JP7264157B2 - 磁気記録テープと磁気記録テープカートリッジ - Google Patents
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Description
本技術は、磁気記録テープ等に関する。より詳しくは、良好な結晶配向を有し、高い抗磁力を有する磁性膜を備える磁気記録テープと、該磁気記録テープを収容した磁気記録テープカートリッジに関する。
代表的な磁気記録媒体として、磁気記録テープやハードディスク媒体がある。近年では、前者の磁気記録テープが、データアップ用として改めて注目されている。その理由は、インターネットの普及、クラウドコンピューティング、ビッグデータの蓄積や解析が進んでいるため、長期的に記録すべき情報量が爆発的に増加し、磁気記録媒体に高記録容量化が求められているからである。さらに、この磁気記録テープは、コスト、省エネルギー、長寿命、信頼性などの観点でも有利な点を備えている。
この磁気記録テープは、ガラス基板等を基体としたハードディスク媒体とは異なり、長尺状の可撓性フィルムをベース層に磁性層他が積層されている複層構造を備えている。この磁気記録テープでは、磁気記録テープ表層に設けられた磁性層の磁性層の結晶配向特性をより向上させることが重要な技術的課題の一つになっている。磁性層の結晶配向特性は、該磁性層の磁性粒子材料の組成だけでなく、磁性層とベース層の間に介在する下地層などの構成によっても影響を受け、ひいては、磁気記録テープのシグナルノイズ比（以下、ＳＮＲ）にも影響する。
例えば、特許文献１では、Ｃｏ-Ｐｔ-Ｃｒを主体としてＳｉ酸化物を含有する磁性層の下層にＲｕ（ルテニウム）層を形成する技術が開示されている。この技術では、ＲｕがＣｏ（コバルト）と同じ六方晶最密構造をとっており、また、このＲｕがＣｏと近い格子定数を有していることに着目し、Ｒｕ層の結晶配向を工夫し、磁性層の結晶配向特性を高め、高保磁力を実現している。
本技術は、新規な下地層の構成等に工夫を施すことによって良好な結晶配向特性を有し、高いＳＮＲを示す磁気記録テープを提供することを主な目的とする。
本技術者らは、少なくとも、可撓性を備える長尺状フィルムからなるベース層と、該ベース層の一方の主面側に形成される磁性層と、を備えており、前記磁性層とベース層の間に、前記磁性層から前記ベース層側に向けて順に下地層、シード層が設けられており、前記下地層は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、次の（１）式である、Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ（但し、３７≦ ｙ≦４５の範囲内である。）で表される平均原子数比率を有し、前記ベース層の上に形成された前記シード層は５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚を備え、ＴｉとＯを含み（２）式である、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、Ｘ≦１０である。）で表される平均原子数比率、又は、Ｔｉ・Ｃｒ・Ｏを含み、次の（３）式である、（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ（但し、Ｘ≦１０である。）で表される平均原子数比率のいずれかを有する、磁気記録テープ等を提供する。
本技術は、例えば以下のとおりに構成されてよい。
［１］少なくとも、可撓性を備える長尺状フィルムからなるベース層と、該ベース層の一方の主面側に形成される磁性層と、を備えており、
前記磁性層とベース層の間に、
前記磁性層から前記ベース層側に向けて順に下地層、シード層が設けられており、
前記下地層は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、以下の（１）式で表される平均原子数比率を有し、
前記ベース層の上に形成された前記シード層は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を備え、
ＴｉとＯからなり、以下の（２）式で表される平均原子数比率を有し、
前記下地層と前記磁性層の間に、ルテニウムを含有する中間層が設けられており、該中間層の厚さが０．５ｎｍ～６.０ｎｍである、
磁気記録テープ。
Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ・・・・・（１）
（但し、３５≦ｙ≦４５の範囲内である。）
Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・（２）
（但し、ｘ≦１０である。）
［２］前記下地層が二層構造を備える、［１］記載の磁気記録テープ。
［３］前記下地層が、金属酸化物をさらに含む、［１］又は［２］に記載の磁気記録テープ。
［４］前記金属酸化物が、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２である、［３］記載の磁気記録テープ。
［５］前記磁性層の厚みが、１０ｎｍ～２０ｎｍである、［１］～［５］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［６］角形比が９０％以上である、［１］～［５］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［７］保磁力が２１００Oe以上である、［１］～［６］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［８］前記磁性層は、垂直配向された磁性層である、［１］～［７］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［９］前記磁性層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する、［８］記載の磁気記録テープ。
［１０］［１］～［９］のいずれか一つに記載の磁気記録テープがリールに巻きつけられた状態でケースに収容された構成を備える、磁気記録テープカートリッジ。
本技術は、例えば以下のとおりに構成されてよい。
［１］少なくとも、可撓性を備える長尺状フィルムからなるベース層と、該ベース層の一方の主面側に形成される磁性層と、を備えており、
前記磁性層とベース層の間に、
前記磁性層から前記ベース層側に向けて順に下地層、シード層が設けられており、
前記下地層は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、以下の（１）式で表される平均原子数比率を有し、
前記ベース層の上に形成された前記シード層は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を備え、
ＴｉとＯからなり、以下の（２）式で表される平均原子数比率を有し、
前記下地層と前記磁性層の間に、ルテニウムを含有する中間層が設けられており、該中間層の厚さが０．５ｎｍ～６.０ｎｍである、
磁気記録テープ。
Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ・・・・・（１）
（但し、３５≦ｙ≦４５の範囲内である。）
Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・（２）
（但し、ｘ≦１０である。）
［２］前記下地層が二層構造を備える、［１］記載の磁気記録テープ。
［３］前記下地層が、金属酸化物をさらに含む、［１］又は［２］に記載の磁気記録テープ。
［４］前記金属酸化物が、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２である、［３］記載の磁気記録テープ。
［５］前記磁性層の厚みが、１０ｎｍ～２０ｎｍである、［１］～［５］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［６］角形比が９０％以上である、［１］～［５］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［７］保磁力が２１００Oe以上である、［１］～［６］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［８］前記磁性層は、垂直配向された磁性層である、［１］～［７］のいずれか一つに記載の磁気記録テープ。
［９］前記磁性層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する、［８］記載の磁気記録テープ。
［１０］［１］～［９］のいずれか一つに記載の磁気記録テープがリールに巻きつけられた状態でケースに収容された構成を備える、磁気記録テープカートリッジ。
本技術に係る磁気記録テープは、良好な結晶配向特性を有し、高いＳＮＲを示すことができる。
以下、本技術を実施するための好適な実施形態例について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態例は、本技術に好適な実施形態や変形形態を例示するものであるため、これらに狭く限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、以下の実施形態例およびその変形例において挙げる構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式を挙げる場合は、この化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。また、以下に説明する実施形態例およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。説明は、以下の順序で行う。
（１）本技術に係る磁気記録テープの層構成
（１―１）第１実施形態例
（１－２）第２実施形態例
（１―３）第３実施形態例
（１－４）第４実施形態例
（１―５）第５実施形態例
（１－６）第６実施形態例
（２）本技術に係る磁気記録テープカートリッジの一実施形態例
（３）本技術に係る磁気記録テープの製造方法の一例
（１―１）第１実施形態例
（１－２）第２実施形態例
（１―３）第３実施形態例
（１－４）第４実施形態例
（１―５）第５実施形態例
（１－６）第６実施形態例
（２）本技術に係る磁気記録テープカートリッジの一実施形態例
（３）本技術に係る磁気記録テープの製造方法の一例
（１）本技術に係る磁気記録テープの層構成
本技術に係る磁気記録テープの層構成は、例えば、以下の第１～第６実施形態例を採用できる。
本技術に係る磁気記録テープの層構成は、例えば、以下の第１～第６実施形態例を採用できる。
（１－１）第１実施形態例
図１は、本技術の第１実施形態例である磁気記録テープＴの層構造を示す断面図である。この磁気記録テープＴは、ベース層５の一方側の主面上にシード層４が設けられ、この一層構造のシード層４の直上に二層構造の下地層３１、２２が順に積層され、該下地層３２の上に中間層２、該中間層２の上に磁気記録層として機能する磁性層１、該磁性層１の上に保護層Ｐ、潤滑剤層Ｌが設けられている。そして、ベース層５の他方側の主面にはバック層６が設けられている。なお、この第１実施形態例の層構成は、後述する実施例１～１４の層構成に対応している。以下では、各層の構成について、磁性層１からベース層５側に向けて説明し、最後に、最下層のバック層６について説明する。また、本技術の説明において、ベース層５を挟んで磁性層１側を上側、バック層６側を下側として扱うものとする。本技術に係るすべての実施形態例に共通する層については、添付したすべての図面においては同一の符号を用いて示し、共通の層に係る構成や材料等についての重複説明は割愛する。
図１は、本技術の第１実施形態例である磁気記録テープＴの層構造を示す断面図である。この磁気記録テープＴは、ベース層５の一方側の主面上にシード層４が設けられ、この一層構造のシード層４の直上に二層構造の下地層３１、２２が順に積層され、該下地層３２の上に中間層２、該中間層２の上に磁気記録層として機能する磁性層１、該磁性層１の上に保護層Ｐ、潤滑剤層Ｌが設けられている。そして、ベース層５の他方側の主面にはバック層６が設けられている。なお、この第１実施形態例の層構成は、後述する実施例１～１４の層構成に対応している。以下では、各層の構成について、磁性層１からベース層５側に向けて説明し、最後に、最下層のバック層６について説明する。また、本技術の説明において、ベース層５を挟んで磁性層１側を上側、バック層６側を下側として扱うものとする。本技術に係るすべての実施形態例に共通する層については、添付したすべての図面においては同一の符号を用いて示し、共通の層に係る構成や材料等についての重複説明は割愛する。
＜磁性層１＞
磁性層１は、磁性結晶粒子を含む層であり、磁気を用いて、信号を記録したり、あるいは再生をしたりする層として機能する。磁性層１は、記録密度を向上できる観点などから磁性結晶粒子が垂直配向されていることがより好ましい。さらに、この観点で、磁性層１は、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ構造を有する層であることが好ましい。
磁性層１は、磁性結晶粒子を含む層であり、磁気を用いて、信号を記録したり、あるいは再生をしたりする層として機能する。磁性層１は、記録密度を向上できる観点などから磁性結晶粒子が垂直配向されていることがより好ましい。さらに、この観点で、磁性層１は、Ｃｏ系合金を含むグラニュラ構造を有する層であることが好ましい。
グラニュラ構造を有する磁性層１は、Ｃｏ系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻くように存在する非磁性粒界（非磁性体）とから構成されている。より具体的には、グラニュラ構造の磁性層１は、Ｃｏ系合金を含むカラム（柱状結晶）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを物理的に、かつ磁気的に分離する非磁性粒界とから構成されている。このようなグラニュラ構造によって、磁性層１は、それぞれのカラム状の磁性結晶粒子が磁気的に分離した構造を呈する。
Ｃｏ系合金は、上述した中間層２のＲｕと同じく六方晶最密充填（ｈｃｐ）構造を有しており、そのｃ軸は膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向している。このように、磁性層１が直下層の中間層２と同じ六方晶最密充填構造を有することによって、磁性層１の配向特性がさらに高められている。Ｃｏ系合金としては、少なくともＣｏ、Ｃｒ及びＰｔを含有するＣｏＣｒＰｔ系合金を採用することが好ましい。ＣｏＣｒＰｔ系合金は、特に狭く限定されるものではなく、さらに添加元素を含んでいてもよい。添加元素としては、例えば、Ｎｉ、Ｔａなどから選択される一種以上の元素を挙げることができる。好ましくは、磁性層１は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有しうる。
強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界は、非磁性金属材料を含んでいる。ここで、金属には半金属を含むものとする。非磁性金属材料としては、例えば、金属酸化物及び金属窒化物の内の少なくとも一つを採用することができ、上記グラニュラ構造をより安定に維持する観点からすると、金属酸化物を用いることが好ましい。
非磁性粒界に適する前記金属酸化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ，Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、Ｂ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ3又はＨｆＯ２などを挙げることができ、特に、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２を含む金属酸化物が好ましい。
非磁性粒界に適する上記金属窒化物としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔｉ，Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属窒化物が挙げられる。その具体例としては、ＳｉＮ、ＴｉＮ又はＡｌＮなどを挙げることができる。
さらに、強磁性結晶粒子に含まれるＣｏＣｒＰｔ系合金と、非磁性粒界に含まれるＳｉＯ２又はＴｉＯ２とが、以下の式（４）に示す平均原子数比率を有していることが好ましい。反磁界の影響を抑制し、かつ、充分な再生出力を確保できる飽和磁化量Ｍｓを実現でき、これにより、記録再生特性のさらなる向上を実現できるからである。
（ＣｏｘＰＴｙＣｒ100－ｘ－ｙ）100－ｚ－（ＭＯ２）ｚ・・・・・・・（４）
（但し、式（４）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１０ ≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値であり、且つ、ＭはＳｉ又はＴｉである。）
（ＣｏｘＰＴｙＣｒ100－ｘ－ｙ）100－ｚ－（ＭＯ２）ｚ・・・・・・・（４）
（但し、式（４）中において、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ、６９≦ｘ≦７２、１０ ≦ｙ≦１６、９≦ｚ≦１２の範囲内の値であり、且つ、ＭはＳｉ又はＴｉである。）
上記平均原子数比率は、次のようにして求めることができる。磁気記録テープＴの保護層１（図１参照。後述）側からイオンミリングしながら、オージェ電子分光法（Auger Electron Spectroscopy、以下「ＡＥＳ」という。）による磁性層１の深さ方向分析（デプスファイル測定）を行い、膜厚方向におけるＣｏ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｓｉ及びＯの平均原子数比率を求める。
磁性層１の厚みの好適な範囲は、１０ｎｍ～２０ｎｍである。下限厚みの１０ｎｍは、磁性粒子体積の低減による熱擾乱の影響という観点での限界厚みであり、上限厚みの２０ｎｍは、高記録密度磁気記録テープのビット長の設定の観点から、この厚みを超える厚みは弊害となる。
磁性層１の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、磁気記録テープＴを、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察を行う。装置および観察条件は、装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）、加速電圧：３００ｋＶ、倍率：１００，０００倍である。次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録テープＴの長手方向に少なくとも１０点以上の位置で磁性層１の厚みを測定した後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して磁性層１の平均厚みを求める。なお、測定位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
＜保護層＞
なお、図１等において符号Ｐは、保護層を示している。この保護層Ｐは、磁性層１を保護する役割を果たす層である。この保護層Ｐは、例えば、炭素材料又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む。この保護層１の膜強度の観点からは炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：略称ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを挙げることができる。なお、保護層５は、以下のすべての実施形態例で共通である。
なお、図１等において符号Ｐは、保護層を示している。この保護層Ｐは、磁性層１を保護する役割を果たす層である。この保護層Ｐは、例えば、炭素材料又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む。この保護層１の膜強度の観点からは炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：略称ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを挙げることができる。なお、保護層５は、以下のすべての実施形態例で共通である。
＜潤滑剤層＞
この保護層Ｐの上層に、潤滑剤層Ｌを設けてもよい（図１参照）。この潤滑剤層Ｌは、潤滑剤が配合された層であり、走行時の磁気記録テープＴの摩擦を軽減する役割を主に果たす。
この保護層Ｐの上層に、潤滑剤層Ｌを設けてもよい（図１参照）。この潤滑剤層Ｌは、潤滑剤が配合された層であり、走行時の磁気記録テープＴの摩擦を軽減する役割を主に果たす。
潤滑剤層Ｌは、少なくとも１種の潤滑剤を含んでいる。潤滑剤層Ｌは、必要に応じて各種添加剤、例えば防錆剤をさらに含んでいてもよい。潤滑剤は、少なくとも２つのカルボキシル基と１つのエステル結合とを有し、下記の一般化学式（１）で表されるカルボン酸系化合物の少なくとも１種を含んでいる。潤滑剤は、下記の一般化学式（１）で表されるカルボン酸系化合物以外の種類の潤滑剤をさらに含んでいてもよい。
上記カルボン酸系化合物は、下記の一般化学式（２）または一般化学式（３）で表されるものが好ましい。
潤滑剤は、上記の一般化学式（２）および一般化学式（３）で表されるカルボン酸系化合物の一方または両方を含んでいることが好ましい。
一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物を含む潤滑剤を磁性層１または保護層Ｐなどに塗布すると、疎水性基である含フッ素炭化水素基又は炭化水素基Ｒｆ間の凝集力により潤滑作用が発現する。Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、総炭素数が６～５０であり、且つフッ化炭化水素基の総炭素数が４～２０であるのが好ましい。Ｒｆ基は、飽和又は不飽和、直鎖又は分岐鎖又は環状であってよいが、とくに飽和で直鎖であるのが好ましい。
例えば、Ｒｆ基が炭化水素基である場合には、下記一般化学式（４）で表される基であることが望ましい。
また、Ｒｆ基が含フッ素炭化水素基である場合には、下記一般化学式（５）で表される基であることが望ましい。
フッ化炭化水素基は、上記のように１箇所に集中していても、また下記一般化学式（６）のように分散していてもよく、－ＣＦ３や－ＣＦ２－ばかりでなく－ＣＨＦ２や－ＣＨＦ－等であってもよい。
一般化学式（４）、（５）および（６）において炭素数を上記のように限定したのは、アルキル基または含フッ素アルキル基を構成する炭素数（ｌ、又は、ｍとｎの和）が上記下限以上であると、その長さが適度の長さとなり、疎水性基間の凝集力が有効に発揮され、良好な潤滑作用が発現し、摩擦・摩耗耐久性が向上するからである。また、その炭素数が上記上限以下であると、上記カルボン酸系化合物からなる潤滑剤の、溶媒に対する溶解性が良好に保たれるからである。
特に、Ｒｆ基は、フッ素原子を含有すると、摩擦係数の低減、さらには走行性の改善等に効果がある。但し、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間に炭化水素基を設け、含フッ素炭化水素基とエステル結合との間を隔てて、エステル結合の安定性を確保して加水分解を防ぐのがよい。また、Ｒｆ基がフルオロアルキルエーテル基、又はパーフルオロポリエーテル基を有するものであるのもよい。Ｒ基は、なくてもよいが、ある場合には、比較的炭素数の少ない炭化水素鎖であるのがよい。また、Ｒｆ基又はＲ基は、構成元素として窒素、酸素、硫黄、リン、ハロゲンなどの元素を含み、既述した官能基に加えて、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、アミノ基、及びエステル結合等を更に有していてもよい。
上記一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、具体的には以下に示す化合物の少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、潤滑剤は、以下に示す化合物を少なくとも１種含んでいることが好ましい。
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
C17H35COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(C18H37)COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CHF2(CF2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)2OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)11OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)6OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
C18H37OCOCH2CH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)4COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)3(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)9(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7(CH2)12COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)5(CH2)10COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C9H19)CH2CH=CH(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CF3(CF2)7CH(C6H13)(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
CH3(CH2)3(CH2CH2CH(CH2CH2(CF2)9CF3))2(CH2)7COOCH(COOH)CH2COOH
上記一般化学式（１）で示されるカルボン酸系化合物は、環境への負荷の小さい非フッ素系溶剤に可溶であり、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、エステル系溶剤などの汎用溶剤を用いて、塗布、浸漬、噴霧などの操作を行えるという利点を備えている。具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノンなどの溶媒を挙げることができる。
保護層Ｐが炭素材料を含む場合には、潤滑剤として上記カルボン酸系化合物を保護層Ｐ上に塗布すると、保護層Ｐ上に潤滑剤分子の極性基部である２つのカルボキシル基と少なくとも１つのエステル結合基が吸着され、疎水性基間の凝集力により特に耐久性の良好な潤滑剤層Ｌを形成することができる。
なお、潤滑剤は、上述のように磁気記録テープＴの表面に潤滑剤層Ｌとして保持されるのみならず、磁気記録テープＴを構成する磁性層１および保護層Ｐなどの層に含まれ、保有されていてもよい。
＜中間層＞
図１等において符号２で示される中間層は、該中間層２の直上に形成された上記磁性層１の配向特性を高める役割を主に果たす層である。この中間層２は、該中間層２と接している磁性層１の主成分と同様の結晶構造を有していることが好ましい。例えば、磁性層１がＣｏ（コバルト）系合金を含んでいる場合には、該中間層２は、このＣｏ系合金と同様の六方晶最密充填構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向していることが好ましい。これにより、磁性層１の結晶配向特性を一層高め、かつ、中間層２と磁性層１との格子定数のマッチングを比較的良好にすることができる。
図１等において符号２で示される中間層は、該中間層２の直上に形成された上記磁性層１の配向特性を高める役割を主に果たす層である。この中間層２は、該中間層２と接している磁性層１の主成分と同様の結晶構造を有していることが好ましい。例えば、磁性層１がＣｏ（コバルト）系合金を含んでいる場合には、該中間層２は、このＣｏ系合金と同様の六方晶最密充填構造を有する材料を含み、その構造のｃ軸が膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向していることが好ましい。これにより、磁性層１の結晶配向特性を一層高め、かつ、中間層２と磁性層１との格子定数のマッチングを比較的良好にすることができる。
中間層２で採用する六方晶最密充填構造の材料は、Ｒｕ（ルテニウム）単体又はその合金が好ましい。Ｒｕ合金としては、Ｒｕ-ＳｉＯ２、ＲｕＴｉＯ２、又はＲｕ-ＺｒＯ２などのＲｕ合金酸化物を挙げることができる。しかしながら、Ｒｕ材料は希少金属であり、コスト視点では該中間層２は可能な限り薄くすることが好ましく、６．０ｎｍ以下、より好ましくは５．０ｎｍ以下、さらに好ましくは２．０ｎｍ以下の厚みが好ましい。あるいは、同コスト視点では、この中間層２を全く無くす構成（例えば、図２の第２実施形態例、図４の第４実施形態例）にした方がより好ましい。
本第１実施形態例では、ベース層５の上に、後述する下地層３、シード層４を設けているので、この中間層２の厚さを薄くした場合でも、あるいは、該中間層２が無い層形態（第２実施形態例、図２参照。後述。）とした場合でも、良好なＳＮＲの磁気記録テープを得ることができる 。
なお、中間層２が有する「濡れ性」を利用すると、該中間層２の上に真空成膜にて形成される磁性層１を構成する材料が結晶化する時の拡散がし易くなり、結晶のカラムサイズを大きくすることができる。例えば、Ｒｕを含有する中間層２に濡れ性を発揮させるためには、最低でも０．５ｎｍ以上の厚みが必要である。
＜下地層＞
図１に示された第１実施形態例では、上記中間層２の直下に、下地層３が設けられている。下地層３は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、以下の（１）式で表される平均原子数比率を有する。
Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ・・・・・（１）
（但し、３５≦ｙ≦４５の範囲内である。）
本技術の好ましい実施態様に従い、下地層３は、さらに金属酸化物を含みうる。当該金属酸化物は、好ましくは二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は二酸化チタン（ＴｉＯ２）でありうる。この実施態様において、下地層３の組成は例えば以下のとおりであってよい。
［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＭＯ２）ｚ・・・・（５）
（但し、３７≦ ｙ≦４５であり、ｚ≦１０の範囲内であり、且つ、ＭはＳｉ又はＴｉである。）
本技術の一つの実施態様に従い、中間層２の下に、該上側下地層３１、さらに該上側下地層３１の直下に下側下地層３２が設けられていてよい。即ち、本第１実施形態例の下地層３は、上側下地層３１と下側下地層３２からなる二層構造を備えていてよい。
図１に示された第１実施形態例では、上記中間層２の直下に、下地層３が設けられている。下地層３は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、以下の（１）式で表される平均原子数比率を有する。
Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ・・・・・（１）
（但し、３５≦ｙ≦４５の範囲内である。）
本技術の好ましい実施態様に従い、下地層３は、さらに金属酸化物を含みうる。当該金属酸化物は、好ましくは二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は二酸化チタン（ＴｉＯ２）でありうる。この実施態様において、下地層３の組成は例えば以下のとおりであってよい。
［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＭＯ２）ｚ・・・・（５）
（但し、３７≦ ｙ≦４５であり、ｚ≦１０の範囲内であり、且つ、ＭはＳｉ又はＴｉである。）
本技術の一つの実施態様に従い、中間層２の下に、該上側下地層３１、さらに該上側下地層３１の直下に下側下地層３２が設けられていてよい。即ち、本第１実施形態例の下地層３は、上側下地層３１と下側下地層３２からなる二層構造を備えていてよい。
下地層３は上記のとおりＣｏ系合金で形成されてよい。下地層３が上記二層構造を有する場合においても、上側下地層３１及び下側下地層３２の両方が、Ｃｏ系合金で形成されている磁性層１（後述）と同様のＣｏ系合金から形成することが好ましい。その理由は、下地層３にＣｏ系合金を用いると、上述した磁性層１や中間層２と同じ六方晶最密充填（ｈｃｐ）構造を有する結晶構造を備えることになり、そのｃ軸は膜面に対して垂直方向（磁気記録テープ厚み方向）に配向する。このように、下地層３が、磁性層１や中間層２と同じ六方晶最密充填構造を有することにより、磁性層１の配向特性をさらに高めることができる。
下地層３が上記二層構造を有する場合において、下地層３を構成する上側下地層３１は、以下の（１）式で示される平均原子数比率を有していることが好ましい。
Ｃｏ（100－ｙ）Ｃｒｙ・・・・・・・（１）
（但し、３７≦ ｙ≦４５の範囲内である。）
（但し、３７≦ ｙ≦４５の範囲内である。）
下地層３を構成するＣｏＣｒ膜については、０≦ｙ≦３６ではｈｃｐ相、５４≦ｙ≦６６ではσ相となる。ＣｏＣｒ膜がｈｃｐ相とσ相の共存状態で場合に、その上に成長する六方晶最密充填構造である金属膜において、良好な垂直方向へのｃ軸配向と孤立したカラム形状を有する膜が形成される。ｙが３７未満であると、ＣｏＣｒ膜はｈｃｐ相のみとなるので、その上に成長する金属膜のカラムの孤立性が低下することから不適であり、一方、ｙが４５を超えると、ＣｏＣｒ膜中のσ相の比率が増えることによりその上に成長する金属膜のｃ軸配向が低下するので不適である。
上側下地層３１は、以下の（５）式で表される平均原子数比率に示す範囲で、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は二酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有していてもよい。
［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＭＯ２）ｚ・・・・（５）
（但し、３７≦ ｙ≦４５であり、ｚ≦１０の範囲内であり、且つ、ＭはＳｉ又はＴｉである。）
（但し、３７≦ ｙ≦４５であり、ｚ≦１０の範囲内であり、且つ、ＭはＳｉ又はＴｉである。）
下地層３及び上側下地層３１に関する上記（５）式において、ｚが１０を超える場合は、Ｃｏ系合金の磁性柱状結晶（カラム）と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを物理的に、かつ磁気的に分離している非磁性粒界が過剰となり、それぞれのカラム状の磁性結晶粒子が磁気的に過度に分離した構造を呈してしまうので、好ましくない。なお、この（５）式において、Ｚ＝０の場合は、（１）式が適用されることになる。
上側下地層３１は、金属酸化物をさらに含みうる。前記金属酸化物は、非磁性粒界を構成しうる。前記金属酸化物としてはＳｉＯ２の他、Ｃｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ，Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、Ｂ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられる。その具体例としては、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ3又はＨｆＯ２などを挙げることができ、特に、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２を含む金属酸化物が好ましい。
上側下地層３１は、金属酸化物をさらに含みうる。前記金属酸化物は、非磁性粒界を構成しうる。前記金属酸化物としてはＳｉＯ２の他、Ｃｒ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ，Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｙ、Ｂ及びＨｆなどから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含む金属酸化物が挙げられる。その具体例としては、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ3又はＨｆＯ２などを挙げることができ、特に、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２を含む金属酸化物が好ましい。
この上側下地層３１の厚みは、２０～５０nmの範囲が好ましい。同厚みが２０nm未満である場合、グラニュラ形状の鍵であるカラム先頭部の山型形状が取りにくくなり、その上に成長する中間層の十分なグラニュラ性が確保できなくなる。また、同厚みが５０nmを超える場合、カラムが粗大化することにより中間層のカラムサイズが大きくなることにより最終的に磁性層のカラムサイズが大きくなり記録再生特性のノイズが増大する。
次に、上側下地層３１の直下に設けられる下側下地層３１についても、以上で上側下地層３１について述べた説明が当てはまる。例えば、下側下地層３１は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含む組成を有し、かつ、上記（１）式、又は（５）式と同じ平均原子数比率であることが好ましい。該下側下地層３１の厚みの好適な範囲は、上記上側下地層３１と同様である。
本第１実施形態例のように下地層３に、上側下地層３１と下側下地層３２を設けて二層構造とすると、下側下地層３２では結晶配向を高める成膜条件とし、上側下地層３１をグラニュラ性の高い成膜条件とすることで、結晶配向およびグラニュラ性を同時に実現できるようになるので、この点で好ましい。
＜シード層＞
図１等に符号４で示されたシード層は、下地層３の下層に位置し、かつ、ベース層５（後述）の一方の主面の直上に形成される層である。このシード層４は、後述する中間層２が薄く形成された場合、あるいは、該中間層２が設けられない層構成であっても、良好なＳＮＲ（シグナルノイズ比）を確保するために必要である。また、このシード層４は、ベース層５に対して下地層３以上の上層部、即ち、下地層３（３１、３２）、中間層２、磁性層１を密着させる役割も果たす。
図１等に符号４で示されたシード層は、下地層３の下層に位置し、かつ、ベース層５（後述）の一方の主面の直上に形成される層である。このシード層４は、後述する中間層２が薄く形成された場合、あるいは、該中間層２が設けられない層構成であっても、良好なＳＮＲ（シグナルノイズ比）を確保するために必要である。また、このシード層４は、ベース層５に対して下地層３以上の上層部、即ち、下地層３（３１、３２）、中間層２、磁性層１を密着させる役割も果たす。
このシード層４は、Ｔｉ（チタン）とＯ（酸素）の二つの原子を少なくとも含んでおり、次の（２）式で表される平均原子数比率を有することが好ましい。
Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・・（２）
（但し、Ｘ≦１０である。）
（但し、Ｘ≦１０である。）
あるいは、このシード層４は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｏの三つの原子を含んでおり、次の（３）式で表される平均原子数比率を有することが好ましい。シード層４にＣｒが含有すると、同様にＣｒを含有している下地層３（３１、３２）や磁性層１とのマッチングが良くなるので好ましい。
（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・・・・・（３）
（但し、Ｘ≦１０である。）
（但し、Ｘ≦１０である。）
上記（２）式、（３）式で表されるいずれの平均原子数比率であっても、両式においてＸが１０を超えるとシード層中にＴｉＯ２結晶が生成されるようになり、アモルファス膜としての機能が著しく低下するので好ましくない。
シード層４に含有されるＴｉは、Ｃｏ系合金と同様に六方晶最密充填構造を備えているので、磁性層１、中間層２、下地層３に結晶構造とのマッチングがよい。
シード層４に酸素が含有されている。これは、後述するベース層５を構成するフィルムに由来又は起因する酸素がシード層４に入り込むからであり、この点、フィルムからなるベース層５を使用しないハードディスク（ＨＤＤ）のシード層とは異なった原子構成となっている。なお、シード層４の全体の厚さは、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
＜ベース層＞
図１等に符号５で示されたベース層５は、可撓性を有する長尺状の非磁性支持体であり、磁気記録テープの土台となる層としての機能を主に果たしている。ベース層５は、ベースフィルム層、あるいは基体と称されることがあり、磁気記録テープＴ全体に適正な剛性を付与するフィルム層である。
図１等に符号５で示されたベース層５は、可撓性を有する長尺状の非磁性支持体であり、磁気記録テープの土台となる層としての機能を主に果たしている。ベース層５は、ベースフィルム層、あるいは基体と称されることがあり、磁気記録テープＴ全体に適正な剛性を付与するフィルム層である。
ベース層５の平均厚みの上限値は、４．５μｍ未満、より好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．６μｍ以下、さらにより好ましくは３．３μｍ以下である。ベース層５の平均厚みの上限値が３．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。なお、ベース層５の下限の厚みは、フィルムの製膜上の限界や当該ベース層５の機能の観点から定められる。
ベース層５の平均厚みは、以下のようにして求めることができる。まず、１／２インチ幅の磁気記録テープＴ１を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベース層５以外の層をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプル（ベース層５）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、ベース層５の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ベース層５は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。ベース層５が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。
このベース層５の材料は、特に狭く限定はされないのであるが、磁気記録テープの規格によって定められる場合がある。例えば、ＬＴＯ規格では、ＰＥＮが指定されている。なお、ベース層５は、以下のすべての実施形態例において共通である。
＜バック層＞
図１等に示されているように、バック層６は、ベース層５の下側の主面に形成されている。このバック層６は、磁気記録テープＴ１が磁気ヘッドに対向しながら高速走行する際に発生する摩擦を制御する役割、巻き乱れを防止する役割などを担っている。すなわち、磁気記録テープＴ１を高速で安定走行させるための基本的な役割を担っている。このバック層６は、以下のすべての実施形態例で共通である。
図１等に示されているように、バック層６は、ベース層５の下側の主面に形成されている。このバック層６は、磁気記録テープＴ１が磁気ヘッドに対向しながら高速走行する際に発生する摩擦を制御する役割、巻き乱れを防止する役割などを担っている。すなわち、磁気記録テープＴ１を高速で安定走行させるための基本的な役割を担っている。このバック層６は、以下のすべての実施形態例で共通である。
バック層６は、結着剤および非磁性粉を含んでいる。バック層６は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の非磁性層２の場合と同様である。帯電防止剤を添加すると、このバック層６にゴミや埃の付着を防止することができる。
バック層６に含有され得る非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。
バック層６の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層６の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録テープＴの平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、磁気記録テープＴの記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層６の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、０．２μｍ以上である。０．２μｍ未満であると、磁気記録テープＴの記録再生装置内での走行安定性に支障をきたす恐れが生じる。
バック層６の平均厚みは、以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録テープＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitsutoyo社製レーザーホロゲージを用いて、サンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録テープＴの平均値ｔＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
続いて、サンプルのバック層６をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。その後、再び上記のレーザーホロゲージを用いてサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、バック層６を除去した磁気記録テープＴの平均値ｔＢ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。その後、ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］－ｔＢ［μｍ］という式によりバック層６の平均厚みｔｂ［μｍ］を求めることができる。
（１－２）第２実施形態例。
図２は、本技術の第２実施形態例である磁気記録テープＴの層構造を示す断面図である。この磁気記録テープＴは、磁性層１と下地層３の間に、中間層２が存在しない層構造を有している。より具体的には、磁性層１、二層の下地層３（３１、３２）、シード層４、ベース層５、バック層６を備えており、さらに磁性層１の直上に保護層Ｐ、そして該保護層Ｐの直上に潤滑剤層Ｌを備えている。
図２は、本技術の第２実施形態例である磁気記録テープＴの層構造を示す断面図である。この磁気記録テープＴは、磁性層１と下地層３の間に、中間層２が存在しない層構造を有している。より具体的には、磁性層１、二層の下地層３（３１、３２）、シード層４、ベース層５、バック層６を備えており、さらに磁性層１の直上に保護層Ｐ、そして該保護層Ｐの直上に潤滑剤層Ｌを備えている。
この第２実施形態例では、希少金属であるルテニウムを含有する中間層２（図１参照）が存在しない磁気記録テープＴを実現している。一方、下地層３の結晶構造を磁性層１と同じ六方晶最密充填構造としていることにより、中間層２が無いことによって磁性層１の配向特性が低減してしまうことを抑制している。なお、この第２実施形態例は、後述する実施例１５に対応する層構成である。
（１－３）第３実施形態例。
図３に示す磁気記録テープＴは、磁性層１の下層に中間層２を備える構成とし、かつ、下地層３を二層構造（上側下地層３１と下側下地層３２）にするとともに、シード層４も上側シード層４１と下側シード層４１の二層構造とした。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様の層構造である。
図３に示す磁気記録テープＴは、磁性層１の下層に中間層２を備える構成とし、かつ、下地層３を二層構造（上側下地層３１と下側下地層３２）にするとともに、シード層４も上側シード層４１と下側シード層４１の二層構造とした。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様の層構造である。
この第３実施形態例の層構成において、例えば、上側シード層４１は、ニッケルタングステン（Ｎｉ９６Ｗ６）で形成してもよく、下側シード層４２は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｏを少なくとも含み、上記（３）式で示される平均原子数比率の組成としてもよい。なお、この第３実施形態例は、後述する実施例１６、１７に対応する層構成である。
上側シード４１の厚みは、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の範囲が好ましく、下側下地層４２の厚みは２ｎｍ以上、３０ｎｍ以下が好ましい。
（１－４）第４実施形態例
図４に示す磁気記録テープＴは、中間層２を排除した以外は、上記第３実施形態例の層構造と同様である。この第４実施形態例においても、シード層４１、４２について、上記第３実施形態例と同じ材料や組成を採用することができる。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様の層構造である。なお、この第４実施形態例は、後述する実施例１８に対応する層構成である。
図４に示す磁気記録テープＴは、中間層２を排除した以外は、上記第３実施形態例の層構造と同様である。この第４実施形態例においても、シード層４１、４２について、上記第３実施形態例と同じ材料や組成を採用することができる。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様の層構造である。なお、この第４実施形態例は、後述する実施例１８に対応する層構成である。
（１－５）第５実施形態例
図５に示す磁気記録テープＴは、中間層２を備えており、該中間層２の直下に位置する下地層３は、上側下地層３１のみで構成されている。該下地層３（上側下地層３１）の直下に位置するシード層４は、下側シード層４２のみで構成されている。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様である。なお、この第５実施形態例は、後述する実施例１９に対応する層構成である。
図５に示す磁気記録テープＴは、中間層２を備えており、該中間層２の直下に位置する下地層３は、上側下地層３１のみで構成されている。該下地層３（上側下地層３１）の直下に位置するシード層４は、下側シード層４２のみで構成されている。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様である。なお、この第５実施形態例は、後述する実施例１９に対応する層構成である。
（１－６）第６実施形態例
図６に示す磁気記録テープＴは、中間層２を備え、該中間層２の直下に位置する下地層３は、上側下地層３１と下側下地層３２の二層構造を有する。下地層３（３１,３２）の下に位置するシード層４は、下側シード層４２のみで構成されている。そして、この下側シード層４２とベース層５の間に、単層の軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、略称ＳＵＬ）７を設けた層構造を有している。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様である。なお、この第６実施形態例は、後述する実施例２０に対応する層構成である。
図６に示す磁気記録テープＴは、中間層２を備え、該中間層２の直下に位置する下地層３は、上側下地層３１と下側下地層３２の二層構造を有する。下地層３（３１,３２）の下に位置するシード層４は、下側シード層４２のみで構成されている。そして、この下側シード層４２とベース層５の間に、単層の軟磁性裏打ち層（Soft magnetic underlayer、略称ＳＵＬ）７を設けた層構造を有している。潤滑剤層Ｌ、保護層Ｐ、磁性層１、ベース層５、バック層６については第１実施形態例と同様である。なお、この第６実施形態例は、後述する実施例２０に対応する層構成である。
＜ＳＵＬ（軟磁性裏打ち層）＞
図６に符号７で示すＳＵＬは、磁性層１に磁気記録を行う際に、垂直磁気ヘッドから発生する漏れ磁束を、該磁性層１に効率よく引き込むために設けられる層である。即ち、ＳＵＬ７を設けることで、磁気ヘッドからの磁界強度を高めることができ、より高密度記録に適した磁気記録テープＴとすることができる。なお、ＳＵＬ７を備える磁気記録テープＴは「二層垂直磁気記録テープ」と称することもできる。
図６に符号７で示すＳＵＬは、磁性層１に磁気記録を行う際に、垂直磁気ヘッドから発生する漏れ磁束を、該磁性層１に効率よく引き込むために設けられる層である。即ち、ＳＵＬ７を設けることで、磁気ヘッドからの磁界強度を高めることができ、より高密度記録に適した磁気記録テープＴとすることができる。なお、ＳＵＬ７を備える磁気記録テープＴは「二層垂直磁気記録テープ」と称することもできる。
ＳＵＬ７は、アモルファス状態の軟磁性材料を含んでいる。例えば、Ｃｏ系材料であるＣｏＺｒＮｂ合金で形成でき、他には、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＺｒＴａＮｂなども採用可能である。また、Ｆｅ系材料である、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＴａなどを採用してもよい。なお、ＳＵＬ７は、薄い介在層を挟んで二つの軟磁性層を形成し、前記介在層を介した交換結合を利用して積極的に磁化を反平行にした構造を備える、Antiparallel Coupled SUL（ＡＰＣ－ＳＵＬ）を備えるようにしてもよい。
・ 本技術に係る磁気記録テープカートリッジの一実施形態例
図７は、本技術に係る磁気記録テープが収容されたカートリッジ製品の一例を簡略に示している。所定の幅に裁断された磁気記録テープＴを品種に合わせた所定の長さに切断し、この図７に示されたようなカートリッジ磁気記録テープ８の形態とする。具体的には、カートリッジケース８１内に設けられたリール８２に所定長の磁気記録テープを巻き付けて収容する。
図７は、本技術に係る磁気記録テープが収容されたカートリッジ製品の一例を簡略に示している。所定の幅に裁断された磁気記録テープＴを品種に合わせた所定の長さに切断し、この図７に示されたようなカートリッジ磁気記録テープ８の形態とする。具体的には、カートリッジケース８１内に設けられたリール８２に所定長の磁気記録テープを巻き付けて収容する。
・ 本技術に係る磁気記録テープの製造方法の一例
本技術の磁気記録テープＴは、例えば、以下のようにして製造することができる。まず、ベース層５の一方の主面に対して、シード層４、下地層３、中間層２、磁性層１を順番にスパッタ成膜する。スパッタ時の成膜室の雰囲気は、例えば、１×１０－５Ｐａ～５×１０－５Ｐａ程度に設定する。シード層４、下地層３、中間層２、磁性層１の膜厚及び特性（例えば、磁気特性）は、ベース層５を構成するフィルムを巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒ（アルゴン）ガスなどの圧力（スパッタガス圧）、及び投入電力などを調整することにより制御することができる。
本技術の磁気記録テープＴは、例えば、以下のようにして製造することができる。まず、ベース層５の一方の主面に対して、シード層４、下地層３、中間層２、磁性層１を順番にスパッタ成膜する。スパッタ時の成膜室の雰囲気は、例えば、１×１０－５Ｐａ～５×１０－５Ｐａ程度に設定する。シード層４、下地層３、中間層２、磁性層１の膜厚及び特性（例えば、磁気特性）は、ベース層５を構成するフィルムを巻き取るテープライン速度、スパッタ時に導入するＡｒ（アルゴン）ガスなどの圧力（スパッタガス圧）、及び投入電力などを調整することにより制御することができる。
なお、中間層２を設けない実施形態例（図２、図４参照）では、該中間層２の成膜を行わないようにし、下地層３の直上に磁性層１を成膜する。シード層４が下側シード層４１、上側シード層４２の二層構造を備える場合は、順に製膜し、下地層３が下側下地層３１、上側下地層３２を備える場合は、この順番に成膜する。
次に、配向された磁性層１上に保護層Ｐを成膜する。該保護層Ｐの成膜方法としては、例えば、化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：略称ＣＶＤ）法、又は物理蒸着（Physical Vapor Depositin：略称ＰＶＤ）法を用いることができる。
次に、結着剤、無機粒子及び潤滑剤などを溶剤に混錬、分散させることにより、バック層６用の塗料を調製しておき、ベース層６の他方の主面上に、この調製した前記塗料を塗工し、これを乾燥させて、バック層６を形成する。
次に、潤滑剤をすでに成膜されている保護層Ｐの上に塗布し、潤滑剤層Ｌを形成する。潤滑剤の塗布方法としては、例えば、グラビアコーティング、ディップコーティングなどの各種塗布方法を採用することができ、特に限定されない。
続く工程として、磁気テープのテープ幅方向における反りを調整するため、表面温度が１５０－２３０℃程度に熱せられた金属ロールに原反ロールを接触させて走行させるホットロール処理を施してもよい 。
上述のようにして得られた幅広の磁気記録テープＴを、例えば、磁気記録テープの品種の規格に合わせた磁気記録テープ幅に裁断する（裁断工程）。例えば、１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断し、所定のロールに巻き取る。これにより、目的の磁気記録テープ幅を備える長尺状の磁気記録テープを得ることができる。この裁断工程で、必要な検査を行ってもよい。
次に、所定の幅に裁断された磁気記録テープを品種に合わせた所定の長さ切断し、図７に示したようなカートリッジ磁気記録テープ８の形態とする。具体的には、カートリッジケース８１内に設けられたリール８２に所定長の磁気記録テープＴを巻き付けて収容する。
最終の製品検査工程を経て梱包を行い出荷する。検査工程では、例えば、電磁変換特性、走行耐久性等の出荷前検査を行って、磁気記録テープの最終品質確認を行う。
本技術は、以下のような構成を採用することもできる。
（１）少なくとも、可撓性を備える長尺状フィルムからなるベース層と、該ベース層の一方の主面側に形成される磁性層と、を備えており、
前記磁性層とベース層の間に、
前記磁性層から前記ベース層側に向けて順に下地層、シード層が設けられており、
前記下地層は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、以下の式（１）で表される平均原子数比率を有し、
前記ベース層の上に形成された前記シード層は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を備え、
ＴｉとＯを含み以下の（２）式で表される平均原子数比率、又はＴｉ・Ｃｒ・Ｏを含み以下の式（３）式で表される平均組成のいずれかを有する、磁気記録テープ。
Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ・・・・・（１）
（但し、３７≦ ｙ≦４５の範囲内である。）
Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・・（２）
（但し、ｘ≦１０である。）
（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・・・・・（３）
（但し、ｘ≦１０である。）
（２）前記下地層が二層構造を備える、（１）記載の磁気記録テープ。
（３）前記下地層が、金属酸化物をさらに含む、（１）又は（２）記載の磁気記録テープ。
（４）前記金属酸化物が、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２である、（３）記載の磁気記録テープ。
（５）前記下地層と前記磁性層の間に、ルテニウムを含有する中間層が設けられており、該中間層の厚さが０．５～６.０ｎｍ以下である、（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（６）角形比が９０％以上である、（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（７）保磁力が２１００Oe以上である、（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（８）前記磁性層は、垂直配向された磁性層である、（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（９）前記磁性層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する、（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（１０）（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録テープがリールに巻きつけられた状態でケースに収容された構成を備える、磁気記録テープカートリッジ。
（１）少なくとも、可撓性を備える長尺状フィルムからなるベース層と、該ベース層の一方の主面側に形成される磁性層と、を備えており、
前記磁性層とベース層の間に、
前記磁性層から前記ベース層側に向けて順に下地層、シード層が設けられており、
前記下地層は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、以下の式（１）で表される平均原子数比率を有し、
前記ベース層の上に形成された前記シード層は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を備え、
ＴｉとＯを含み以下の（２）式で表される平均原子数比率、又はＴｉ・Ｃｒ・Ｏを含み以下の式（３）式で表される平均組成のいずれかを有する、磁気記録テープ。
Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ・・・・・（１）
（但し、３７≦ ｙ≦４５の範囲内である。）
Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・・（２）
（但し、ｘ≦１０である。）
（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・・・・・（３）
（但し、ｘ≦１０である。）
（２）前記下地層が二層構造を備える、（１）記載の磁気記録テープ。
（３）前記下地層が、金属酸化物をさらに含む、（１）又は（２）記載の磁気記録テープ。
（４）前記金属酸化物が、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２である、（３）記載の磁気記録テープ。
（５）前記下地層と前記磁性層の間に、ルテニウムを含有する中間層が設けられており、該中間層の厚さが０．５～６.０ｎｍ以下である、（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（６）角形比が９０％以上である、（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（７）保磁力が２１００Oe以上である、（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（８）前記磁性層は、垂直配向された磁性層である、（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（９）前記磁性層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する、（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録テープ。
（１０）（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録テープがリールに巻きつけられた状態でケースに収容された構成を備える、磁気記録テープカートリッジ。
以下、実施例によって、本技術をより具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
本実施例において、シード層、下地層、中間層、記録層および保護層の各層の厚さは、以下のようにして求めた。まず、磁気テープをその膜断面方向に薄く加工して試料片を作製した。次に、その試料片を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope、以下「ＴＥＭ」という。）により観察し、そのＴＥＭ像から各層の厚さを測定した。
また、本実施例において、シード層などの平均原子数比率は、以下のようにして求められた。まず、磁気テープをイオンミリングして、ＡＥＳによるシード層の深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行った。次に、得られたデプスプロファイルから、膜厚方向における平均原子数比率（平均組成）を求めた。
（実施例１)
（シード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性のベース層をなす長尺の高分子フィルムの表面上に、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝２である。）からなるシード層を膜厚１０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：０．１Ｗ／ｍｍ２
（シード層の成膜工程）
まず、以下の成膜条件にて、非磁性のベース層をなす長尺の高分子フィルムの表面上に、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝２である。）からなるシード層を膜厚１０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｔｉターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：０．１Ｗ／ｍｍ２
（下側下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、前記シード層上に、Ｃｏ（100－ｙ）Ｃｒｙ（但し、ｙ＝４０である。）からなる下側下地層を膜厚３０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＣｒターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２Ｐａ
投入電力：０．１３Ｗ／ｍｍ２
マスク：なし
次に、以下の成膜条件にて、前記シード層上に、Ｃｏ（100－ｙ）Ｃｒｙ（但し、ｙ＝４０である。）からなる下側下地層を膜厚３０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＣｒターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２Ｐａ
投入電力：０．１３Ｗ／ｍｍ２
マスク：なし
（上側下地層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、前記下側下地層上に、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝０である。）からなる上側下地層を膜厚３０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
ターゲット：ＣｏＣｒＳｉＯ２ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：６Ｐａ
投入電力：０．１３Ｗ／ｍｍ２
マスク：なし
次に、以下の成膜条件にて、前記下側下地層上に、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝０である。）からなる上側下地層を膜厚３０ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
ターゲット：ＣｏＣｒＳｉＯ２ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：６Ｐａ
投入電力：０．１３Ｗ／ｍｍ２
マスク：なし
（中間層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、下地層上にＲｕからなる中間層を膜厚２ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、下地層上にＲｕからなる中間層を膜厚２ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：Ｒｕターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．５Ｐａ
（磁性層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、前記中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ２）からなる磁性層を１４ｎｍ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ２）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、前記中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ２）からなる磁性層を１４ｎｍ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＳｉＯ２）ターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．５Ｐａ
（保護層の成膜工程）
次に、以下の成膜条件にて、記録層上にカーボンからなる保護層を膜厚５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ
次に、以下の成膜条件にて、記録層上にカーボンからなる保護層を膜厚５ｎｍになるようにスパッタ成膜した。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：カーボンターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：１．０Ｐａ
（潤滑剤層の成膜工程）
次に、調製した潤滑剤塗料を前記保護層上に塗布し、潤滑剤層を成膜した。なお、潤滑剤塗料は、汎用の溶剤に、カルボン酸パーフルオロアルキルエステル０．１１質量％、およびフルオロアルキルジカルボン酸誘導体０．０６質量％を混合して作製した。
次に、調製した潤滑剤塗料を前記保護層上に塗布し、潤滑剤層を成膜した。なお、潤滑剤塗料は、汎用の溶剤に、カルボン酸パーフルオロアルキルエステル０．１１質量％、およびフルオロアルキルジカルボン酸誘導体０．０６質量％を混合して作製した。
（バック層の成膜工程）
次に、ベース層をなす高分子フィルムの他方側の主面にバック層成膜用の塗料を塗布、乾燥することにより、バック層を形成した。より詳しくは、カーボンおよび炭酸カルシウムで構成される非磁性粉とポリウレタン系結着材で構成されるバック層を０．３μｍ厚で形成した。以上により、目的とする磁気記録テープが得られた（全体の層構成については図１再参照）。
次に、ベース層をなす高分子フィルムの他方側の主面にバック層成膜用の塗料を塗布、乾燥することにより、バック層を形成した。より詳しくは、カーボンおよび炭酸カルシウムで構成される非磁性粉とポリウレタン系結着材で構成されるバック層を０．３μｍ厚で形成した。以上により、目的とする磁気記録テープが得られた（全体の層構成については図１再参照）。
（実施例２）
下側シード層の膜厚を５ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層の膜厚を５ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例３）
下側シード層の膜厚を ３０ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層の膜厚を ３０ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例４）
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝９である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝９である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例５）
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝５である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝５である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例６)
下側下地層に関して、Ｃｏ（100－ｙ）Ｃｒｙ（但し、ｙ＝３７で ある。）としたこと、上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝３７ 、ｚ＝０である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側下地層に関して、Ｃｏ（100－ｙ）Ｃｒｙ（但し、ｙ＝３７で ある。）としたこと、上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝３７ 、ｚ＝０である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例７）
下側下地層に関して、Ｃｏ（100－ｙ）Ｃｒｙ（但し、ｙ＝４５である。）としたこと、上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４５、ｚ＝０である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側下地層に関して、Ｃｏ（100－ｙ）Ｃｒｙ（但し、ｙ＝４５である。）としたこと、上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４５、ｚ＝０である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例８）
Ｒｕからなる中間層に関して、膜厚を６ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
Ｒｕからなる中間層に関して、膜厚を６ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例９）
Ｒｕからなる中間層に関して、膜厚を５ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
Ｒｕからなる中間層に関して、膜厚を５ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例１０）
Ｒｕからなる中間層に関して、膜厚を０．５ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
Ｒｕからなる中間層に関して、膜厚を０．５ｎｍに変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（実施例１１)
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝１０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１１の上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝１０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１１の上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。
（実施例１２）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝７である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１２の上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝７である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１２の上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。
（実施例１３）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝４である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１３の上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝４である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１３の上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。
（実施例１４）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＴｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝４である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例 の上側下地層にはＴｉＯ２が含まれている。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＴｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝４である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例 の上側下地層にはＴｉＯ２が含まれている。
（実施例１５）
中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＴｉＯ２）からなる磁性層を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１５の磁性層の非磁性粒界にはＴｉＯ２が用いられている。なお、以上の実施例１～１５に対応する基本的な層構成については、図１（再参照）に対応している。
中間層上に（ＣｏＣｒＰｔ）－（ＴｉＯ２）からなる磁性層を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１５の磁性層の非磁性粒界にはＴｉＯ２が用いられている。なお、以上の実施例１～１５に対応する基本的な層構成については、図１（再参照）に対応している。
（実施例１６）
Ｒｕからなる中間層を排除した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。この実施例１６の基本的な層構成は、図２（再参照）に対応している。
Ｒｕからなる中間層を排除した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。この実施例１６の基本的な層構成は、図２（再参照）に対応している。
（参考例１７（以下「実施例１７」を「参考例１７」と読み替えるものとする。)
下側シード層に関して、（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ（ｘ＝２である。）とし、この下側シード層の上に、Ｎｉ９６Ｗ６で形成された上側シード層を５ｎｍの膜厚で設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。この実施例１７は、シード層が二層構造となっている。なお、この上側シード層のスパッタ成膜条件は、次の通りである。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：０．０３Ｗ／ｍｍ２
下側シード層に関して、（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ（ｘ＝２である。）とし、この下側シード層の上に、Ｎｉ９６Ｗ６で形成された上側シード層を５ｎｍの膜厚で設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。この実施例１７は、シード層が二層構造となっている。なお、この上側シード層のスパッタ成膜条件は、次の通りである。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＮｉＷターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．２５Ｐａ
投入電力：０．０３Ｗ／ｍｍ２
（参考例１８（以下「実施例１８」を「参考例１８」と読み替えるものとする。）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝４である。）とし、下側シード層に関して、（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ（ｘ＝２である。）とし、この下側シード層の上にＮｉ９６Ｗ６で形成された上側シード層を５ｎｍの膜厚で設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１８は、シード層が二層構造であり、かつ下側シード層にはＣｒが含まれ、上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。なお、実施例１７、１８の基本的な層構成は、図３（再参照）に対応している。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝４である。）とし、下側シード層に関して、（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ（ｘ＝２である。）とし、この下側シード層の上にＮｉ９６Ｗ６で形成された上側シード層を５ｎｍの膜厚で設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。即ち、この実施例１８は、シード層が二層構造であり、かつ下側シード層にはＣｒが含まれ、上側下地層にはＳｉＯ２が含まれている。なお、実施例１７、１８の基本的な層構成は、図３（再参照）に対応している。
（参考例１９（以下「実施例１９」は「参考例１９」と読み替えるものとする。」）
Ｒｕからなる中間層を排除し、下側シード層に関して、（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ（ｘ＝２である。）とし、この下側シード層の上に、Ｎｉ９６Ｗ６で形成された上側シード層を５ｎｍの膜厚で設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。なお、この実施例１９に係る磁気記録テープの基本的な層構成は、図４（再参照）に対応している。
Ｒｕからなる中間層を排除し、下側シード層に関して、（ＴｉＣｒ）（100－ｘ）Ｏｘ（ｘ＝２である。）とし、この下側シード層の上に、Ｎｉ９６Ｗ６で形成された上側シード層を５ｎｍの膜厚で設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。なお、この実施例１９に係る磁気記録テープの基本的な層構成は、図４（再参照）に対応している。
（実施例２０）
下地層に関して、上側下地層だけとしたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。なお、この実施例２０に係る磁気記録テープの基本的な層構成は、図５（再参照）に対応している。
下地層に関して、上側下地層だけとしたこと以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。なお、この実施例２０に係る磁気記録テープの基本的な層構成は、図５（再参照）に対応している。
（実施例２１）
シード層とベース層の間に、ＣｏＺｒＮｂ合金からなる軟磁性裏打ち層を１０ｎｍの膜厚で形成した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。なお、この実施例２１に係る磁気記録テープの基本的な層構成は、図６（再参照）に対応している。この軟磁性裏打ち層のスパッタ成膜条件は以下の通りである。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
シード層とベース層の間に、ＣｏＺｒＮｂ合金からなる軟磁性裏打ち層を１０ｎｍの膜厚で形成した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。なお、この実施例２１に係る磁気記録テープの基本的な層構成は、図６（再参照）に対応している。この軟磁性裏打ち層のスパッタ成膜条件は以下の通りである。
成膜方法：ＤＣマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット：ＣｏＺｒＮｂターゲット
ガス種：Ａｒ
ガス圧：０．１Ｐａ
（比較例１)
下側シード層の膜厚を１０ｎｍから２ｎｍに減少させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層の膜厚を１０ｎｍから２ｎｍに減少させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例２）
下側シード層の膜厚を１０ｎｍから４ｎｍに減少させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層の膜厚を１０ｎｍから４ｎｍに減少させた以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例３）
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝１１である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝１１である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例４）
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝１３である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
下側シード層に関して、Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ（但し、ｘ＝１３である。）とした以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例５）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝３６ 、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝３６ 、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例６）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４６、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４６、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例７）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝３０、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝３０、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例８）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝５０、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝５０、ｚ＝０である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例９）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝１１である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝１１である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
（比較例１０）
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝１２である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
上側下地層に関して、［Ｃｏ（１００－ｙ）Ｃｒｙ］（１００－ｚ）（ＳｉＯ２）ｚ（但し、ｙ＝４０、ｚ＝１２である。）に変更した以外は、上記実施例１と同様にして磁気記録テープを得た。
以上で説明した実施例１～２１、比較例１～１０の層構成について、以下の「表１」にまとめた。
上掲する層構成を備える実施例１～２１、比較例１～１０の各磁気記録テープについて、次の（１）から（５）からなる計５項目の特性評価を行った。５項目の測定方法は以下の通りである。
（１）飽和磁化量Ms
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、外部磁界を１５０００Ｏｅ印加した場合の磁化量を求め、その値を試料体積で除した値を飽和磁化量Ｍｓとした。なお、同値を求める際は、試料棒およびベースフィルムによる同測定値を予め測定し、その値をバックグラウンド値として差し引いた値を用いた（以後、バックグラウンド補正と称する）。
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、外部磁界を１５０００Ｏｅ印加した場合の磁化量を求め、その値を試料体積で除した値を飽和磁化量Ｍｓとした。なお、同値を求める際は、試料棒およびベースフィルムによる同測定値を予め測定し、その値をバックグラウンド値として差し引いた値を用いた（以後、バックグラウンド補正と称する）。
（２）α
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、最大印加磁界を１５０００Ｏｅとした場合のM-Hループを求め、バックグラウンド補正を行った後、＋方向において磁化量がゼロとなる磁界（いわゆる保磁力Ｈｃ）におけるＭ－Ｈループの傾き（ｄＭ／ｄＨ）をαとした。
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、最大印加磁界を１５０００Ｏｅとした場合のM-Hループを求め、バックグラウンド補正を行った後、＋方向において磁化量がゼロとなる磁界（いわゆる保磁力Ｈｃ）におけるＭ－Ｈループの傾き（ｄＭ／ｄＨ）をαとした。
（３）保磁力Ｈｃ
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、最大印加磁界を１５０００Ｏｅとした場合のＭ－Ｈループを求め、バックグラウンド補正を行った後、＋方向および－方向においてそれぞれ磁化量がゼロとなる磁界の絶対値の平均値を保磁力Ｈｃとした。
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、最大印加磁界を１５０００Ｏｅとした場合のＭ－Ｈループを求め、バックグラウンド補正を行った後、＋方向および－方向においてそれぞれ磁化量がゼロとなる磁界の絶対値の平均値を保磁力Ｈｃとした。
（４）角形比Ｒｓ
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、外部磁界を１５０００Ｏｅ印加した後、外部磁界をゼロとした場合の磁化量を求め、バックグラウンド補正を行った後、その値を試料体積で除した値を残留磁化量Ｍｒとする。この値を飽和磁化量Ｍｓで除して、百分率（％）とした値を角形比Ｒｓとした。
振動試料磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて、外部磁界を１５０００Ｏｅ印加した後、外部磁界をゼロとした場合の磁化量を求め、バックグラウンド補正を行った後、その値を試料体積で除した値を残留磁化量Ｍｒとする。この値を飽和磁化量Ｍｓで除して、百分率（％）とした値を角形比Ｒｓとした。
（５）ＳＮＲ
ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
Writer: Ring Type head
Reader：GMR head
Speed：２ｍ／ｓ
Signal：単一記録周波数（３００kfci）
記録電流：最適記録電流
ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
Writer: Ring Type head
Reader：GMR head
Speed：２ｍ／ｓ
Signal：単一記録周波数（３００kfci）
記録電流：最適記録電流
記録波長を３００ｋＦＣＩ（kilo Flux Changes per Inch）とし、ＳＮＲを、再生波形の電圧と、ノイズスペクトラムを０ｋＦＣＩ～６００ｋＦＣＩの帯域で積分した値から求めた電圧との比により計算して求めた。本評価にて使用したreaderの幅は２．０μｍであるが、本技術の適用を検討している磁気テープではreaderの幅は０．５μｍ程度となると考えられる。後者のreaderで評価したＳＮＲは、前者のreaderで評価したＳＮＲに対して６ｄＢ低下すると計算される。上記測定法、いわゆるbroad-bandＳＮＲ（ＢＢ-ＳＮＲ）においては、製品レベルでの使用を想定した場合、一般に記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは１７ｄＢとされている。したがって、本評価においては、“２３ｄＢ（＝１７ｄＢ＋６ｄＢ）以上”を良好なＳＮＲレベルと判断した。
評価結果を次の「表２」に示す。
考察。前掲した「表１」、「表２」に示された内容からわかるように、実施例１～２１の磁気記録テープのＳＮＲはすべて ２３ｄＢ以上であり良好であった。一般に、記録再生システムを成立させるのに最低必要となるＳＮＲは、波形等化やエラー補正を処理した後のＳＮＲ（所謂ディジタルＳＮＲ）において、１５ｄＢ程度である。なお、本実施例の磁気テープでは、線記録密度が６００ｋＢＰＩ（Bit Per Inch）であり、トラックピットを再生ヘッドのトラック幅の２倍として、トラック密度が１６９ｋＴＰＩ（Tracks Per Inch）であると考えると、６００ｋＢＰＩ×１６９ｋＴＰＩ＝１０１Ｇｂ／ｉｎ２の面記録密度を実現できることになる。
また、実施例１～２１の保磁力（垂直保磁力）Ｈｃは、すべて２０００Ｏｅ以上であり、磁気特性に優れている一方、比較例１～１０はすべて、保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅに満たず、磁力を保持する力が弱くて磁気特性が劣っていた。このように、本技術の磁気記録テープの保磁力は、好ましくは２０００Ｏｅ以上又は超であり、さらにより好ましくは２１００Ｏｅ以上でありうる。
さらに、角形比（Squareness Ratio）については、実施例１～２１の角形比は、すべて９０％以上を示して磁気特性に優れ、効率良く記録できる磁気記録テープであった一方、比較例１～１０はすべて、角形比が９０％未満であり、磁気特性が劣っていた。このように、本技術の磁気記録テープの角形比は、好ましくは９０％以上でありうる。
以上のように、本技術に係る磁気記録テープの実施例は、比較例に対して、磁気特性に優れ、良好なＳＮＲを示すことが分かった。
１ 磁性層
２ 中間層
３ 下地層
３１ 下側下地層
３２ 上側下地層
４ シード層
４１ 下側シード層
４２ 上側シード層
５ ベース層
６ バック層
７ 軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）
８ 磁気記録テープカートリッジ
８１ カートリッジケース
８２ リール
Ｐ 保護層
Ｌ 潤滑剤層
２ 中間層
３ 下地層
３１ 下側下地層
３２ 上側下地層
４ シード層
４１ 下側シード層
４２ 上側シード層
５ ベース層
６ バック層
７ 軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ）
８ 磁気記録テープカートリッジ
８１ カートリッジケース
８２ リール
Ｐ 保護層
Ｌ 潤滑剤層
Claims (10)
- 少なくとも、可撓性を備える長尺状フィルムからなるベース層と、該ベース層の一方の主面側に形成される磁性層と、を備えており、
前記磁性層とベース層の間に、
前記磁性層から前記ベース層側に向けて順に下地層、シード層が設けられており、
前記下地層は、Ｃｏ及びＣｒを少なくとも含み、以下の（１）式で表される平均原子数比率を有し、
前記ベース層の上に形成された前記シード層は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を備え、
ＴｉとＯからなり、以下の（２）式で表される平均原子数比率を有し、
前記下地層と前記磁性層の間に、ルテニウムを含有する中間層が設けられており、該中間層の厚さが０．５ｎｍ～６.０ｎｍである、
磁気記録テープ。
Ｃｏ（100-ｙ）Ｃｒｙ・・・・・（１）
（但し、３５≦ｙ≦４５の範囲内である。）
Ｔｉ（100－ｘ）Ｏｘ・・・・・（２）
（但し、ｘ≦１０である。） - 前記下地層が二層構造を備える、請求項１記載の磁気記録テープ。
- 前記下地層が、金属酸化物をさらに含む、請求項１又は２に記載の磁気記録テープ。
- 前記金属酸化物が、ＳｉＯ２又はＴｉＯ２である、請求項３記載の磁気記録テープ。
- 前記磁性層の厚みが、１０ｎｍ～２０ｎｍである、請求項１～４のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
- 角形比が９０％以上である、請求項１～５のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
- 保磁力が２１００Oe以上である、請求項１～６のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
- 前記磁性層は、垂直配向された磁性層である、請求項１～７のいずれか一項に記載の磁気記録テープ。
- 前記磁性層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＣｒを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する、請求項８記載の磁気記録テープ。
- 請求項１～９のいずれか一項に記載の磁気記録テープがリールに巻きつけられた状態でケースに収容された構成を備える、磁気記録テープカートリッジ。
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-
2019
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