JPH04255909A - 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 - Google Patents
磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
体を用いた磁気ディスク用基板及びそれを用いた磁気記
録媒体に関する。
く、変形抵抗が大きく、かつ表面欠陥が少ないなどの理
由から、高密度磁気ディスク用基板として注目されてい
る。(例えば特開昭49−122707号、特開昭52
−18002号)また上記ガラス基板に物理的方法また
は化学的方法あるいは両者の方法を組み合わせて表面に
凹凸を形成し、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触特性
(CSS特性、ヘッドスティック性)を向上させる方法
が知られている。(例えば特開昭63−160010号
)また上記ガラス基板表面に有機金属化合物の溶液の微
少な液滴を噴霧する方法を用いて凹凸を形成し、ヘッド
磁気記録媒体への接触特性を改善する方法が知られてい
る。(例えば特開昭63−160014号)さらに、上
記ガラス基板上にAl(アルミニウム)からなる凹凸形
成層を形成し、前記接触特性を改善する方法が知られて
いる。(例えば特開昭62−256215号)
3】
62−256215号に開示されている従来技術を用い
て磁気ディスクを作製すると、前記接触特性の改善はみ
られるものの、磁気特性が期待される程度に実現されな
いという問題点があった。また特開昭63−16001
0号や特開昭63−160014号に開示されている従
来技術では、表面凹凸を形成したガラス基板の強度を低
下させたり、平滑性を阻害したりするという問題があっ
た。
いる基板表面の凹凸形成は、高温状態にあるガラス基板
表面では、被着金属(例えばアルミニウム)の凝集エネ
ルギーが大きくなることを利用したものである。しかし
凹凸を形成しうる被着金属は基板被着金属間の付着力に
比べて、被着金属原子間の凝集エネルギーが大きいため
に、基板との付着力は強くない。したがって、アルミニ
ウムをガラス基板上に形成しただけでは、CSS試験の
際に生じる強い摩擦力によって、アルミニウムとガラス
界面での剥離が生じる。これは、高信頼性の磁気ディス
クを得る上で大きな問題であった。また、上記Al膜に
よる凹凸形成では、低いヘッド飛行が可能な範囲(ヘッ
ド浮上量:2〜4マイクロインチ)で凹凸を制御するこ
とが困難であった。すなわち、このような低い浮上量を
実現するために凹凸の最大高さを制御し、かつ前記接触
特性を良好にするためにヘッドと接触する凹凸の山のピ
ッチ(または山の密度)を制御することが重要であるが
、上記方法では最大高さと山のピッチとを独立に制御で
きなかった。
の不連続な島状構造を有する凹凸を形成するのは、山の
最大高さと山のピッチを別々に制御できるが、山のピッ
チの大きい領域での制御性が悪く、凹凸を形成するとき
のガラス基板温度の僅かな変化で、凹凸の形状が大きく
変化し、1枚のガラス基板内で均一な山のピッチを得る
ことが難しいという問題があった。また、凹凸形成物の
上に直接Cr膜を被覆した場合、またはTi膜を被覆し
た後Cr膜を被覆した場合、Cr膜の結晶配向が悪くな
り良好な磁気特性が得られないという問題があった。本
発明の目的は、上記の問題点の解消にあり、良好なCS
S特性が得られかつ、磁気特性が良好で生産性の高い磁
気ディスク用基板及びそれを用いた磁気記録媒体を提供
することにある。
基板は、ガラス基板上にTi,Zr,Y,Ta,Cr,
Mo,Wの金属群から選ばれた少なくとも1種以上から
なる低表面エネルギー性の膜が被覆され、前記低表面エ
ネルギー性の膜の上に、Ag,Al,Cu,Au,Sn
,Pb,Sb,Biの低融点金属群より選ばれた少なく
とも1種以上からなる凹凸形成物が、前記低表面エネル
ギー性の膜の面内方向に不連続な島状構造を有するよう
に形成されている。
ス基板は、表面の平坦性がよいガラス板を用いるのが好
ましく、ガラス板の表面を公知の方法により研磨して用
いられる。またガラス板は、とくにその組成については
限定されないが、フロート法で製造されたソーダライム
組成のガラス板が安価に入手できるので好ましい。
ガラス基板の上に低表面エネルギー性の膜が被覆されて
いる。低表面エネルギー性の膜とは、その膜の表面エネ
ルギーが用いるガラス基板の表面エネルギーよりも小さ
いことをいい、その膜を被覆した基板を加熱し、加熱し
た状態でその膜に融点が1100℃以下の金属をスパッ
タリングによる被覆を行ったとき、前記金属がその膜の
面内方向に不連続で島状構造の凹凸形成物になる膜をい
う。低表面エネルギー性の膜としては、Ti,Zr,Y
,Ta,Cr,Mo,Wの金属群から選ばれた少なくと
も1種以上からなる膜を用いることができる。そのほか
にTiY合金膜、YSi合金膜、TiSi合金膜、Cr
V合金膜なども用いることができる。
一金属からなる結晶性の膜は、低融点金属が被覆される
に際しては、島状構造の成長核となりやすいため、形成
される凹凸の山のピッチが小さくなる。一方、合金から
なる非晶質膜あるいは結晶が発達していない膜は、低融
点金属が被覆されるに際しては、島状構造が成長するた
めの核の密度が少ないので、形成される凹凸の山のピッ
チが大きくなる。前記非晶質膜としては、TiY合金膜
(Y濃度が約10原子%の合金)、YSi合金膜(Si
濃度が15〜60原子%の合金)、TiSi合金膜(S
i濃度が35〜65原子%の合金)などが挙げられる。
としては、5nm以上であることが好ましい。5nmよ
り薄いと、ガラス基板の吸着水などからの酸素が前記膜
に混入し、前記膜表面まで酸化されて表面エネルギーが
大きくなる。このような表面エネルギーが大きい膜の上
に、低融点金属をスパッタリングや真空蒸着により被覆
すると、凹凸を再現性よく形成できない。また膜の厚み
が200nmより厚いと、ガラス基板からの剥離が生じ
やすくなり、また、生産性の点でも好ましくない。低表
面エネルギー性の膜の表面にまで酸化が及ばないという
観点から膜の厚みは10nm以上、生産性が落ちず剥離
が生じにくいという観点から100nm以下がさらに好
ましい。
が1100℃以下の金属又は合金であればよく、Ag,
Al,Cu,Au,Zn,Pbからなる群より選ばれた
1種の金属又は2種以上の合金が挙げられる。これらの
中でも、低表面エネルギー性の膜に被着したときに、金
属原子間の凝集エネルギーが大きな島状構造を形成しや
すいという観点からAg,Al,Cu、およびAuある
いはこれらのいずれかを含む合金が好ましい。また、こ
れらの金属または合金に微量の他の元素が添加されてい
てもよい。
ルギー性の膜をガラス基板上に被覆する方法としては、
例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いることが出
来る。本発明の磁気ディスク用基板の凹凸形成物は、例
えばスパッタリング法や真空蒸着法により形成すること
が出来る。前記凹凸形成物は低表面エネルギー性の膜を
ガラス基板に被覆した後、真空を破ることなく引続き形
成することが好ましい。そして凹凸形成物の形状は、前
記低融点金属を真空蒸着法、スパッタリング法で被覆す
るときのガラス基板の温度および蒸発量を調節すること
により行われる。
は、100〜400℃の温度に加熱される。ガラス基板
を高温にすると凹凸のピッチが大きく、かつ、凹凸の深
さが大きくなり、低温加熱では凹凸のピッチが小さく、
かつ、凹凸の深さが浅くなり、150〜250℃に加熱
するのが好ましい。また、温度を一定にして蒸発量を増
加させると、凹凸のピッチは一定の状態で凹凸の深さが
増加する。したがって、温度が低い状態で蒸着量を多く
しても、温度が高い状態で蒸着量を少なくした場合と同
様の平均粗さRaおよび最大粗さRmaxを得ることが
出来る。但し、この場合には凹凸のピッチは異なる。
3〜80nmの連続層状の膜の厚みに相当する量が好ま
しい。3nmより少ないと上記の温度内では十分な凹凸
が得られず、また80nmより多いと凹凸の高さが大き
くなり、磁気ヘッドと磁性膜との距離が大きくなるため
記録再生特性が劣化する。さらに、蒸発量は作製条件、
特に温度に対する凹凸粗さの変化が少なく、かつ、制御
性の良い5〜30nmの層状の膜が得られる量が好まし
い。
ましい。被覆率が85%を越えると、ヘッドとの摩擦係
数が大きくなり良好な摺動特性が得られず、一方10%
より小さいと所望の凹凸が得られにくくなるので好まし
くない。また、凹凸形成物の粗さは平均粗さRaが、1
〜15nmが好ましく、磁気記録された信号のノイズを
小さく抑える点からさらに1.5〜10nmが好ましい
。更に1.5〜8nmが最も好ましい。
最上層の保護膜に凹凸を与えるためには5〜150nm
とし、最大粗さが150nmを越えないようにするのが
好ましい。さらにヘッド走行をスムーズにするためには
、10〜100nmとするのが好ましい。
録媒体の最上層の保護膜凹凸を与えるためには0.05
〜1.0μmとするのが好ましく、さらにヘッドの走行
をスムーズにするためには0.05〜0.5μmがより
好ましい。本発明の磁気記録媒体は、ガラス基板と保護
膜との間に磁性膜が介在するように設けられている磁気
記録媒体であって、前記ガラス基板上にTi,Zr,Y
,Ta,Cr,Mo,Wの金属群から選ばれた少なくと
も1種以上からなる低表面エネルギー性の膜が被覆され
、前記低表面エネルギー性の膜の上にAg,Al,Cu
,Au,Sn,Pb,Sb,Biの低融点金属群より選
ばれた少なくとも1種以上からなる凹凸形成物が前記低
表面エネルギー性の膜の面内方向に不連続な島状構造を
有し前記保護膜表面に凹凸を付与するように形成され、
さらに非晶質合金膜からなる第1下地膜が被覆され、前
記第1下地膜の上に結晶性の金属膜からなる第2下地膜
が被覆され、前記第2下地膜の上に合金磁性膜が被覆さ
れ、前記合金磁性膜の上に保護膜が被覆された磁気記録
媒体である。
は、表面の平坦性がよいガラス板を用いるのが好ましく
、ガラス板の表面を公知の方法により研磨して用いられ
る。またガラス板は、とくにその組成については限定さ
れないが、フロート法で製造されたソーダライム組成の
ガラス板が安価に入手できるので好ましい。本発明の磁
気記録媒体においては、ガラス基板の上に低表面エネル
ギー性の膜が被覆されている。低表面エネルギー性の膜
とは、その膜の表面エネルギー性が用いるガラス基板の
表面エネルギーよりも小さいことをいい、その膜を被覆
した基板を加熱し、加熱した状態でその膜に融点が11
00℃以下の金属をスパッタリングにより被覆を行った
とき、前記金属がその膜の面内方向に不連続で島状構造
の凹凸形成物となる膜をいう。低表面エネルギー性の膜
としては、Ti,Zr,Y,Ta,Cr,Mo,Wの金
属群から選ばれた少なくとも1種以上からなる膜を用い
ることができる。そのほかにTiY合金膜、YSi合金
膜、TiSi合金膜、CrV合金膜なども用いることが
できる。
一金属からなる結晶性の膜は、低融点金属が被覆される
に際しては、島状構造の成長核となりやすいため、形成
される凹凸の山のピッチが小さくなる。一方、合金から
なる非晶質膜あるいは結晶が発達していない膜は、低融
点金属が被覆されるに際しては、島状構造が成長するた
めの核の密度が少ないので、形成される凹凸の山のピッ
チが大きくなる。前記非晶質膜としては、TiY合金膜
(Y濃度が約10原子%の合金)、YSi合金膜(Si
濃度が15〜60原子%の合金)、TiSi合金膜(S
i濃度が35〜65原子%の合金)などが挙げられる。
としては、5nm以上であることが好ましい。5nmよ
り薄いと、ガラス基板の吸着水などからの酸素が前記膜
に混入し、前記膜表面まで酸化されて表面エネルギーが
大きくなる。このような表面エネルギーが大きい膜の上
に、低融点金属をスパッタリングや真空蒸着により被覆
すると、凹凸を再現性よく形成できない。また膜の厚み
が200nmより厚いと、ガラス基板からの剥離が生じ
やすくなり、また、生産性の点でも好ましくない。低表
面エネルギー性の膜の表面にまで酸化が及ばないという
観点から膜の厚みは10nm以上、生産性が落ちず剥離
が生じにくいという観点から100nm以下がさらに好
ましい。
は、融点が1100℃以下の金属又は合金であればよく
、Ag,Al,Cu,Au,Zn,Pbからなる群より
選ばれた1種の金属又は2種以上の合金が挙げられる。 これらの中でも、低表面エネルギー性の膜に被着したと
きに、金属原子間の凝集エネルギーが大きな島状構造を
形成しやすいという観点からAg,Al,Cu,および
Auあるいはこれらのいずれかを含む合金が好ましい。 また、これらの金属または合金に微量の他の元素が添加
されていてもよい。
ルギー性の膜をガラス基板上に被覆する方法としては、
例えばスパッタリング法や真空蒸着法を用いることが出
来る。本発明の磁気記録媒体にかかる凹凸形成物は、例
えばスパッタリング法や真空蒸着法により形成すること
が出来る。前記凹凸形成物は低表面エネルギー性の膜を
ガラス基板に被覆した後、真空を破ることなく引続き形
成することが好ましい。そして凹凸形成物の形状は、前
記低融点金属を真空蒸着法、スパッタリング法で被覆す
るときのガラス基板の温度および蒸発量を調節すること
により行われる。凹凸形成物が形成されるときのガラス
基板は、100〜400℃の温度に加熱される。ガラス
基板を高温にすると凹凸のピッチが大きく、かつ、凹凸
の深さが大きくなり、低温加熱では凹凸のピッチが小さ
く、かつ、凹凸の深さが浅くなる。加熱温度は150〜
250℃が好ましい。また、温度を一定にして蒸発量を
増加させると、凹凸のピッチは一定の状態で凹凸の深さ
が増加する。したがって、温度が低い状態で蒸着量を多
くしても、温度が高い状態で蒸着量を少なくした場合と
同様の平均粗さRaおよび最大粗さRmaxを得ること
が出来る。但し、この場合には凹凸のピッチは異なる。
3〜80nmの連続層状の膜の厚みに相当する量が好ま
しい。3nmより少ないと上記の温度内では十分な凹凸
が得られず、また80nmより多いと凹凸の高さが大き
くなり、磁気ヘッドと磁性膜との距離が大きくなるため
記録再生特性が劣化する。さらに、蒸発量は作製条件、
特に温度に対する凹凸粗さの変化が少なく、かつ、制御
性の良い5〜30nmが好ましい。
ましい。被覆率が85%を越えると、ヘッドとの摩擦係
数が大きくなり良好な摺動特性が得られず、一方10%
より小さいと所望の凹凸が得られにくくなるので好まし
くない。また、凹凸形成物の粗さは平均粗さRaが、1
〜15nmが好ましく、磁気記録された信号のノイズを
小さく抑える点からさらに1.5〜10nmが好ましい
。更には1.5〜8nmが最も好ましい。
最上層の保護膜に凹凸を与えるためには5〜150nm
とし、最大粗さが150nmを越えないようにするのが
好ましい。さらにヘッド走行をスムーズにするためには
、10〜100nmとするのが好ましい。
録媒体の最上層の保護膜に凹凸を与えるためには0.0
5〜1.0μmとするのが好ましく、さらにヘッドの走
行をスムーズにするために0.05〜0.5μmがより
好ましい。本発明の磁気記録媒体の第1の下地膜は、非
晶質合金膜からなる。かかる合金膜としては、TiY合
金膜(Y濃度が10〜30原子%)、YSi合金膜(S
i濃度が20〜70原子%)、TiSi合金膜(Si濃
度が20〜70原子%)、ZrCu合金膜(Zr濃度が
35〜50原子%)、ZrSi合金膜(Si濃度が20
〜60原子%)、CoTa合金膜(Ta濃度が25〜5
0原子%)、TiCu合金膜(Cu濃度が40〜60原
子%)、FeSi合金膜(Si濃度が50〜70原子%
)、FeGe合金膜(Ge濃度が60〜70原子%)、
PdSi合金膜(Si濃度が15〜70原子%)が例示
でき、とりわけTiSi合金膜(Si濃度が20〜70
原子%)が好ましい。上記の合金は2元系であるが、3
元系や4元系等にすることも可能であり、例えばPdC
uSiやZrBeNb等が挙げられる。そして膜の厚み
は5〜100nmとするのが好ましい。5nmより薄い
とさらにその上に被覆される第2の下地膜および磁性膜
の結晶粒径を揃える効果が小さくなり、100nmを越
えると磁気記録媒体の生産性が低下するので好ましくな
い。
晶性の金属膜からなり、この膜を被覆することにより、
磁性膜の結晶粒径を揃え良好な磁気特性を有する磁性膜
とすることができる。第2の下地膜の厚みとしては50
〜300nmが好ましい。本発明の磁気記録媒体の磁性
膜は、CoNiCr合金やCoNiCrTa合金などの
合金磁性膜を用いることができる。本発明の磁気記録媒
体の保護膜は、カーボン膜、二酸化珪素膜を用いること
ができる。
性の膜、凹凸形成物、第1下地膜、第2下地膜、磁性膜
、保護膜は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法で形
成することができ、とりわけ前記の低表面エネルギー性
の膜から保護膜まで引き続いて形成することが出来るイ
ンライン式スパッタリング装置で形成するのが好ましい
。
の膜は、前記膜の上に低融点金属からなる凹凸形成物を
形成するに際し、前記膜表面での低融点金属原子のモビ
リティーを大きくし、前記膜上に被着した低融点金属原
子を動き易くする。このため凹凸形成物の凹凸ピッチを
大きくすることができ、ピッチの比較的大きな凹凸構造
を安定して形成することができる。凹凸形成物は磁気記
録媒体の保護膜表面に凹凸を与えヘッドの接触特性を良
くする。
膜により第1下地膜の上に被覆される第2下地膜は、低
表面エネルギー性の膜や凹凸形成物の結晶構造の影響を
受けない。これにより第2下地膜は、磁気特性が良好な
磁性膜が成長する結晶配向をする。また、第1下地層は
第2下地層を被覆する時のガラス基板の加熱を容易にす
る。すなわち、凹凸形成物の構造を構成する低融点金属
は、その赤外線放射率が小さいため、ガラス基板の加熱
時にその温度を上げるのに大きな電力を必要とする。こ
れに対し第1下地層は、低融点金属に比べ赤外線放射率
が大きいために、第2下地膜や磁性膜を高温度で被覆す
るのを容易にする。
は本発明の磁気ディスク用基板の一部断面図で、磁気デ
ィスク用基板1はガラス基板2の上に低表面エネルギー
性の膜3が被覆され、前記膜3の上に凹凸形成物4が形
成されている。図2は本発明の磁気記録媒体で、磁気記
録媒体10は、ガラス基板2の上に低表面エネルギー性
の金属膜3、凹凸形成物4、第1下地膜5、第2下地膜
6、磁性膜7、保護膜8がこの順に設けられている。図
2は本発明の磁気記録媒体の1実施例を示すもので、本
発明はこれに限定されるものでない。たとえば保護膜8
の上にさらにふっ素を含有する有機潤滑剤を塗布したも
のであってもよい。図3は、本発明にかかる凹凸形成物
の形状を説明するための図で、図3(a)はその断面図
、図3(b)はその平面図である。図3(a)では、凹
凸形成物の頭頂部は平坦であることを示している。
イムガラス基板を複数のカソードを有し基板加熱が可能
なインライン式スパッタリング装置にセットし連続して
被膜の被覆および凹凸形成物を形成する方法を用いた。 スパッタリング装置内の真空中でガラス基板を200℃
に加熱し、アルゴンガスを用いたDCマグネトロンスパ
ッタ法によりTi膜およびAl(アルミニウム)の凹凸
形成物を10mTorrにて連続して被覆した。Ti膜
を被覆する前のアルゴンガスを真空装置内に導入する前
の真空度を1×10−6Torr以下とし、Ti膜の膜
厚は約30nmとなるようにTiターゲットに加える電
力を調整しておこなった。Alの凹凸形成物を作るとき
のスパッタ条件としては、基板温度は200℃、スパッ
タ量は15nmの厚みの層状のAl膜が被覆できる量と
した。
の凹凸形成物の構造を電子線表面形態解析装置(エリオ
ニクス社製ESA−3000)を用いて観察すると、一
つの凹凸形成物は直径が約300nmの大きさの円錐台
形状をし、この凹凸形成物は多数離散して島状にTi膜
上に突起を形成していた。この凹凸形成物の表面粗さを
上記の電子線表面形態解析装置で測定したところ、平均
粗さRaは5.1nm、最大粗さ52nmで図3に示さ
れる形状をしていることが分かった。図3からわかるよ
うに、Ti膜上のAlの凹凸形成物は下地のTi膜の(
002)結晶配向の影響を受け、1つ1つの微小突起が
微小なAlの単結晶粒でかつ特定の面が成長した台形状
の微粒子となっている。このため、凹凸形成物が台形状
でないとがった場合と比べ、同じ微小突起密度であって
も、ヘッドとの接触面積が大きくなり、CSS特性に良
い効果をもたらしていることが考えられた。またこのと
きのAlの凹凸形成物の被覆率は40%であった。ここ
でAlの被覆率は、電子顕微鏡で撮影した写真に対角線
を引き、各対角線と交わるAl粒子の長さをすべて積算
した値を分子とし、各対角線の長さを分母として算出し
た平均値で算出した。
しさらに凹凸形成物を形成した。そして、真空を破るこ
となく引き続いてアルゴンガスとTiY合金ターゲット
(Yが10原子%含まれる)を用いたDCマグネトロン
スパッタ法により約30nmの厚みのTiY膜を被覆し
、その後ガラス基板を300℃に加熱してアルゴンガス
とCrターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ法
で150nmの厚みのCr膜、アルゴンガスとCoNi
Cr合金ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタ
法で60nmの厚みのCoNiCr合金磁性膜、アルゴ
ンガスとカーボンターゲットを用いたDCマグネトロン
スパッタ法で30nmの厚みのカーボン膜を順次被覆し
た。得られた磁気ディスクのサンプル2の保磁力を測定
したところ、1500Oe値であった。また磁気ディス
ク上に潤滑剤を塗布した後、CSS試験(コンタクト・
スタート・ストップ試験)を実施した所、3万回のCS
S試験を行っても摩擦係数は0.2以下であった。磁気
特性を評価したところ、グライド特性は2マイクロイン
チ以下であり、S/N値が30dB、D50(出力が低
周波数での値の1/2になる周波数)が60kFCI(
1インチ当りの磁化反転回数)という良好な記録再生特
性を示した。
ときのガラス基板温度を150℃、175℃、225℃
、250℃と変化させて磁気記録媒体のサンプル3,4
,5,6を製作した。いずれのサンプルの凹凸形成物も
、実施例1で得たサンプル1と同様の円錐台形状の微細
突起をしており、そのピッチ、密度及び突起高さともに
ほとんど変化していなかった。得られた磁気記録媒体の
特性をまとめて表1に示す。
ル2と同様に良好な磁気特性をしていた。
した後、Alの凹凸形成物を形成した。凹凸形成物の形
成時のガラス基板温度とAlの蒸発量とを変化させて磁
気ディスク用基板を作製した。Alの蒸発量を、ガラス
基板を加熱しないで連続な層状の膜としたときそれぞれ
5nm、10nm、15nm、25nmとなる量にし、
またガラス基板温度を同時に200℃、200℃、30
0℃、160℃とした。得られた磁気ディスク用基板の
サンプル7,8,9,10の表面凹凸特性を測定した結
果を表2に示す。
りにTiY膜(Yが10原子%含まれる)を30nm被
覆し、その後Alの凹凸形成物を実施例1と同じように
してTi膜上に形成して磁気ディスク用基板のサンプル
11を得た。サンプル11の表面特性を調べたところ凹
凸形成物の被覆率は12%で、平均粗さRa4.0nm
、最大粗さRmax47nmの突起を形成していた。
lの凹凸形成物を形成し、真空を破らずに引続き、アル
ゴンガスとTiY合金ターゲット(Yが10原子%含ま
れる)を用いたDCマグネトロンスパッタ法により約3
0nmの厚みのTiY膜を被覆し、その後ガラス基板を
300℃に加熱してアルゴンガスとCrターゲットを用
いたDCマグネトロンスパッタ法で150nmの厚みの
Cr膜、アルゴンガスとCoNiCr合金ターゲットを
用いたDCマグネトロンスパッタ法で60nmの厚みの
CoNiCr合金磁性膜、アルゴンガスとCrターゲッ
トを用いたDCマグネトロンスパッタ法で5nmの厚み
のCr膜、アルゴンガスと石英ガラスターゲットを用い
た高周波マグネトロンスパッタ法で15nmの厚みの二
酸化珪素膜を順次被覆して磁気記録媒体のサンプル12
を得た。サンプル12の保護膜の表面に実施例2でおこ
なったのと同様に潤滑剤を塗布してCSS試験を実施し
たところ、3万回のCSS試験を行っても摩擦係数は0
.2以下と良好な特性であった。凹凸形成物の被覆率が
12%と小さいにもかかわらず、良好な特性となった。 これは、潤滑剤の保護膜への付着力が強いために、磁気
ヘッドとの接触点が減少し、1点当りの荷重が増加して
も潤滑剤が保護膜から取れ難くなっているためと考えら
れる。
用いたことの他はまったく同じようにして磁気ディスク
用基板のサンプル13を得た。ここでAgのスパッタ量
は15nmの厚みの層状のAg膜が被覆できる量とした
。得られたサンプル13の表面特性を表3に示す。
低表面エネルギー性の膜としてTi膜の代わりにTiY
(Yが10原子%含まれる)膜を用いたことの他は実施
例1と同じようにして磁気ディスク用基板のサンプル1
4を得た。得られたサンプル14の表面特性を表3に示
す。
低表面エネルギー性の膜としてTi膜の代わりにZr膜
を用いたことの他は実施例1と同じようにして磁気ディ
スク用基板のサンプル15を得た。得られたサンプル1
5の表面特性を表3に示す。
にして、磁気記録媒体の比較サンプルを製作した。この
比較サンプルの特性を測定した結果を表1に示す。これ
らより、本発明の実施例で得られたサンプルは、優れた
保持力、S/N値、D50を有するとともにCSS特性
およびグライド特性が良いことが分かる。
基板の上に設けられている凹凸形成物の形状は円錐台形
状であって鋭利な突起を有していないので、その上に磁
性膜と保護膜を設けて磁気記録媒体としたときに、CS
S特性およびグライド特性がよい磁気記録媒体を製作す
ることが出来る。また、本発明の磁気記録媒体は、磁性
膜の下地に非晶質または微細粒子からなる合金膜と結晶
質からなる金属膜が設けられ磁性膜の結晶構造が揃って
いるので、大きな保持力を有しかつ、表面凹凸が適性に
つけられているのでCSS特性およびグライド特性がよ
い。
。
凹凸形成物 5 非晶質合金膜 6 結晶質金属膜 7 磁性膜 8 保護膜 10 磁気記録媒体
Claims (7)
- 【請求項1】 ガラス基板上にTi,Zr,Y,Ta
,Cr,Mo,Wの金属群から選ばれた少なくとも1種
以上からなる低表面エネルギー性の膜が被覆され、前記
低表面エネルギー性の膜の上に、Ag,Al,Cu,A
u,Sn,Pb,Sb,Biの低融点金属群より選ばれ
た少なくとも1種以上からなる凹凸形成物が、前記低表
面エネルギー性の膜の面内方向に不連続な島状構造を呈
するように形成された磁気ディスク用基板。 - 【請求項2】 前記低表面エネルギー性の膜の厚みが
、5〜100nmである請求項1に記載の磁気ディスク
用基板。 - 【請求項3】 前記凹凸形成物を、前記凹凸形成物の
平均粗さが1.5〜10nmで、前記低表面エネルギー
性の膜の表面を10〜85%被覆するように形成したこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の磁気ディスク
用基板。 - 【請求項4】 ガラス基板と保護膜との間に磁性膜が
介在するように設けられている磁気記録媒体において、
前記ガラス基板上にTi,Zr,Y,Ta,Cr,Mo
,Wの金属群から選ばれた少なくとも1種以上からなる
低表面エネルギー性の膜が被覆され、前記低表面エネル
ギー性の膜の上にAg,Al,Cu,Au,Sn,Pb
,Sb,Biの低融点金属群より選ばれた少なくとも1
種以上からなる凹凸形成物が前記低表面エネルギー性の
膜の面内方向に不連続な島状構造を呈し、かつ、前記保
護膜表面に凹凸を付与するように形成され、前記低表面
エネルギー性の膜の露出部と前記凹凸形成物の上に非晶
質合金膜からなる第1下地膜が被覆され、前記第1下地
膜の上に結晶性の金属膜からなる第2下地膜が被覆され
、前記第2下地膜の上に合金磁性膜が被覆され、前記合
金磁性膜の上に保護膜が被覆された磁気記録媒体。 - 【請求項5】 前記低表面エネルギー性の膜の厚みが
、5〜100nmである請求項4に記載の磁気記録媒体
。 - 【請求項6】 前記凹凸形成物を、前記凹凸形成物の
平均粗さが1.5〜10nmで、前記低表面エネルギー
性の膜の表面を10〜85%被覆するように形成したこ
とを特徴とする請求項4または5に記載の磁気記録用媒
体。 - 【請求項7】 前記第1下地膜がチタニウムとシリコ
ンからなる非晶質合金膜とし、前記第2下地膜をクロム
膜としたことを特徴とする請求項4,5,6のいずれか
に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3944091A JP2864770B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3944091A JP2864770B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04255909A true JPH04255909A (ja) | 1992-09-10 |
JP2864770B2 JP2864770B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=12553073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3944091A Expired - Lifetime JP2864770B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2864770B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5700593A (en) * | 1993-06-23 | 1997-12-23 | Kubota Corporation | Metal thin film magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
US5789090A (en) * | 1996-02-05 | 1998-08-04 | Stormedia, Inc. | Metallic thin-film magnetic recording media |
JP2004199725A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法 |
WO2012042811A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 基板製造方法及び磁気記憶媒体の製造方法 |
US8152972B2 (en) | 2007-11-21 | 2012-04-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming fine particles, method for forming concavities and convexities, and device for forming fine particles |
-
1991
- 1991-02-08 JP JP3944091A patent/JP2864770B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5700593A (en) * | 1993-06-23 | 1997-12-23 | Kubota Corporation | Metal thin film magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
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JP2004199725A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Fujitsu Ltd | 情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法 |
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WO2012042811A1 (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 基板製造方法及び磁気記憶媒体の製造方法 |
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JP2864770B2 (ja) | 1999-03-08 |
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