JPH07334843A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH07334843A JPH07334843A JP12161294A JP12161294A JPH07334843A JP H07334843 A JPH07334843 A JP H07334843A JP 12161294 A JP12161294 A JP 12161294A JP 12161294 A JP12161294 A JP 12161294A JP H07334843 A JPH07334843 A JP H07334843A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ成膜のＡｒガス圧やガス流量に多少
の変動が生じても、保磁力の異方性の改善や角形比の低
下の抑制が可能な磁気記録媒体の製造方法を実現するこ
と。 【構成】 共用チャンバー１４ｂにおいて、第１のホル
ダ１４ｃの位置では各基板２１の両面に対向するＣｒタ
ーゲットが取付けられおり、第１のバイアス電位Ｖ1 を
印加して、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜が行われる。第２
のホルダ１４ｄの位置では各基板２１の両面に対向する
Ｃｏ合金ターゲットが取付けられており、第２のバイア
ス電位Ｖ2 を印加してＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜が
行われる。隔壁１３ａ，１４ａの開閉によるＡｒガス圧
等の多少の変動があっても、バイアス電位Ｖ1 とＶ2 を
適正値に設定することにより、大きな保磁力で、保磁力
の異方性を抑えることができ、また角形比を１に近い値
に確保できる。
の変動が生じても、保磁力の異方性の改善や角形比の低
下の抑制が可能な磁気記録媒体の製造方法を実現するこ
と。 【構成】 共用チャンバー１４ｂにおいて、第１のホル
ダ１４ｃの位置では各基板２１の両面に対向するＣｒタ
ーゲットが取付けられおり、第１のバイアス電位Ｖ1 を
印加して、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜が行われる。第２
のホルダ１４ｄの位置では各基板２１の両面に対向する
Ｃｏ合金ターゲットが取付けられており、第２のバイア
ス電位Ｖ2 を印加してＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜が
行われる。隔壁１３ａ，１４ａの開閉によるＡｒガス圧
等の多少の変動があっても、バイアス電位Ｖ1 とＶ2 を
適正値に設定することにより、大きな保磁力で、保磁力
の異方性を抑えることができ、また角形比を１に近い値
に確保できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｃｒ下地膜とＣｏ合金
磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法に関し、特にＣ
ｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜の成膜法に関する。
磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法に関し、特にＣ
ｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜の成膜法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な金属薄膜磁気記録ディスク（媒
体）の断面構造は、図４に示すように、非磁性基板１上
に非磁性のＣｒ下地膜２を積層し、このＣｒ下地膜２上
に強磁性合金のＣｏ合金磁性膜３を薄膜状に積層した
後、この磁性膜３上にアモルファスカーボン又はダイヤ
モンドライクカーボンのカーボン保護膜４を積層形成
し、更にそのカーボン保護膜４の上に液体潤滑剤からな
る潤滑膜５を設けたものである。非磁性基板１しては、
例えばアルミニウム合金基板を用い、この上にＮｉ−Ｐ
（ニッケル−リン）メッキ膜をコートし、その表面を研
磨したものである。この非磁性基板１の上に、例えばＣ
ｒからなる膜厚３００ｎｍのＣｒ下地膜２，Ｃｏ８０ａ
ｔ％，Ｃｒ１４ａｔ％，Ｐｔ６ａｔ％からなる膜厚５０
ｎｍのＣｏ合金磁性膜３，及びアモルファスカーボンか
らなる膜厚２０ｎｍのカーボン保護膜４を順次スパッタ
法で積層形成する。そして、保護膜４上にフロロカーボ
ン系の液体潤滑剤を膜厚２ｎｍ塗布して潤滑膜５を形成
する。
体）の断面構造は、図４に示すように、非磁性基板１上
に非磁性のＣｒ下地膜２を積層し、このＣｒ下地膜２上
に強磁性合金のＣｏ合金磁性膜３を薄膜状に積層した
後、この磁性膜３上にアモルファスカーボン又はダイヤ
モンドライクカーボンのカーボン保護膜４を積層形成
し、更にそのカーボン保護膜４の上に液体潤滑剤からな
る潤滑膜５を設けたものである。非磁性基板１しては、
例えばアルミニウム合金基板を用い、この上にＮｉ−Ｐ
（ニッケル−リン）メッキ膜をコートし、その表面を研
磨したものである。この非磁性基板１の上に、例えばＣ
ｒからなる膜厚３００ｎｍのＣｒ下地膜２，Ｃｏ８０ａ
ｔ％，Ｃｒ１４ａｔ％，Ｐｔ６ａｔ％からなる膜厚５０
ｎｍのＣｏ合金磁性膜３，及びアモルファスカーボンか
らなる膜厚２０ｎｍのカーボン保護膜４を順次スパッタ
法で積層形成する。そして、保護膜４上にフロロカーボ
ン系の液体潤滑剤を膜厚２ｎｍ塗布して潤滑膜５を形成
する。
【０００３】スパッタ成膜工程では成膜異方性（磁気デ
ィスク表面の異なる位置で異なる膜質が生じること）を
避けるため、基板を移動させながら異なるターゲットに
より連続的にスパッタする搬送型スパッタ装置ではな
く、搬送基板を静止させてスパッタする静止型スパッタ
装置（ブレーナマグネトロンスパッタ装置）が使用され
る。そして、磁気ディスク（基板）がディスク穴を有し
ているため、プラズマ分布がドーナツ状分布となるよう
に、円環状（同心円状）ターゲットを用いた静止対向
（両面）スパッタ装置が使用されている。これによっ
て、磁気ディスクの円周方向のどの位置もプラズマに接
触する割合が平等化するので、円周方向の磁気特性（Ｈ
ｃ：保磁力、Ｂｒ・δ：残留磁束密度、Ｓ，Ｓ* ：角形
比）が非常に揃って均一化している。しかし、円環状タ
ーゲットの中心に対して回転対称のプラズマ分布でも、
半径方向（放射方向）ではプラズマ分布が山形状になっ
ているため、円環状ターゲットの内周と外周との中間部
位がプラズマ密度が高く、この部位がエロージョンによ
って窪み、磁束密度が不均一となるので、ディスクの半
径方向（放射方向）では磁気特性のバラツキが生じてい
る。そのため、磁気記録媒体として使用した場合、内周
と外周とで磁気特性が異なり、実際の磁気ヘッドで読み
書き動作を行う電磁変換特性試験（ビットシフト）で
も、内周と外周とは異なる値を示す。
ィスク表面の異なる位置で異なる膜質が生じること）を
避けるため、基板を移動させながら異なるターゲットに
より連続的にスパッタする搬送型スパッタ装置ではな
く、搬送基板を静止させてスパッタする静止型スパッタ
装置（ブレーナマグネトロンスパッタ装置）が使用され
る。そして、磁気ディスク（基板）がディスク穴を有し
ているため、プラズマ分布がドーナツ状分布となるよう
に、円環状（同心円状）ターゲットを用いた静止対向
（両面）スパッタ装置が使用されている。これによっ
て、磁気ディスクの円周方向のどの位置もプラズマに接
触する割合が平等化するので、円周方向の磁気特性（Ｈ
ｃ：保磁力、Ｂｒ・δ：残留磁束密度、Ｓ，Ｓ* ：角形
比）が非常に揃って均一化している。しかし、円環状タ
ーゲットの中心に対して回転対称のプラズマ分布でも、
半径方向（放射方向）ではプラズマ分布が山形状になっ
ているため、円環状ターゲットの内周と外周との中間部
位がプラズマ密度が高く、この部位がエロージョンによ
って窪み、磁束密度が不均一となるので、ディスクの半
径方向（放射方向）では磁気特性のバラツキが生じてい
る。そのため、磁気記録媒体として使用した場合、内周
と外周とで磁気特性が異なり、実際の磁気ヘッドで読み
書き動作を行う電磁変換特性試験（ビットシフト）で
も、内周と外周とは異なる値を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような保磁力の異
方性や角形比の低下は、主に放電ガスのＡｒガス圧やガ
ス流量を制御して改善することが可能である。即ち、円
環状ターゲットを用いた静止成膜の対向スパッタ装置に
おいて、Ｃｒ下地膜の成膜とＣｏ合金磁性膜の成膜をＡ
ｒガス圧を等しくして同一のチャンバー内で行うように
する。Ｃｒ下地膜のスパッタの後、温度低下しない状態
ですぐにＣｏ合金磁性膜のスパッタを行うと、一般に、
保磁力を大きくできるからであり、かかる１チャンンバ
ー・２ターゲットのスパッタ成膜でＡｒガス圧を比較的
低圧に設定すると、保磁力の異方性などが改善できる。
方性や角形比の低下は、主に放電ガスのＡｒガス圧やガ
ス流量を制御して改善することが可能である。即ち、円
環状ターゲットを用いた静止成膜の対向スパッタ装置に
おいて、Ｃｒ下地膜の成膜とＣｏ合金磁性膜の成膜をＡ
ｒガス圧を等しくして同一のチャンバー内で行うように
する。Ｃｒ下地膜のスパッタの後、温度低下しない状態
ですぐにＣｏ合金磁性膜のスパッタを行うと、一般に、
保磁力を大きくできるからであり、かかる１チャンンバ
ー・２ターゲットのスパッタ成膜でＡｒガス圧を比較的
低圧に設定すると、保磁力の異方性などが改善できる。
【０００５】ところで、静止型スパッタ装置では、加熱
炉で加温された基板がＣｒターゲット及びＣｏ合金ター
ゲットのある共用チャンバーに搬入され、Ｃｒターゲッ
トを用いてＣｒ下地膜のスパッタ成膜が行われた後、基
板を移動し、Ｃｏ合金ターゲットを用いてＣｏ合金磁性
膜の成膜が行われ、その後隣接する別のチャンバーに搬
入されてカーボン保護膜のスパッタ成膜が行われるよう
になっている。Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜後に基板は共
用チャンバー内でＣｏ合金磁性膜の成膜ポジション迄移
動されるが、このポジション移動においては隣接の加熱
炉及びカーボン保護膜の成膜のチャンバーとの隔壁が一
時的にも開き、他の基板の移動が行われるため、共用チ
ャンバー内のＡｒガス圧やガス流量が一時的に若干変動
してしまう。従って、Ａｒガス圧やガス流量の変動（擾
乱）が落ち着く迄待ってからスパッタ成膜を開始するべ
きであるが、前述のように、大きな保磁力を得るため基
板温度が低下しない状態で次のＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜を行う必要があることと、磁気記録媒体のスルー
プット（短時間多量生産性）を高めるため、基板静止時
間は約１０〜１５秒程度とされている。このため、保磁
力の異方性や角形比の低下が問題となっていた。
炉で加温された基板がＣｒターゲット及びＣｏ合金ター
ゲットのある共用チャンバーに搬入され、Ｃｒターゲッ
トを用いてＣｒ下地膜のスパッタ成膜が行われた後、基
板を移動し、Ｃｏ合金ターゲットを用いてＣｏ合金磁性
膜の成膜が行われ、その後隣接する別のチャンバーに搬
入されてカーボン保護膜のスパッタ成膜が行われるよう
になっている。Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜後に基板は共
用チャンバー内でＣｏ合金磁性膜の成膜ポジション迄移
動されるが、このポジション移動においては隣接の加熱
炉及びカーボン保護膜の成膜のチャンバーとの隔壁が一
時的にも開き、他の基板の移動が行われるため、共用チ
ャンバー内のＡｒガス圧やガス流量が一時的に若干変動
してしまう。従って、Ａｒガス圧やガス流量の変動（擾
乱）が落ち着く迄待ってからスパッタ成膜を開始するべ
きであるが、前述のように、大きな保磁力を得るため基
板温度が低下しない状態で次のＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜を行う必要があることと、磁気記録媒体のスルー
プット（短時間多量生産性）を高めるため、基板静止時
間は約１０〜１５秒程度とされている。このため、保磁
力の異方性や角形比の低下が問題となっていた。
【０００６】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、スパッタ成膜の放電ガスであるＡｒのガス圧やガス
流量に多少の変動が生じても、保磁力の異方性や角形比
の低下の改善が可能な磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることにある。
は、スパッタ成膜の放電ガスであるＡｒのガス圧やガス
流量に多少の変動が生じても、保磁力の異方性や角形比
の低下の改善が可能な磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の講じた手段は、第１のポジションに静止し
た基板に対しＣｒターゲットを用いてＣｒ下地膜をスパ
ッタ成膜する工程と、同一のチャンバー内で第１のポジ
ションから第２のポジションに上記基板を移動する工程
と、第２のポジションに静止した上記基板に対しＣｏ合
金ターゲットを用いてＣｏ合金磁性膜をスパッタ成膜す
る工程とを有する磁気記録媒体の製造方法において、第
１のポジションにおける上記基板に対し第１のバイアス
電位を印加すると共に、第２のポジションにおける上記
基板に対し第１のバイアス電位とは独立に制御可能な第
２のバイアス電位を印加することを特徴とする。
め、本発明の講じた手段は、第１のポジションに静止し
た基板に対しＣｒターゲットを用いてＣｒ下地膜をスパ
ッタ成膜する工程と、同一のチャンバー内で第１のポジ
ションから第２のポジションに上記基板を移動する工程
と、第２のポジションに静止した上記基板に対しＣｏ合
金ターゲットを用いてＣｏ合金磁性膜をスパッタ成膜す
る工程とを有する磁気記録媒体の製造方法において、第
１のポジションにおける上記基板に対し第１のバイアス
電位を印加すると共に、第２のポジションにおける上記
基板に対し第１のバイアス電位とは独立に制御可能な第
２のバイアス電位を印加することを特徴とする。
【０００８】
【作用】基板へのバイアスは、スパッタガスの蒸着膜へ
の混入を防ぎ、純度の高い薄膜を形成する意義があり、
従来は、第１のポジションの基板と第２のポジションの
基板へのバイアス電位は同電位であったが、本発明では
それぞれの基板に対し個別的にバイアス電位を印加す
る。このように第１及び第２のバイアス電位を印加して
Ｃｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜を行った実
験では、３．５インチの磁気ディスクの場合、第１のバ
イスア電位は０Ｖ程度で、第２のバイスア電位は−２０
０〜−３００Ｖ程度にすると、同一磁気ディスクでの保
磁力の異方性も低減し、また角形比も１に近い値が得ら
れた。従って、Ａｒガス圧やガス流量に多少の変動があ
っても、バイアスを個別的に印加することでその変動分
による成膜への影響を鈍化できる。このため、磁気記録
媒体の製造ラインの高速化も図れる。
の混入を防ぎ、純度の高い薄膜を形成する意義があり、
従来は、第１のポジションの基板と第２のポジションの
基板へのバイアス電位は同電位であったが、本発明では
それぞれの基板に対し個別的にバイアス電位を印加す
る。このように第１及び第２のバイアス電位を印加して
Ｃｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜を行った実
験では、３．５インチの磁気ディスクの場合、第１のバ
イスア電位は０Ｖ程度で、第２のバイスア電位は−２０
０〜−３００Ｖ程度にすると、同一磁気ディスクでの保
磁力の異方性も低減し、また角形比も１に近い値が得ら
れた。従って、Ａｒガス圧やガス流量に多少の変動があ
っても、バイアスを個別的に印加することでその変動分
による成膜への影響を鈍化できる。このため、磁気記録
媒体の製造ラインの高速化も図れる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明の実施例に用いる静止型スパ
ッタ装置を示す模式図である。この静止型スパッタ・ラ
イン機１０は、共用チャンバー１４ｂを有する静止型ス
パッタ装置１４の上流側に配置された第１〜第３加熱炉
１１〜１３と、共用チャンバー１４ｂを有する静止型ス
パッタ装置１４の下流側に配置された単独の静止型スパ
ッタ装置１５とを備えたライン構成となっている。多数
枚の表裏露出した基板２１を搭載するトレイ２０は、隔
壁１０ａのドアを介して第１加熱炉１１に搬入されて基
板２１は所定温度まで加温される。次に、基板２１は隔
壁１１ａのドアを介して第２加熱炉１２に搬入されて基
板２１は更に高温にまで加温される。次に、基板２１は
隔壁１２ａのドアを介して第３加熱炉１３に搬入されて
基板２１は最終温度にまで加温される。この後、隔壁１
３ａのドアを介してトレイ２０が共用チャンバー１４ｂ
内の第１のホルダ１４ｃにセットされる。第１のホルダ
１４ｃの位置では各基板２１の両面に対向する円環状
（同心円状）ターゲット（Ｃｒターゲット）がフラット
マグネットに取付けられている（図示せず）。また、ト
レイ２０上の各基板２１に対しては第１のホルダ１４ｃ
を介して第１のバイアス電位Ｖ1 を印加する第１のバイ
アス調節装置３０が設けられている。この第１のバイア
ス調節装置３０で第１のバイアス電位Ｖ1 を基板２１に
印加し、Ｃｒターゲットを用いて基板２１に対しＣｒ下
地膜のスパッタ成膜が行われる。このＣｒ下地膜のスパ
ッタ成膜の後、トレイ２０は第１のホルダ１４ｃから第
２のホルダ１４ｄの位置まで移動されてセットされる。
第２のホルダ１４ｄの位置では各基板２１の両面に対向
する円環状（同心円状）ターゲット（Ｃｏ合金ターゲッ
ト）がフラットマグネットに取付けられている（図示せ
ず）。また、トレイ２０上の各基板２１に対しては第２
のホルダ１４ｄを介して第２のバイアス電位Ｖ2 を印加
する第２のバイアス調節装置４０が設けられている。こ
の第２のバイアス調節装置４０で第２のバイアス電位Ｖ
2 を基板２１に印加し、Ｃｏ合金ターゲットを用いて基
板２１に対しＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜が行われ
る。共用チャンバー１４ｂ内でのスパッタが終了する
と、トレイ２０は隔壁１４ａのドアを介して次の静止型
スパッタ装置１５のチャンバーへ移動され、ホルダ１５
ｂにセットされる。ホルダ１５ｂの位置では各基板２１
の両面に対向する円環状（同心円状）ターゲット（カー
ボンターゲット）がフラットマグネットに取付けられて
おり（図示せず）、このターゲットを用いて基板２１に
対しカーボン保護膜のスパッタ成膜が行われる。この
後、隔壁１５ａのドアを介してトレイ２０は搬出され
る。
ッタ装置を示す模式図である。この静止型スパッタ・ラ
イン機１０は、共用チャンバー１４ｂを有する静止型ス
パッタ装置１４の上流側に配置された第１〜第３加熱炉
１１〜１３と、共用チャンバー１４ｂを有する静止型ス
パッタ装置１４の下流側に配置された単独の静止型スパ
ッタ装置１５とを備えたライン構成となっている。多数
枚の表裏露出した基板２１を搭載するトレイ２０は、隔
壁１０ａのドアを介して第１加熱炉１１に搬入されて基
板２１は所定温度まで加温される。次に、基板２１は隔
壁１１ａのドアを介して第２加熱炉１２に搬入されて基
板２１は更に高温にまで加温される。次に、基板２１は
隔壁１２ａのドアを介して第３加熱炉１３に搬入されて
基板２１は最終温度にまで加温される。この後、隔壁１
３ａのドアを介してトレイ２０が共用チャンバー１４ｂ
内の第１のホルダ１４ｃにセットされる。第１のホルダ
１４ｃの位置では各基板２１の両面に対向する円環状
（同心円状）ターゲット（Ｃｒターゲット）がフラット
マグネットに取付けられている（図示せず）。また、ト
レイ２０上の各基板２１に対しては第１のホルダ１４ｃ
を介して第１のバイアス電位Ｖ1 を印加する第１のバイ
アス調節装置３０が設けられている。この第１のバイア
ス調節装置３０で第１のバイアス電位Ｖ1 を基板２１に
印加し、Ｃｒターゲットを用いて基板２１に対しＣｒ下
地膜のスパッタ成膜が行われる。このＣｒ下地膜のスパ
ッタ成膜の後、トレイ２０は第１のホルダ１４ｃから第
２のホルダ１４ｄの位置まで移動されてセットされる。
第２のホルダ１４ｄの位置では各基板２１の両面に対向
する円環状（同心円状）ターゲット（Ｃｏ合金ターゲッ
ト）がフラットマグネットに取付けられている（図示せ
ず）。また、トレイ２０上の各基板２１に対しては第２
のホルダ１４ｄを介して第２のバイアス電位Ｖ2 を印加
する第２のバイアス調節装置４０が設けられている。こ
の第２のバイアス調節装置４０で第２のバイアス電位Ｖ
2 を基板２１に印加し、Ｃｏ合金ターゲットを用いて基
板２１に対しＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜が行われ
る。共用チャンバー１４ｂ内でのスパッタが終了する
と、トレイ２０は隔壁１４ａのドアを介して次の静止型
スパッタ装置１５のチャンバーへ移動され、ホルダ１５
ｂにセットされる。ホルダ１５ｂの位置では各基板２１
の両面に対向する円環状（同心円状）ターゲット（カー
ボンターゲット）がフラットマグネットに取付けられて
おり（図示せず）、このターゲットを用いて基板２１に
対しカーボン保護膜のスパッタ成膜が行われる。この
後、隔壁１５ａのドアを介してトレイ２０は搬出され
る。
【００１１】本例では、３．５インチの磁気ディスクの
スパッタ成膜工程において、バイアス電位Ｖ1 とＶ2 と
をマトリックス的に変えてスパッタ成膜したときの保磁
力Ｈｃの異方性（ΔＨｃ）と角形比Ｓ，Ｓ* の変化を測
定したところ、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜での第１のバ
イアス電位Ｖ1 は略０Ｖが最良であるとが判明した。
スパッタ成膜工程において、バイアス電位Ｖ1 とＶ2 と
をマトリックス的に変えてスパッタ成膜したときの保磁
力Ｈｃの異方性（ΔＨｃ）と角形比Ｓ，Ｓ* の変化を測
定したところ、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜での第１のバ
イアス電位Ｖ1 は略０Ｖが最良であるとが判明した。
【００１２】図２は第１のバイアス電位Ｖ1 ＝０Ｖのと
きの角形比Ｓ，Ｓ* の第２のバイアス電位Ｖ2 の依存性
を示すグラフで、図３は第１のバイアス電位Ｖ1 ＝０Ｖ
のときの保磁力Ｈｃ及び保磁力の異方性（ΔＨｃ：内周
と外周での保磁力の差）の第２のバイアス電位Ｖ2 の依
存性を示すグラフである。本例は３．５インチの磁気デ
ィスクのスパッタ成膜に関するものであるが、第２のバ
イアス電位Ｖ2 が−２００Ｖ〜−３００Ｖの範囲内であ
れば、大きな保磁力Ｈｃを得ることができると共に、保
磁力の異方性ΔＨｃを最小に抑えることができる。ま
た、角形比Ｓ，Ｓ* は０．９以上で１に近い値を確保で
きることが判明した。第２のバイアス電位Ｖ2 を−２３
０Ｖ〜−２８０Ｖの範囲内に設定することが望ましく、
更なる磁気特性の改善が図れる。
きの角形比Ｓ，Ｓ* の第２のバイアス電位Ｖ2 の依存性
を示すグラフで、図３は第１のバイアス電位Ｖ1 ＝０Ｖ
のときの保磁力Ｈｃ及び保磁力の異方性（ΔＨｃ：内周
と外周での保磁力の差）の第２のバイアス電位Ｖ2 の依
存性を示すグラフである。本例は３．５インチの磁気デ
ィスクのスパッタ成膜に関するものであるが、第２のバ
イアス電位Ｖ2 が−２００Ｖ〜−３００Ｖの範囲内であ
れば、大きな保磁力Ｈｃを得ることができると共に、保
磁力の異方性ΔＨｃを最小に抑えることができる。ま
た、角形比Ｓ，Ｓ* は０．９以上で１に近い値を確保で
きることが判明した。第２のバイアス電位Ｖ2 を−２３
０Ｖ〜−２８０Ｖの範囲内に設定することが望ましく、
更なる磁気特性の改善が図れる。
【００１３】隔壁１３ａ，１４ａのドアの開閉の度に、
共用チャンバー１４ｂ内のＡｒガス圧やガス流量が多数
変動するが、第１のバイアス調節装置３０と第２のバイ
アス調節装置４０とにより、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜
時の第１のバイアス電位Ｖ1とＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜時の第２のバイアス電位Ｖ2 とが独立に調節する
ことが可能であるので、Ａｒガス圧やガス流量の変動分
による成膜への影響を鈍化ないし緩和でき、保磁力の異
方性の改善と角形比の増大を図ることができる。換言す
れば、Ａｒガス圧やガス流量の変動分による成膜への影
響を緩和できるので、隔壁の開閉頻度を高め、磁気記録
媒体の製造ラインを高速化し、磁気記録媒体のスループ
ット性を向上させることができる。
共用チャンバー１４ｂ内のＡｒガス圧やガス流量が多数
変動するが、第１のバイアス調節装置３０と第２のバイ
アス調節装置４０とにより、Ｃｒ下地膜のスパッタ成膜
時の第１のバイアス電位Ｖ1とＣｏ合金磁性膜のスパッ
タ成膜時の第２のバイアス電位Ｖ2 とが独立に調節する
ことが可能であるので、Ａｒガス圧やガス流量の変動分
による成膜への影響を鈍化ないし緩和でき、保磁力の異
方性の改善と角形比の増大を図ることができる。換言す
れば、Ａｒガス圧やガス流量の変動分による成膜への影
響を緩和できるので、隔壁の開閉頻度を高め、磁気記録
媒体の製造ラインを高速化し、磁気記録媒体のスループ
ット性を向上させることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る磁気
記録媒体の製造方法は、共用チャンバー内において、第
１のポジションにおける基板に対し第１のバイアス電位
を印加すると共に、第２のポジションにおける上記基板
に対し第１のバイアス電位とは独立に制御可能な第２の
バイアス電位を印加する点に特徴を有するものであるか
ら、次の効果を奏する。
記録媒体の製造方法は、共用チャンバー内において、第
１のポジションにおける基板に対し第１のバイアス電位
を印加すると共に、第２のポジションにおける上記基板
に対し第１のバイアス電位とは独立に制御可能な第２の
バイアス電位を印加する点に特徴を有するものであるか
ら、次の効果を奏する。
【００１５】即ち、第１及び第２のバイアス電位を印加
してＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜を行っ
た実験では、第１のバイアス電位と第２のバイアス電位
とを適正値に設定することにより、保磁力の異方性が低
減し、また角形比も１に近い値が得られた。従って、Ａ
ｒガス圧やガス流量に多少の変動があっても、バイアス
を個別的に印加することでその変動分による成膜への影
響を鈍化できる。換言すれば、磁気記録媒体の製造ライ
ンが高速化し、磁気記録媒体の量産性が向上する。
してＣｒ下地膜とＣｏ合金磁性膜のスパッタ成膜を行っ
た実験では、第１のバイアス電位と第２のバイアス電位
とを適正値に設定することにより、保磁力の異方性が低
減し、また角形比も１に近い値が得られた。従って、Ａ
ｒガス圧やガス流量に多少の変動があっても、バイアス
を個別的に印加することでその変動分による成膜への影
響を鈍化できる。換言すれば、磁気記録媒体の製造ライ
ンが高速化し、磁気記録媒体の量産性が向上する。
【図１】本発明の実施例に用いる静止型スパッタ装置を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】本発明の実施例において、第１のバイアス電位
Ｖ1 ＝０Ｖのときの角形比Ｓ，Ｓ* の第２のバイアス電
位Ｖ2 の依存性を示すグラフである。
Ｖ1 ＝０Ｖのときの角形比Ｓ，Ｓ* の第２のバイアス電
位Ｖ2 の依存性を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例において、第１のバイアス電位
Ｖ1 ＝０Ｖのときの保磁力Ｈｃ及び保磁力の異方性（Δ
Ｈｃ：内周と外周での保磁力の差）の第２のバイアス電
位Ｖ2 の依存性を示すグラフである。
Ｖ1 ＝０Ｖのときの保磁力Ｈｃ及び保磁力の異方性（Δ
Ｈｃ：内周と外周での保磁力の差）の第２のバイアス電
位Ｖ2 の依存性を示すグラフである。
【図４】一般的な金属薄膜磁気記録ディスク（媒体）の
断面構造を示す模式的断面図である。
断面構造を示す模式的断面図である。
１…非磁性基板 ２…Ｃｒ下地層 ３…Ｃｏ合金磁性層 ４…カーボン保護層 ５…潤滑層 １０…静止型スパッタ・ライン機 １０ａ，１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａ，１５ａ…隔
壁 １１…第１加熱炉 １２…第２加熱炉 １３…第３加熱炉 １４，１５…静止型スパッタ装置 １４ｂ…共用チャンバー １４ｃ…第１のホルダ １４ｄ…第２のホルダ ２０…トレイ ２１…基板 ３０…第１のバイアス調節装置 ４０…第２のバイアス調節装置 Ｖ1 …第１のバイアス電位 Ｖ2 …第２のバイアス電位。
壁 １１…第１加熱炉 １２…第２加熱炉 １３…第３加熱炉 １４，１５…静止型スパッタ装置 １４ｂ…共用チャンバー １４ｃ…第１のホルダ １４ｄ…第２のホルダ ２０…トレイ ２１…基板 ３０…第１のバイアス調節装置 ４０…第２のバイアス調節装置 Ｖ1 …第１のバイアス電位 Ｖ2 …第２のバイアス電位。
Claims (1)
- 【請求項１】 第１のポジションに静止した基板に対し
Ｃｒターゲットを用いてＣｒ下地膜をスパッタ成膜する
工程と、同一のチャンバー内で第１のポジションから第
２のポジションに前記基板を移動する工程と、第２のポ
ジションに静止した前記基板に対しＣｏ合金ターゲット
を用いてＣｏ合金磁性膜をスパッタ成膜する工程とを有
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法におい
て、 第１のポジションにおける前記基板に対し第１のバイア
ス電位を印加すると共に、第２のポジションにおける前
記基板に対し第１のバイアス電位とは独立に制御可能な
第２のバイアス電位を印加することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12161294A JPH07334843A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12161294A JPH07334843A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07334843A true JPH07334843A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=14815570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12161294A Pending JPH07334843A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07334843A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013373A3 (en) * | 2002-08-02 | 2004-04-08 | Seagate Technology Llc | Apparatus and method to control bias during sputtering |
| WO2014054587A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | 日産自動車株式会社 | インライン式コーティング装置、インライン式コーティング方法、およびセパレータ |
| CN105420682A (zh) * | 2015-03-30 | 2016-03-23 | 郭信生 | 一种高吞吐量沉积装置 |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP12161294A patent/JPH07334843A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004013373A3 (en) * | 2002-08-02 | 2004-04-08 | Seagate Technology Llc | Apparatus and method to control bias during sputtering |
| WO2014054587A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-10 | 日産自動車株式会社 | インライン式コーティング装置、インライン式コーティング方法、およびセパレータ |
| JPWO2014054587A1 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-08-25 | 日産自動車株式会社 | インライン式コーティング装置、インライン式コーティング方法、およびセパレータ |
| US10941483B2 (en) | 2012-10-01 | 2021-03-09 | Nissan Motor Co., Ltd. | In-line coating device, in-line coating method, and separator |
| CN105420682A (zh) * | 2015-03-30 | 2016-03-23 | 郭信生 | 一种高吞吐量沉积装置 |
| CN105420682B (zh) * | 2015-03-30 | 2018-11-13 | 郭信生 | 一种高吞吐量沉积装置 |
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