DE19851062C1 - Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte Magnetspeicherplatte - Google Patents
Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte MagnetspeicherplatteInfo
- Publication number
- DE19851062C1 DE19851062C1 DE19851062A DE19851062A DE19851062C1 DE 19851062 C1 DE19851062 C1 DE 19851062C1 DE 19851062 A DE19851062 A DE 19851062A DE 19851062 A DE19851062 A DE 19851062A DE 19851062 C1 DE19851062 C1 DE 19851062C1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- barrier layer
- magnetic
- magnetic storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 18
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 20
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 20
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 2
- 238000006253 efflorescence Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 206010037844 rash Diseases 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- DJPURDPSZFLWGC-UHFFFAOYSA-N alumanylidyneborane Chemical compound [Al]#B DJPURDPSZFLWGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/14—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials to metal, e.g. car bodies
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
Abstract
Die bekannten Verfahren, mit denen auf das Substrat eine Unterschicht, darauf das Magnetschichtsystem und abschließend eine Deckschicht aufgebracht wird, haben den Nachteil, dass die Korrosionsbeständigkeit nicht ausreichend ist. Es treten Fehlstellen auf. Es wird nicht ausgeschlossen, dass die Diffusion von Wasser zum Substrat möglich ist. DOLLAR A Erfindungsgemäss wird zwischen dem Substrat und der Unterschicht eine Barriereschicht durch Mittelfrequenzpulssputtern bei einer Frequenz von 10 bis 200 kHz und einem Verhältnis von Pulslänge zu Pulspause von 5 : 1 bis 1 : 10 aufgebracht. DOLLAR A Die Erfindung findet vorzugsweise für magnetische Festspeicherplatten hoher Speicherdichte Anwendung.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten mit hoher
Speicherdichte für den Einsatz in magnetischen Festplattenspeichern durch Aufstäuben im
Vakuum mittels Magnetron, auch Sputtern genannt, und eine Magnetspeicherplatte, die
nach diesem Verfahren hergestellt ist.
Es ist bekannt, Magnetspeicherplatten in vertikalen Durchlaufsputteranlagen für eine große
Zahl von Substraten, die gleichzeitig beschichtet werden, oder in Einzelscheiben
sputteranlagen herzustellen. Die Substrate für die Herstellung von Magnetspeicherplatten
bestehen aus hochpolierten Aluminiumscheiben, welche galvanisch mit einer Nickel
phosphorschicht beschichtet werden, oder aus Glas. In der Zukunft sollen verschiedene
alternative Materialien wie Aluminiumborcarbid zum Einsatz kommen.
Unabhängig vom Substratmaterial werden mehrere dünne Schichten durch physikalische
und/oder chemische Schichtabscheidung aufgetragen. Das sind Unterschichten, meist aus
Chrom, magnetische Speicherschichten, meist aus Mehrstofflegierungen mit Cobalt, Chrom
und anderen Metallen, und eine Deckschicht, meist aus Kohlenstoff. Das Gleichstrom-
Magnetronsputtern ist das am häufigsten genutzte Beschichtungsverfahren bei der
Herstellung von Magnetspeicherplatten (US 4,816,127; US 5,512,150). Nachteilig ist jedoch,
dass dieses Beschichtungsverfahren nur auf elektrisch leitfähigen Materialien anzuwenden
ist.
Für qualitativ hochwertige Magnetspeicherplatten werden Anforderungen nach einer
Speicherdichte von größer als 3 Gbit/in2 gestellt. Die daraus resultierenden Flughöhen der
Magnetköpfe liegen im Bereich unter 40 nm. Die Reduzierung des Rauschpegels, die
Verringerung von Fehlstellen auf der Speicherfläche und eine gute Anpassung an die
Magnetköpfe sind Voraussetzungen für die Verwirklichung der genannten Speicherdichte.
Es ist bekannt, die geringen Flughöhen durch eine verbesserte Topographie der Oberfläche
der fertigen Magnetspeicherplatten und eine Reduzierung der Schichtdicken, vor allem von
Magnetschicht und Deckschicht, zu erreichen.
Es ist bekannt, die Topografie der Oberfläche dadurch zu verbessern, dass durch
Gleichstromsputtern Haftvermittlungs- und Grundschichten aufgebracht werden, deren
Topografie durch optimierte Prozessparameter wesentlich besser als die des Substrates ist,
was letztlich auch zu einer verbesserten Topografie der Oberfläche der Magnetschicht führt
(US 5,626,920). Nachteilig sind bei diesem Verfahren die großen erforderlichen Schichtdicken
zur Erzielung des Glättungseffekts.
Durch die Verwendung von neuen Legierungen für die magnetische Speicherschicht und
angepasste Untergrundstrukturen werden Magnetspeicherplatten mit Koerzitivfeldstärken
von ≧ 2500 Oe bei magnetischen Remanenzschichtdicken (Mrt) von ≦ 0,5 mit guter
Reproduzierbarkeit hergestellt.
Hauptsächlich durch die Forderung nach Erhöhung der Speicherdichte und Verringerung der
Schichtdicken treten neue, bisher nicht gekannte Probleme auf.
Ein entscheidender Mangel ist, dass bei der Verwendung von Aluminiumsubstraten eine
verstärkte Korrosion auftritt. Diese Korrosion verursacht Ausblühungen und Aufwerfungen
auf der Oberfläche der Magnetplatte. Als Folge entstehen Bereiche, die nicht mehr
beschrieben und gelesen werden können. Es besteht die Gefahr der Berührung der Magnet
köpfe, da die Flughöhe im Bereich der Höhe der Ausblühungen ist. Die Korrosion wird
beeinflusst durch zwei Effekte. Einerseits sind Fehler in der Politur der Substrate und
Rückstände von Nassprozessen Auslöser für die Korrosion. Andererseits sind die
abgeschiedenen Schichten nur bedingt dicht und porenfrei. Es wirkt sich unter anderem die
Verringerung der Deckschichtdicke von 30 nm auf 10 nm auf eine Verschlechterung des
Korrosionsverhaltens aus. Es ist bekannt, dass durch gepulstes Magnetronsputtern dünne
Kohlenstoffschichten als Deckschichten aufgebracht werden, die eine sehr gute Oberflächen
topografie und damit sehr gute mechanische und tribologische Eigenschaften aufweisen
(DE 196 51 615 C1). Auch dieses Verfahren weist jedoch den Nachteil auf, dass die
Schichten nicht ausreichend dicht sind, um eine Korrosion der Substrate wirksam zu
verhindern. Die Deckschicht kann nur noch die Funktion des mechanischen Schutzes der
magnetischen Schicht vor Berührung der Magnetköpfe erfüllen und sichert im Zusammen
wirken mit dem Lubrikanten die Gleiteigenschaften für die Magnetköpfe. (Die Problematik
der Korrosion wird ausführlich beschrieben von Chia, Wang, Tang und Lee in "Overview of
accelerated corrosion tests on thin film magnetic media" in The Minerals, Metals & Materials
Society, 1998, S. 311-319.) Trotz hochpolierter Substrate weisen die fertigen Magnetplatten
eine vom Idealzustand abweichende Topographie auf. Es sind Mikrokratzer und -löcher zu
detektieren. Diese Fehler auf der Oberfläche der Substrate behindern beim Waschprozess
eine optimale Reinigung. Dies führt zu einer Verschlechterung der Gleichmäßigkeit der
Schichtabscheidung und zu einer schlechteren Kantenbedeckung. Die Korrosion kann
bekanntermaßen verringert werden durch eine Erhöhung der Dicke der Unterschicht und das
Anlegen einer negativen Gleichspannung an das Substrat während der Abscheidung der
Unterschicht.
Beide Maßnahmen lösen das Problem nicht. Es tritt nur eine Verringerung der Anzahl der
Korrosionsstellen auf, die in Säuretests mit HCl oder HNO3 sichtbar gemacht werden. Die
Maßnahmen sind nicht uneingeschränkt nutzbar. Die Erhöhung der Schichtdicke der
Unterschicht steht im Widerspruch zu den magnetischen Anforderungen. Das Anlegen einer
negativen Gleichspannung an das Substrat kann nur für elektrisch leitfähige Substrate
angewandt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Beschichten von Magnet
speicherplatten zu schaffen, indem die Herstellung von Magnetspeicherplatten derart
verbessert wird, dass deren Korrosionsbeständigkeit auf metallischen Substraten wesentlich
erhöht und bei nichtmetallischen Substraten die Diffusion von Wasser zum Substrat und von
leicht beweglichen Ionen aus dem Substrat sehr stark vermindert wird. Das Verfahren soll für
alle - elektrisch leitfähige und elektrisch nicht leitfähige - Substratmaterialien anwendbar
sein. Das Verfahren soll auf im industriellen Einsatz üblichen Beschichtungsanlagen ausführ
bar sein. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Magnetspeicherplatte mit
erhöhter Korrosionsbeständigkeit zu schaffen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß nach den Merkmalen des Anspruches 1 und 9 gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 8
beschrieben.
Es wurde gefunden, zwischen dem Substrat und dem magnetischen Schichtsystem eine
Barriereschicht derart aufzubringen, dass die magnetischen Werte, wie Koerzitivfeldstärke
und magnetische Remanenzschichtdicke, unbeeinflusst bleiben. Dabei wird die Korrosions
beständigkeit so weit verbessert, dass mit bekannten Prüfverfahren praktisch keine durch
Korrosion bedingte Fehlstellen auf den Magnetplatten festgestellt werden. Das entspricht
einer Verbesserung um ein bis zwei Größenordnungen.
Überraschenderweise wird der Effekt schon bei Schichtdicken von wenigen nm erzielt.
Gemäß dem Verfahren werden vorzugsweise Aluminium- oder Chromschichten als Barriere
schicht aufgebracht.
Sehr gute Eigenschaften werden erzielt, wenn das Prozessgas Anteile von Sauerstoff
und/oder Stickstoff enthält. Der bei der gepulsten Abscheidung der Unterschicht zu
verzeichnende Anstieg der Koerzitivfeldstärke wird bei Verwendung der erfindungsgemäßen
Barriereschicht nicht wirksam.
Das Aufstäuben von Chrom für die Barriereschicht ist sehr vorteilhaft, da das Kristall
wachstum der folgenden Schichten nicht gestört wird.
Besonders vorteilhaft ist, dass die Wirkung der Barriereschicht durch die Wahl des
abzuscheidenden Materials, die Variation der Schichtdicke und die Auswahl von Frequenz
und Pulsverhältnis für den Sputterprozess auf das jeweils vorliegende Substratmaterial
angepasst werden kann. Als besonders geeignet hat sich eine Frequenz von 50 kHz heraus
gestellt. Diese Frequenz bewirkt offenbar ein günstiges Verhältnis von Abscheiderate zu
Plasmaanregung, um mit einer hohen Ausbeute an angeregten gesputterten Teilchen sehr
dichte defektfreie Schichten abzuscheiden. Die Defektfreiheit bezieht sich hier auf Schichten
ohne Löcher (pinholes) und ohne Stengelstruktur.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann mit jeder Magnetplatten-Sputteranlage ausgeführt
werden. Diese Integrationsfähigkeit in Produktionsanlagen stellt einen großen Vorteil für das
Verfahren dar.
An einem Ausführungsbeispiel soll die Erfindung näher erläutert werden.
Eine an sich bekannte Einzelscheibensputteranlage (single disk coater) dient zur Abscheidung
eines magnetischen Schichtsystems und einer Barriereschicht auf einem Aluminiumsubstrat,
das mit einer galvanisch aufgebrachten Schutzschicht aus Nickelphosphor versehen ist, zur
Herstellung von Magnetspeicherplatten. Zum Nachweis der Wirksamkeit des erfindungs
gemäßen Verfahrens wird ein Standardprozess herangezogen. Für die beschichteten
Magnetspeicherplatten werden die magnetischen Eigenschaften und die Eigenschaften der
Barriereschicht bestimmt. Diese Werte müssen innerhalb der spezifizierten Toleranzbereiche
liegen. Eine Auswahl von beschichteten Magnetplatten wird einem Säuretest mit HNO3
unterzogen, um die Korrosionsbeständigkeit zu beurteilen.
Nach der Erstellung der Referenzproben werden die Magnetspeicherplatten erfindungs
gemäß hergestellt. Dazu wird zusätzlich zu den bisher verwendeten Prozessschritten Heizen,
Abscheidung der Unterschicht, Abscheidung der Magnetschichten, Abscheidung der
Schutzschicht ein Prozessschritt, das Aufbringen der Barriereschicht nach dem Heizen
eingeführt. Dazu werden die Substrate auf 220°C geheizt, und vor dem Abscheiden der
Unterschicht wird eine Barriereschicht abgeschieden.
Die Prozesszeit für die Abscheidung der Barriereschicht beträgt 4 Sekunden bei einem Druck
von 0,8 Pa. Dem inerten Trägergas ist Sauerstoff mit einem Partialdruck von 0,1 Pa
beigemischt. Es wird ein Aluminiumtarget mit einer Standard-Magnetronanordnung benutzt.
Die Energie wird pulsförmig in das Plasma eingespeist. Die Pulsfrequenz beträgt 50 kHz,
wobei das Verhältnis von Pulslänge zu Pulspause 1 : 1 eingestellt wird. Damit ergibt sich eine
Einschaltzeit des Plasmas von 10 µs und eine Pausenzeit von ebenfalls 10 µs. Die Primär
leistung, das heißt die in die Pulseinrichtung eingespeiste Leistung, beträgt 150 W im
Zeitmittel.
Es hat sich bei dem erfindungsgemäßen Verfahren auch gezeigt, dass bei einer Pulslänge von
14 µsec und Zyklusdauer von 20 µsec der positive Effekt wieder abnimmt. D. h. die
Korrosionsfehlstellen nehmen wieder erheblich zu.
In der Tabelle sind Messwerte für magnetische Eigenschaften und gemessene Korrosions
werte aufgezeigt. Die Einführung der sehr dichten, pinholefreien, durch Mittelfrequenz-
Pulsmagnetronsputtern abgeschiedenen Barriereschicht verbessert das Korrosionsverhalten
um ein bis zwei Größenordnungen. Die Abscheidung der Barriereschicht bei Anlegen einer
negativen Gleichspannung am Substrat verbessert die Korrosionsbeständigkeit zusätzlich. Die
magnetischen Werte von Koerzitivfeldstärke und magnetischer Remanenzschichtdicke ver
ändern sich nicht, wenn das Verfahren mit den angegebenen Parametern durchgeführt wird.
Der größte Effekt wird durch die Einführung der erfindungsgemäßen Barriereschicht an sich
erzielt. In Variante 1 ist gezeigt, dass die Anzahl der Korrosionsstellen, welche durch einen
HNO3-Test ermittelt werden, gegenüber dem Standardprozess sehr klein ist. In Variante 2
wird gezeigt, dass die Abscheidung der Barriereschicht mit einer negativen Gleichspannung
am Substrat eine nochmalige Verbesserung herbeiführt.
Claims (9)
1. Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten durch Magnetronsputtern,
bestehend aus einem Substrat, auf welches ein Schichtsystem, bestehend aus
Unterschichten, Magnetschichten, Zwischenschichten - bei Vorhandensein mehrerer
Magnetschichten - und einer Deckschicht, aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet,
dass zwischen dem Substrat und der ersten Unterschicht des Schichtsystems eine
Barriereschicht durch gepulstes Mittelfrequenzsputtern bei einer Frequenz zwischen 10
und 200 kHz, vorzugsweise 50 kHz, und einem Verhältnis von Pulslänge zu Pulspause
im Bereich 5 : 1 bis 1 : 10 aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht durch
Zerstäuben eines Chromtargets abgeschieden wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Druck beim
Abscheiden der Barriereschicht auf 0,1 bis 1,5 Pa, vorzugsweise auf 0,5 Pa, eingestellt
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass während der
Abscheidung der Barriereschicht zum inerten Trägergas andere Gase, vorzugsweise
reaktive Gase wie Sauerstoff und/oder Stickstoff, gemischt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass auf das zu
beschichtende Substrat vor der Abscheidung der Barriereschicht bereits eine dünne
Schicht aufgetragen wurde.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass während der
Abscheidung der Barriereschicht an das Substrat eine Gleichspannung von -50 bis
-500 V, vorzugsweise -200 V, gelegt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass während der
Abscheidung der Barriereschicht an das Substrat eine pulsförmige Spannung,
vorzugsweise mit einer Frequenz von 50 kHz, gelegt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass während der
Abscheidung der Barriereschicht an das Substrat eine hochfrequente Wechsel
spannung mit einer Frequenz von vorzugsweise 13,56 MHz angelegt wird.
9. Magnetspeicherplatte, bestehend aus einem Substrat, auf welches ein Schichtsystem,
bestehend aus Unterschichten, Magnetschichten, Zwischenschichten und einer
Deckschicht, aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Substrat
und der ersten Unterschicht eine Barriereschicht durch gepulstes Mittelfrequenz
sputtern aufgebracht ist.
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19851062A DE19851062C1 (de) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte Magnetspeicherplatte |
AT99118152T ATE267889T1 (de) | 1998-11-05 | 1999-09-11 | Verfahren zum herstellen mit dünnschichten beschichteter magnetplatten sowie dadurch erhaltene dünnschichtmagnetplatten |
DE69917561T DE69917561T2 (de) | 1998-11-05 | 1999-09-11 | Verfahren zum Herstellen mit Dünnschichten beschichteter Magnetplatten sowie dadurch erhaltene Dünnschichtmagnetplatten |
EP99118152A EP0999291B1 (de) | 1998-11-05 | 1999-09-11 | Verfahren zum Herstellen mit Dünnschichten beschichteter Magnetplatten sowie dadurch erhaltene Dünnschichtmagnetplatten |
ES99118152T ES2222643T3 (es) | 1998-11-05 | 1999-09-11 | Procedimiento para la fabricacion de discos magneticos recubiertos de una pelicula fina y disco magnetico de la pelicula fina asi obtenida. |
KR1019990044572A KR100349227B1 (ko) | 1998-11-05 | 1999-10-14 | 박막 코팅 자기 디스크의 코팅 방법 및 그 방법으로 제조되는 박막 자기 디스크 |
JP29226599A JP3333156B2 (ja) | 1998-11-05 | 1999-10-14 | 薄膜磁気ディスク製造方法 |
PL99336375A PL336375A1 (en) | 1998-11-05 | 1999-11-03 | Method of applying a coating onto thin-film magnetic disks |
HU9904043A HUP9904043A2 (hu) | 1998-11-05 | 1999-11-04 | Eljárás vékonyfilm bevonatos mágneses lemez bevonására, és az így előállított vékonyfilm-bevonatos mágneses lemez |
US09/434,590 US6436248B1 (en) | 1998-11-05 | 1999-11-05 | Thin film disk with barrier layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19851062A DE19851062C1 (de) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte Magnetspeicherplatte |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19851062C1 true DE19851062C1 (de) | 2000-06-15 |
Family
ID=7886828
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19851062A Expired - Fee Related DE19851062C1 (de) | 1998-11-05 | 1998-11-05 | Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte Magnetspeicherplatte |
DE69917561T Expired - Fee Related DE69917561T2 (de) | 1998-11-05 | 1999-09-11 | Verfahren zum Herstellen mit Dünnschichten beschichteter Magnetplatten sowie dadurch erhaltene Dünnschichtmagnetplatten |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69917561T Expired - Fee Related DE69917561T2 (de) | 1998-11-05 | 1999-09-11 | Verfahren zum Herstellen mit Dünnschichten beschichteter Magnetplatten sowie dadurch erhaltene Dünnschichtmagnetplatten |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6436248B1 (de) |
EP (1) | EP0999291B1 (de) |
JP (1) | JP3333156B2 (de) |
KR (1) | KR100349227B1 (de) |
AT (1) | ATE267889T1 (de) |
DE (2) | DE19851062C1 (de) |
ES (1) | ES2222643T3 (de) |
HU (1) | HUP9904043A2 (de) |
PL (1) | PL336375A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10051509A1 (de) * | 2000-10-18 | 2002-05-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsystems |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7147759B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Zond, Inc. | High-power pulsed magnetron sputtering |
US7137190B2 (en) * | 2002-10-03 | 2006-11-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for fabricating a magnetic transducer with a corrosion resistant layer on metallic thin films by nitrogen exposure |
US6896773B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
US20050103620A1 (en) * | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Zond, Inc. | Plasma source with segmented magnetron cathode |
US9771648B2 (en) | 2004-08-13 | 2017-09-26 | Zond, Inc. | Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures |
US7095179B2 (en) | 2004-02-22 | 2006-08-22 | Zond, Inc. | Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities |
US9123508B2 (en) | 2004-02-22 | 2015-09-01 | Zond, Llc | Apparatus and method for sputtering hard coatings |
CN104465073A (zh) * | 2014-04-16 | 2015-03-25 | 贵州雅光电子科技股份有限公司 | 一种各向异性磁阻坡莫合金缓冲层的制备方法 |
JP7283273B2 (ja) | 2019-07-01 | 2023-05-30 | 株式会社レゾナック | 磁気記録媒体およびその製造方法ならびに磁気記録再生装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816127A (en) * | 1984-11-15 | 1989-03-28 | Xidex Corporation | Method of producing thin-film storage disk |
US5512150A (en) * | 1995-03-09 | 1996-04-30 | Hmt Technology Corporation | Target assembly having inner and outer targets |
US5626920A (en) * | 1991-10-04 | 1997-05-06 | Tulip Memory Systems, Inc. | Method for coating metal disc substrates for magnetic-recording media |
DE19651615C1 (de) * | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770054B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1995-07-31 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2964596B2 (ja) | 1990-09-19 | 1999-10-18 | 日本電気株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH0536054A (ja) | 1991-07-31 | 1993-02-12 | Nec Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
DE4127317C2 (de) * | 1991-08-17 | 1999-09-02 | Leybold Ag | Einrichtung zum Behandeln von Substraten |
US5776615A (en) * | 1992-11-09 | 1998-07-07 | Northwestern University | Superhard composite materials including compounds of carbon and nitrogen deposited on metal and metal nitride, carbide and carbonitride |
JP2834392B2 (ja) * | 1993-06-23 | 1998-12-09 | ストアメディア インコーポレーテッド | 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法 |
US5456978A (en) * | 1993-08-03 | 1995-10-10 | Hmt Technology Corporation | Thin-film recording medium with thin metal sublayer |
JP3195898B2 (ja) | 1994-12-19 | 2001-08-06 | ホーヤ株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP3933731B2 (ja) | 1996-08-30 | 2007-06-20 | ストアメディア インコーポレーテッド | 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 |
US6218028B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-04-17 | Seagate Technology Llc | High coercivity magnetic recording medium comprising a sputter textured layer |
DE19720251A1 (de) * | 1997-05-15 | 1998-11-19 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Beschichten von Dünnfilmmagnetplatten |
-
1998
- 1998-11-05 DE DE19851062A patent/DE19851062C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-11 AT AT99118152T patent/ATE267889T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-09-11 ES ES99118152T patent/ES2222643T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-11 EP EP99118152A patent/EP0999291B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-11 DE DE69917561T patent/DE69917561T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-14 JP JP29226599A patent/JP3333156B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-14 KR KR1019990044572A patent/KR100349227B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-03 PL PL99336375A patent/PL336375A1/xx unknown
- 1999-11-04 HU HU9904043A patent/HUP9904043A2/hu unknown
- 1999-11-05 US US09/434,590 patent/US6436248B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816127A (en) * | 1984-11-15 | 1989-03-28 | Xidex Corporation | Method of producing thin-film storage disk |
US5626920A (en) * | 1991-10-04 | 1997-05-06 | Tulip Memory Systems, Inc. | Method for coating metal disc substrates for magnetic-recording media |
US5512150A (en) * | 1995-03-09 | 1996-04-30 | Hmt Technology Corporation | Target assembly having inner and outer targets |
DE19651615C1 (de) * | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CHIA et al: Overview of Accelerated Corrosion Tests on Thin Film Magnetic Media [in] KUMAR, et al.[Ed.] Hard Coatings on Borides, Carbides & Nitrides, The Minerals, Metals & Materials Soc. 1998, S. 311-319 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10051509A1 (de) * | 2000-10-18 | 2002-05-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsystems |
US6605312B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-08-12 | Fraunhofer-Gesellschaftt Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method of producing a thin-film system |
DE10051509B4 (de) * | 2000-10-18 | 2007-08-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsystems und Anwendung des Verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000187837A (ja) | 2000-07-04 |
DE69917561T2 (de) | 2005-08-04 |
ATE267889T1 (de) | 2004-06-15 |
DE69917561D1 (de) | 2004-07-01 |
HUP9904043A2 (hu) | 2001-06-28 |
EP0999291B1 (de) | 2004-05-26 |
ES2222643T3 (es) | 2005-02-01 |
KR100349227B1 (ko) | 2002-08-19 |
KR20000035009A (ko) | 2000-06-26 |
EP0999291A1 (de) | 2000-05-10 |
HU9904043D0 (en) | 2000-01-28 |
US6436248B1 (en) | 2002-08-20 |
PL336375A1 (en) | 2000-05-08 |
JP3333156B2 (ja) | 2002-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0016404B1 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP1251975B1 (de) | Schutz- und/oder diffusionssperrschicht | |
DE19860649C2 (de) | Verfahren zum Kathodenzerstäubungsbeschichten mit hoher Abtastgeschwindigkeit zur Herstellung beschichteter, abriebbeständiger Preßoberflächen mit verringerter eingebauter thermischer Spannung | |
DE19851062C1 (de) | Verfahren zum Beschichten von Magnetspeicherplatten und danach hergestellte Magnetspeicherplatte | |
DE2632520A1 (de) | Schichtstoff aus einem polymeren substrat | |
TW356481B (en) | A method of producing coating on a substrate | |
DE2749712A1 (de) | Magnetischer aufzeichnungstraeger | |
DE3726464A1 (de) | Verfahren zur herstellung magnetischer aufzeichnungstraeger | |
DE3425755A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines magnetaufzeichnungstraegers | |
EP1470263B1 (de) | Verfahren zur abscheidung von metallfreien kohlenstoffschichten | |
EP0258768B1 (de) | Verfahren zur Oberflächenbearbeitung schiebenförmiger vernickelter Aluminiumsubstrate | |
DE2632582A1 (de) | Beschichtung fuer isolierende substrate, insbesondere videoplatten | |
DE2736006A1 (de) | Verfahren zum niederschlagen duenner hafniumschichten | |
EP0143433A2 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger | |
DE3545636A1 (de) | Hartstoffbeschichtung auf grundkoerpern | |
CH663220A5 (de) | Verfahren zum herstellen von schichtwerkstoff oder schichtwerkstuecken. | |
EP1397526A2 (de) | Modifizierter dlc-schichtaufbau | |
DE3545043A1 (de) | Magnetisches aufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung | |
DE4443530A1 (de) | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP0324942B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers | |
DE602004003047T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines nano-teilchen mediums | |
DE3737404C2 (de) | ||
DE10234861A1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur wechselweisen Abscheidung zweier Materialien durch Kathoden-Zerstäubung | |
DE4226914A1 (de) | Magnetischer Aufzeichnungsträger | |
DE2542201A1 (de) | Verfahren zur herstellung von platten fuer die speicherung von videosignalen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWAN |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWAND Owner name: HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES NETHERLANDS B. |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |