JP5554779B2 - 可動シールドをもつコーティングチャンバ - Google Patents
可動シールドをもつコーティングチャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5554779B2 JP5554779B2 JP2011524314A JP2011524314A JP5554779B2 JP 5554779 B2 JP5554779 B2 JP 5554779B2 JP 2011524314 A JP2011524314 A JP 2011524314A JP 2011524314 A JP2011524314 A JP 2011524314A JP 5554779 B2 JP5554779 B2 JP 5554779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- shield
- substrate
- coating chamber
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 270
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 253
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 177
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 20
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 20
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005328 architectural glass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000013228 contact guidance Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Robotics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明はコーティングチャンバ及びコーティングチャンバを運転する方法に係り、特に、化学気相成長CVDプロセス、プラズマ化学気相成長PECVDプロセス、物理気相成長PVDプロセス又はスパッタリングプロセスのような薄膜堆積技術を内部で実行可能な真空コーティングチャンバに関する。
コーティング技術は、異なる製品を生産するために産業内で広く使用される。例えば、建築使用のための、又は薄膜トランジスタTFTディスプレイ、有機発光ダイオードOLEDディスプレイなどのようなディスプレイに接続して使用するためのガラス基板は、薄膜でコーティングされなければならない。
従って、特に、連続及び/又は往復コーティング用のコーティングチャンバ及びコーティングチャンバの運転方法を提供するのが本発明の目的であり、これは特に堆積されるコーティングの均質性及び均一性に関してコーティングの高品質堆積を可能にし、一方において同時に手間を最小にする。更に、コーティングチャンバは、デザイン及び製造が簡単であり、使用に際して可変であるべきである。高い使用可変性をもつが、操作も容易であるべきである。
これらの目的は、請求項1の構成を有するコーティングチャンバ及び請求項29の構成を有するコーティングチャンバの運転方法によって達成される。更なる実施形態は、従属請求項の主題である。
移動装置は、コーティング領域を囲むリング状シールドを移動させるために、又はバンド状シールドを及び/又はいくつかのシールドを移動させるために適合されてもよい。
コーティング源と、
前記コーティング源に対して少なくとも1つのコーティング位置へコーティングされる基板を運ぶことができるように適合された基板キャリアを移動させるための搬送装置とを含み、これによって前記基板はコーティングされ、
前記コーティングチャンバは、前記基板の前記コーティング位置と前記コーティング源の間の領域内に配置される少なくとも1つの第1シールドを更に含み、これによって前記コーティングされる基板の表面以外の領域のコーティングを防ぎ、
前記第1シールドは、移動装置と、前記第1シールドと前記基板キャリアを結合する結合装置とを含み、これによって第1シールド及び基板キャリアは共に移動可能となるコーティングチャンバ。
基板を基板キャリア上に供給するステップと、
異なる運転モードのうちの1つの運転モードを選択するステップとを含み、
第1運転モードは、コーティングの間、前記コーティングチャンバの可動シールドが静止を維持され、前記コーティングチャンバのコーティング領域を通る前記基板キャリアの連続移動を含み、
第2運転モードは、
前記基板と共に前記基板キャリアを結合位置内へ移動させるステップと、
前記基板キャリアを、前記コーティングチャンバ内に提供される可動シールドと結合させるステップと、
前記基板キャリア及び前記可動シールドを少なくともより遠い位置に移動させるステップとを含み、これによって前記基板は、コーティング源に対して少なくとも2つの異なる位置でコーティングされ、
第3運転モードは、コーティングの間、前記コーティングチャンバの前記可動シールドが静止を維持される、前記基板の静止コーティングを含む方法。
Claims (30)
- コーティングチャンバであって、
コーティング源と、
前記コーティング源に対して少なくとも1つのコーティング位置へコーティングされる基板を運ぶことができるように適合された基板キャリアを移動させるための搬送装置とを含み、これによって前記基板はコーティングされ、
前記コーティングチャンバは、前記基板の前記コーティング位置と前記コーティング源の間の領域内に配置される少なくとも1つの第1シールドを更に含み、これによって前記コーティングされる基板の表面以外の領域のコーティングを防ぎ、
前記第1シールドは、前記第1シールドを前記基板と平行な方向に移動させる移動装置と、前記第1シールドと前記基板キャリアを結合する結合装置とを含み、これによって第1シールド及び基板キャリアは共に移動可能となり、
前記移動装置は、前記第1シールドを前記基板キャリアから独立して移動可能なようにも設計されるコーティングチャンバ。 - 前記コーティングチャンバは、真空チャンバである請求項1記載のコーティングチャンバ。
- 前記コーティング源は、CVD源、PECVD源、PVD源、スパッタリング源、及び蒸着源を含む群から選択される請求項1又は2記載のコーティングチャンバ。
- 前記コーティング源は、堆積速度が所定の値よりも高いコーティング領域を画定し、前記コーティング領域は、少なくとも1つの次元内で前記コーティングされる基板表面よりも小さい請求項1〜3のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記コーティング源は、前記コーティング源の全域に亘って配置される1又はいくつかの処理ツールを含む請求項1〜4のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記処理ツールは、電極、マグネトロン電極、シャワーヘッド電極、可回転電極、ツイン電極、マイクロ波源、ヒーター、スパッタリングターゲット、ガス入口、及び蒸発源を含む群から選択される請求項5記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置は、前記コーティング源に対していくつかのコーティング位置で前記基板キャリアを前記コーティングされる基板に配置するために適合される請求項1〜6のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置は、前記基板と共に前記基板キャリアを前記コーティング源に対して往復させるために適合される請求項1〜7のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置の搬送方向は、前記コーティング源の長手方向を横断する方向である請求項1〜8のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置の搬送方向は、1つの方向に平行であり、前記コーティング領域は、前記方向に沿って前記コーティングされる基板表面よりも小さい請求項4記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置は、駆動装置及び/又は案内装置を含む請求項1〜10のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置は、板状基板の直立搬送のために適合される、及び/又は、前記案内装置は、搬送経路及び対向するガイドレールを画定するサポートを含む請求項11記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置は、前記基板キャリアを支持する、及び/又は、駆動するためのロールを含む請求項11又は12記載のコーティングチャンバ。
- 前記案内装置は、非接触案内又は磁気案内を含む請求項11又は12記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置は、互いに平行に配置されるいくつかの搬送経路を画定するいくつかの案内装置を含む請求項1〜14のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記第1シールド用の前記移動装置は、少なくとも1つの駆動装置及び/又は少なくとも1つの案内装置を含む請求項1〜15のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記移動装置は、リング状シールドの移動のために適合される、及び/又は、前記案内装置は、シールド搬送経路及び対向するシールドガイドレールを画定するシールドサポートを含む請求項16記載のコーティングチャンバ。
- 前記移動装置は、前記シールドを支持する及び/又は駆動するためのロールを含む請求項16又は17記載のコーティングチャンバ。
- 前記案内装置は、非接触案内又は磁気案内を含む請求項16又は17記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置及び前記移動装置は、単一の共通な駆動装置又はいくつかの独立した駆動装置を有する請求項1〜19のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記結合装置は、はめ合い要素を含む請求項1〜20のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置及び/又は前記移動装置は、互いに及び/又は前記コーティング源に対して少なくとも部分的に可動である請求項1〜21のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置及び/又は前記移動装置は、前記基板キャリアの搬送方向を横断する方向に、及び/又は、前記コーティング源から前記コーティングされる基板までコーティング方向に、少なくとも部分的に可動である請求項1〜22のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記搬送装置及び/又は前記移動装置は、互いに並んで配置され及び対向するサポートから同一距離を有する、又は、一方が他方の背後に配置され及び対向するサポートから異なる距離を有するガイドレールを含む請求項1〜23のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記コーティング源に対して固定される少なくとも1つの第2シールドを備える請求項1〜24のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記第2シールドは、前記第1シールド及び/又は前記移動装置を保護する請求項25記載のコーティングチャンバ。
- 前記第1シールドは、前記コーティングされる基板の表面及び/又は前記基板キャリアを囲む領域を保護する請求項1〜26のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- 前記第1シールドの前記移動装置は、前記第1シールドが前記チャンバ内だけで可動であるように設計されている請求項1〜27のいずれか1項記載のコーティングチャンバ。
- コーティングチャンバを運転する方法であって、
基板を基板キャリア上に供給するステップと、
異なる運転モードのうちの1つの運転モードを選択するステップとを含み、
第1運転モードは、コーティングの間、前記コーティングチャンバの可動シールドが静止を維持され、前記コーティングチャンバのコーティング領域を通過する前記基板キャリアの連続移動を含み、
第2運転モードは、
前記基板と共に前記基板キャリアを結合位置内へ移動させるステップと、
前記基板キャリアを、前記コーティングチャンバ内に提供される可動シールドと結合させるステップと、
前記基板キャリア及び前記可動シールドを少なくともより遠い位置に移動させるステップとを含み、これによって前記基板は、コーティング源に対して少なくとも2つの異なる位置でコーティングされ、
第3運転モードは、コーティングの間、前記コーティングチャンバの前記可動シールドが静止を維持される、前記基板の静止コーティングを含む方法。 - 前記第2運転モードにおいて、前記基板キャリア及び前記可動シールドは往復され、これによって前記基板キャリア及び前記可動シールドは、前記コーティングチャンバのコーティング領域を通って反復的に移動される請求項29記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/197,605 | 2008-08-25 | ||
US12/197,605 US20100044213A1 (en) | 2008-08-25 | 2008-08-25 | Coating chamber with a moveable shield |
EP08162906.5 | 2008-08-25 | ||
EP08162906.5A EP2159302B1 (en) | 2008-08-25 | 2008-08-25 | Coating chamber with a moveable shield |
PCT/EP2009/060516 WO2010023109A1 (en) | 2008-08-25 | 2009-08-13 | Coating chamber with a moveable shield |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012500900A JP2012500900A (ja) | 2012-01-12 |
JP5554779B2 true JP5554779B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=41119553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011524314A Active JP5554779B2 (ja) | 2008-08-25 | 2009-08-13 | 可動シールドをもつコーティングチャンバ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5554779B2 (ja) |
KR (1) | KR20110056392A (ja) |
CN (2) | CN104947061B (ja) |
TW (1) | TWI491762B (ja) |
WO (1) | WO2010023109A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2432008B1 (en) | 2010-09-17 | 2015-06-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing system comprising a replaceable substrate masking on carrier and method for processing a substrate |
DE102010052761A1 (de) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Leybold Optics Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats |
EP2650135A1 (en) * | 2012-04-12 | 2013-10-16 | KBA-NotaSys SA | Intaglio printing plate coating apparatus |
US9640372B2 (en) * | 2012-11-15 | 2017-05-02 | Applied Materials, Inc. | Method and system for maintaining an edge exclusion shield |
JP6303024B2 (ja) * | 2013-12-23 | 2018-03-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメント、基板上に層を堆積する装置、及び保持アレンジメントを搬送する方法 |
CN104073764B (zh) | 2014-06-17 | 2016-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种用于oled蒸镀的旋转蒸发源装置 |
US10643843B2 (en) | 2016-06-12 | 2020-05-05 | Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | Film forming method and aluminum nitride film forming method for semiconductor apparatus |
CN107492478B (zh) * | 2016-06-12 | 2019-07-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备的成膜方法以及半导体设备的氮化铝成膜方法 |
EP3366804B1 (en) * | 2017-02-22 | 2022-05-11 | Satisloh AG | Box coating apparatus for vacuum coating of substrates, in particular spectacle lenses |
JP2019526700A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-09-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 真空チャンバ内の基板を処理するための装置及びシステム、並びにマスクキャリアに対して基板キャリアを位置合わせする方法 |
WO2020001751A1 (en) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Applied Materials, Inc. | Magnetic levitation system for transporting a carrier, carrier for a magnetic levitation system, apparatus for transportation of a carrier, processing system for vertically processing a substrate, and method of switching a transport path of a carrier |
CN114457313A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-05-10 | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 | 真空溅镀机用的遮挡装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
US5855687A (en) * | 1990-12-05 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate support shield in wafer processing reactors |
KR100243784B1 (ko) * | 1990-12-05 | 2000-02-01 | 조셉 제이. 스위니 | 웨이퍼의 전방부 모서리와후방부에서의 증착을 방지하는 cvd웨이퍼 처리용 수동 실드 |
JP3119669B2 (ja) * | 1991-02-22 | 2000-12-25 | コニカ株式会社 | 蒸着装置 |
US5489369A (en) * | 1993-10-25 | 1996-02-06 | Viratec Thin Films, Inc. | Method and apparatus for thin film coating an article |
US5738767A (en) * | 1994-01-11 | 1998-04-14 | Intevac, Inc. | Substrate handling and processing system for flat panel displays |
JP4034860B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2008-01-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | トレイ搬送式成膜装置及び補助チャンバー |
JPH11317438A (ja) * | 1997-11-12 | 1999-11-16 | Intevac Inc | 基板キャリアの磁気支持を利用する基板支持装置 |
KR100422487B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-03-11 | 에이엔 에스 주식회사 | 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법 |
US6837974B2 (en) * | 2002-02-01 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limited | Single piece pod shield for vertical plenum wafer processing machine |
US20060105182A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant textured chamber surface |
US20060249372A1 (en) * | 2005-04-11 | 2006-11-09 | Intematix Corporation | Biased target ion bean deposition (BTIBD) for the production of combinatorial materials libraries |
EP1788112B1 (de) * | 2005-10-26 | 2011-08-17 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Vorrichtung zum Bedampfen von Substraten |
JP5035499B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2012-09-26 | 大日本印刷株式会社 | スパッタ装置および基板搬送用キャリア |
JP5116525B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-01-09 | 株式会社アルバック | スパッタ装置 |
-
2009
- 2009-08-13 KR KR1020117006807A patent/KR20110056392A/ko active Search and Examination
- 2009-08-13 CN CN201510442799.4A patent/CN104947061B/zh active Active
- 2009-08-13 CN CN2009801335086A patent/CN102131955A/zh active Pending
- 2009-08-13 JP JP2011524314A patent/JP5554779B2/ja active Active
- 2009-08-13 WO PCT/EP2009/060516 patent/WO2010023109A1/en active Application Filing
- 2009-08-24 TW TW098128421A patent/TWI491762B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110056392A (ko) | 2011-05-27 |
WO2010023109A1 (en) | 2010-03-04 |
CN104947061B (zh) | 2017-08-29 |
CN104947061A (zh) | 2015-09-30 |
JP2012500900A (ja) | 2012-01-12 |
TWI491762B (zh) | 2015-07-11 |
CN102131955A (zh) | 2011-07-20 |
TW201016885A (en) | 2010-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5554779B2 (ja) | 可動シールドをもつコーティングチャンバ | |
US20100044213A1 (en) | Coating chamber with a moveable shield | |
JP6741594B2 (ja) | キャリアによって支持された基板上に一又は複数の層を堆積させるためのシステム、及び当該システムを使用する方法 | |
CN106995911B (zh) | 蒸发源、沉积设备以及用于蒸发有机材料的方法 | |
US8740205B2 (en) | Conveyor and deposition apparatus, and maintenance method thereof | |
EP2159302B1 (en) | Coating chamber with a moveable shield | |
WO2015139776A1 (en) | Evaporation source for organic material | |
US20210269912A1 (en) | Evaporation source for organic material, deposition apparatus for depositing organic materials in a vacuum chamber having an evaporation source for organic material, and method for evaporating organic material | |
KR102158652B1 (ko) | 증착 시스템, 증착 장치, 및 증착 시스템을 동작시키는 방법 | |
US20130330474A1 (en) | Apparatus for Coating a Substrate | |
JP6055229B2 (ja) | 被処理体の搬送機構および真空処理装置 | |
JP2021502474A (ja) | 可動シールドキャリアを有する装置 | |
WO2021244738A1 (en) | Deposition apparatus, processing system, method of maintaining a deposition apparatus, and method of manufacturing a layer of an optoelectronic device | |
JP6605073B2 (ja) | 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法 | |
CN105420682B (zh) | 一种高吞吐量沉积装置 | |
US20110058919A1 (en) | Mechanical modularity chambers | |
JP2017214654A (ja) | 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する装置、有機材料用の蒸発源を含む蒸発堆積装置を有するシステム、及び有機材料用の蒸発源を操作するための方法 | |
JP7439253B2 (ja) | アイドルシールド、堆積装置、堆積システム、ならびに組み立てる方法および動作させる方法 | |
TW201828406A (zh) | 基板固持件 | |
EP3722458A1 (en) | Film forming device | |
KR20160054694A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
KR20110027187A (ko) | 대면적 기판용 마그네트론 스퍼터링 타겟 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120813 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131230 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140114 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140131 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140301 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140513 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5554779 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |