JPH0773441A - 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH0773441A JPH0773441A JP5257176A JP25717693A JPH0773441A JP H0773441 A JPH0773441 A JP H0773441A JP 5257176 A JP5257176 A JP 5257176A JP 25717693 A JP25717693 A JP 25717693A JP H0773441 A JPH0773441 A JP H0773441A
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- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板に等方向性のテキスチャーを形成して
も、高保磁力が得られる金属薄膜型磁気記録媒体及びそ
の製造方法を提供する。 【構成】 非磁性基板１の表面側に非磁性下地層３、一
軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層４が
同順序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体であ
る。前記基板１の上に酸素を含有したアモルファス状の
非磁性金属からなるシード層２あるいは表面側に酸素原
子が結合したアモルファス状の非磁性金属からなるシー
ド層２が形成され、該シード層２の上に非磁性下地層３
が積層されている。また、前記基板１の上にアモルファ
ス状のＣｒ合金又はＶ合金からなるシード層２が形成さ
れ、該シード層２の上に非磁性下地層３が積層されてい
る。
も、高保磁力が得られる金属薄膜型磁気記録媒体及びそ
の製造方法を提供する。 【構成】 非磁性基板１の表面側に非磁性下地層３、一
軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層４が
同順序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体であ
る。前記基板１の上に酸素を含有したアモルファス状の
非磁性金属からなるシード層２あるいは表面側に酸素原
子が結合したアモルファス状の非磁性金属からなるシー
ド層２が形成され、該シード層２の上に非磁性下地層３
が積層されている。また、前記基板１の上にアモルファ
ス状のＣｒ合金又はＶ合金からなるシード層２が形成さ
れ、該シード層２の上に非磁性下地層３が積層されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高保磁力を有する磁気記
録媒体及びその製造方法に関する。
録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度記録化に伴
って、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を非磁性基板上に
Ｃｒ下地層を介して積層成膜した金属薄膜型磁気記録媒
体が用いられている。従来、非磁性基板として、Ａ１合
金板上に非晶質ＮｉＰメッキ層が形成されたＡｌ合金・
ＮｉＰ基板が使用されており、その表面にはテキスチャ
ーと呼ばれる微細凹凸が円周方向に沿って機械的に加工
されていた。機械的テキスチャーは、ヘッド・媒体間の
摩擦を軽減し、ＣＳＳ（コンスタント・スタート・スト
ップ）特性を向上させると共に、その表面側に形成され
るＣｏ合金磁性層の周方向の磁気的異方性を向上させ、
保磁力を向上させる作用を有する。一方、Ｃｒ下地層
は、該下地層を構成するＣｒの結晶構造が、その上に成
膜されるＣｏ合金磁性層の磁気異方性を示す結晶軸（Ｃ
軸）を面内配向させるように作用し、保磁力を向上させ
る作用を有する。
って、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等の一軸結晶磁気異
方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を非磁性基板上に
Ｃｒ下地層を介して積層成膜した金属薄膜型磁気記録媒
体が用いられている。従来、非磁性基板として、Ａ１合
金板上に非晶質ＮｉＰメッキ層が形成されたＡｌ合金・
ＮｉＰ基板が使用されており、その表面にはテキスチャ
ーと呼ばれる微細凹凸が円周方向に沿って機械的に加工
されていた。機械的テキスチャーは、ヘッド・媒体間の
摩擦を軽減し、ＣＳＳ（コンスタント・スタート・スト
ップ）特性を向上させると共に、その表面側に形成され
るＣｏ合金磁性層の周方向の磁気的異方性を向上させ、
保磁力を向上させる作用を有する。一方、Ｃｒ下地層
は、該下地層を構成するＣｒの結晶構造が、その上に成
膜されるＣｏ合金磁性層の磁気異方性を示す結晶軸（Ｃ
軸）を面内配向させるように作用し、保磁力を向上させ
る作用を有する。
【０００３】最近、ハードディスク装置の小型化と大容
量化に拍車がかかり、それに応じた磁気記録媒体の開発
が求められている。磁気記録媒体の高密度記録化が進む
と、記録ビットサイズが小さくなるために、磁気ヘッド
の浮上量をできるだけ小さくして読み出し出力を上げな
ければならない。そのためには磁性層が成膜される非磁
性基板の平滑化を促進して、ヘッドの低浮上化を図る必
要がある。
量化に拍車がかかり、それに応じた磁気記録媒体の開発
が求められている。磁気記録媒体の高密度記録化が進む
と、記録ビットサイズが小さくなるために、磁気ヘッド
の浮上量をできるだけ小さくして読み出し出力を上げな
ければならない。そのためには磁性層が成膜される非磁
性基板の平滑化を促進して、ヘッドの低浮上化を図る必
要がある。
【０００４】このため、非磁性基板として、前記Ａｌ合
金・ＮｉＰ基板に代わってガラス基板が用いられるよう
になり、機械的加工による方向性のあるテキスチャーか
ら化学的腐食による等方向（無方向）性のテキスチャー
が形成されるようになった。機械的加工により形成した
テキスチャーには微小なバリ状突起が形成され易く、こ
れがヘッドの低浮上化を困難にしていたからである。
金・ＮｉＰ基板に代わってガラス基板が用いられるよう
になり、機械的加工による方向性のあるテキスチャーか
ら化学的腐食による等方向（無方向）性のテキスチャー
が形成されるようになった。機械的加工により形成した
テキスチャーには微小なバリ状突起が形成され易く、こ
れがヘッドの低浮上化を困難にしていたからである。
【０００５】また、高記録密度化に伴い、ビットサイズ
が小さくなると共にトラック間隔が小さくなると、異方
性のある媒体よりも等方性のものの方が読み出し・書き
込み特性が向上することがＪ．Ｇ．Ｚｈｕ等により指摘
されており（「IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS」第28
巻、第2716頁、1992年発行) 、この点からも、等方向性
のテキスチャーを形成することが好ましい。
が小さくなると共にトラック間隔が小さくなると、異方
性のある媒体よりも等方性のものの方が読み出し・書き
込み特性が向上することがＪ．Ｇ．Ｚｈｕ等により指摘
されており（「IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS」第28
巻、第2716頁、1992年発行) 、この点からも、等方向性
のテキスチャーを形成することが好ましい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、等方向性のテ
キスチャーを形成すると、結晶磁気異方性の向上が期待
できないため、磁気記録媒体の保磁力が低下するという
問題がある。本発明は基板に等方向性のテキスチャーを
形成しても、高保磁力が得られる金属薄膜型磁気記録媒
体及びその製造方法を提供することを目的とする。
キスチャーを形成すると、結晶磁気異方性の向上が期待
できないため、磁気記録媒体の保磁力が低下するという
問題がある。本発明は基板に等方向性のテキスチャーを
形成しても、高保磁力が得られる金属薄膜型磁気記録媒
体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の金属薄膜型磁気
記録媒体は、非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一軸
結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層が同順
序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体において、
前記基板の上に酸素を含有したアモルファス状の非磁性
金属からなるシード層あるいは表面側に酸素原子が結合
したアモルファス状の非磁性金属からなるシード層が形
成され、該シード層の上に非磁性下地層が積層されてい
る。また、前記基板の上にアモルファス状のＣｒ合金又
はＶ合金からなるシード層が形成され、該シード層の上
に非磁性下地層が積層されている。Ｃｒ合金又はＶ合金
としてはＴａを含有したものが好適である。
記録媒体は、非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一軸
結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層が同順
序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体において、
前記基板の上に酸素を含有したアモルファス状の非磁性
金属からなるシード層あるいは表面側に酸素原子が結合
したアモルファス状の非磁性金属からなるシード層が形
成され、該シード層の上に非磁性下地層が積層されてい
る。また、前記基板の上にアモルファス状のＣｒ合金又
はＶ合金からなるシード層が形成され、該シード層の上
に非磁性下地層が積層されている。Ｃｒ合金又はＶ合金
としてはＴａを含有したものが好適である。
【０００８】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一軸結晶磁
気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を同順序でス
パッタリングにより積層成膜する金属薄膜型磁気記録媒
体の製造方法において、前記基板の上に、希ガスとＯ2
ガスとの混合ガス雰囲気下で酸素を含有したアモルファ
ス状の非磁性金属からなるシード層を成膜し、該シード
層の上に非磁性下地層を積層成膜する。また、前記基板
の上に、アモルファス状の非磁性金属層を成膜し、該金
属層の表面に酸素原子をインプランテーションしてシー
ド層を形成し、該シード層の上に非磁性下地層を積層成
膜する。
法は、非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一軸結晶磁
気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を同順序でス
パッタリングにより積層成膜する金属薄膜型磁気記録媒
体の製造方法において、前記基板の上に、希ガスとＯ2
ガスとの混合ガス雰囲気下で酸素を含有したアモルファ
ス状の非磁性金属からなるシード層を成膜し、該シード
層の上に非磁性下地層を積層成膜する。また、前記基板
の上に、アモルファス状の非磁性金属層を成膜し、該金
属層の表面に酸素原子をインプランテーションしてシー
ド層を形成し、該シード層の上に非磁性下地層を積層成
膜する。
【０００９】
【作用】基板の上に積層成膜されるシード層は、酸素を
含有したアモルファス状の非磁性金属あるいは表面側の
金属原子に酸素が結合したアモルファス状の非磁性金属
により形成されている。ここに「アモルファス状」と
は、ガラスの様な完全な非晶質を意味せず、局所的に観
察すればナノサイズの微細結晶組織が存在し、もしくは
そのような微細結晶がランダムに配向しており、全体的
には結晶性の悪い状態を意味する。この様な状態におい
ては、Ｘ線回折的にはハロパターンしか認められず、ア
モルファス状態である。
含有したアモルファス状の非磁性金属あるいは表面側の
金属原子に酸素が結合したアモルファス状の非磁性金属
により形成されている。ここに「アモルファス状」と
は、ガラスの様な完全な非晶質を意味せず、局所的に観
察すればナノサイズの微細結晶組織が存在し、もしくは
そのような微細結晶がランダムに配向しており、全体的
には結晶性の悪い状態を意味する。この様な状態におい
ては、Ｘ線回折的にはハロパターンしか認められず、ア
モルファス状態である。
【００１０】シード層がアモルファス状であることに起
因して、該シード層の上に成膜される下地層引いてはそ
の上に成膜される磁性層の結晶を微細化することがで
き、これにより磁気記録媒体の保磁力を向上させること
ができる。また、シード層を形成するアモルファス状の
非磁性金属中に酸素が含有され、あるいは表面側の金属
原子に酸素が結合したことに起因して、基板表面に吸着
していたガス成分が下地層や磁性層の成膜の際に、これ
らの層に拡散混入するのを防止することができ、これに
より磁気記録媒体の保磁力を向上させることができる。
かかる作用を奏させるためには、アモルファス状態が維
持される範囲で、酸素は５at％以上含有あるいは結合さ
せることが好ましい。
因して、該シード層の上に成膜される下地層引いてはそ
の上に成膜される磁性層の結晶を微細化することがで
き、これにより磁気記録媒体の保磁力を向上させること
ができる。また、シード層を形成するアモルファス状の
非磁性金属中に酸素が含有され、あるいは表面側の金属
原子に酸素が結合したことに起因して、基板表面に吸着
していたガス成分が下地層や磁性層の成膜の際に、これ
らの層に拡散混入するのを防止することができ、これに
より磁気記録媒体の保磁力を向上させることができる。
かかる作用を奏させるためには、アモルファス状態が維
持される範囲で、酸素は５at％以上含有あるいは結合さ
せることが好ましい。
【００１１】シード層をアモルファス状非磁性合金の
内、特にＣｒ合金、Ｖ合金により形成した場合、酸素を
付加しなくても、従来に比して十分に高い保磁力が得ら
れる。その理由は、シード層がアモルファス状組織であ
ることに起因する下地層、磁性層の結晶微細化作用の
他、下地層、磁性層の結晶配向がより保磁力の向上する
構造になるためと考えられる。すなわち、シード層をア
モルファス状のＣｒ合金あるいはＶ合金で形成すること
により、その上に成膜される下地層を形成するＣｒもし
くはＣｒ合金の結晶が主として（２１１）に配向する。
このため、該下地層の上に成膜される磁性層を形成する
Ｃｏ合金の結晶が主として（１００）配向するようにな
り、これに起因して、保磁力が向上するものと思われ
る。尚、この結晶配向の変化は、酸素を含有したＣｒ、
Ｖ、Ｃｒ合金あるいはＶ合金についても成り立つ。
内、特にＣｒ合金、Ｖ合金により形成した場合、酸素を
付加しなくても、従来に比して十分に高い保磁力が得ら
れる。その理由は、シード層がアモルファス状組織であ
ることに起因する下地層、磁性層の結晶微細化作用の
他、下地層、磁性層の結晶配向がより保磁力の向上する
構造になるためと考えられる。すなわち、シード層をア
モルファス状のＣｒ合金あるいはＶ合金で形成すること
により、その上に成膜される下地層を形成するＣｒもし
くはＣｒ合金の結晶が主として（２１１）に配向する。
このため、該下地層の上に成膜される磁性層を形成する
Ｃｏ合金の結晶が主として（１００）配向するようにな
り、これに起因して、保磁力が向上するものと思われ
る。尚、この結晶配向の変化は、酸素を含有したＣｒ、
Ｖ、Ｃｒ合金あるいはＶ合金についても成り立つ。
【００１２】
【実施例】図１は実施例に係る磁気記録媒体の要部断面
図を示しており、非磁性の基板１の上に、シード層２、
結晶質のＣｒもしくはＣｒと同様の結晶構造を有するＣ
ｒ合金で形成された非磁性下地層３が成膜されており、
その上に一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる
磁性層４が成膜され、更にその上に保護層５が積層成膜
されている。
図を示しており、非磁性の基板１の上に、シード層２、
結晶質のＣｒもしくはＣｒと同様の結晶構造を有するＣ
ｒ合金で形成された非磁性下地層３が成膜されており、
その上に一軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる
磁性層４が成膜され、更にその上に保護層５が積層成膜
されている。
【００１３】前記基板１としては、既述のＡｌ合金・Ｎ
ｉＰメッキ基板、チタン等の耐食性を有する軽量金属材
からなる基板、ガラス，結晶化ガラス，セラミックス，
カーボン，ポリマーなどの非金属材からなる基板等の種
々のものが使用される。基板の表面には、通常、磁気ヘ
ッドとの接触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャーと
呼ばれる微細凹凸加工が施される。本発明では、テキス
チャーは円周方向に沿って形成する必要はなく、等方向
性のものでもよく、更にはテキスチャーが無くてもよ
い。
ｉＰメッキ基板、チタン等の耐食性を有する軽量金属材
からなる基板、ガラス，結晶化ガラス，セラミックス，
カーボン，ポリマーなどの非金属材からなる基板等の種
々のものが使用される。基板の表面には、通常、磁気ヘ
ッドとの接触摩擦抵抗を軽減するためにテキスチャーと
呼ばれる微細凹凸加工が施される。本発明では、テキス
チャーは円周方向に沿って形成する必要はなく、等方向
性のものでもよく、更にはテキスチャーが無くてもよ
い。
【００１４】基板１の上に形成されるシード層２は、酸
素を含有したアモルファス状の非磁性金属、表面側の金
属原子に酸素が結合したアモルファス状の非磁性金属、
あるいは酸素が含有・結合されていないアモルファス状
のＣｒ合金またはＶ合金により形成されている。シード
層２を酸素を含有したアモルファス状の非磁性金属で形
成するには、純Ｃｒ、純Ｖ、純Ｔｉや結晶構造がアモル
ファス状となる合金組成を有するＣｒ合金、Ｖ合金、Ｔ
ｉ合金等をターゲットとして用い、酸素ガスとスパッタ
ガスであるＡｒガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングすればよい。また、Ａｒスパッタガスを用いて、基
板の上にアモルファス状非磁性合金層を形成後、該合金
層にイオン注入により合金中に酸素原子を含有させるよ
うにしてもよい。尚、スパッタガスとしては、通常、Ａ
ｒガスが使用されるが、Ｎｅ等の他の希ガスを用いるこ
ともできる。
素を含有したアモルファス状の非磁性金属、表面側の金
属原子に酸素が結合したアモルファス状の非磁性金属、
あるいは酸素が含有・結合されていないアモルファス状
のＣｒ合金またはＶ合金により形成されている。シード
層２を酸素を含有したアモルファス状の非磁性金属で形
成するには、純Ｃｒ、純Ｖ、純Ｔｉや結晶構造がアモル
ファス状となる合金組成を有するＣｒ合金、Ｖ合金、Ｔ
ｉ合金等をターゲットとして用い、酸素ガスとスパッタ
ガスであるＡｒガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリ
ングすればよい。また、Ａｒスパッタガスを用いて、基
板の上にアモルファス状非磁性合金層を形成後、該合金
層にイオン注入により合金中に酸素原子を含有させるよ
うにしてもよい。尚、スパッタガスとしては、通常、Ａ
ｒガスが使用されるが、Ｎｅ等の他の希ガスを用いるこ
ともできる。
【００１５】前記アモルファス状合金として以下のもの
を例示することができる。Ｃｒ合金としてはＣｒＴａ
（Ｔａ：１２〜６０at％）、ＣｒＴａＮｂ（Ｔａ，Ｎｂ
の総計で１２〜６０at％）、ＣｒＴａＮ（Ｔａ：１２〜
６０at％、Ｎ：５〜３０at％）、ＣｒＮｂ（Ｎｂ：１２
〜６０at％）、ＣｒＳｉ（Ｓｉ：２０〜７０at％）、Ｃ
ｒＡｌ（Ａｌ：３０〜６０at％）、ＣｒＢ（Ｂ：１０〜
３０at％）、ＣｒＮ（Ｎ：１０〜３０at％）、ＣｒＢＮ
（Ｂ，Ｎの総計で１０〜３０at％）、ＣｒＣ（Ｃ：１０
〜３０at％）、ＣｒＴｉ（Ｔｉ：４０〜６０at％）を例
示することができ、Ｖ合金としてはＶＴａ（Ｔａ：１２
〜６０at％）、ＶＴａＮｂ（Ｔａ，Ｎｂの総計で１２〜
６０at％）、ＶＴａＮ（Ｔａ：１２〜６０at％、Ｎ：５
〜３０at％）、ＶＮｂ（Ｎｂ：１２〜６０at％）、ＶＳ
ｉ（Ｓｉ：２０〜７０at％）、ＶＡｌ（Ａｌ：３０〜６
０at％）、ＶＢ（Ｂ：１０〜３０at％）、ＶＮ（Ｎ：１
０〜３０at％）、ＶＢＮ（Ｂ，Ｎの総計で１０〜３０at
％）、ＶＣ（Ｃ：１０〜３０at％）、ＶＴｉ（Ｔｉ：４
０〜６０at％）を例示することができ、Ｔｉ合金として
はＴｉＳｉ（Ｓｉ：２０〜７０at％）、ＴｉＹ（Ｙ：１
０〜３０at％）を例示することができる。これらの合金
の内、Ｃｒ合金、Ｖ合金については、酸素を含有あるい
は結合させなくても、比較的高い保磁力が得られる。特
に、ＣｒＴａ、ＣｒＴａＮ、ＶＴａ、ＶＴａＮ等のＴａ
を含有したＣｒ合金、Ｖ合金は良好である。Ｃｒ合金、
Ｖ合金のアモルファス化合金元素の限定理由は、合金元
素の含有量が所定範囲未満では結晶化するようになり、
一方、所定範囲を越えると保磁力が向上する結晶の配向
が得られにくくなるからである。
を例示することができる。Ｃｒ合金としてはＣｒＴａ
（Ｔａ：１２〜６０at％）、ＣｒＴａＮｂ（Ｔａ，Ｎｂ
の総計で１２〜６０at％）、ＣｒＴａＮ（Ｔａ：１２〜
６０at％、Ｎ：５〜３０at％）、ＣｒＮｂ（Ｎｂ：１２
〜６０at％）、ＣｒＳｉ（Ｓｉ：２０〜７０at％）、Ｃ
ｒＡｌ（Ａｌ：３０〜６０at％）、ＣｒＢ（Ｂ：１０〜
３０at％）、ＣｒＮ（Ｎ：１０〜３０at％）、ＣｒＢＮ
（Ｂ，Ｎの総計で１０〜３０at％）、ＣｒＣ（Ｃ：１０
〜３０at％）、ＣｒＴｉ（Ｔｉ：４０〜６０at％）を例
示することができ、Ｖ合金としてはＶＴａ（Ｔａ：１２
〜６０at％）、ＶＴａＮｂ（Ｔａ，Ｎｂの総計で１２〜
６０at％）、ＶＴａＮ（Ｔａ：１２〜６０at％、Ｎ：５
〜３０at％）、ＶＮｂ（Ｎｂ：１２〜６０at％）、ＶＳ
ｉ（Ｓｉ：２０〜７０at％）、ＶＡｌ（Ａｌ：３０〜６
０at％）、ＶＢ（Ｂ：１０〜３０at％）、ＶＮ（Ｎ：１
０〜３０at％）、ＶＢＮ（Ｂ，Ｎの総計で１０〜３０at
％）、ＶＣ（Ｃ：１０〜３０at％）、ＶＴｉ（Ｔｉ：４
０〜６０at％）を例示することができ、Ｔｉ合金として
はＴｉＳｉ（Ｓｉ：２０〜７０at％）、ＴｉＹ（Ｙ：１
０〜３０at％）を例示することができる。これらの合金
の内、Ｃｒ合金、Ｖ合金については、酸素を含有あるい
は結合させなくても、比較的高い保磁力が得られる。特
に、ＣｒＴａ、ＣｒＴａＮ、ＶＴａ、ＶＴａＮ等のＴａ
を含有したＣｒ合金、Ｖ合金は良好である。Ｃｒ合金、
Ｖ合金のアモルファス化合金元素の限定理由は、合金元
素の含有量が所定範囲未満では結晶化するようになり、
一方、所定範囲を越えると保磁力が向上する結晶の配向
が得られにくくなるからである。
【００１６】酸素ガスを含む混合ガス雰囲気中でスパッ
タリングする場合、Ｃｒ、Ｖ等の単体金属をアモルファ
ス状にすると共に十分な酸素量を含有させるには、混合
ガス中の酸素ガスの濃度は、ＤＣスパッタリングでは３
０vol ％以上、ＲＦスパッタリングでは５vol ％以上に
するのがよい。混合ガス中の酸素ガスの濃度を高くし過
ぎると、酸化物が形成されるようになるので、ＤＣスパ
ッタリングでは ８０vol ％以上、ＲＦスパッタリング
では２０vol ％以下に止めるのがよい。もっとも、純Ａ
ｒガス雰囲気でのスパッタリングによりアモルファス状
になる非磁性合金をターゲットとしてスパッタリングす
る場合、酸素ガス濃度は前記濃度より４０％程度低い値
でも十分な酸素量を含有させることができる。
タリングする場合、Ｃｒ、Ｖ等の単体金属をアモルファ
ス状にすると共に十分な酸素量を含有させるには、混合
ガス中の酸素ガスの濃度は、ＤＣスパッタリングでは３
０vol ％以上、ＲＦスパッタリングでは５vol ％以上に
するのがよい。混合ガス中の酸素ガスの濃度を高くし過
ぎると、酸化物が形成されるようになるので、ＤＣスパ
ッタリングでは ８０vol ％以上、ＲＦスパッタリング
では２０vol ％以下に止めるのがよい。もっとも、純Ａ
ｒガス雰囲気でのスパッタリングによりアモルファス状
になる非磁性合金をターゲットとしてスパッタリングす
る場合、酸素ガス濃度は前記濃度より４０％程度低い値
でも十分な酸素量を含有させることができる。
【００１７】一方、シード層を表面側の金属原子に酸素
が結合したアモルファス状の非磁性金属で形成するに
は、基板の上にアモルファス状非磁性金属層を成膜した
後、その表面に酸素原子をインプランテーションすれば
よい。すなわち、酸素ガスをプラズマ中に吹き込むと、
酸素はプラズマのエネルギーにより活性化される。かか
る活性化した酸素雰囲気中にアモルファス状非金属層が
形成された基板を設置しておくと、アモルファス状非金
属層の表面側に存する金属原子に酸素原子が結合するよ
うになる。酸素の結合量は、酸素ガス圧、処理時間等に
より容易に制御することができる。
が結合したアモルファス状の非磁性金属で形成するに
は、基板の上にアモルファス状非磁性金属層を成膜した
後、その表面に酸素原子をインプランテーションすれば
よい。すなわち、酸素ガスをプラズマ中に吹き込むと、
酸素はプラズマのエネルギーにより活性化される。かか
る活性化した酸素雰囲気中にアモルファス状非金属層が
形成された基板を設置しておくと、アモルファス状非金
属層の表面側に存する金属原子に酸素原子が結合するよ
うになる。酸素の結合量は、酸素ガス圧、処理時間等に
より容易に制御することができる。
【００１８】前記シード層２の層厚は、連続膜が得られ
るように、１００Å（好ましくは２００Å）以上形成す
るのがよい。下地層３の層厚は通常５００Å程度以上形
成される。シード層２と下地層３との合計層厚は２００
０Å程度以下でよい。前記磁性層４は、ＣｏＮｉＣｒ、
ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方性を
示すＣｏ合金であれば、いずれのものによっても形成す
ることができる。磁性層の成膜に際しては、下地層の成
膜と同様、基板に負のバイアス電圧を印加するとよい。
バイアス電圧の大きさは、例えば、Ａｌ合金・ＮｉＰ基
板では−２００〜−３００Ｖ、ガラス基板では０〜−２
００Ｖ程度である。尚、磁性層は図例のように単層とし
て形成したものに限らず、Ｃｏ合金層と、ＣｒやＣｒと
同様の結晶構造を有するＣｒ合金からなる非磁性中間層
とを交互に積層形成したものでもよい。磁性層４の層厚
（単層ならその層厚、複層ならその合計厚）は通常１５
０〜８００Å程度とされる。再生出力の確保とノイズ低
減のためには、磁気記録媒体としてＢｒδが１２０〜５
００Ｇ・μ程度のものが要求されているからである。
るように、１００Å（好ましくは２００Å）以上形成す
るのがよい。下地層３の層厚は通常５００Å程度以上形
成される。シード層２と下地層３との合計層厚は２００
０Å程度以下でよい。前記磁性層４は、ＣｏＮｉＣｒ、
ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ等の一軸結晶磁気異方性を
示すＣｏ合金であれば、いずれのものによっても形成す
ることができる。磁性層の成膜に際しては、下地層の成
膜と同様、基板に負のバイアス電圧を印加するとよい。
バイアス電圧の大きさは、例えば、Ａｌ合金・ＮｉＰ基
板では−２００〜−３００Ｖ、ガラス基板では０〜−２
００Ｖ程度である。尚、磁性層は図例のように単層とし
て形成したものに限らず、Ｃｏ合金層と、ＣｒやＣｒと
同様の結晶構造を有するＣｒ合金からなる非磁性中間層
とを交互に積層形成したものでもよい。磁性層４の層厚
（単層ならその層厚、複層ならその合計厚）は通常１５
０〜８００Å程度とされる。再生出力の確保とノイズ低
減のためには、磁気記録媒体としてＢｒδが１２０〜５
００Ｇ・μ程度のものが要求されているからである。
【００１９】前記磁性層４の上にはＣ、ＳｉＯ2 等から
なる非磁性保護層５が１００〜３００Å程度形成されて
おり、通常、更にその上にフッ素化ポリエーテル等の液
体潤滑剤が２０〜５０Å程度（単分子厚程度）塗布され
る。前記下地層、磁性層、保護層は、種々の蒸着法によ
り成膜することができるが、通常、スパッタリングによ
り成膜される。スパッタリング条件は、通常、Ａｒガス
あるいは混合ガス圧１〜３０ｍＴｏｒｒ、基板温度はＡ
ｌ合金・ＮｉＰ基板ではＮｉＰが結晶化しないように２
５０〜３００℃程度、ガラス基板ではそれより１００℃
程度高温まで加熱することができる。
なる非磁性保護層５が１００〜３００Å程度形成されて
おり、通常、更にその上にフッ素化ポリエーテル等の液
体潤滑剤が２０〜５０Å程度（単分子厚程度）塗布され
る。前記下地層、磁性層、保護層は、種々の蒸着法によ
り成膜することができるが、通常、スパッタリングによ
り成膜される。スパッタリング条件は、通常、Ａｒガス
あるいは混合ガス圧１〜３０ｍＴｏｒｒ、基板温度はＡ
ｌ合金・ＮｉＰ基板ではＮｉＰが結晶化しないように２
５０〜３００℃程度、ガラス基板ではそれより１００℃
程度高温まで加熱することができる。
【００２０】次に具体的実施例を掲げる。 実施例Ａ (1) 等方向性のテキスチャリングを施したガラス基板
の上に、基板温度を室温とし、種々のＯ2 ガス濃度のＡ
ｒ−Ｏ2 混合ガス（混合ガス圧１５ｍＴｏｒｒ）雰囲気
下でＣｒをスパッタリングし、シード層を３００Å成膜
した。次に、基板温度：２７０℃、Ａｒガス圧：８ｍＴ
ｏｒｒの下で、Ｃｒ下地層を７００Å、Ｃｏ−１０at％
Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０Å、アモルファス状
のＣからなる保護膜を２００Åスパッタリングにより連
続して成膜した。この際、基板に−１００Ｖのバイアス
電圧を印加した。成膜装置としては、ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用いた。尚、比較のため、シード層を成
膜することなく、Ｃｒ層のみからなる下地層を１０００
Å成膜した従来例の媒体を同様の条件で製作した。 (2) 前記シード層を同一条件で１０００Å成膜し、Ｘ
線回折を行い、シード層の結晶構造を調べた。その結果
を図２に示す。同図より、Ｏ2 ガス濃度が４０ vol％で
はＣｒ（１１０）配向は消失しており、明らかにＸ線的
にアモルファス状態になっていることが分かる。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭ（Vibrating Sample Magnetometer ）
により保磁力（Ｈｃ）を測定した。その結果を図３に示
す。同図より、Ｏ2 ガス濃度が３０ vol％以上で、１６
００Ｏｅ以上の高保磁力が得られることが分かる。 (4) Ａｒ−４０ vol％Ｏ2 混合ガス雰囲気中でシード
層をスパッタリングした実施例の磁気記録媒体を用いて
Ｘ線回折を行い、Ｃｒ下地層及び磁性層の結晶構造を調
べた。その結果を図４に示す。同図より、Ｃｏ合金の結
晶構造は（００１）を一部含む（Ｃｒ（１１０）のピー
クに重なっている。）ものの、メインピークは（１０
０）であることが認められる。一方、Ｃｒの結晶配向は
一部（１１０）を含むものの、（２１１）が優勢である
ことが分かる。尚、シード層および保護層はアモルファ
スであるため、Ｘ線回折図にはこれらの結晶配向は現れ
ていない。 実施例Ｂ (1) 等方向性のテキスチャリングを施したＡｌ合金・
ＮｉＰ基板並びにガラス基板の二種の基板に対し、基板
温度を室温とし、Ｏ2 ガス濃度を４０ vol％としたＡｒ
−Ｏ2 混合ガス（混合ガス圧１５ｍＴｏｒｒ）雰囲気下
でＣｒをスパッタリングし、種々の層厚のシード層を成
膜した。次に、基板温度：２７０℃、Ａｒガス圧：８ｍ
Ｔｏｒｒの下で、Ｃｒ下地層を１０００Å、Ｃｏ−１０
at％Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を４００Åスパッタリン
グにより連続して成膜した。この際、Ａｌ合金・ＮｉＰ
基板に対して−３００Ｖ、ガラス基板に対して−１００
Ｖのバイアス電圧を印加した。成膜装置としては、実施
例Ａと同様、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いた。 (2) 得られた磁気記録媒体を用いて、シード層の層厚
変化に対する保磁力の変化を外部磁場１０ｋＯｅの下で
ＶＳＭにより測定した。Ａｌ合金・ＮｉＰ基板の媒体の
測定結果を図５に、ガラス基板の媒体の測定結果を図６
に各々示す。図５及び図６より、いずれの場合について
もシード層の層厚が１００Å以上、特に２００Å以上で
高保磁力が得られることが分かる。 実施例Ｃ (1) 等方向性のテキスチャリングを施した結晶化ガラ
ス基板の上に、基板温度を１７０℃とし、表１に示すス
パッタガスを用いて、ガス圧１５ｍＴｏｒｒの下でスパ
ッタリングにより、同表の組成からなるシード層を５０
０Å成膜した。 (2) 次に、基板温度３２０℃、Ａｒガス圧８ｍＴｏｒ
ｒの下で、Ｃｒ下地層を１０００Å、Ｃｏ−１０at％Ｃ
ｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０Å、Ｃ保護膜を２００
Åスパッタリングにより連続して成膜した。この際、下
地層の成膜時に基板に−１００Ｖ、磁性層の成膜時に基
板に−１５０Ｖのバイアス電圧を印加した。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭにより保磁力を測定した。その結果を
表１に併せて示す。同表より、実施例にかかる試料No.
１〜６の全てにおいて、２０００Ｏｅ以上の優れた保磁
力が得られたことが分かる。
の上に、基板温度を室温とし、種々のＯ2 ガス濃度のＡ
ｒ−Ｏ2 混合ガス（混合ガス圧１５ｍＴｏｒｒ）雰囲気
下でＣｒをスパッタリングし、シード層を３００Å成膜
した。次に、基板温度：２７０℃、Ａｒガス圧：８ｍＴ
ｏｒｒの下で、Ｃｒ下地層を７００Å、Ｃｏ−１０at％
Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０Å、アモルファス状
のＣからなる保護膜を２００Åスパッタリングにより連
続して成膜した。この際、基板に−１００Ｖのバイアス
電圧を印加した。成膜装置としては、ＤＣマグネトロン
スパッタ装置を用いた。尚、比較のため、シード層を成
膜することなく、Ｃｒ層のみからなる下地層を１０００
Å成膜した従来例の媒体を同様の条件で製作した。 (2) 前記シード層を同一条件で１０００Å成膜し、Ｘ
線回折を行い、シード層の結晶構造を調べた。その結果
を図２に示す。同図より、Ｏ2 ガス濃度が４０ vol％で
はＣｒ（１１０）配向は消失しており、明らかにＸ線的
にアモルファス状態になっていることが分かる。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭ（Vibrating Sample Magnetometer ）
により保磁力（Ｈｃ）を測定した。その結果を図３に示
す。同図より、Ｏ2 ガス濃度が３０ vol％以上で、１６
００Ｏｅ以上の高保磁力が得られることが分かる。 (4) Ａｒ−４０ vol％Ｏ2 混合ガス雰囲気中でシード
層をスパッタリングした実施例の磁気記録媒体を用いて
Ｘ線回折を行い、Ｃｒ下地層及び磁性層の結晶構造を調
べた。その結果を図４に示す。同図より、Ｃｏ合金の結
晶構造は（００１）を一部含む（Ｃｒ（１１０）のピー
クに重なっている。）ものの、メインピークは（１０
０）であることが認められる。一方、Ｃｒの結晶配向は
一部（１１０）を含むものの、（２１１）が優勢である
ことが分かる。尚、シード層および保護層はアモルファ
スであるため、Ｘ線回折図にはこれらの結晶配向は現れ
ていない。 実施例Ｂ (1) 等方向性のテキスチャリングを施したＡｌ合金・
ＮｉＰ基板並びにガラス基板の二種の基板に対し、基板
温度を室温とし、Ｏ2 ガス濃度を４０ vol％としたＡｒ
−Ｏ2 混合ガス（混合ガス圧１５ｍＴｏｒｒ）雰囲気下
でＣｒをスパッタリングし、種々の層厚のシード層を成
膜した。次に、基板温度：２７０℃、Ａｒガス圧：８ｍ
Ｔｏｒｒの下で、Ｃｒ下地層を１０００Å、Ｃｏ−１０
at％Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を４００Åスパッタリン
グにより連続して成膜した。この際、Ａｌ合金・ＮｉＰ
基板に対して−３００Ｖ、ガラス基板に対して−１００
Ｖのバイアス電圧を印加した。成膜装置としては、実施
例Ａと同様、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いた。 (2) 得られた磁気記録媒体を用いて、シード層の層厚
変化に対する保磁力の変化を外部磁場１０ｋＯｅの下で
ＶＳＭにより測定した。Ａｌ合金・ＮｉＰ基板の媒体の
測定結果を図５に、ガラス基板の媒体の測定結果を図６
に各々示す。図５及び図６より、いずれの場合について
もシード層の層厚が１００Å以上、特に２００Å以上で
高保磁力が得られることが分かる。 実施例Ｃ (1) 等方向性のテキスチャリングを施した結晶化ガラ
ス基板の上に、基板温度を１７０℃とし、表１に示すス
パッタガスを用いて、ガス圧１５ｍＴｏｒｒの下でスパ
ッタリングにより、同表の組成からなるシード層を５０
０Å成膜した。 (2) 次に、基板温度３２０℃、Ａｒガス圧８ｍＴｏｒ
ｒの下で、Ｃｒ下地層を１０００Å、Ｃｏ−１０at％Ｃ
ｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０Å、Ｃ保護膜を２００
Åスパッタリングにより連続して成膜した。この際、下
地層の成膜時に基板に−１００Ｖ、磁性層の成膜時に基
板に−１５０Ｖのバイアス電圧を印加した。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭにより保磁力を測定した。その結果を
表１に併せて示す。同表より、実施例にかかる試料No.
１〜６の全てにおいて、２０００Ｏｅ以上の優れた保磁
力が得られたことが分かる。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例Ｄ (1) 等方向性のテキスチャリングを施した結晶化ガラ
ス基板の上に、基板温度を１７０℃とし、スパッタガス
としてＡｒガスを用い、ガス圧１５ｍＴｏｒｒの下で、
表２の組成からなるシード層をスパッタリングにより５
００Å成膜した。試料No. ２及び３については、更に、
酸素ガスのプラズマ雰囲気中でアモルファス状合金層の
表面に酸素原子をインプランテーションした。処理条件
は酸素ガス流量：４００ｍＴｏｒｒ、プラズマ維持電
力：３５０Ｗ、処理時間：１０ｍｉｎとした。 (2) 次に、実施例Ｃと同条件でＣｒ下地層を１０００
Å、Ｃｏ−１０at％Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０
Å、Ｃ保護膜を２００Å連続して成膜した。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭにより保磁力を測定した。その結果を
表２に併せて示す。同表より、実施例にかかる試料No.
１〜３の全てにおいて、２０００Ｏｅ程度の優れた保磁
力が得られたが、特に試料No. １とNo. ３から明らかな
通り、酸素原子のインプランテーションにより保磁力を
著しく向上させることできる。
ス基板の上に、基板温度を１７０℃とし、スパッタガス
としてＡｒガスを用い、ガス圧１５ｍＴｏｒｒの下で、
表２の組成からなるシード層をスパッタリングにより５
００Å成膜した。試料No. ２及び３については、更に、
酸素ガスのプラズマ雰囲気中でアモルファス状合金層の
表面に酸素原子をインプランテーションした。処理条件
は酸素ガス流量：４００ｍＴｏｒｒ、プラズマ維持電
力：３５０Ｗ、処理時間：１０ｍｉｎとした。 (2) 次に、実施例Ｃと同条件でＣｒ下地層を１０００
Å、Ｃｏ−１０at％Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０
Å、Ｃ保護膜を２００Å連続して成膜した。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭにより保磁力を測定した。その結果を
表２に併せて示す。同表より、実施例にかかる試料No.
１〜３の全てにおいて、２０００Ｏｅ程度の優れた保磁
力が得られたが、特に試料No. １とNo. ３から明らかな
通り、酸素原子のインプランテーションにより保磁力を
著しく向上させることできる。
【００２３】
【表２】
【００２４】実施例Ｅ (1) 等方向性のテキスチャリングを施した結晶化ガラ
ス基板の上に、基板温度を１７０℃とし、表３に示した
スパッタガスを用い、ガス圧１５ｍＴｏｒｒの下でスパ
ッタリングし、表３の組成からなるシード層を５００Å
成膜した。試料No. １〜４は実施例であり、、No. ５は
シード層が結晶質Ｃｒからなる比較例である。 (2) 次に、実施例Ｃと同条件でＣｒ下地層を１０００
Å、Ｃｏ−１０at％Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０
Å、Ｃ保護膜を２００Å連続して成膜した。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭにより保磁力を測定した。その結果を
表３に併せて示す。同表より、実施例にかかる試料No.
１〜４の全てにおいて、２１００Ｏｅ以上の優れた保磁
力が得られたが、比較例にかかる試料No. ５では保磁力
が１７５０Ｏｅと実施例に比して非常に低い値であっ
た。
ス基板の上に、基板温度を１７０℃とし、表３に示した
スパッタガスを用い、ガス圧１５ｍＴｏｒｒの下でスパ
ッタリングし、表３の組成からなるシード層を５００Å
成膜した。試料No. １〜４は実施例であり、、No. ５は
シード層が結晶質Ｃｒからなる比較例である。 (2) 次に、実施例Ｃと同条件でＣｒ下地層を１０００
Å、Ｃｏ−１０at％Ｃｒ−４at％Ｔａの磁性層を３５０
Å、Ｃ保護膜を２００Å連続して成膜した。 (3) 得られた磁気記録媒体を用いて、外部磁場１０ｋ
Ｏｅの下でＶＳＭにより保磁力を測定した。その結果を
表３に併せて示す。同表より、実施例にかかる試料No.
１〜４の全てにおいて、２１００Ｏｅ以上の優れた保磁
力が得られたが、比較例にかかる試料No. ５では保磁力
が１７５０Ｏｅと実施例に比して非常に低い値であっ
た。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の金属薄膜型
磁気記録媒体は、基板の上にシード層を成膜し、該シー
ド層を酸素を含有したアモルファス状の非磁性金属ある
いは表面側の金属原子に酸素が結合したアモルファス状
の非磁性金属により形成したので、該シード層の上に成
膜される下地層引いてはその上に成膜される磁性層の結
晶を微細化することができ、更に基板表面に吸着してい
たガス成分が下地層や磁性層の成膜の際に、これらの層
に拡散混入するのを防止することができ、これにより磁
気記録媒体の保磁力を向上させることができる。また、
シード層をアモルファス状非磁性合金の内、特にＣｒ合
金、Ｖ合金により形成したので、下地層、磁性層の結晶
微細化作用の他、下地層、磁性層の結晶が特定の結晶方
位を持つようになり、保磁力が向上する。従って、基板
に等方向性のテキスチャーを施しても、高保磁力を発現
させることができ、ヘッドの低浮上化の下、記録密度の
向上に資することができる。
磁気記録媒体は、基板の上にシード層を成膜し、該シー
ド層を酸素を含有したアモルファス状の非磁性金属ある
いは表面側の金属原子に酸素が結合したアモルファス状
の非磁性金属により形成したので、該シード層の上に成
膜される下地層引いてはその上に成膜される磁性層の結
晶を微細化することができ、更に基板表面に吸着してい
たガス成分が下地層や磁性層の成膜の際に、これらの層
に拡散混入するのを防止することができ、これにより磁
気記録媒体の保磁力を向上させることができる。また、
シード層をアモルファス状非磁性合金の内、特にＣｒ合
金、Ｖ合金により形成したので、下地層、磁性層の結晶
微細化作用の他、下地層、磁性層の結晶が特定の結晶方
位を持つようになり、保磁力が向上する。従って、基板
に等方向性のテキスチャーを施しても、高保磁力を発現
させることができ、ヘッドの低浮上化の下、記録密度の
向上に資することができる。
【図１】実施例に係る金属薄膜型磁気記録媒体の要部断
面図である。
面図である。
【図２】Ａｒ−Ｏ2 混合ガス雰囲気下で成膜されたシー
ド層の種々のＯ2 濃度におけるＸ線回折図を示す。
ド層の種々のＯ2 濃度におけるＸ線回折図を示す。
【図３】シード層成膜時のＡｒ−Ｏ2 混合ガスにおける
Ｏ2 濃度と磁気記録媒体の保磁力との関係を示すグラフ
である。
Ｏ2 濃度と磁気記録媒体の保磁力との関係を示すグラフ
である。
【図４】Ａｒ−４０ vol％Ｏ2 混合ガス雰囲気下で成膜
されたシード層を備えた磁気記録媒体のＸ線回折図を示
す。
されたシード層を備えた磁気記録媒体のＸ線回折図を示
す。
【図５】実施例におけるシード層の層厚と磁気記録媒体
の保磁力との関係を示すグラフである。
の保磁力との関係を示すグラフである。
【図６】他の実施例におけるシード層の層厚と磁気記録
媒体の保磁力との関係を示すグラフである。
媒体の保磁力との関係を示すグラフである。
１ 基板 ２ シード層 ３ 下地層 ４ 磁性層 ５ 保護層
Claims (6)
- 【請求項１】 非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一
軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層が同
順序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体におい
て、 前記基板の上に酸素を含有したアモルファス状の非磁性
金属からなるシード層が形成され、該シード層の上に非
磁性下地層が積層されている金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一
軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層が同
順序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体におい
て、 前記基板の上に表面側に酸素原子が結合したアモルファ
ス状の非磁性金属からなるシード層が形成され、該シー
ド層の上に非磁性下地層が積層されている金属薄膜型磁
気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一
軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層が同
順序で積層成膜された金属薄膜型磁気記録媒体におい
て、 前記基板の上にアモルファス状のＣｒ合金又はＶ合金か
らなるシード層が形成され、該シード層の上に非磁性下
地層が積層されている金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項４】 Ｃｒ合金又はＶ合金はＴａを含有した合
金である請求項３に記載した金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一
軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を同
順序でスパッタリングにより積層成膜する金属薄膜型磁
気記録媒体の製造方法において、 前記基板の上に、希ガスとＯ2 ガスとの混合ガス雰囲気
下で酸素を含有したアモルファス状の非磁性金属からな
るシード層を成膜し、該シード層の上に非磁性下地層を
積層成膜することを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項６】 非磁性基板の表面側に非磁性下地層、一
軸結晶磁気異方性を有するＣｏ合金からなる磁性層を同
順序でスパッタリングにより積層成膜する金属薄膜型磁
気記録媒体の製造方法において、 前記基板の上に、アモルファス状の非磁性金属層を成膜
し、該金属層の表面に酸素原子をインプランテーション
してシード層を形成し、該シード層の上に非磁性下地層
を積層成膜することを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5257176A JP2834392B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-10-14 | 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法 |
| US08/206,849 US5700593A (en) | 1993-06-23 | 1994-03-07 | Metal thin film magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15240393 | 1993-06-23 | ||
| JP5-152403 | 1993-06-23 | ||
| JP5257176A JP2834392B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-10-14 | 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773441A true JPH0773441A (ja) | 1995-03-17 |
| JP2834392B2 JP2834392B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=26481337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5257176A Expired - Fee Related JP2834392B2 (ja) | 1993-06-23 | 1993-10-14 | 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5700593A (ja) |
| JP (1) | JP2834392B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569545B1 (en) | 1998-07-03 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
| US6596420B2 (en) | 1996-05-20 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| KR100438802B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2004-08-31 | 삼성전자주식회사 | 양자디스크및그제조방법 |
| WO2006090508A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproduction appratus |
| KR100806156B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2008-02-22 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 |
| US7354665B2 (en) | 2003-01-15 | 2008-04-08 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US7470475B2 (en) | 2003-05-15 | 2008-12-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US7736769B2 (en) | 2005-02-04 | 2010-06-15 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of producing the same, and magnetic storage apparatus |
| JP2016201159A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08329442A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5858566A (en) * | 1995-10-23 | 1999-01-12 | Seagate Technology, Inc. | Seeded underlayer in magnetic thin films |
| JP3045068B2 (ja) * | 1996-03-21 | 2000-05-22 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPH1011734A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US6077603A (en) * | 1996-07-03 | 2000-06-20 | Seagate Technology, Inc. | Seeded underlayer in magnetic thin films |
| US6218003B1 (en) * | 1998-02-10 | 2001-04-17 | Seagate Technology, Llc | Magnetic recording medium containing a Cr(TiO2) underlayer |
| US6139950A (en) * | 1998-06-04 | 2000-10-31 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording medium containing a Cr(HfO2) or Cr(ZrO2) |
| US6348276B1 (en) | 1998-09-25 | 2002-02-19 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with a surface-oxidized nial sub-seedlayer |
| DE19851062C1 (de) * | 1998-11-05 | 2000-06-15 | Ibm | Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte Magnetspeicherplatte |
| WO2000074043A1 (fr) * | 1999-05-31 | 2000-12-07 | Migaku Takahashi | Base pour support d'enregistrement magnetique, support d'enregistrement magnetique, procede de production de cette base et enregistreur magnetique |
| US6620531B1 (en) | 1999-12-20 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution |
| US6586116B1 (en) * | 2000-02-09 | 2003-07-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Nonmetallic thin film magnetic recording disk with pre-seed layer |
| US6740397B1 (en) | 2000-05-24 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Subseedlayers for magnetic recording media |
| JP2002056522A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Hoya Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6709773B1 (en) | 2000-09-05 | 2004-03-23 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic anisotrophy of soft-underlayer induced by seedlayer |
| JP2002133646A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Fujitsu Ltd | 多結晶構造膜およびその製造方法 |
| US6727010B2 (en) * | 2000-12-27 | 2004-04-27 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, magnetic recording and reproducing apparatus, and medium substrate |
| JP2002260218A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Anelva Corp | 磁気記録ディスク、磁気記録ディスク製造方法及び磁気記録ディスク製造装置 |
| US7189583B2 (en) * | 2003-07-02 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Method for production of MRAM elements |
| US8465853B2 (en) * | 2004-03-24 | 2013-06-18 | Marvell World Trade Ltd. | Glassy metal disk |
| JP2007018560A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP4444182B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2010-03-31 | 株式会社東芝 | 磁化容易軸方向を傾斜させた垂直磁気記録媒体、その製造法、及びそれを含む磁気記録再生装置 |
| US20070099032A1 (en) * | 2005-11-02 | 2007-05-03 | Heraeus, Inc., A Corporation Of The State Of Arizona | Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target |
| US20070190364A1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-16 | Heraeus, Inc. | Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets |
| JP5115759B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-01-09 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP6307879B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2018-04-11 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP6205871B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2017-10-04 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US11437066B2 (en) * | 2018-03-30 | 2022-09-06 | Sony Corporation | Magnetic recording tape and magnetic recording tape cartridge |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2167448B (en) * | 1984-11-02 | 1988-10-19 | Hitachi Ltd | Perpendicular magnetic recording medium |
| JPS61260420A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hitachi Ltd | 磁気記録体 |
| US4652499A (en) * | 1986-04-29 | 1987-03-24 | International Business Machines | Magnetic recording medium with a chromium alloy underlayer and a cobalt-based magnetic layer |
| US5037515A (en) * | 1989-09-18 | 1991-08-06 | Hmt Technology Corporation | Method for making smooth-surfaced magnetic recording medium |
| JP2819839B2 (ja) * | 1991-01-10 | 1998-11-05 | 日本板硝子株式会社 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
| JPH04255908A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気ディスク用基板 |
| JP2864770B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1999-03-08 | 日本板硝子株式会社 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
| US5413873A (en) * | 1991-04-26 | 1995-05-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic recording medium having a glass or amorphous carbon substrate, vanadium or molybdenum precoat layer, chromium primer layer and cobalt magnetic layer |
| JPH071537B2 (ja) * | 1991-09-24 | 1995-01-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録ディスク、基板及びその製造方法 |
| US5302434A (en) * | 1992-08-07 | 1994-04-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk for contact recording |
-
1993
- 1993-10-14 JP JP5257176A patent/JP2834392B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-07 US US08/206,849 patent/US5700593A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6596420B2 (en) | 1996-05-20 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| US7056604B2 (en) | 1996-05-20 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same |
| KR100438802B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2004-08-31 | 삼성전자주식회사 | 양자디스크및그제조방법 |
| US7050253B2 (en) | 1997-12-09 | 2006-05-23 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
| US6574060B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | Magnetic storage apparatus |
| US6569545B1 (en) | 1998-07-03 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| US6924048B2 (en) | 1998-07-03 | 2005-08-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and a magnetic storage apparatus |
| US7354665B2 (en) | 2003-01-15 | 2008-04-08 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US7470475B2 (en) | 2003-05-15 | 2008-12-30 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US7736769B2 (en) | 2005-02-04 | 2010-06-15 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of producing the same, and magnetic storage apparatus |
| WO2006090508A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproduction appratus |
| KR100806156B1 (ko) * | 2005-03-17 | 2008-02-22 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자기 기록 매체 및 자기 기억 장치 |
| JP2016201159A (ja) * | 2015-04-13 | 2016-12-01 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| US10192571B2 (en) | 2015-04-13 | 2019-01-29 | Showa Denko K.K. | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus |
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