平行に書き込む、いわゆる長手記録方式が
広く用いられている。薄膜型磁気記録媒体においては、
その高密度化は媒体の保磁力を高めるか、磁性層の厚さ
を薄くすることによって進められている。しかし現行の
薄膜媒体においては既に５０ｎｍの極薄膜層が用いられ
ており、さらに薄膜化するには高度な薄膜技術が必要と
なるだけでなく、記録・再生特性の面から見ても、薄膜
化による再生出力の低下は避けることが出来ず、さらな
る高密度化への大きな障害となっている。
【０００４】一方、上記したような欠点を解決する方法
として、記録磁化を媒体膜面の垂直方向に記録する垂直
記録方式が提案されている。この方式では膜面に強い垂
直磁気異方性をもつ磁性層を用いる必要があり、Ｃｏ−
Ｃｒに代表される厚さ０．１〜０．５μｍの比較的厚め
の合金磁性層が広く用いられており、かつ記録密度を高
める場合においても、膜厚を薄くする必要がない。しか
し、この垂直記録方式においても、通常の磁気記録装置
に用いられる、リング型磁気ヘッドを用いて、情報の記
録・再生を行うと、リングヘッドから発生する強い斜め
の磁界によって、効率的な記録が出来ず垂直記録の長所
を活かせないという欠点がある。
として、記録磁化を媒体膜面の垂直方向に記録する垂直
記録方式が提案されている。この方式では膜面に強い垂
直磁気異方性をもつ磁性層を用いる必要があり、Ｃｏ−
Ｃｒに代表される厚さ０．１〜０．５μｍの比較的厚め
の合金磁性層が広く用いられており、かつ記録密度を高
める場合においても、膜厚を薄くする必要がない。しか
し、この垂直記録方式においても、通常の磁気記録装置
に用いられる、リング型磁気ヘッドを用いて、情報の記
録・再生を行うと、リングヘッドから発生する強い斜め
の磁界によって、効率的な記録が出来ず垂直記録の長所
を活かせないという欠点がある。
【０００５】一方、上記した長手記録、垂直記録の弱点
を補強する方法として、長手記録と垂直記録の特性を合
わせ持った磁気記録媒体の提案（例えば特公平２−４８
９６６）もなされている。
を補強する方法として、長手記録と垂直記録の特性を合
わせ持った磁気記録媒体の提案（例えば特公平２−４８
９６６）もなされている。
【０００６】
【本発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上
記した長手記録と垂直記録の特性を合わせ持った磁気記
録媒体の記録再生を向上させる別の方法を提供すること
にある。
記した長手記録と垂直記録の特性を合わせ持った磁気記
録媒体の記録再生を向上させる別の方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した目的は、基体と
記録層となる強磁性層との間に、非磁性層もしくは強磁
性層の中間層を設け、強磁性層を構成する磁性粒子の磁
化容易軸方向を膜の法線方向に対して適度に分散させる
ことによって達成される。
記録層となる強磁性層との間に、非磁性層もしくは強磁
性層の中間層を設け、強磁性層を構成する磁性粒子の磁
化容易軸方向を膜の法線方向に対して適度に分散させる
ことによって達成される。
【０００８】
【作用】六方晶の結晶構造をもつＣｏを主成分とする合
金薄膜を、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等で形
成すると、その結晶軸の１つであるＣ軸は膜面垂直方向
に成長しやすい性質を持っているため、通常はＣ軸が膜
面垂直方向に配向した膜が得られることが多い。一方、
結晶軸の配向を意図的にコントロールする方法として、
基体と磁性層の間に中間層を設ける方法がある。これは
結晶軸の配向が基体表面の物理的、化学的な性質に大き
く影響されことを利用したものである。例えば六方晶Ｃ
ｏの基底面である００２面（ｃ面）と似た原子配列をも
つ基体の上にＣｏを成膜すると、００２面が基体と平行
に並ぶように成長し、また１００面と似た原子配列をも
つ基体上に成長するＣｏ膜は１００面が優先的に配向し
て成長するようになる。したがって、目的に合った結晶
配向性は、この中間層をうまく選ぶことによって実現で
きる可能性がある。
金薄膜を、スパッタリング法あるいは真空蒸着法等で形
成すると、その結晶軸の１つであるＣ軸は膜面垂直方向
に成長しやすい性質を持っているため、通常はＣ軸が膜
面垂直方向に配向した膜が得られることが多い。一方、
結晶軸の配向を意図的にコントロールする方法として、
基体と磁性層の間に中間層を設ける方法がある。これは
結晶軸の配向が基体表面の物理的、化学的な性質に大き
く影響されことを利用したものである。例えば六方晶Ｃ
ｏの基底面である００２面（ｃ面）と似た原子配列をも
つ基体の上にＣｏを成膜すると、００２面が基体と平行
に並ぶように成長し、また１００面と似た原子配列をも
つ基体上に成長するＣｏ膜は１００面が優先的に配向し
て成長するようになる。したがって、目的に合った結晶
配向性は、この中間層をうまく選ぶことによって実現で
きる可能性がある。
【０００９】本発明はこのような結晶学的な性質を利用
して、六方晶構造をもつＣｏ合金薄膜のＣ軸の分散の程
度をコントロールするものであり、基体と磁性層との間
に適当な中間層を挿入し、基体表面の物理的・化学的な
性質を改質することによって、適度なＣ軸方向の分散を
持たせるものである。このＣ軸はＣｏ系合金の磁化容易
軸に相当しており、斜めに向いたＣ軸を存在させること
によって、リングヘッドの斜めの磁界に効率よく磁化さ
れ易い性質を媒体に付与させ、きわめて高い再生出力を
もつ媒体を実現することが可能となる。
して、六方晶構造をもつＣｏ合金薄膜のＣ軸の分散の程
度をコントロールするものであり、基体と磁性層との間
に適当な中間層を挿入し、基体表面の物理的・化学的な
性質を改質することによって、適度なＣ軸方向の分散を
持たせるものである。このＣ軸はＣｏ系合金の磁化容易
軸に相当しており、斜めに向いたＣ軸を存在させること
によって、リングヘッドの斜めの磁界に効率よく磁化さ
れ易い性質を媒体に付与させ、きわめて高い再生出力を
もつ媒体を実現することが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の詳細を実施例をもって説明する
ことにする。
ことにする。
【００１１】〔実施例１〕図２に示す多元ＲＦマグネト
ロンスパッタリング装置を用いて磁気記録媒体試料を作
製した。ターゲットホルダ１には中間層用のターゲッ
ト、ホルダ２には記録層となるＣｏ合金ターゲット、さ
らにホルダ３には保護膜用のカーボンターゲットがセッ
トされている。ターゲットの大きさはいずれも１００ｍ
ｍφである。また基板４には厚さ５０μｍのポリイミド
フィルムを用い、以下の方法で試料の作製を行った。ベ
ルジャー内の真空度を５×１０~7Torrにした後、Ａｒガ
スを導入して真空度を５ｍTorrとし、ホルダ１にＲＦパ
ワーをかけ、まず中間層の成膜を行った。この時の設定
基板温度は１００℃であり、ヒータ５を用いて温度のコ
ントロールを行った。膜の堆積速度を０．５ｎｍ／ｓと
して、厚さ５０ｎｍの中間層を形成した。実験において
は、ターゲットの種類を変えて、種々の元素からなる中
間層を成膜した。ターゲットの種類によってスパッタ効
率が変わるため、膜の堆積速度が０．５ｎｍ／ｓとなる
ようにＲＦパワーを調整した。
ロンスパッタリング装置を用いて磁気記録媒体試料を作
製した。ターゲットホルダ１には中間層用のターゲッ
ト、ホルダ２には記録層となるＣｏ合金ターゲット、さ
らにホルダ３には保護膜用のカーボンターゲットがセッ
トされている。ターゲットの大きさはいずれも１００ｍ
ｍφである。また基板４には厚さ５０μｍのポリイミド
フィルムを用い、以下の方法で試料の作製を行った。ベ
ルジャー内の真空度を５×１０~7Torrにした後、Ａｒガ
スを導入して真空度を５ｍTorrとし、ホルダ１にＲＦパ
ワーをかけ、まず中間層の成膜を行った。この時の設定
基板温度は１００℃であり、ヒータ５を用いて温度のコ
ントロールを行った。膜の堆積速度を０．５ｎｍ／ｓと
して、厚さ５０ｎｍの中間層を形成した。実験において
は、ターゲットの種類を変えて、種々の元素からなる中
間層を成膜した。ターゲットの種類によってスパッタ効
率が変わるため、膜の堆積速度が０．５ｎｍ／ｓとなる
ようにＲＦパワーを調整した。
【００１２】その後、基板４をターゲットホルダ２の真
上に移動し、記録層となるＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜（１２ａ
ｔ％Ｃｒ、２ａｔ％Ｔａ、残Ｃｏ）の成膜を行った。こ
の時のＡｒガス圧、基板温度は中間層の場合と同じであ
ったが、ＲＦパワーは３００Ｗ、膜の堆積速度を１ｎｍ
／ｓとして、膜厚２００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を成
膜した。
上に移動し、記録層となるＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜（１２ａ
ｔ％Ｃｒ、２ａｔ％Ｔａ、残Ｃｏ）の成膜を行った。こ
の時のＡｒガス圧、基板温度は中間層の場合と同じであ
ったが、ＲＦパワーは３００Ｗ、膜の堆積速度を１ｎｍ
／ｓとして、膜厚２００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を成
膜した。
【００１３】さらに、最後にＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜の表面
に保護膜として厚さ２０ｎｍのカーボン膜を形成した。
に保護膜として厚さ２０ｎｍのカーボン膜を形成した。
【００１４】このようにして作製した試料の磁気特性
を、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）で測定し、飽和磁化
（Ｍｓ）、保磁力（Ｈｃ）、角形比（Ｍｒ／Ｍｓ）を求
めた。磁場は膜面内、または膜面垂直方向に掛けてお
り、それぞれの条件で測定した磁気特性を区別するため
に、面内の場合には‖、垂直の場合には⊥の添字を用い
た。
を、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）で測定し、飽和磁化
（Ｍｓ）、保磁力（Ｈｃ）、角形比（Ｍｒ／Ｍｓ）を求
めた。磁場は膜面内、または膜面垂直方向に掛けてお
り、それぞれの条件で測定した磁気特性を区別するため
に、面内の場合には‖、垂直の場合には⊥の添字を用い
た。
【００１５】また、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜のＣ軸の配向の
程度を測定するために、Ｘ線回析測定装置を用いてロッ
キング曲線の測定を行い、その半値幅（ΔΘ50）をもっ
てＣ軸の配向の目安とした。すなわち、ΔΘ50の値が小
さいほどＣ軸が膜面垂直方向に優先的に配向しているこ
とを意味している。
程度を測定するために、Ｘ線回析測定装置を用いてロッ
キング曲線の測定を行い、その半値幅（ΔΘ50）をもっ
てＣ軸の配向の目安とした。すなわち、ΔΘ50の値が小
さいほどＣ軸が膜面垂直方向に優先的に配向しているこ
とを意味している。
【００１６】表１に中間層の材料として、Ｃｒ、Ｖ、Ｓ
ｎ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｆ
ｅ、Ａｌ等の単体元素、及びＣｒ−50Ｖ、Ｎｉ−20Ｆｅ
合金を用いて作製した試料（試料番号１０１〜１１４）
の磁気特性と、ΔΘ50の値を示した。なお、表１の中で
比較試料Ｒ１とＲ２は、従来の垂直磁気記録媒体であ
り、Ｒ１はポリイミドフィルム上に、直接Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ膜を形成した膜、Ｒ２はＣ軸の配向を向上させるた
めに、Ｔｉを介した後に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を形成し
た試料である。これらの試料では、他の本発明による試
料よりもΔΘ50が小さく、Ｃ軸配向が優れていることが
分かる。
ｎ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｆ
ｅ、Ａｌ等の単体元素、及びＣｒ−50Ｖ、Ｎｉ−20Ｆｅ
合金を用いて作製した試料（試料番号１０１〜１１４）
の磁気特性と、ΔΘ50の値を示した。なお、表１の中で
比較試料Ｒ１とＲ２は、従来の垂直磁気記録媒体であ
り、Ｒ１はポリイミドフィルム上に、直接Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｔａ膜を形成した膜、Ｒ２はＣ軸の配向を向上させるた
めに、Ｔｉを介した後に、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜を形成し
た試料である。これらの試料では、他の本発明による試
料よりもΔΘ50が小さく、Ｃ軸配向が優れていることが
分かる。
【００１７】さらに、これらの試料を切り抜いて３．
５″のフロッピーディスクを作製し、ディスクドライブ
装置を用いて記録・再生特性の測定を行った。使用した
磁気ヘッドはギャップ長が０．２５μｍのＭＩＧ（meta
l in gap）タイプヘッドである。
５″のフロッピーディスクを作製し、ディスクドライブ
装置を用いて記録・再生特性の測定を行った。使用した
磁気ヘッドはギャップ長が０．２５μｍのＭＩＧ（meta
l in gap）タイプヘッドである。
【００１８】表１に各種試料の記録再生特性を示した。
表の中でＥとは規格化再生出力を意味しており、１ｋＦ
ＣＩ（Flux Changes per Inchの略）の記録密度におけ
るヘッドの再生出力を媒体の相対速度（ｍ／ｓ）とヘッ
ドトラック幅（ｍ）、ヘッドのコイルの巻数で割った値
である。またＤ50とは、１ｋＦＣＩにおける再生出力が
半減する記録密度である。
表の中でＥとは規格化再生出力を意味しており、１ｋＦ
ＣＩ（Flux Changes per Inchの略）の記録密度におけ
るヘッドの再生出力を媒体の相対速度（ｍ／ｓ）とヘッ
ドトラック幅（ｍ）、ヘッドのコイルの巻数で割った値
である。またＤ50とは、１ｋＦＣＩにおける再生出力が
半減する記録密度である。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１の結果から明らかなように、本発明に
よる試料はいずれも比較試料Ｒ１、Ｒ２より高い再生出
力をもっており、またＤ50値もほぼ同等となっている。
図１に本発明の代表的な例として、ＶとＰｔを中間層と
して用いた試料の記録再生特性を、曲線１０２と１０５
をもって示したが、高い再生出力を高い記録密度まで保
持していることが分かる。これらの試料においては、Δ
Θ50の値は１０〜４０°の間にあり、また面内と垂直の
残留磁化の比Ｍｒ‖／Ｍｒ⊥は、２から４の間にあるこ
とが表１から分かる。
よる試料はいずれも比較試料Ｒ１、Ｒ２より高い再生出
力をもっており、またＤ50値もほぼ同等となっている。
図１に本発明の代表的な例として、ＶとＰｔを中間層と
して用いた試料の記録再生特性を、曲線１０２と１０５
をもって示したが、高い再生出力を高い記録密度まで保
持していることが分かる。これらの試料においては、Δ
Θ50の値は１０〜４０°の間にあり、また面内と垂直の
残留磁化の比Ｍｒ‖／Ｍｒ⊥は、２から４の間にあるこ
とが表１から分かる。
【００２１】また中間層として、ＮｉやＦｅ膜等の強磁
性材料を用いた場合は、再生出力が他の試料に比較して
高くなっている。これは記録磁性層の裏面に現れる表面
磁荷を打ち消すためと考えられる。
性材料を用いた場合は、再生出力が他の試料に比較して
高くなっている。これは記録磁性層の裏面に現れる表面
磁荷を打ち消すためと考えられる。
【００２２】〔実施例２〕本実施例においては、膜厚が
記録再生特性におよぼす効果を示すことにする。中間層
としては、実施例１に用いたＶを代表例として説明する
ことにする。中間層とＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ層の作製条件は
実施例１と同じであるが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ層を形成す
る時のスパッタリング時間を種々変化させ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ層の厚さが、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎ
ｍ、３００、５００ｎｍの６種類の試料（試料番号２１
〜２５）を作製した。また比較試料としてＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ層の厚さが５０ｎｍの試料Ｒ３と厚さ０．５μｍの
Ｃｒ層の上に、厚さ５０ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ層を設
けた試料Ｒ４を作製した。比較試料Ｒ４は長手記録媒体
として用いられている代表的なものである。これらの試
料の磁気特性、ΔΘ50、記録再生特性の測定を実施例１
と同様な方法で行った。その結果を表２と図３に示す。
記録再生特性におよぼす効果を示すことにする。中間層
としては、実施例１に用いたＶを代表例として説明する
ことにする。中間層とＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ層の作製条件は
実施例１と同じであるが、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ層を形成す
る時のスパッタリング時間を種々変化させ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ層の厚さが、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎ
ｍ、３００、５００ｎｍの６種類の試料（試料番号２１
〜２５）を作製した。また比較試料としてＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ層の厚さが５０ｎｍの試料Ｒ３と厚さ０．５μｍの
Ｃｒ層の上に、厚さ５０ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ層を設
けた試料Ｒ４を作製した。比較試料Ｒ４は長手記録媒体
として用いられている代表的なものである。これらの試
料の磁気特性、ΔΘ50、記録再生特性の測定を実施例１
と同様な方法で行った。その結果を表２と図３に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】これらの結果から、膜厚には最適な領域が
存在することが分かる。すなわち、５０ｎｍとあまり薄
い場合には、低記録密度における再生出力も、記録密度
特性も著しく劣っていることが分かる。しかし、１００
ｎｍ以上になると記録再生特性は次第に向上し、２００
と３００ｎｍの試料では、比較試料に比べても全記録密
度領域において高い再生出力を持っていることが明らか
となった。なお５００ｎｍの試料において、再生出力の
値が若干低下しているのは、膜厚が厚いため磁気ヘッド
の磁場が基板に近い領域で弱くなり、十分に磁化されな
いためと考えられる。
存在することが分かる。すなわち、５０ｎｍとあまり薄
い場合には、低記録密度における再生出力も、記録密度
特性も著しく劣っていることが分かる。しかし、１００
ｎｍ以上になると記録再生特性は次第に向上し、２００
と３００ｎｍの試料では、比較試料に比べても全記録密
度領域において高い再生出力を持っていることが明らか
となった。なお５００ｎｍの試料において、再生出力の
値が若干低下しているのは、膜厚が厚いため磁気ヘッド
の磁場が基板に近い領域で弱くなり、十分に磁化されな
いためと考えられる。
【００２５】一方、これらの試料の磁気特性を見た場
合、優れた特性の得られている試料２３、２４、２５に
おいて、Ｍｒ‖／Ｍｒ⊥は２から４の間にある。一方、
比較試料Ｒ３とＲ４において、Ｍｒ‖／Ｍｒ⊥それぞれ
１７、７、と４より大きくなっている。また、ΔΘ50の
値について見た場合、本発明の試料では試料21を除いて
全て１０°から４０°の間にあり、かつＣ面からの反射
である００２回析線しか観察されなかった。しかし比較
試料Ｒ３においては、００２回析線の他に、１００と１
０１面からの強い回析線が観測され、Ｃ軸が優先配向し
ておらず、他の結晶軸も膜面垂直方向に配向した結晶粒
も含んだ膜となっていることが分かった。
合、優れた特性の得られている試料２３、２４、２５に
おいて、Ｍｒ‖／Ｍｒ⊥は２から４の間にある。一方、
比較試料Ｒ３とＲ４において、Ｍｒ‖／Ｍｒ⊥それぞれ
１７、７、と４より大きくなっている。また、ΔΘ50の
値について見た場合、本発明の試料では試料21を除いて
全て１０°から４０°の間にあり、かつＣ面からの反射
である００２回析線しか観察されなかった。しかし比較
試料Ｒ３においては、００２回析線の他に、１００と１
０１面からの強い回析線が観測され、Ｃ軸が優先配向し
ておらず、他の結晶軸も膜面垂直方向に配向した結晶粒
も含んだ膜となっていることが分かった。
【００２６】なお本発明の実施例として、記録層の例と
してＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜の例のみを示したが、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃ
ｏ−ＣｏＯ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等の、磁気記録媒体用の
材料に対しても、本発明は効果を有していることを確認
している。また、成膜法としてスパッタリング法のみを
取り上げたが、真空蒸着法やイオンビームスパッタリン
グ法、めっき法等でも同様な効果があることは言うまで
もない。
してＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ膜の例のみを示したが、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃ
ｏ−ＣｏＯ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等の、磁気記録媒体用の
材料に対しても、本発明は効果を有していることを確認
している。また、成膜法としてスパッタリング法のみを
取り上げたが、真空蒸着法やイオンビームスパッタリン
グ法、めっき法等でも同様な効果があることは言うまで
もない。
【００２７】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明によれば、基体上に形成した中間層の上にＣｏを主成
分とする磁気記録層を形成して、その結晶軸の１つであ
るＣ軸を優先的に配向させ、かつその配向の程度をΔΘ
50値として１０°から４０°の範囲内で分散をもたせ、
かつその膜厚を０．１０μｍ以上、０．４μｍ以下にす
ることにより、高密度記録状態においても高い再生出力
をもつ媒体を作製することができる。その結果、極端に
薄い膜を用いる必要がなくなり、その機械的な強度を保
証することが容易となる上に、腐食の影響も小さくなり
信頼性の高い媒体を得ることが可能となる。また、その
保磁力も余り高くするする必要がなくなるため、現行の
磁気ヘッドがそのまま使えるという大きな長所も合わせ
持っており、本発明はその実用的かつ経済的な価値は非
常に高い。
明によれば、基体上に形成した中間層の上にＣｏを主成
分とする磁気記録層を形成して、その結晶軸の１つであ
るＣ軸を優先的に配向させ、かつその配向の程度をΔΘ
50値として１０°から４０°の範囲内で分散をもたせ、
かつその膜厚を０．１０μｍ以上、０．４μｍ以下にす
ることにより、高密度記録状態においても高い再生出力
をもつ媒体を作製することができる。その結果、極端に
薄い膜を用いる必要がなくなり、その機械的な強度を保
証することが容易となる上に、腐食の影響も小さくなり
信頼性の高い媒体を得ることが可能となる。また、その
保磁力も余り高くするする必要がなくなるため、現行の
磁気ヘッドがそのまま使えるという大きな長所も合わせ
持っており、本発明はその実用的かつ経済的な価値は非
常に高い。
【図１】ＶとＰｔを中間層として用いた試料及び比較試
料の再生出力の記録密度依存性を示す図である。
料の再生出力の記録密度依存性を示す図である。
【図２】本発明の実施例に用いたスパッタリング装置の
概略図である。
概略図である。
【図３】磁性層の厚さと記録再生特性の関係を示す図で
ある。
ある。
１…中間層用のターゲットホルダ、２…磁気記録層用の
ターゲットホルダ、３…保護膜用ターゲットホルダ、４
…基板、５…基板加熱用ヒータ、１０２…Ｖを中間層に
用いた媒体の記録再生特性グラフ、１０５…Ｐｔを中間
層に用いた媒体の記録再生特性グラフ、Ｒ１…中間層を
用いなかった比較試料の記録再生特性グラフ、Ｒ２…中
間層にＴｉを用いた比較試料の記録再生特性グラフ、２
２…Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａの厚さを１５０ｎｍとした試料の
記録再生特性グラフ、２４…Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａの厚さを
３００ｎｍとした試料の記録再生特性グラフ、Ｒ３…Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａの厚さを５０ｎｍとした比較試料の記録
再生特性グラフ、Ｒ４…厚さ０．５μｍのＣｒ層の上に
厚さを５０ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａを形成した比較試料
の記録再生特性グラフ。
ターゲットホルダ、３…保護膜用ターゲットホルダ、４
…基板、５…基板加熱用ヒータ、１０２…Ｖを中間層に
用いた媒体の記録再生特性グラフ、１０５…Ｐｔを中間
層に用いた媒体の記録再生特性グラフ、Ｒ１…中間層を
用いなかった比較試料の記録再生特性グラフ、Ｒ２…中
間層にＴｉを用いた比較試料の記録再生特性グラフ、２
２…Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａの厚さを１５０ｎｍとした試料の
記録再生特性グラフ、２４…Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａの厚さを
３００ｎｍとした試料の記録再生特性グラフ、Ｒ３…Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａの厚さを５０ｎｍとした比較試料の記録
再生特性グラフ、Ｒ４…厚さ０．５μｍのＣｒ層の上に
厚さを５０ｎｍのＣｏ−Ｃｒ−Ｔａを形成した比較試料
の記録再生特性グラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 本多 幸雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】基体と、該基体上に形成されたＣｒ、Ｖ、
Ｓｎ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｆ
ｅおよびＡｌからなる群の中から選ばれた少なくとも１
種からなる中間層と、該中間層上に形成されたＣｏを主
成分とする強磁性磁気記録層を有することを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項２】上記磁気記録層の厚さは０．１〜０．５μ
ｍの範囲にある請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】上記磁気記録層の厚さは０．１５〜０．３
μｍの範囲にある請求項２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】上記磁気記録層は稠密六方晶構造をもち、
そのＣ軸は膜面垂直方向に優先的に配向しており、Ｘ線
回析装置を用いてＣ面のロッキング曲線を測定した時の
半値幅が１０°から４０°の間にある請求項１又は２記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】上記磁気記録層の面内方向に磁場をかけて
測定した磁化曲線から求めた残留磁化の値Ｍr‖と、垂
直方向に測定した磁化曲線から求めた残留磁化の値Ｍr
⊥の比が２≦Ｍr‖／Ｍr⊥≦４である請求項１又は２記
載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23442591A JPH0573877A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23442591A JPH0573877A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573877A true JPH0573877A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16970821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23442591A Withdrawn JPH0573877A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573877A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6663988B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-12-16 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and method for evaluating inclination distribution of crystal planes on the magnetic film surface |
| US8179642B2 (en) | 2009-09-22 | 2012-05-15 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP structure and magnetic disk device |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP23442591A patent/JPH0573877A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6663988B2 (en) | 2000-04-27 | 2003-12-16 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and method for evaluating inclination distribution of crystal planes on the magnetic film surface |
| US8179642B2 (en) | 2009-09-22 | 2012-05-15 | Tdk Corporation | Magnetoresistive effect element in CPP structure and magnetic disk device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |