CN105420682B - 一种高吞吐量沉积装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种高吞吐量沉积装置，包括第一工艺处理室；在第一工艺处理室的一个或多个第一沉积源；包括多个第一子载体的第一主载体，每个第一子载体装有一个或多个衬底基板来接收来自一个或多个第一沉积源的第一沉积材料，每个第一子载体分布在延运动方向的轴周围；和配置传输机制来沿运动方向的轴移动第一主载体通过第一工艺处理室。本发明能够降低设备成本、提高镀膜的均匀性、增加在处理室的衬底基板数量、减少沉积材料的浪费，从而能够提高产能。

Description

一种高吞吐量沉积装置

技术领域

本发明涉及材料沉积和真空镀膜技术，更具体地说是一种高吞吐量(高产能)沉积装置。

背景技术

真空材料沉积被广泛应用于光伏电池和电池板生产、窗口玻璃镀膜、平板显示器制造、柔性衬底上涂料、磁铁硬盘制造、工业表面涂层、半导体晶圆加工、和其他应用。

通常用于这些应用的高产能生产系统包括接受同时一行或两行衬底的连在一起的箱形真空腔体。通常沉积源材料利用率只有20％(低成本的平面靶)到50％(高成本旋转靶)。

因此我们需要发明可均匀沉积，可以达到减少材料浪费，和同时处理更多衬底的高产能沉积系统。

发明内容

本发明公开了一种高吞吐量(高产能)沉积装置，能够降低设备成本、提高镀膜的均匀性、增加在处理室的衬底基板数量、减少沉积材料的浪费，和提供高产能的衬底处理方式和设备。通过减少需要替换沉积靶材料的频率，和减少处理损坏或丢失的衬底基板的时间来提高设备可工作的时间。

在一个方面，一个圆柱形的真空腔体因为它比起箱式真空腔体可以承受更高的压差，而需要的腔壁更薄并制造更便宜。但常规的真空沉积系统使用的平面或旋转的镀膜源和靶材料需被安装到一个平坦的表面，与箱式真空腔体兼容而不是与圆柱式真空腔体兼容。

本发明涉及到高吞吐量沉积装置，包括：第一处理室；第一处理室中的一个或多个第一沉积源；第一主载体(或称第一主衬底载体)，包括多个可以携带一个或多个衬底基片的第一子载体(或称第一种次衬底基片载体)，每个次衬底基片载体围绕中心轴方向形成多边形或柱形的一部分，及接收来自一个或多个第一沉积源的材料；和一个传输机制(或称传输装置)，可以沿轴向方向移动第一主衬底载体通过第一处理室。

该系统的实现可能包括一个或多个下述方法。

第一主衬底载体包括第一条在轴向方向的导轨，传输机制(传输装置)可以包括配置能够使第一主衬底载体沿轴向方向滑动的滚动轮子。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括第二个主载体，包括多个可以携带一个或多个衬底基片的第二种次衬底基片载体，每个次衬底基片载体围绕中心轴向方向并形成多边形或柱形的一部分，及接收来自一个或多个第一沉积源和第一沉积材料。第一主衬底载体和第二主衬底载体可以形成沿轴向方向的圆柱形或多边形闭环。第一主衬底载体和第二主衬底载体可以在沿轴向方向有一个间距。第一主衬底载体和第二主衬底载体各有至少一个沿轴向方向的轨道。两个轨道有一个间距。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括位于第一主衬底载体和第二主衬底载体间距之间的沉积遮挡板，用来阻止来自第一沉积源的沉积。沉积遮挡板可以包含由装在一个或多个辊并可移动的柔软材料。一个或多个第一的沉积源可包括溅射靶；和阳极沉积遮挡板。其中高吞吐量沉积装置可以进一步包括装在一个或多个辊并可移动的柔软材料。第一主衬底载体是由子衬底载体围绕轴向方向形成的多边形。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括可以旋转所述至少一个或多个第一子衬底载体的旋转机制(旋转装置)。至少一个第一子衬底载体可以接纳两个背靠背放置的衬底。沉积源可包括溅射靶和化学气相沉积源。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括一种清洁装置，用来清理溅射靶表面，其中清洗装置包括刷子、抛光轮、鼓风机或真空吸尘器。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括入口锁闭装置腔室；一个用来连接入口锁闭装置腔室和第一个工艺处理室的入口缓冲室；和第一工艺处理腔室。传输机制(传输装置)沿轴向方向移动第一主衬底载体，通过入口锁闭装置腔室、入口缓冲室和第一工艺处理腔室。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括在入口装载锁闭装置腔室与入口缓冲室之间的第一闸板阀，所述第一闸板阀可以打开让第一主衬底载体通过，或关闭来保持入口缓冲室的高真空；高吞吐量沉积装置可以进一步包括在入口缓冲室和第一处理室之间的第二闸板阀，所述第二闸板阀可以打开让第一主衬底载体通过，或关闭来保持第一处理室的高真空和与入口缓冲室的隔离。第一闸板阀和第二闸板阀包括两个半圆圈或半多边形平板用来打开和关闭。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括一个加热器，在入口缓冲室用于加热主衬底载体。

高吞吐量沉积装置可以进一步包括第二个工艺处理室；和一个或多个第二沉积源对第一主衬底载体镀膜。所述传输机制(传输装置)将第一主衬底载体沿轴向方向移动通过第二工艺处理室。高吞吐量沉积装置可以进一步包括第一次工艺处理室和第二次工艺处理室之间的工艺处理缓冲室，所述传输机制将第一主衬底载体沿轴向方向移动通过工艺处理缓冲室。高吞吐量沉积装置可以进一步包括一个出口锁闭装置腔室；和一个位于第一工艺处理室或第二工艺处理室和出口锁闭装置腔室之间的出口缓冲室，所述传输机制将第一主衬底载体沿轴向方向移动通过出口缓冲室。

一个或多个第一的沉积源可以形成垂直于轴向方向的闭环。一个或多个第一沉积源可包括大体上垂直于轴向的闭环分布的磁铁。一个或多个第一的沉积源可包括大体上垂直于轴向的闭环分布的溅射靶，一个或多个第一化学气相沉积源(CVD)或等离子体增强化学气相沉积源(PECVD)。

附图说明

图1A是根据本发明的高吞吐量沉积装置的透视图。

图1B是图1A中的高吞吐量沉积装置截面透视图。

图1C是图1A中的高吞吐量沉积装置正面图。

图1D是图1A中的没有外腔体墙的高吞吐量沉积装置的前视图，显示出装在主衬底载体上的衬底和子衬底载体。

图2A和2B说明衬底基板和装在两个主载体与披露的高吞吐量沉积装置兼容的子衬底载体。

图3A和3B说明主衬底载体与所披露的高吞吐量沉积装置兼容的传输机制的例子。

图4A-4D说明提供真空并与所披露的高吞吐量沉积装置兼容的闸板阀门机构。

图5A-5F说明与披露的高吞吐量沉积装置兼容的详细沉积源详细图、衬底和工艺处理室配置。

图6A-6B说明与披露的高吞吐量沉积装置兼容的，提供主衬底载体之间隙的屏蔽的沉积遮挡板，及与披露的高吞吐量沉积装置兼容的沉积源。

图7A-7C说明与披露的高吞吐量沉积装置兼容的卷对卷阳极屏蔽遮挡机理。

图8A-8C说明与披露的高吞吐量沉积装置兼容的沉积源清洗机制。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面通过具体实施例和附图，对本发明做进一步说明。

圆柱形真空腔体比盒式真空腔体更能够承受真空压力，需要较薄的壁厚，并且制造成本更低。本发明使用容易装在圆柱状真空腔体的沉积源。衬底也装载到圆柱状的衬底载体上。

为了有尽可能多的基板在一个真空腔体同时处理。沉积源形成一个封闭的多边形环形，面对也放置在不同的周半径并形成多边形环的多个衬底以最大利用可用沉积区。沉积面积远远大于常规一层平面衬底，面积比约为3.14。

在一个大型沉积系统中，尤其是一种需要真空的环境中，必须在大气和真空之间有阀门。真空室之间有时也需要有阀门。支持这些阀门抵抗大气压是非常重要地。同时腔体的中心区域也需要和外界连接。衬底载体上需要一个或多个间隙。

光伏电池、玻璃、硅晶片，或其他衬底基板可装在于衬底载体上。这些衬底要么直接装在到衬底载体上，或背靠背放置之后装在衬底载体上以减少衬底背面沉积和增大衬底处理量一倍。

参考图1A-1D，高吞吐量沉积装置100包括入口锁闭装置腔室110、入口缓冲室120、第一工艺处理室130、必要时需要的工艺过程缓冲室140，必要时需要的第二工艺处理室150，出口缓冲室160和出口闭锁腔室170。高吞吐量沉积装置100还包括加热器125和沉积源145。

参考图1D-3A，一系列的衬底基板115或子载体300装载到一个或多个较大的主载体200。每个主载体200包括多个子载体300，每个子载体装一个或多个衬底基板115并围绕轴向方向105分布并从一个或多个第一的沉积源接收第一沉积材料。子载体300(和基板115)一起形成围绕轴向方向105的曲面。在主载体200的子载体在一起可以形成围绕轴向方向105的圆柱形或多边形的大致闭环。例如，一个主载体200可以定义为近似或稍小于半圆柱面(约近似180度或略小于180度)。主载体200可以有轨道220将主载体200沿轴向方向105运输。两个相邻的主载体200的轨道220可以隔开排列在轴向方向105并有空隙210。主载体和衬底的表面是基本上平行于轴向方向105。间隙210是用来装必要的支持结构，如闸阀(如下述图4C)，运输系统(如下所述图3A-3B)，并允许进入真空室中心区域内(图1A-1D中的110-170。两个主载体200形成几乎是一个封闭的循环。主载体200单独移动通过入口锁闭装置室110、入口缓冲室120、第一工艺处理室130、必要时需要的工艺过程缓冲室140，必要时需要的第二工艺处理室150，出口缓冲室160和出口闭锁室170(图1A-1D)和闸阀(图4C)。主载体200也可以在闭环形式中一起移动来通过沉积源或其它处理步骤，例如加热或等离子体刻蚀工艺以提高工作效率。

沉积源可包括溅射靶和磁铁，用于实现物理气相沉积。沉积源也可以产生化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

沉积源也可形成一个封闭的环，周长没有终点。闭环可大体上垂直于轴向方向105。这种沉积源可以取得更好的镀膜均匀性和提高衬底上沉积材料的收集效率。无论衬底被放置在衬底载体的任何位置，衬底接受到大致相似的沉积条件。闭环沉积源能够减少溅射、CVD、和PECVD的边缘效应，提高沉积材料利用率。在等离子体增强沉积包括溅射法沉积和PECVD，闭环沉积源允许电子沿闭环磁场运动和极大地增加等离子体密度并减少腔体工作气压。

图3A显示主载体200下部的一种运动机制，和子载体300安装到一个主载体200的示意图。图3B显示主载体200上部的一种运动机制，和子载体300安装到一个主载体200的示意图。每个子载体300可持有一个或一组衬底基底115。子载体300可以装载到两个转动轴330，并可以旋转至少180度使子载体300上的衬底前面或后面都能够接受到沉积源的沉积材料。子载体300可以由齿轮340通过链条350旋转所有运动轴330。导轨220由轮子310和320支持，导轨220可以有圆锥形状两端用来导引主载体200从轮子310通过以提高可靠性、减少撞击力。部分或全部轮子320可以用驱动电机使主载体200移动通过沉积系统，其余的轮子310可以被动转动并只作为载体200的支持轮子。

主载体200可以在轮子310，320上移动，以通过高通量沉积装置100的不同腔体。请看图3B，轮子320可以安装到沉积装置的各腔体来推动连着主载体200的轨道220前进。一种方法是驱动上方轮子320，用被动轮子310来对轨道220提供水平方向的支持力，像图3A所显示那样来驱动主载体200。为节约成本，也为了确保同步运动，有些驱动轮320可以由齿轮360和杆370联在一起。电机，驱动轴(此处未显示)可以驱动传动齿轮380并传递该运动到所有连接在一起的轮子320。

参照图4A和4B、入口锁闭装置室110、入口缓冲室120、处理室(未显示)可以是圆筒形或椭圆形。圆筒形腔体抵抗真空压力所需的厚度小于箱形的真空室，从而在材料上节约成本。圆筒形腔体制造比较简单，和需要更少的焊接。每个腔体接口有至少两个闸阀410用于隔离大气环境或其他工艺环境。闸阀410包含一对半圆弧或半个多边形，可以打开和关闭。闸阀410之间420有加固材料以确保真空压力室接口尺寸的坚定性。主载体200之间间隙210避开加固材料和闸阀加固420，允许主载体200通过高通量沉积装置100。闸阀410用在大气和入口锁闭装置室110之间，入口锁闭装置室110和入口缓冲室120之间，入口缓冲室120和工艺处理室130之间，工艺处理室130和工艺处理室150之间。入口锁闭装置室110可选择性的有一内腔体430用来减少入口锁闭装置室110的体积和降低入口锁闭装置室110抽真空所需的时间。由于高吞吐量真空镀膜系统经常接受新衬底，节省抽真空时间可以显著增加系统的吞吐量。每个闸板阀410包含一个可移动的平板，它可移出和移入各腔体之间的开口，并压在如橡胶O形圈上来密封腔体之间的开口。闸板阀410在衬底通过时打开，并且在衬底通过后隔离腔体环境。

图4C显示闸板阀410和致动器440的侧面图。图4D显示闸板阀410被致动器移到外侧以暴露整个阀门开口。闸板阀410形状可以容纳半圆形或多边形的主载体200，和可以由致动器440移出阀门开口450，来允许主载体200通过各个腔体。致动器440可以是气缸、电机或其他手段提供直线运动，并可以提供向闸板阀410传动，或通过真空接口或真空波纹管导致闸阀410的直线运动。为抗衡大气压力，焊接板420可以焊在闸阀410之间的空间。

如图4B中所示，因为腔体中心区域可以是空的，目前披露的装置允许真空室内部有像锁闭装置室的内部腔室430。内部腔室减少真空体积和允许更快的抽真空时间，并可以用来装载加热器、沉积源和装在内部腔表面上的运动机制。

参考图5A，在第一个工艺过程室130或第二个工艺过程室150内部，多个沉积源510可以形成大致封闭的闭环520，并围绕在主载体(未显示)周围。每个沉积源510可以用平面板组成来降低成本。沉积源510可以是溅射源，溅射靶、CVD或PECVD沉积源、加热器、或气流分布器。在某些情况下，个别的沉积源510可以由一个或多个集成的沉积源来取代，以减少沉积源和系统的成本。

通过电线圈或永久磁铁产生的磁场可以提高等离子体密度，提高了溅射、PECVD、或蚀刻的等离子体均匀性和降低工作压力。电子在电场和磁场下受劳伦斯力作用而漂移和在多边形表面形成闭环。等离子体均匀性优于常规平面磁控溅射靶。在常规平面磁控溅射靶上，电子必须在同一个平面沉积源上形成一个闭环。在另一种设置中，多个常规溅射源也可以形成一个基本闭环或局部封闭的环，实现本发明的至少部分利益。

参考图5B，永久磁铁环530扫描沉积源510的背后，它在周围靶表面提供均匀的磁场和均匀的靶材料消耗，从而增加靶材料利用率。

参考图5C，这是另外一种提供磁场方式，电线圈540提供磁场，电子在靠近沉积源510表面运动并形成回路，形成均匀等离子体。这均匀等离子体可以提高溅射靶利用率或PECVD均匀性。磁通量是基本上平行于靶或PECVD的多孔出气板表面，并形成了一个大面积等离子区。每单位面积等离子体加热量降低，可以允许更高的沉积速率与降低溅射中的靶温度。

图5D显示了PVD沉积源545的详细设计，它包括靶550、靶垫板555、阳极遮挡牌560、靶垫板绝缘562，和侧面绝缘体564，和在一个冷却容器560里的电线圈540。图5E显示了PECVD沉积源570中，靶550被多孔出气板代替，流进的工艺需要的气体在气体分布板575分布，以尽量减少气体入口和远离气体入口位置之间的差异。多孔出气板578进一步均匀化气流量分布和提供等离子形成的电极。垫板绝缘562，和侧面绝缘体564局限等离子体到多孔出气板区域。电线圈540是可选择的用于增加等离子体密度和降低工作压力。

图5F更详细表明气体分布板575，入口气体580均匀地通过对称放置气管582和气体分布板575。气体分布板575有调好的孔密度分布：入口附近有较低的孔密度。由于衬底载体(未显示)移动通过沉积源570(图5E)，沉积源570(图5E)不需要比衬底载体更宽来保持镀膜均匀性，多孔出气板578可以根据吞吐量需求在长度上延长或缩短。其中长度定义为衬底载体运动的方向。沉积源可分为端部分和一个或更多的中间部分，每个都有其自身气体入口。沉积源然后可以灵活地延长或缩短由一个或多个中间的部分和其相应的气体入口。由于钻孔的多孔出气板是系统的主要成本之一，如果可以使用一个较短的多孔出气板，可以降低系统成本。

参考图2A、2B、6A和6B，主载体200之间的间距210可以用阻挡板600来屏蔽来自沉积源510的材料。阻挡板600可以是能够卷成卷筒形状的韧性材料610，由预备卷615提供而铺开沉积材料和减少材料厚度，以减少阻挡板替换频率。由于移动机制的准确性有限，主载体200之间需要有间隙以防止碰撞。可有阻挡板安装在不同的径向位置，包括在主载体运动方向(即轴向方向105)重叠部分620，以防止镀膜材料进入腔体的中心地带或在衬底的背面沉积。图6B还显示由外部电机直接或通过机械的联接，来通过旋转驱动轮320移动的主载体200。

在溅射系统中，为了防止沉积工艺腔室收集沉积材料而污染腔体，阻挡板被布置在溅射靶周围。这些阻挡板必须经常更换，以防止过多物料堆积和颗粒的形成。本沉积体系的另一个优点是沉积源有只有两个端，而不是在传统系统中的四个端。屏蔽靶所需要的阻挡板更少。在一种配置中，阻挡板可以是能够卷成卷筒形状的韧性材料来允许连续更换。

图7A和7B显示与本高吞吐量沉积装置兼容的卷对卷阳极阻挡板710。卷对卷阳极阻挡板710位于溅射靶720旁边，一边移动一边接受来自溅射靶720的材料。阳极提供溅射靶720所需要的偏电压。阻挡板软箔730由安装在支撑结构750上的支持辊740来支持，可以由轮子760，761来推进。卷对卷阳极阻挡板710之间距离很小，以防止阳极阻挡板710背后的沉积。设计需要有足够的空间以保证必要的电气连接770和冷却水连接780。因为沉积源消耗大量的能源，需要用冷却水冷却溅射靶或PECVD气体分布板。图7C显示了所有阳极阻挡板710都安装完毕的示意图。卷绕辊760可以彼此连接，并可以由一个马达控制驱动。绝缘体790用于防止等离子体在靶720的背面和侧面形成。

参照图1A到1D，连续移动沉积系统中一对或多个对衬底载体可以装进入口锁闭装置室110，抽真空，搬移衬底基板到入口缓冲室120，并可以加热或清洗，搬移到更大的工艺处理腔室并开始恒速运动通过沉积源。如果不同工艺过程或/和工艺过程环境是必需的话，衬底载体需转换回离散运动通过可选择性配备的工艺过程缓冲腔室，然后换回连续移动模式以通过下一个工艺过程腔室。衬底载体然后穿过可选择配备的退出缓冲室后进入出口锁闭装置室，放气到大气压并运出本发明的沉积系统。个体衬底载体的运动由离散到连续运动以满足装料和沉积的需要。为最大提高系统吞吐量，沉积时衬底载体之间的间距应尽量小。可选择配备的各种缓冲腔室提供真空或工艺隔离，以减少交叉污染，也用来作为闸阀前的临时等待区域，以完成装料需要的离散运动和工艺需要的的连续运动之间的转换。

衬底载体之间的间隙进一步被安装在衬底载体上的重叠但非接触的阻挡板遮挡。大多数沉积材料被衬底载体和安装在衬底载体上的阻挡板所接受，并可以在真空系统以外地方被清洗。剩下的沉积材料被在衬底载体之间的可移动沉积阻挡板(包括上方和下方)，其他沉积源(可以被重新溅射而清洗干净，或如是CVD沉积源被化学清洗)，或可移动的阳阻挡板所接受。移动阻挡板可以铺开沉积有效面积，避免颗粒形成。有很少的材料沉积在沉积腔体系统内。

在扫描式磁控溅射装置中，只需要有一个封闭磁铁环。如果使用了一较长的靶，此发明可采用更宽的磁铁来增大溅射的侵蚀面积，而不太多影响靶材料利用率。磁场的强度可以相当大，可以使用比传统的平面或旋转靶厚得多的靶材料。更厚和更长的靶材料降低更换频率。电磁铁允许甚至更厚的靶材料。结合沉积腔室表面沉积减少，系统由于替换靶材料和阻挡板的停机时间也大大减少。此外，维护劳动工和靶材料粘接成本、校准和系统鉴定、系统予运行需要的衬底也会大大减少。结合本发明中强磁场和大等离子区面积，可以降低溅射靶或气体分布板上的电压，减少高能量的离子和电子对衬底所造成的损害。

即使有很少需要来打开沉积系统来替换靶材料和阻挡板，如果有损坏或丢失的衬底或其它碎片，仍可能需要打开系统来清除损坏或丢失的衬底或其它碎片。本发明采用远远高于系统最低点的轮子运输机构，很小的水平平面面积，以防脱落的碎片或衬底落在其表面上。闸板阀也可有很少或无水平表面以便将脱落的碎片或衬底滑向系统底部。

不过，衬底基板或其他碎片仍然可以落在较低的沉积源表面，并污染沉积材料。此外，颗粒或靶上自己形成的结节可以产生在沉积源表面，需要机械或手工清洗。目前披露的高吞吐量沉积装置允许一种机制将能够移动到沉积源区和清洁沉积源表面。图8A-8C表明这样的配置。清扫机构附件800可以包括毛刷805，抛光轮(未显示)，高流速气体吹风头808或真空吸尘器(未显示)，它们装加到一个移动手臂810上用来清扫溅射靶830的表面820。在沉积操作期间移动手臂810是在远离沉积源和沉积表面820的地方存放。在维护期间或靶表面有碎片时，清扫机构附件800将移入溅射靶表面，并且扫除任何靶表面的碎片。如果附着到靶表面的碎片很结实，可用抛光轮以旋转来清洁表面。

以上只是描述实现本发明的几个例子。在没有偏离本发明的精神下，其他的实现方式、改变、修改和增强也可实现本发明的优越性。在CVD或PECVD应用中，磁场是可选择性的使用，而不是必须的。

Claims (21)

1.一种高吞吐量沉积装置，其特征在于，包括：

第一工艺处理室；

在第一工艺处理室中的一个或多个第一沉积源；

第一主载体，包括多个装有一个或多个衬底基板的第一子载体；这些第一子载体围绕着运动方向的轴形成一个曲面，来接收从一个或多个第一沉积源的第一沉积材料；和用来在轴的方向推动第一主载体通过第一工艺处理室的传输装置；

第二主载体，包括多个第二子载体；这些第二子载体围绕着运动方向的轴形成一个曲面，来接收从一个或多个第一沉积源的第一沉积材料，所述传输装置能在沿轴向方向移动第二主载体；

第一主载体和第二主载体之间有一个和轴向方向平行的缺口；

第一主载体包括在轴向方向的第一导轨，所述的第二主载体包括在轴向方向的第二导轨，其中第一导轨和第二导轨被分开一个距离；

第一主载体和第二主载体形成沿轴向方向的大约闭环的圆柱型或多边形。

2.如权利要求书1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，第一主载体包括在轴向方向的第一导轨，所述传输装置包括能滚动的轮子，能在沿轴向方向滑动第一导轨和第一主载体。

3.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，还包括：位于第一主载体与第二主载体的间距间的，而且面对一个或多个第一沉积源的沉积遮挡板，其中沉积遮挡板阻止部分来自一个或多个第一沉积源的第一沉积材料。

4.如权利要求3所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述沉积遮挡板是由一个或多个辊支持的，可移动的韧性材料组成。

5.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述一个或多个第一沉积源包括：溅射靶；和为溅射靶提供偏电压的阳极；并包括由一个或多个辊支持的，可移动的韧性材料组成的阳极遮挡板。

6.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述第一子载体在运动轴向方向的周围形成多边形柱体的表面。

7.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，还包括：配置能够旋转所述的多个第一子载体与相关联的衬底中至少一个第一子载体与相关联的衬底的装置。

8.如权利要求7所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，至少一个所述的多个第一子载体能够背靠背地装载两个衬底。

9.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述一个或多个第一沉积源包括溅射靶，并包括配置为清理溅射靶表面的一种清洁装置，所述清洁装置包括毛刷、抛光轮、鼓风机或一台真空吸尘器。

10.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，还包括：

入口锁闭装置室；和

连接入口锁闭装置室和第一工艺处理室的入口缓冲室，其中配置有传输装置能够沿运动轴方向移动第一主载体穿过入口锁闭装置室、入口缓冲室和第一工艺处理室。

11.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，还包括：

第一工艺处理室入口配置的第一闸板阀，第一闸板阀开放让第一主载体移动到第一工艺处理室；第一闸板阀关闭为第一工艺处理室提供真空密封；和

第一工艺处理室出口配置的第二闸板阀，第二闸板阀开放让第一主载体移动出第一工艺处理室；第二闸板阀关闭为第一工艺处理室提供真空密封。

12.如权利要求11所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，至少一个第一闸板阀或第二闸板阀包括两个半圆圈或半多边形闸板来打开和关闭。

13.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，在入口缓冲室内配置加热器来加热第一主载体上装的第一子载体。

14.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，还包括：

第二工艺处理室；

在第二工艺处理室中的一个或多个第二沉积源；

第一主载体，包括多个装有一个或多个衬底基板的第一子载体；这些第一子载体围绕着运动方向的轴形成一个曲面，来接收从一个或多个第二沉积源的第二沉积材料；和用来在轴的方向推动第一主载体通过第二工艺处理室的传输装置。

15.如权利要求14所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，还包括：连接第一工艺处理室和第二工艺处理室，并在它们之间的工艺处理缓冲室，其中配置有传输装置能够沿运动轴方向移动第一主载体穿过工艺处理缓冲室。

16.如权利要求14所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，还包括：

出口锁闭装置室；和

连接出口锁闭装置室和第一工艺处理室，第二工艺处理室，或最后一个工艺处理室的出口缓冲室，其中配置有传输装置能够沿运动轴方向移动第一主载体穿过工艺处理室，出口缓冲室和出口锁闭装置室。

17.如权利要求1所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述一个或多个第一沉积源在大致垂直于运动方向轴的平面形成闭环。

18.如权利要求17所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述一个或多个第一沉积源包括磁铁，磁铁所形成的磁场在大致垂直于运动方向轴的平面形成闭环。

19.如权利要求17所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述一个或多个第一沉积源包括溅射靶材料，靶材料在大致垂直于运动方向轴的平面形成闭环。

20.如权利要求17所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述一个或多个第一沉积源能够产生化学气相沉积。

21.如权利要求20所述的高吞吐量沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积为等离子体增强化学气相沉积。