JP2833190B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、情報記録する磁気デイスク装置に用いられ
る磁気記録媒体に関し、詳しくは磁性層の下に改良され
た下地層を有する磁気記録媒体に関する。
る磁気記録媒体に関し、詳しくは磁性層の下に改良され
た下地層を有する磁気記録媒体に関する。
「従来の技術」 現在コンピューターなどの外部記録装置としては、磁
気記録装置が用いられている。なかでも磁気記録媒体と
して硬質なデイスク基板を用いたハードデイスク型の磁
気記録装置は、大容量でアクセス速度が早いため広く普
及しつつある。そしてこのような装置に用いられる磁気
デイスクの基板としてアルミニウムの基板が用いられ、
さらに高密度の磁気記録を実現するために平坦性がよい
ガラス基板が用いられつつある。特開平１−173427号公
報には、磁性層と非磁性支持体との間に相異なる金属か
らなる２層の下地層を介在させて磁気特性を改善したも
のが開示されている。
気記録装置が用いられている。なかでも磁気記録媒体と
して硬質なデイスク基板を用いたハードデイスク型の磁
気記録装置は、大容量でアクセス速度が早いため広く普
及しつつある。そしてこのような装置に用いられる磁気
デイスクの基板としてアルミニウムの基板が用いられ、
さらに高密度の磁気記録を実現するために平坦性がよい
ガラス基板が用いられつつある。特開平１−173427号公
報には、磁性層と非磁性支持体との間に相異なる金属か
らなる２層の下地層を介在させて磁気特性を改善したも
のが開示されている。
「発明が解決しようとする課題」 しかしながら、上記の従来技術に開示されている磁気
記録媒体では、下地層の厚みを厚くすることなく磁性層
の保持力を大きくできるという利点を有するが、得られ
る磁気記録媒体の保磁力は、前記の公報に開示されてい
るように1000Oe程度であり、高保磁力を要求される磁気
記録媒体としては必ずしも要求も満たすものではないと
いう問題点があった。
記録媒体では、下地層の厚みを厚くすることなく磁性層
の保持力を大きくできるという利点を有するが、得られ
る磁気記録媒体の保磁力は、前記の公報に開示されてい
るように1000Oe程度であり、高保磁力を要求される磁気
記録媒体としては必ずしも要求も満たすものではないと
いう問題点があった。
ところで、磁気記録媒体の保磁力は、磁性層の結晶粒
径や結晶の配向などの結晶特性に関係し、なかでも結晶
粒径に密接に関係することが知られている。また磁性層
は下地層の上に積層されるときに、その結晶特性なかで
も結晶粒径は、下地層の結晶粒径や表面状態により影響
を受けることが知られている。したがって高保磁力の磁
性層を得るには、磁性層が接する下地層の結晶状態を制
御することが重要であって、それには磁性層に接する下
地層の材料を適切に選び、かつ前記下地層の結晶成長を
制御することが重要である。
径や結晶の配向などの結晶特性に関係し、なかでも結晶
粒径に密接に関係することが知られている。また磁性層
は下地層の上に積層されるときに、その結晶特性なかで
も結晶粒径は、下地層の結晶粒径や表面状態により影響
を受けることが知られている。したがって高保磁力の磁
性層を得るには、磁性層が接する下地層の結晶状態を制
御することが重要であって、それには磁性層に接する下
地層の材料を適切に選び、かつ前記下地層の結晶成長を
制御することが重要である。
本発明の目的は、下地層を改良することにより磁性層
の結晶性を改良し、もって高保磁力の磁気記録媒体を提
供するにある。
の結晶性を改良し、もって高保磁力の磁気記録媒体を提
供するにある。
「課題を解決するための手段」 本発明は、非磁性支持体上に下地層、磁性層、保護層
が順次積層されている磁気記録媒体であって、前記下地
層が前記非磁性支持体側から数えて第１の下地層と第２
の下地層とからなり、前記第１の下地層がTi、Zr、Hf、
Ｖ、Nb、Ta、Cr、MoおよびＷからなる金属群から選ばれ
た１種の金属とＹとからなる非晶質の層または微結晶か
らなる層であり、前記第２の下地層が金属の層である磁
気記録媒体である。
が順次積層されている磁気記録媒体であって、前記下地
層が前記非磁性支持体側から数えて第１の下地層と第２
の下地層とからなり、前記第１の下地層がTi、Zr、Hf、
Ｖ、Nb、Ta、Cr、MoおよびＷからなる金属群から選ばれ
た１種の金属とＹとからなる非晶質の層または微結晶か
らなる層であり、前記第２の下地層が金属の層である磁
気記録媒体である。
本発明にかかる第１の下地層は、Ti、Zr、Hf、Ｖ、N
b、Ta、Cr、MoおよびＷからなる金属群から選ばれた１
種の金属とＹとからなり、非晶質の層であるか微結晶の
層であるか微結晶を含む非晶質の層であることを特徴と
する。ここでいう微結晶とは第２の下地層あるいは磁性
層の結晶粒径よりも小さい結晶粒径であって、10nm以下
であることが好ましい。
b、Ta、Cr、MoおよびＷからなる金属群から選ばれた１
種の金属とＹとからなり、非晶質の層であるか微結晶の
層であるか微結晶を含む非晶質の層であることを特徴と
する。ここでいう微結晶とは第２の下地層あるいは磁性
層の結晶粒径よりも小さい結晶粒径であって、10nm以下
であることが好ましい。
第１の下地層としては、前記のように非晶質の層であ
るか微結晶の層であるか微結晶を含む非晶質の層であっ
て、非磁性支持体との密着性がよく、かつ、第２の下地
層、磁性層、保護層を順次形成するときに非磁性支持体
から放出され磁気特性に悪い影響を及ぼす水分などのガ
スを吸蔵し、第２の下地層や磁性層にガスが到達しない
ようなガスのバリヤーとなりうるものが好ましい。この
ようなものとして、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,MoおよびＷか
らなる金属群から選ばれた１種の金属とＹ（イットリウ
ム）とからなる非晶質の層や、微結晶層や微結晶を含む
非晶質の層があげられる。TiとY,ZrとY,HfとY,VとY,Nb
とY,TaとY,CrとY,MoとＹ、ＷとＹの二成分系では、Ｙが
２〜20％と広い組成範囲にわたってＹが一方の金属に固
溶しない非晶質または微結晶質の薄膜層が得られる。ま
た、上記の金属群から複数を選ぶこともできる。
るか微結晶の層であるか微結晶を含む非晶質の層であっ
て、非磁性支持体との密着性がよく、かつ、第２の下地
層、磁性層、保護層を順次形成するときに非磁性支持体
から放出され磁気特性に悪い影響を及ぼす水分などのガ
スを吸蔵し、第２の下地層や磁性層にガスが到達しない
ようなガスのバリヤーとなりうるものが好ましい。この
ようなものとして、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,MoおよびＷか
らなる金属群から選ばれた１種の金属とＹ（イットリウ
ム）とからなる非晶質の層や、微結晶層や微結晶を含む
非晶質の層があげられる。TiとY,ZrとY,HfとY,VとY,Nb
とY,TaとY,CrとY,MoとＹ、ＷとＹの二成分系では、Ｙが
２〜20％と広い組成範囲にわたってＹが一方の金属に固
溶しない非晶質または微結晶質の薄膜層が得られる。ま
た、上記の金属群から複数を選ぶこともできる。
第２の下地層が大きい保持力をもった磁気記録媒体を
得る上で好都合に結晶成長するためには、本発明にかか
る第１の下地層の厚みは10〜50nmの範囲とするのが好ま
しく、さらには20〜35nmとするのが好ましい。第１の下
地層の厚みが10nmより薄いと第２の下地層及び磁性層の
結晶成長を調整することが困難になり、また50nmより厚
いと第１の下地層の結晶粒径が大きくなるので好ましく
ない。
得る上で好都合に結晶成長するためには、本発明にかか
る第１の下地層の厚みは10〜50nmの範囲とするのが好ま
しく、さらには20〜35nmとするのが好ましい。第１の下
地層の厚みが10nmより薄いと第２の下地層及び磁性層の
結晶成長を調整することが困難になり、また50nmより厚
いと第１の下地層の結晶粒径が大きくなるので好ましく
ない。
磁性層に接して設けられる本発明にかかる第２の下地
層としては、金属の結晶層であることを必要とする。ま
た第２の下地層としては、その上に被覆される磁性層の
結晶の面間隔に近い面間隔を有し、かつ第１の下地層に
より結晶粒径の成長が制御されるものが好ましい。磁性
層がコバルト−ニッケル系、コバルト−ニッケル−クロ
ム系、コバルト−クロム−タンタル系などの場合、この
ような金属層としては,Cr、Biなどの層が例示でき、と
りわけCrの層が好ましい。
層としては、金属の結晶層であることを必要とする。ま
た第２の下地層としては、その上に被覆される磁性層の
結晶の面間隔に近い面間隔を有し、かつ第１の下地層に
より結晶粒径の成長が制御されるものが好ましい。磁性
層がコバルト−ニッケル系、コバルト−ニッケル−クロ
ム系、コバルト−クロム−タンタル系などの場合、この
ような金属層としては,Cr、Biなどの層が例示でき、と
りわけCrの層が好ましい。
また、本発明において、第１の下地層と非磁性支持体
との間に、保護層の表面に凹凸を形成するように凹凸形
成層を介在させることができる。ここで用いられる凹凸
形成層は、非磁性支持体との密着性がよく、かつ第１の
下地層との密着性がよいものが好ましく、Al,Ag,Cu,Bi,
Snなどの低融点金属からなる層が好んで用いられる。そ
して前記凹凸形成層は、第１の下地層と非磁性支持体を
隔離するように連続膜として介在させてもよく、たとえ
ば島状のように離散的に非磁性支持体上に設けてもよ
い。
との間に、保護層の表面に凹凸を形成するように凹凸形
成層を介在させることができる。ここで用いられる凹凸
形成層は、非磁性支持体との密着性がよく、かつ第１の
下地層との密着性がよいものが好ましく、Al,Ag,Cu,Bi,
Snなどの低融点金属からなる層が好んで用いられる。そ
して前記凹凸形成層は、第１の下地層と非磁性支持体を
隔離するように連続膜として介在させてもよく、たとえ
ば島状のように離散的に非磁性支持体上に設けてもよ
い。
本発明の磁気記録媒体の第１の下地層、第２の下地
層、磁性層および保護層さらには、凹凸形成層は、公知
のスパッタリング法により連続的に一つのプロセスとし
て形成することができる。そして第１の下地層の形成に
あたっては、非磁性支持体は室温の状態で形成してもよ
く、加熱した状態で形成してもよい。また加熱温度は第
２の下地層および磁性層を形成するときの温度域と同じ
の250〜400℃とすることができる。
層、磁性層および保護層さらには、凹凸形成層は、公知
のスパッタリング法により連続的に一つのプロセスとし
て形成することができる。そして第１の下地層の形成に
あたっては、非磁性支持体は室温の状態で形成してもよ
く、加熱した状態で形成してもよい。また加熱温度は第
２の下地層および磁性層を形成するときの温度域と同じ
の250〜400℃とすることができる。
第２の下地層の形成にあたっては、非磁性支持体を加
熱した状態でおこなうことは、第２の下地層の結晶性
を、高保磁力の磁性層がその上に成長するように制御す
る上で好ましい。また第２の下地層の上に積層される磁
性層は、第２の下地層の表面からエピタキシヤル成長さ
せる上で、非磁性支持体を加熱した状態で形成するのが
好ましい。
熱した状態でおこなうことは、第２の下地層の結晶性
を、高保磁力の磁性層がその上に成長するように制御す
る上で好ましい。また第２の下地層の上に積層される磁
性層は、第２の下地層の表面からエピタキシヤル成長さ
せる上で、非磁性支持体を加熱した状態で形成するのが
好ましい。
また、本発明にかかる凹凸形成層を非磁性支持体上に
形成する場合は、低融点金属が基体に被覆されるときの
凝集力を大きくする上で、凹凸形成層を被覆するときの
非磁性支持体の温度は高く維持することが好ましく、10
0℃以上に加熱することが好ましい。本発明にかかる保
護層としては、公知のカーボン膜やSiO2膜を用いること
ができ、カーボン膜はたとえばスパッタリング法によ
り、SiO2膜はスパッタリング法やディッピング法やスピ
ンコート法により形成することができる。さらにこれら
の膜の上にパーフロロアルキルなどの潤滑油を塗布する
ことができる。
形成する場合は、低融点金属が基体に被覆されるときの
凝集力を大きくする上で、凹凸形成層を被覆するときの
非磁性支持体の温度は高く維持することが好ましく、10
0℃以上に加熱することが好ましい。本発明にかかる保
護層としては、公知のカーボン膜やSiO2膜を用いること
ができ、カーボン膜はたとえばスパッタリング法によ
り、SiO2膜はスパッタリング法やディッピング法やスピ
ンコート法により形成することができる。さらにこれら
の膜の上にパーフロロアルキルなどの潤滑油を塗布する
ことができる。
本発明にかかる非磁性支持体としては、ソーダライム
組成や硼珪酸組成のガラス基板やアルミニウム基板を用
いることができる。
組成や硼珪酸組成のガラス基板やアルミニウム基板を用
いることができる。
「作用」 本発明にかかる非晶質または微結晶質からなる第１の
下地層は、その上に順次積層される第２の下地層および
磁性層が形成されるに際しては、結晶成長に影響を及ぼ
し、磁性層の結晶粒径が大きく成長するのを抑制する。
これにより磁性層は保磁力が大きくかつ媒体ノイズが小
さくなる。
下地層は、その上に順次積層される第２の下地層および
磁性層が形成されるに際しては、結晶成長に影響を及ぼ
し、磁性層の結晶粒径が大きく成長するのを抑制する。
これにより磁性層は保磁力が大きくかつ媒体ノイズが小
さくなる。
「実施例」 本発明を以下に実施例に基づいて説明する。第１図
は、本発明の磁気記録媒体の一部断面図で、非磁性支持
体１の上に非晶質または微結晶質の第１の下地層２が被
覆され、第１の下地層２の上に第２の金属の下地層３が
被覆され、第２の下地層３の上に磁性層４が被覆され、
さらに磁性層４の上に保護層５が被覆されている。第２
図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図で、非磁性支持
体１の上に結晶質の第１の下地層６が被覆され、第１の
下地層６の上に第２の下地層３が被覆され、第２の下地
層３の上に磁性層４が被覆され、さらに磁性層４の上に
保護層５が被覆されている。また第１図、第２図の磁気
記録媒体を構成する層の結晶粒界が模式的に記されてい
る。
は、本発明の磁気記録媒体の一部断面図で、非磁性支持
体１の上に非晶質または微結晶質の第１の下地層２が被
覆され、第１の下地層２の上に第２の金属の下地層３が
被覆され、第２の下地層３の上に磁性層４が被覆され、
さらに磁性層４の上に保護層５が被覆されている。第２
図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図で、非磁性支持
体１の上に結晶質の第１の下地層６が被覆され、第１の
下地層６の上に第２の下地層３が被覆され、第２の下地
層３の上に磁性層４が被覆され、さらに磁性層４の上に
保護層５が被覆されている。また第１図、第２図の磁気
記録媒体を構成する層の結晶粒界が模式的に記されてい
る。
実施例１ ４つのカソードを備えたインライン型スパッタ装置の
カソードに10原子％のＹを含むTi、Cr金属,Co62.5％Ni3
0％のCr7.5％の組成の磁性合金、カーボンをターゲット
として設置した。そしてよく洗浄されたソーダライムガ
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）をロ
ード室にセットし、その後スパッタ装置の上記ターゲッ
トが設置されているコーテイング室を順次横切るように
移動させながら上記ターゲットをArガスでスパッタリン
グし、ガラス基板上に下地層、磁性層、保護層を順次被
覆した。第１の下地層は室温のガラス基板に被覆し，そ
の後ガラス基板を350℃に加熱し、その温度で第２の下
地層、磁性層、保護層を被覆した。ターゲットに加える
電力を調整して、30nmのTiとＹとからなる第１の下地
層,150nmのCrからなる第２の下地層、60nmの磁性層、30
nmのカーボンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を
得た。
カソードに10原子％のＹを含むTi、Cr金属,Co62.5％Ni3
0％のCr7.5％の組成の磁性合金、カーボンをターゲット
として設置した。そしてよく洗浄されたソーダライムガ
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）をロ
ード室にセットし、その後スパッタ装置の上記ターゲッ
トが設置されているコーテイング室を順次横切るように
移動させながら上記ターゲットをArガスでスパッタリン
グし、ガラス基板上に下地層、磁性層、保護層を順次被
覆した。第１の下地層は室温のガラス基板に被覆し，そ
の後ガラス基板を350℃に加熱し、その温度で第２の下
地層、磁性層、保護層を被覆した。ターゲットに加える
電力を調整して、30nmのTiとＹとからなる第１の下地
層,150nmのCrからなる第２の下地層、60nmの磁性層、30
nmのカーボンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を
得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は1350Oe、S/N比は40d
Bであった。
Bであった。
同様な方法でガラス基板の上にTiとＹとからなる膜の
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
実施例２ 実施例１で用いたのと同じインライン型スパッタ装置
のカソードに３原子％のＹを含むTi、Cr金属,Co62.5％N
i30％Cr7.5％の組成の磁性合金、カーボンをターゲット
として設置した。そしてよく洗浄されたソーダライムガ
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）をロ
ード室にセットし、その後スパッタ装置の上記ターゲッ
トが設置されているコーテイング室を順次横切るように
移動させながら上記ターゲットをスパッタリングし、ガ
ラス基板上に下地層、磁性層、保護層を順次被覆した。
第１の下地層は室温のガラス基板に被覆し、その後ガラ
ス基板を350℃に加熱し、その温度で第２の下地層、磁
性層、保護層を被覆した。ターゲットに加える電力を調
整して、30nmのTiとＹとからなる第１の下地層,150nmの
Crからなる第２の下地層、60nmの磁性層、30nmのカーボ
ンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
のカソードに３原子％のＹを含むTi、Cr金属,Co62.5％N
i30％Cr7.5％の組成の磁性合金、カーボンをターゲット
として設置した。そしてよく洗浄されたソーダライムガ
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）をロ
ード室にセットし、その後スパッタ装置の上記ターゲッ
トが設置されているコーテイング室を順次横切るように
移動させながら上記ターゲットをスパッタリングし、ガ
ラス基板上に下地層、磁性層、保護層を順次被覆した。
第１の下地層は室温のガラス基板に被覆し、その後ガラ
ス基板を350℃に加熱し、その温度で第２の下地層、磁
性層、保護層を被覆した。ターゲットに加える電力を調
整して、30nmのTiとＹとからなる第１の下地層,150nmの
Crからなる第２の下地層、60nmの磁性層、30nmのカーボ
ンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は1350Oe、S/N比は40d
Bであった。
Bであった。
同様な方法でガラス基板の上にTiとＹとからなる膜の
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンピルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンピルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
実施例３ 実施例１で用いたのと同じインライン型スパッタ装置
のカソードに15原子％のＹを含むTi、Cr金属,Co62.5％N
i30％Cr7.5％の組成の磁性合金、カーボンをターゲット
として設置した。そしてよく洗浄されたソーダライムガ
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）をロ
ード室にセットし、その後スパッタ装置の上記ターゲッ
トが設置されているコーテイング室を順次横切るように
移動させながら上記ターゲットをスパッタリングし、ガ
ラス基板上に下地層、磁性層、保護層を順次被覆した。
第１の下地層は室温のガラス基板に被覆し，その後ガラ
ス基板を350℃に加熱し、その温度で第２の下地層、磁
性層、保護層を被覆した。ターゲットに加える電力を調
整して、30nmのTiとＹとからなる第１の下地層,150nmの
Crからなる第２の下地層、60nmの磁性層、30nmのカーボ
ンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
のカソードに15原子％のＹを含むTi、Cr金属,Co62.5％N
i30％Cr7.5％の組成の磁性合金、カーボンをターゲット
として設置した。そしてよく洗浄されたソーダライムガ
ラス基板（円盤状に加工され化学強化されたもの）をロ
ード室にセットし、その後スパッタ装置の上記ターゲッ
トが設置されているコーテイング室を順次横切るように
移動させながら上記ターゲットをスパッタリングし、ガ
ラス基板上に下地層、磁性層、保護層を順次被覆した。
第１の下地層は室温のガラス基板に被覆し，その後ガラ
ス基板を350℃に加熱し、その温度で第２の下地層、磁
性層、保護層を被覆した。ターゲットに加える電力を調
整して、30nmのTiとＹとからなる第１の下地層,150nmの
Crからなる第２の下地層、60nmの磁性層、30nmのカーボ
ンの保護層が順次積層された磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は1350Oe、S/N比は40d
Bであった。
Bであった。
同様な方法でガラス基板の上にTiとＹとからなる膜の
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
実施例４ 第１の下地層、第２の下地層、磁性層、保護層のすべ
ての層をガラス基板を350℃に加熱した状態で被覆した
ことのほかは、実施例１と同じようにして、30nmのTiと
Ｙとからなる第１の下地層,150nmのCrからなる第２の下
地層、60nmの磁性層、30nmのカーボンの保護層が順次積
層された磁気記録媒体を得た。
ての層をガラス基板を350℃に加熱した状態で被覆した
ことのほかは、実施例１と同じようにして、30nmのTiと
Ｙとからなる第１の下地層,150nmのCrからなる第２の下
地層、60nmの磁性層、30nmのカーボンの保護層が順次積
層された磁気記録媒体を得た。
得られた磁気記録媒体の保磁力は1350Oe、S/N比は40d
Bであった。
Bであった。
同様な方法でガラス基板の上にTiとＹとからなる膜の
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
みを30nm被覆した。この膜をＸ線回折法で結晶性を調べ
たところ、Tiの金属結晶に基づく回折ピークは認められ
なかった。また、電子顕微鏡で観察したところ、粒径が
10nm以下の微結晶が観察された。
また、前記の磁気記録媒体とは、保護層のみをを被覆
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
しない最上層が磁性層になっているサンプルを製作し、
このサンプルの磁性層表面を電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、この磁性層は約40nmの粒径の結晶からなっているこ
とが認められた。
比較例１ 実施例１で用いたスパッタ装置で、10原子％のＹを含
むTiの代わりに、Ti金属をターゲットとして設置し用い
たことの他は全く同じようにして、下地層、磁性層、保
護層を順次被覆した。これにより、30nmのTi金属からな
る第１の下地層,150nmのCrからなる第２の下地層、60nm
の磁性層、30nmのカーボン保護層が順次積層された磁気
記録媒体の比較サンプルを得た。
むTiの代わりに、Ti金属をターゲットとして設置し用い
たことの他は全く同じようにして、下地層、磁性層、保
護層を順次被覆した。これにより、30nmのTi金属からな
る第１の下地層,150nmのCrからなる第２の下地層、60nm
の磁性層、30nmのカーボン保護層が順次積層された磁気
記録媒体の比較サンプルを得た。
得られた磁気記録媒体の比較サンプルの保磁力は1200
Oe、S/N比は38dBであった。
Oe、S/N比は38dBであった。
同様な方法でガラス基板の上にTi膜のみを30nm被覆し
た。この膜をＹ線回折法で結晶性を調べたところ、Tiの
金属結晶に基づく回折ピークが認められた。また電子顕
微鏡で観察したところ、粒径が30nm程度の結晶が観察さ
れた。
た。この膜をＹ線回折法で結晶性を調べたところ、Tiの
金属結晶に基づく回折ピークが認められた。また電子顕
微鏡で観察したところ、粒径が30nm程度の結晶が観察さ
れた。
また、前記の磁気記録媒体の比較サンプルとは、保護
層を被覆しない点でのみ異なる、最上層が磁性層になっ
ているサンプルを製作し、このサンプルの磁性層表面を
電子顕微鏡で観察したところ、この磁性層は約100nmと
大きい粒径の結晶からなっていることが認められた。
層を被覆しない点でのみ異なる、最上層が磁性層になっ
ているサンプルを製作し、このサンプルの磁性層表面を
電子顕微鏡で観察したところ、この磁性層は約100nmと
大きい粒径の結晶からなっていることが認められた。
以上より、本発明の第１の下地層は、磁性層に接する
第２の下地層を介して磁性層の結晶粒径が大きくなるの
を抑制し、高保磁力の磁性層とすることが分かる。また
この第１の下地層は、室温の基板および加熱された基板
のいずれの基板にも形成できることが分かる。
第２の下地層を介して磁性層の結晶粒径が大きくなるの
を抑制し、高保磁力の磁性層とすることが分かる。また
この第１の下地層は、室温の基板および加熱された基板
のいずれの基板にも形成できることが分かる。
「発明の効果」 本発明の磁気記録媒体は、下地層により磁性層の結晶
粒径が制御されているので高保持力を有するとともに、
媒体ノイズが小さい。また、本発明の磁気記録媒体を構
成する薄膜層を形成するにあたっては、薄膜層のすべて
を同一温度域で形成することができる。
粒径が制御されているので高保持力を有するとともに、
媒体ノイズが小さい。また、本発明の磁気記録媒体を構
成する薄膜層を形成するにあたっては、薄膜層のすべて
を同一温度域で形成することができる。
第１図は、本発明の磁気記録媒体の一実施例の一部断面
図で、第２図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図であ
る。 １……非磁性支持体、２……非晶質または微結晶質の第
１の下地層、３……第２の下地層、４……磁性層、５…
…保護層、６……結晶質の第１の下地層
図で、第２図は比較例の磁気記録媒体の一部断面図であ
る。 １……非磁性支持体、２……非晶質または微結晶質の第
１の下地層、３……第２の下地層、４……磁性層、５…
…保護層、６……結晶質の第１の下地層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−198534（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−240429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−50218（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−58730（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/66 G11B 5/82
Claims (4)
- 【請求項１】非磁性支持体上に下地層、磁性層、保護層
が順次積層されている磁気記録媒体において、前記下地
層が前記非磁性支持体側から数えて第１の下地層と第２
の下地層とからなり、前記第１の下地層がTi、Zr、Hf、
Ｖ、Nb、Ta、Cr、MoおよびＷからなる金属群から選ばれ
た１種の金属とＹとからなる非晶質の層または微結晶か
らなる層であり、前記第２の下地層が金属の層であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記第１の下地層の厚みが10〜50nmである
ことを特徴とする特許請求範囲第１項に記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項３】前記第１の下地層がTiとＹとからなる層で
あり、前記第２の下地層がCrの層であることを特徴とす
る特許請求範囲第１項または第２項に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項４】前記第１の下地層と前記非磁性支持体との
間に、前記保護層の表面に凹凸を形成するように凹凸形
成層が設けられたことを特徴とする特許請求範囲第１項
ないし第３項のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27610990A JP2833190B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27610990A JP2833190B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04153910A JPH04153910A (ja) | 1992-05-27 |
| JP2833190B2 true JP2833190B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=17564923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27610990A Expired - Lifetime JP2833190B2 (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833190B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW390998B (en) | 1996-05-20 | 2000-05-21 | Hitachi Ltd | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| WO1998006093A1 (fr) * | 1996-05-20 | 1998-02-12 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique et dispositif de memoire magnetique utilisant un tel support |
| US7116527B1 (en) | 1996-09-30 | 2006-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect device having hard magnetic film structural body |
| JP3371062B2 (ja) | 1996-11-05 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記憶装置 |
| US6221508B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-04-24 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media |
| JP2000020937A (ja) | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置 |
| US7060376B1 (en) | 2001-12-06 | 2006-06-13 | Seagate Technology Llc | Amorphous soft underlayers for perpendicular recording media |
| US6677052B2 (en) * | 2002-05-29 | 2004-01-13 | Hitachi Global Storage Technologies | Preseed layer for a magnetic recording disk |
| US8685547B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-04-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP27610990A patent/JP2833190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04153910A (ja) | 1992-05-27 |
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