JP5115759B2

JP5115759B2 - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP5115759B2
Application number: JP2009226735A
Authority: JP
Inventors: 昇倉田
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2009-09-30
Filing date: 2009-09-30
Publication date: 2013-01-09
Anticipated expiration: 2029-09-30
Also published as: JP2011076666A; US20110076514A1

Description

本発明は、高記録密度の垂直磁気記録媒体としての良好な電磁変換特性を有しかつ生産性に優れたディスクリートトラック媒体やパターンド媒体として好適な磁気記録媒体に関する。

近年の高度情報化社会を支える情報の記録装置の一つに磁気記憶装置があり、情報の大量化に伴って、磁気記憶装置に用いられる磁気記録媒体には記録密度の向上が要求されている。高記録密度を実現するためには、磁化反転が生じる単位を小さくしなければならない。そのためには、磁性粒子のサイズの微細化と同時に、磁化反転する単位を明確に分離して区切ることで、隣接する記録単位間の磁気的な相互作用を低減することが重要である。

磁気記録の高密度化を実現する技術として、磁気記録層の隣接するトラック間に非磁性材料からなる分離層を設けることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減させたディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）が注目を集めている。磁化反転する単位を明確に区切ること、ここでは、トラックとトラックの区間を磁気的に完全に切断した磁性体列を作り、隣接トラックの境界を人工的に得ることにより、隣接トラックへの書きにじみやジグザグ磁壁の形成をなくすことができる。

従来のＤＴＭを製造するには、例えば特許文献１，２に記載されているように、記録トラックに分離された磁気記録層とするための連続した磁性層上に所定の記録トラックのマスクを形成し、エッチングで磁性層を分離する凹部を設ける。また、浮上安定性を向上させ、信頼性を高める目的で前記凹部を非磁性材料（分離層）で埋め込んで平坦化し、その上に保護層を形成することが提案されている。非磁性材料としては、ＳｉＯ₂やスピンオンガラス（ＳＯＧ）に代表される酸化シリコン化合物などが提案されている。

また、特許文献２には、分離層として凹部に充填する非磁性材料としてアモルファス構造を有する非磁性材料を用いることも記載されている。

特開２００６−３１８４９号公報特開２００５−２４３１３１号公報

しかしながら、磁性層（磁気記録層）のトラック間の分離部にＳＯＧなどを充填させて、その上部に保護膜を形成する方法はいくつかの課題がある。
その一つとしては、磁性層の磁性材料とＳＯＧなど充填材料の膨張係数の差が大きいため、温度変化を生じる環境におくと、保護膜に応力が働き欠陥を増長することとなる。そのためコロージョンを生じ易くなるという課題が生じる。

また、上述の材料を充填させた後については、平滑性が不十分であること及び磁性層上に載ったこれらの充填層（分離層）を除去する必要があることによりドライエッチングやＣＭＰなどの平坦化工程が必要となる。この場合、磁性層の表面まで充填層を削ることが望ましいが、量産的には難しい。そのため、オーバーエッチングになることが予想されるが、その際、分離層と磁性層のエッチングレートの違いにより凹凸が生じる問題がある。

このような課題を解決するためには、磁性層と膨張係数の近い非磁性金属を分離層に充填することが考えられる。耐食性や経済性を考慮するとクロムやチタンなどをスパッタリングすることにより分離層に充填することが考えられるが、これらを形成すると表面粗さが大きくなるという欠点がある。

非磁性金属を充填して分離層とする凹部の深さ（凹凸段差）は数ｎｍから十数ｎｍであるため、充填層の厚さは数ｎｍから数十ｎｍ程度必要である。しかしながら、クロムやチタンなどの金属は、２０ｎｍ程度の膜厚でも表面粗さＲｍａｘ（最大高さ）が数ｎｍ程度にまでなり、表面が荒れる問題がある。

その後の平坦化工程については、ドライエッチングやＣＭＰなどが考えられるが、後者のＣＭＰは均一性などの制御が難しく、また、洗浄工程も必要であるためコストの面からも好ましくない。

そのため、ドライエッチングでの平坦化が望ましいが、その際、一旦荒れてしまった表面を平滑にするのは困難である。また、ドライエッチングの際に表面が荒れてしまわないことも重要である。表面が荒れるとヘッド浮上性を悪化させることになるからである。

よって、線膨張係数が磁性層の磁性材料と同程度で、且つ平滑性に優れる分離層が求められる。また、トラック部の磁性層部分と分離層部のエッチングレートが同じであることも求められる。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、磁気記録層のトラック相互間を磁気的に分離する分離層の充填材料として、充填後の表面が平滑であり、しかも耐食性に優れた非磁性金属を用いることにより、信頼性を損なうことなく、簡便な方法で製造でき、生産性に優れた磁気記録媒体を提供することにある。

本発明は、上述の目的を達成するため、基板上に少なくとも磁気記録層を備え、該磁気記録層のトラック相互間を磁気的に分離する分離層を有してなる磁気記録媒体であって、前記分離層が、クロムホウ化物（ＣｒＢ）、ニッケルホウ化物（ＮｉＢ）、クロムリン化物（ＣｒＰ）及びニッケルリン化物（ＮｉＰ）からなる群から選ばれる非磁性アモルファス合金からなることを特徴とする。

ここで、非磁性アモルファス合金がクロムホウ化物（ＣｒＢ）である場合には、そのホウ素（Ｂ）の含有量が５乃至２０原子％の範囲にあり、非磁性アモルファス合金がニッケルホウ化物（ＮｉＢ）である場合には、そのホウ素（Ｂ）の含有量が１２乃至２２原子％の範囲にあり、非磁性アモルファス合金がクロムリン化物（ＣｒＰ）である場合には、そのリン（Ｐ）の含有量が８乃至１８原子％の範囲にあり、非磁性アモルファス合金がニッケルリン化物（ＮｉＰ）である場合には、そのリン（Ｐ）の含有量が１４乃至２４原子％の範囲にあることが好ましい。また、磁気記録層上に保護層を備えることが好ましい。

本発明によれば、磁気記録層のトラック相互間を磁気的に分離する分離層の充填材料として、クロムホウ化物（ＣｒＢ）、ニッケルホウ化物（ＮｉＢ）、クロムリン化物（ＣｒＰ）及びニッケルリン化物（ＮｉＰ）からなる群から選ばれる耐食性に優れた非磁性アモルファス合金を用いて充填後の表面が平滑なものとすることができるので、信頼性を損なうことなく、簡便な方法で製造でき、生産性に優れたディスクリートトラック媒体やパターンド媒体を提供することができる。

本発明の実施形態の磁気記録媒体を示す断面模式図である。本発明の実施形態の磁気記録媒体の製造工程を示す工程図である。分離層に用いるＣｒ−Ｂ合金の成膜後及びエッチング後の表面粗さＲａのＢ濃度依存性を示すグラフである。分離層に用いるＮｉ−Ｂ合金の成膜後及びエッチング後の表面粗さＲａのＢ濃度依存性を示すグラフである。分離層に用いるＣｒ−Ｐ合金の成膜後及びエッチング後の表面粗さＲａのＰ濃度依存性を示すグラフである。分離層に用いるＮｉ−Ｐ合金の成膜後及びエッチング後の表面粗さＲａのＰ濃度依存性を示すグラフである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図において、同一ないし同等部分には同一の符号を付して説明を省略する。
図１は、本発明の実施形態の磁気記録媒体を示す断面模式図である。この実施形態の磁気記録媒体は、非磁性基体である基板１上に、軟磁性層２、結晶配向制御層３、磁気記録層４、保護層６がこの順に設けられており、磁気記録層４は分離層５により磁気的に分離されて記録トラックを構成する。

磁気記録層４は、積層構造のもの（不図示）とすることができ、この実施形態では、グラニュラー構造の第１磁気記録層とその上に形成された非グラニュラー構造の第２磁気記録層とからなる。

分離層５は、クロムホウ化物（ＣｒＢ）、ニッケルホウ化物（ＮｉＢ）、クロムリン化物（ＣｒＰ）及びニッケルリン化物（ＮｉＰ）からなる群から選ばれる非磁性アモルファス合金からなる。

分離層５を構成する非磁性アモルファス合金が、クロムホウ化物（ＣｒＢ）である場合には、そのホウ素（Ｂ）の含有量が５乃至２０原子％の範囲にあり、ニッケルホウ化物（ＮｉＢ）である場合には、そのホウ素（Ｂ）の含有量が１２乃至２２原子％の範囲にあり、クロムリン化物（ＣｒＰ）である場合には、そのリン（Ｐ）の含有量が８乃至１８原子％の範囲にあり、ニッケルリン化物（ＮｉＰ）である場合には、そのリン（Ｐ）の含有量が１４乃至２４原子％の範囲にあることが好ましい。

分離層５は、スパッタリング法によって形成が可能であり、前記含有量の範囲ではアモルファスであり、成膜後の表面粗さも単一金属に比べて小さく、図３から図６に示すように、平滑性に優れている。

図３から図６は、分離層５を構成する非磁性アモルファス合金の成膜後の表面粗さＲａの組成依存性を示したものであり、Ｒａ０．２５ｎｍの平滑なシリコンウェハに、各材料共に２０ｎｍをスパッタリングで成膜したものをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定した値である。

また、その膜をエッチングした場合にも、前記の組成範囲であれば、表面粗さの変化は少なく、図３から図６に示すように、平滑性を保つことができる。
図３から図６には、イオンミリング法により前記組成の膜を１０秒間エッチングした後の表面粗さＲａの組成依存性も示す。その際の条件はアルゴンガスを５０ｓｃｃｍ、ガス圧５Ｐａ、パワーを２５０Ｗとした。

そして、この実施形態の磁気記録媒体は、図２に示す製造工程により作製することができる。
まず、基板１上に軟磁性層２、結晶配向制御層３、磁気記録層（磁性層）４を順次スパッタリングにより形成し、次に保護層（保護膜）７を形成して原料媒体１０とする。

その後、この原料媒体１０を図２（ａ）から（ｆ）に示すように加工して分離層５を形成する。
すなわち、図２（ａ）に示すように、所定の形状にパターニングされたレジスト８を形成する。これにはインプリント法やＥＢ描画装置によるパターニングなどによってなされるが、これに制限されるものではない。インプリント法の場合のレジスト８としてはスピンオンガラス（ＳＯＧ）などが用いられる。

次に図２（ｂ）に示すように、保護膜７をエッチングする。これにはイオンミリングや酸素プラズマによってなされる。さらに図１（ｃ）のように磁性層４を所定の深さまでイオンミリングなどにより加工して分離部（凹部）を形成する。

次に図２（ｄ）に示すようにレジスト８及び保護膜７を剥離する。ＳＯＧのようなシリコン酸素化合物の場合は、ＣＦ₄などの腐食性ガスのプラズマ処理によって可能である。反応性イオンエッチング法により反応性ガスとしてＣＦ₄ガスを用い、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductive Coupled Plasma）方式の高密度プラズマエッチング装置により行なうことができる。ガス種は、ＣＦ₄ガス以外にも、ハロゲンを含むガスであれば良く、例えば、ＣＨＦ₃、ＣＨ₂Ｆ₂、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₈、ＳＦ₆、Ｃｌ₂などのガスでも構わない。また、通常のレジストであれば有機溶剤や酸素プラズマなどによってなされる。

この際、記録トラック部には保護膜７があるため、腐食されることはない。次に保護膜７をイオンミリングや酸素プラズマなどで磁性層４の表面まで除去する。その際記録トラックへのダメージを最小にするため、ジャストエッチングで止める。また、数ｎｍであれば保護膜７を残してもかまわない。これにはエンドポイントモニターなどを使用することが望ましい。

次に図２（ｅ）に示すように、分離層５を形成する。スパッタリング法により、ホウ素含有量が５乃至２０原子％の範囲にあるクロム合金、ホウ素含有量が１２乃至２２原子％の範囲にあるニッケル合金、リン含有量が８乃至１８原子％の範囲にあるクロム合金、リン素含有量が１４乃至２４原子％の範囲にあるニッケル合金のいずれかを選択し、形成する。膜厚は分離層の深さの一倍から十倍が望ましい。

次に図２（ｆ）に示すように、エッチングにより余剰の分離層を除去する。エッチングにはアルゴンイオンミリングなどを用いる。その際、平坦になることが望ましいが数ｎｍ程度の段差は許容される。また、さらに分離層を形成し、その後エッチングすることを繰り返すことにより平坦性は向上するので、所定の平坦性までこれらの工程を行なってもかまわない。また、エッチングにはエンドポイントモニターなどを利用し、分離層のみを除去することが望ましい。

次に図２（ｇ）に示すように保護層（保護膜）６を形成する。その際、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの方法を用いることができ、両者を組み合わせても良い。なお、磁気ヘッドと磁気記録層４のスペーシングロスを小さくするため保護層６の厚さは５ｎｍ以下が望ましい。最後に液体潤滑剤を塗布して完成となる。

原料媒体１０に用いる材料などは以下のとおりである。
基板１は、通常の磁気記録媒体に用いられるＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、あるいは、結晶化ガラス等を用いることができる。

軟磁性層２は、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させ磁気記録層４に急峻な磁場勾配を形成するためのものである。この軟磁性層２には、ＮｉＦｅ系合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等を用いることができるが、非晶質のＣｏ合金、例えば、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好な電磁変換特性を得ることができる。また、軟磁性層２の膜厚の最適値は、磁気記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性に依存するが、生産性の観点からは、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが望ましい。

結晶配向制御層３は、磁気記録層４の結晶配向性、結晶粒径、および、粒界偏析を好適に制御するためのものである。磁気記録層４の結晶配向を好適に制御するためには、その結晶配向制御層３の磁気記録層４に面する側の表面が、ｈｃｐの結晶構造を有するＲｕまたはＲｕを含む合金からなり、互いに分離されたＲｕ結晶がその上に成長する磁気記録層の磁性結晶が隣接する磁性結晶に連結することなく個々に分離して成長できる程度に分離していることが特に望ましい。

ＲｕまたはＲｕを含む合金を用いて結晶配向制御層３を形成すると、Ｒｕ結晶は粒界を持って成長する。即ち、多数のＲｕ結晶が垂直に、すなわち軟磁性層２に面する側から磁気記録層４に面する側に向けて結晶成長する。このＲｕ結晶は軟磁性層２に面する側から磁気記録層４に面する側に向けて徐々に幅が狭くなり、隣接する結晶との間が徐々に広がってくる。

磁気記録層４をこの結晶配向制御層３の上に形成すると、磁性結晶がそれぞれのＲｕ結晶の上に成長する。ＲｕまたはＲｕを含む合金の層（以下「Ｒｕ層」という。）が適正な厚さの場合、Ｒｕ層の磁気記録層側の面にはＲｕ結晶が隣接するＲｕ結晶との間に適切な間隔を有して形成されている。このような構成の結晶配向制御層３の上に第１磁気記録層を形成すると、Ｒｕ結晶の上に垂直配向した磁性結晶粒が形成され、この磁性結晶粒の周囲に酸化物や窒化物のような非磁性体が形成され、グラニュラー構造からなる磁気記録層（以下「グラニュラー磁気記録層」という。）が形成される。

Ｒｕ層が適正な厚さより薄くなると、Ｒｕ層の磁気記録層側の面の隣接するＲｕ結晶間の幅が狭くなり、Ｒｕ結晶の上に形成された磁性結晶が隣同士でくっついて一体化して、グラニュラー結晶が形成されなくなる。また、Ｒｕ層が厚すぎると、Ｒｕ結晶の分離は進むが、粒界層の割合が多くなり磁気特性が低下し易くなる。

グラニュラー結晶を形成できる結晶配向制御層３の膜厚はＲｕ単体からなるか、Ｒｕ合金からなるかの違い及びＲｕ合金の組成によっても異なり、また、その上に形成しようとする磁気記録層４のグラニュラーの結晶粒径や取り巻く非磁性粒界の厚さに応じて異なるが、結晶配向制御層３の膜厚の最適値は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲で制御されていることが望ましい。

第１磁気記録層は、その少なくとも一部の領域に分離部が設けられている。即ち、磁気記録媒体がディスクリートトラック媒体の場合は、記録トラック領域の記録トラック間を区分する部分、サーボ信号を記録する領域のパターンを区分する部分に分離部が設けられている。また、磁気記録媒体がパターンド媒体の場合は、ビットに対応するパターンを区分する部分に分離部が設けられている。分離部の配置は、記録密度により異なる。例えば、５００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ²のディスクリートトラック媒体の記録トラック問は、６０ｎｍピッチである。

また、第１磁気記録層は、グラニュラー構造からなる磁気記録層であり、このような構造のグラニュラー磁気記録層の強磁性を有する結晶粒を構成する材料としては、ＣｏＣｒ系合金が好適に用いられ、特に、ＣｏＣｒ合金に、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂのうちの少なくとも１つの元素を添加した合金とすることが、優れた磁気特性と記録再生特性を得るためには望ましい。また、グラニュラー磁気記録層の非磁性粒界を構成する材料としては、Ｓｉ、Ａ１、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するためには望ましい。

第１磁気記録層の膜厚は、５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが望ましい。膜厚が５ｎｍよりも薄い場合には磁気記録層としての充分な信号特性が得られず、磁気記録の容易性及び記録再生分解能を高めるためには６０ｎｍよりも薄くする必要があるためである。生産性と高密度記録の観点から、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下がより好ましい。

第２磁気記録層は、第１磁気記録層上に形成されている。この時、第２磁気記録層は、非磁性粒界に金属の酸化物や窒化物を含有しない非グラニュラー構造からなる磁気記録層（以下「非グラニュラー磁気記録層」という。）である。非グラニュラー磁気記録層は、下層のグラニュラー磁気記録層の非磁性粒界から溶出してくるＣｏ原子をブロックして媒体の高い耐久性を担保する。そのため、非グラニュラー磁気記録層は、連続した膜（ベタ膜）とする必要がある。

非グラニュラー磁気記録層は、ＣｏＣｒ合金に、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｂのうちの少なくとも１つの元素を添加した合金とすることが、優れた磁気特性と記録再生特性を得るためには望ましい。また、媒体の高い耐久性を担保するために、その膜厚は２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが望ましい。

保護層６は、従来から一般的に使用されている保護膜、例えば、カーボン、ＺｒＯ₂、ＳｉＯ₂などを主体とする保護膜を用いることができる。その膜厚は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが望ましい。１ｎｍより薄い場合は、ピンホールが発生したり、耐久性が悪くなったりし、１０ｎｍよりも厚い場合は、ヘッドとの間隔が広がりヘッドが読み取る磁気信号が小さくなりすぎてしまうため好ましくない。

以下に、本発明の実施例を説明する。以下の実施例は、本発明を好適に説明するための例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。また、本実施例では、ディスクリートトラック媒体で説明するが、パターンド媒体でも同じようなプロセスで本発明の構成を作製することができる。
（実施例１）
図２に示す製造プロセスにそって実施例を説明する。

まず原料媒体１０を作製する。
基板１として、表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用いた。スパッタ成膜法により、ＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性層２を２００ｎｍ成膜し、結晶配向制御層３としてＮｉＦｅＮｂを３ｎｍ成膜、その上にＲｕを１４ｎｍ成膜した。さらに、第１磁気記録層としてＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂材料を１０ｎｍ成膜し、ＳｉＯ₂で形成される非磁性粒界を持つグラニュラー磁気記録層を形成した。さらに、第２磁気記録層として非グラニュラー磁気記録層を５ｎｍ成膜する。連続してスパッタ成膜法とＣＶＤ法により、カーボンからなる保護層７を１０ｎｍ成膜した。

このようにして、基板１上に、軟磁性層２、結晶配向制御層３、第１及び第２磁気記録層からなる磁気記録層４、保護層７を積層した原料媒体１０を作製した。
次に、原料媒体１０にスピンコーターを用いて、電子線（ＥＢ）描画用のレジスト（例えば、日本ゼオン性ＺＥＰ−５２０Ａ）を５０ｎｍ塗布した。

その後、ＥＢ装置を用いて、レジストに描画していった。
次に、コータデベロッパ装置を用いて、ＥＢレジスト用現像液（例えば、日本ゼオン性ＺＥＰ−ＲＤ）で現像を行い、レジストのパターニングを行った。レジストのパターニングで、データ領域とサーボ領域の描画を行った。データ領域は、セクタ毎に円周にそってライン＆グルーブとなるように行った。ライン＆グルーブの幅は、レジスト残存部が４０ｎｍ幅、磁気記録層露出部が６０ｎｍ幅になるようにした。サーボ領域は、バーストの各島が分離部で囲われるように形成した。サーボのバーストに関しては、信号の０、１が反転するだけであるので、磁性部と分離部が逆パターンであっても構わない。

また、レジストのパターニングは、ＥＢ描画で直接描画するだけでなく、量産性を考えたナノインプリント法を用いることもできる。
次に、カーボン保護膜のパターニングを行う。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、レジストをマスクとして酸素ガスを用いてカーボン保護膜をエッチングする。ＲＩＥは、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductive Coupled Plasma）方式の高密度プラズマエッチング装置を用いて行った。高密度プラズマエッチング装置のプラズマ生成パワーは１３．５６ＭＨｚで３００Ｗとし、バイアスパワーは１０Ｗとした。また、ガス流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧を０．１Ｐａに設定した。また、このカーボン保護膜のパターニングはイオンミリングによっても行うことができる。

次にイオンミリング法により磁性層をエッチングする。使用するイオンはアルゴンを用いた。アルゴンガスを１０ｓｃｃｍ、ガス圧を０．０５Ｐａ、加速電圧５００Ｖとして、1５ｎｍの深さに加工した。

次に、酸素プラズマ中でアッシングすることにより、残ったレジストと保護膜を除去した。ＩＣＰ方式の高密度プラズマエッチング装置を用い、プラズマ生成パワーは１３．５６ＭＨｚで２００Ｗとし、バイアスパワーは０Ｗとした。また、ガス流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧を１Ｐａに設定した。その際、磁性層への酸化を抑えるために、トラック部の磁性層表面に数ｎｍの保護膜が残るように調整することが望ましい。

次に分離層をスパッタリング法により形成する。ターゲットとしては以下の材料を用いることができ、本実施例ではホウ素含有量が１５原子％のクロム合金を用いてアルゴン５０ｓｃｃｍ、ガス圧０．１Ｐａ、パワー４００Ｗで、１００ｎｍの膜厚を形成した。

・ホウ素含有量が１０乃至２０原子％の範囲にあるクロム合金、
・ホウ素含有量が１２乃至２２原子％の範囲にあるニッケル合金、
・リン含有量が８乃至１８原子％の範囲にあるクロム合金、
・リン素含有量が１４乃至２４原子％の範囲にあるニッケル合金
次にイオンミリング法により余分な分離層を磁性層表面までエッチングする。アルゴンガスを５０ｓｃｃｍ、ガス圧５Ｐａ、パワーを５００Ｗとした。エンドポイントモニターを用いてカーボンを検出信号として磁性層表面まで加工した。

さらに、スパッタ成膜法とＣＶＤ法により、カーボンからなる保護層６を４ｎｍ成膜した。
必要に応じて、例えばダイヤモンドライクカーボンの場合、化学気相成長法や物理気相成長法で形成することができる。

その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層２ｎｍをディップ法により形成して、垂直磁気記録媒体とした。
こうして得られた磁気記録媒体の表面の凹凸をＡＦＭで評価した。その結果、トラック部の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は０．４ｎｍであり、平滑な面が確保された。また、磁性部と分離部のパターンに起因する表面の凹凸は最大１．５ｎｍであり、ヘッドの安定した浮上などから磁気記録媒体として求められる２ｎｍ以下であった。さらにヘッド浮上特性ＴＯＶ(Take off velocity)及び信号品質特性も良好であった。
（比較例）
分離部に用いる材料をＣｒとすること以外は前記実施例と同様に作製し、磁気記録媒体を得た。

こうして得られた磁気記録媒体の表面の凹凸をＡＦＭで評価した。その結果、トラック部の表面粗さＲａは１．７ｎｍであった。また、磁性部と分離部のパターンに起因する表面の凹凸は最大３ｎｍであり、ヘッドの安定した浮上などから磁気記録媒体として求められる２ｎｍより大きいものであった。さらにＴＯＶは前記実施例に比べて３０％悪いものであった。

実施例と比較例から明らかなように、本発明の材料を分離層に用いることにより、磁気記録媒体としての基本特性を損なうことなく、平滑性に優れ、ヘッド浮上性の良いパターンド媒体を作製することができた。

本発明は、高記録密度の垂直磁気記録媒体としてのディスクリートトラック媒体やパターンド媒体に利用することができる。

１基板
２軟磁性層
３結晶配向制御層
４磁気記録層（磁性層）
５分離層（分離部）
６保護層（保護膜）
７原料媒体の保護層（保護膜）
８レジスト
１０原料媒体

Claims

基板上に少なくとも磁気記録層を備え、該磁気記録層のトラック相互間を磁気的に分離する分離層を有してなる磁気記録媒体であって、前記分離層が、クロムホウ化物（ＣｒＢ）、ニッケルホウ化物（ＮｉＢ）、クロムリン化物（ＣｒＰ）及びニッケルリン化物（ＮｉＰ）からなる群から選ばれる非磁性アモルファス合金からなることを特徴とする磁気記録媒体。
前記非磁性アモルファス合金がクロムホウ化物（ＣｒＢ）であり、そのホウ素（Ｂ）の含有量が５乃至２０原子％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性アモルファス合金がニッケルホウ化物（ＮｉＢ）であり、そのホウ素（Ｂ）の含有量が１２乃至２２原子％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性アモルファス合金がクロムリン化物（ＣｒＰ）であり、そのリン（Ｐ）の含有量が８乃至１８原子％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記非磁性アモルファス合金がニッケルリン化物（ＮｉＰ）であり、そのリン（Ｐ）の含有量が１４乃至２４原子％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記磁気記録層上に保護層を備えることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。