JP6303024B2 - 真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメント、基板上に層を堆積する装置、及び保持アレンジメントを搬送する方法 - Google Patents

真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメント、基板上に層を堆積する装置、及び保持アレンジメントを搬送する方法 Download PDF

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Description

本発明の実施形態は、例えば層堆積などの真空プロセス下で、基板を保持する保持アレンジメントに関する。具体的には、本発明の実施形態は、真空層堆積の間、基板を保持する保持アレンジメントに関する。
基板上に材料を堆積するいくつもの方法が知られている。例えば、 基板は、物理的気相堆積(PVD)プロセス、化学気相堆積(CVD)プロセス、プラズマ化学気相堆積(PECVD)プロセスなどによってコーティングされてよい。 典型的にはプロセスは、コーティングすべき基板が配置される処理装置や処理チャンバ内で実施される。装置内には、堆積材料が供給される。複数の材料、その酸化物、窒化物または炭化物が、基板上の堆積に使用される。さらに、エッチング、構造化(structuring)、アニールなどの他の処理工程が、処理チャンバ内で実施される。
コーティングされた材料は、様々な用途や技術分野で使用することができる。例えば、用途は、半導体デバイスの製造などマイクロエレクトロニクス分野である。ディスプレイ用基板もまた、しばしばPVDプロセスによってコーティングされる。さらなる用途には、絶縁パネル、有機発光ダイオード(OLED)パネル、TFT付き基板、カラーフィルタなどがある。
典型的には、ガラス基板が、処理中にキャリア上に支持される。キャリアは、ガラスまたは基板を支持し、処理機械に通される。典型的には、キャリアは、基板の表面を基板の外縁に沿って支持するフレームもしくはプレートを形成し、または、プレートの場合には、表面それ自体を支持する。特に、ガラス基板をマスキングするためにフレーム形のキャリアを使用することもでき、フレームによって取り囲まれたキャリアの開孔によって、コーティング材料を基板の露出部分に堆積する開孔、または開孔によって露出した基板部分に他の処理ステップを作用させる開孔が提供される。
キャリアは、搬送(conveying)システムによって処理機械に通される。典型的には、搬送システムには上にキャリアが配置されるローラがあって、ローラの回転によってキャリアが搬送路に沿って動かされる。搬送の間、キャリアとローラの間の接触領域で、摩滅、摩耗が発生することがある。このため、望まない粒子が発生して、堆積プロセス下での汚染を引き起こし得る。結果として、堆積層の品質が低下する恐れがある。
以上に鑑みて、本発明の目的は、保持アレンジメント、特に真空層堆積下で基板を保持する保持アレンジメントを提供することにあり、本保持アレンジメントによって当該技術分野の問題のうちの少なくともいくつかは克服される。
上記の観点から、独立請求項1に記載の、真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメント、独立請求項13に記載の保持アレンジメントの搬送システム、基板上に層を堆積する装置、保持アレンジメントを搬送する方法が提供される。本発明のさらなる態様、利点及び特徴は、従属請求項、明細書及び添付の図面から明らかとなる。
一実施形態によれば、真空プロセス下で基板を保持する保持アレンジメントが提供される。保持アレンジメントは、1ないし複数のフレーム要素を有するフレームと、1ないし複数のコンタクトインターフェースを備え、コンタクトインターフェースは、フレーム要素のうち1ないし複数のものに設けられて、搬送システムの1ないし複数の搬送ローラと接触するように構成される。また、当1ないし複数のコンタクトインターフェースの材料は、ショアD硬度が、85〜90の範囲にある。
別の態様によると、この保持アレンジメントの搬送システムが提供される。当該システムには、保持アレンジメントを搬送するために、保持アレンジメントの1ないし複数のコンタクトインターフェースに接触するように構成された、搬送ローラが含まれる。
さらに別の態様によれば、基板上に層を堆積する装置が提供される。当該装置には、内部に層を堆積するためのチャンバと、チャンバ内の上記の保持アレンジメントと、層を形成する材料を堆積する堆積源とが含まれる。
さらに別の態様によれば、上記の保持アレンジメントを搬送する方法が提供される。当該方法には、少なくとも1つのコンタクトインターフェースによって、搬送システムの少なくとも1つの搬送ローラと接触することと、保持アレンジメントを搬送することとが含まれる。
本発明の上記の特徴が詳細に理解されるように、上記で概要を述べた本発明について、実施形態を参照して詳細に説明する。添付の図面は本発明の実施形態に関し、以下に説明する。
本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントであって、当該保持アレンジメントの基板エリア内に提供された基板を有する、保持アレンジメントを示す。 本明細書に記載の実施形態による、別の保持アレンジメントであって、当該保持アレンジメントの基板エリア内に提供された基板を有する、保持アレンジメントを示す。 本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントの搬送システムの詳細図を示す。 本明細書に記載された実施形態による保持アレンジメントを利用して、基板上に材料層を堆積する装置を示す図である。 本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントの搬送方法のフロー図である。
これより本発明の様々な実施形態が詳細に参照されるが、その1ないし複数の例が図示されている。図面に関する以下の説明の中で、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各例は、本発明の説明として提供されているが、本発明を限定することを意図するものではない。さらに、一実施形態の一部として例示または説明される特徴は、他の実施形態で、または他の実施形態と併用され得、それによって、またさらなる実施形態が生み出され得る。本明細書には、こうした修正及び改変が含まれることが意図されている。
図1は、本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメント10/キャリアを示す。例えば真空層堆積といった真空プロセス下で基板20を保持する保持アレンジメント10には、1ないし複数のフレーム要素を有するフレーム30と、1ないし複数のフレーム要素において設けられ、搬送システムの1ないし複数の搬送ローラと接触するように構成された、1ないし複数のコンタクトインターフェース50とが、含まれる。1ないし複数のコンタクトインターフェースの材料のショアD硬度は、85〜90の範囲にある。
搬送の間、キャリアとローラの接触領域において、摩滅、摩耗が発生する可能性がある。1ないし複数のコンタクトインターフェース50は、材料のショアD硬度が85〜90の範囲にあることから、搬送中に発生した粒子は、コンタクトインターフェース50の材料内に機械的に圧入されて(粒子トラップ)、堆積プロセス下での汚染が回避される。結果として、堆積層の品質が改善される。言い換えれば、1ないし複数のコンタクトインターフェース50の材料は、搬送ローラの材料(例えば金属)よりも軟らかくてよく、それによって、搬送の間に発生した粒子がコンタクトインターフェース50の材料の中に機械的に圧入される。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせ可能な実施形態の場合、1ないし複数のコンタクトインターフェースの材料のショアD硬度(HSD)は、HSD87〜89の範囲内であり、たとえばHSD87またはHSD89である。例として、1ないし複数のコンタクトインターフェースの材料はPEEK、例えば非強化PEEKであり、その硬度は約HSD87である。別の例においては、1ないし複数のコンタクトインターフェースの材料は、ガラス繊維強化PEEKであり、その硬度は約HSD89である。
フレーム30は、基板20を支持するように構成される。典型的には、フレーム30は、1ないし複数のフレーム要素を含み得る。図1の例においては、フレーム30は、4つのフレーム要素、即ち2つの垂直に配向されたフレーム要素及び2つの水平に配向されたフレーム要素を含むことができる。本例においては、コンタクトインターフェースは、少なくとも1つの水平のフレーム要素において設けられ得る。しかし、図1のフレーム30はまた、1つのフレーム要素、即ち1つの長方形のフレーム要素だけを含むことも、また可能である。
いくつかの実施形態によると、フレーム30は、基板20を収容する開孔口を画定する。例えば、基板20は開孔口内に配置され得る。例として、開孔口のリムまたはエッジがコーティングされるのを回避するため、前記リムまたはエッジを覆うように、開孔口内に基板20を配置することができる。このため、キャリアのフレームによってエッジ除外マスクが設けられ得る。いくつかの実施形態によると、基板20のエッジ領域の少なくとも一部を支持する支持体表面が、開孔口内に設けられる。例として、フレーム30の断面は、支持体表面を提供するため、L字型であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、1ないし複数のフレーム要素には、ポリマー、プラスチック、及び/または金属が含まれる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、基板20のリムまたはエッジを層の堆積から除外するように、前記リムまたはエッジを覆うため、マスキングアレンジメント(図示せず)が提供される。いくつかの実施形態によると、フレーム30は自身がマスキングアレンジメントとして機能し得るか、または追加のマスキングを提供し得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、搬送ローラのロックウェルC硬度(HRC)は、少なくともHRC52である。典型的な実施形態では、搬送ローラの硬度は、HRC52〜61の範囲、具体的にはHRC53〜60または53〜59の範囲である。例として、搬送ローラは、例えばHRC58〜60の範囲の硬度を有する、硬化されたローラ(例えばクロニデュア(Cronidur))である。それによって、搬送の間に発生した粒子のほとんどが、または全てでさえも、コンタクトインターフェース50の材料内に機械的に圧入される。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、1ないし複数のコンタクトインターフェース50の材料硬度は、搬送ローラの材料硬度よりも低い。それによって、搬送の間に発生した粒子のほとんどが、または全てでさえも、コンタクトインターフェース50の材料内に機械的に圧入される。
上記の硬度スケール、即ちコンタクトインターフェース用のショアD、及び搬送ローラ用のロックウェルCは、単なる例示であり、本明細書に記載の実施形態には、任意の好適な硬度スケールが使用され得る。具体的には、使用されるスケールに関わらず、1ないし複数のコンタクトインターフェースの材料硬度は、搬送の間に発生した粒子がコンタクトインターフェースの材料内に機械的に圧入されるように、搬送ローラの材料硬度よりも低い必要がある。
例として、圧入硬度が考慮され得る(普遍的な圧入硬度スケールは、例えばロックウェル、ビッカース、ショア、ブリネルである)。圧入硬度は、例えばインデンターピストンといった鋭利な物体からの、一定の圧縮荷重による材料変形へのサンプルの抵抗を測定する。こうした試験においては、具体的な寸法と荷重を持ったインデンターによって残された圧痕の限界寸法が測定される。本明細書に記載された実施形態によると、コンタクトインターフェースの材料及び搬送ローラの材料に対して、同一のインデンター及び同一の圧縮荷重を用いてこうした試験を実施する場合、コンタクトインターフェースの材料に対してインデンターによって残された限界寸法、例えば圧痕の深さは、搬送ローラの材料に対してインデンターによって残された限界寸法(本例では圧痕の深さ)よりも、より大きい。言い換えれば、コンタクトインターフェースの材料は搬送ローラの材料よりも軟らかく、または搬送ローラの材料はコンタクトインターフェースの材料よりも硬い。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、1ないし複数のコンタクトインターフェース50の材料には、ポリマー、プラスチック、及び/または金属、具体的には、ポリエーテルケトン、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、PEEEK(ポリエーテルエーテルエーテルケトン)、ガラス繊維強化PEEK、非強化PEEK、及び/またはPEEKK(ポリエーテルエーテルケトンケトン)が含まれる。こうして、コンタクトインターフェース50は簡便に、かつコスト効率良く、製造することができる。
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、1ないし複数のコンタクトインターフェース50は、材料層、ロッド、レール、及びバーのうちの少なくとも1つを含む。図1の例は、コンタクトインターフェース50が材料層を含む、または材料層である、実施形態を示す。典型的な実施形態では、材料層はフレーム30に設けられる。例として、1ないし複数のフレーム要素は、フレーム30が搬送システムのローラと接触するように構成されているエリアに材料層を含み、具体的には、フレーム30が搬送システムのローラと接触するように構成されているエリアにおいてのみ、材料層を含み得る。典型的な実施形態では、1ないし複数のフレーム要素は、材料層によって少なくとも部分的にコーティングまたはラミネートされ得る。材料層は、例えば100〜300μmの範囲、具体的には約200μmの厚さを有する、薄膜またはコーティングであり得る。
典型的な実施形態では、1ないし複数のフレーム要素及び1ないし複数のコンタクトインターフェース50は、同一の材料から作られている。他の実施形態では、1ないし複数のフレーム要素及び1ないし複数のコンタクトインターフェース50は、異なる材料から作られている。このように、コンタクトインターフェース50は、例えば、製造の複雑化要因またはコストといった、処理要件または他の考慮事項に従って設計され得る。
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、1ないし複数のコンタクトインターフェース50は、1ないし複数のフレーム要素から取り外し可能に設けられている。例として、コンタクトインターフェース50は、損傷または損耗した場合、交換または代替され得る。
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる他のいくつかの実施形態によると、1ないし複数のフレーム要素及び1ないし複数のコンタクトインターフェース50は、一体として作られている。これによって、簡便に、かつコスト効率良く、保持アレンジメント10を生産することが可能になる。
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、1ないし複数のコンタクトインターフェース50は、円形、長円形または長方形の形状を有する。例として、コンタクトインターフェースが材料層である場合、その上にコンタクトインターフェースが設けられている(例えば、コーティングまたはラミネートされている)フレーム要素は、材料層がフレーム要素の形状を取るように、円形、長円形または長方形の形状を有し得る。
本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によると、保持アレンジメント10は、垂直に配向された基板20を保持するように構成される。例として、コンタクトインターフェース50は、前記保持アレンジメント10に対して相対的に移動する搬送システムの(ローラといった)要素と接触する、保持アレンジメント10の唯一の領域またはエリアであり得る。これによって、搬送の間に発生したほとんどの粒子、または全ての粒子さえもが、コンタクトインターフェース50によって吸収されることが確保され得る。
図2は、本書に記載された他の実施形態による、真空プロセス下で基板20を保持する保持アレンジメント10を示す。
図2の保持アレンジメントは、図1の保持アレンジメントと同様であるが、コンタクトインターフェース500がロッド、レールまたはバーを含むという点が異なる。ロッド、レール、またはバーは、それぞれ「コンタクトロッド」、「コンタクトレール」、「コンタクトバー」と呼ばれ得る。「ロッド」、「レール」、及び「バー」の用語は、コンタクトインターフェースとして機能するのに好適な、任意の伸長部材または伸長要素を含み得る。典型的な実施形態では、ロッド、レールまたはバーは、1ないし複数のフレーム要素において設けられ、搬送システムの1ないし複数の搬送ローラに接触するように構成される。図2に示す例では、ロッド、レールまたはバーは、例えば接続ブリッジといった1ないし複数の接続要素501によって、フレームに取り付けられている。
本書において説明される他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によると、ロッド、レールまたはバーは、円形、長円形、または長方形の断面を有する。
いくつかの実施形態によると、ロッド、レールまたはバーは、図1に関連して上記された材料層に、少なくとも部分的に覆われている。例として、ロッド、レールまたはバーは、ポリマー、プラスチック、及び/または金属から作られていて良く、少なくとも部分的にロッド、レールまたはバーを覆っている材料層は、図1に関連して上記されたコンタクトインターフェースの材料を含み得る。
図3は、本書に記載の実施形態による、保持アレンジメント10の搬送システムの詳細図を示す。
保持アレンジメント10の搬送システムには、保持アレンジメント10の搬送のために、保持アレンジメント10の1ないし複数のコンタクトインターフェース500に接触するように構成された、搬送ローラ60が含まれる。
図3の保持アレンジメントは、コンタクトインターフェース500がロッド、レールまたはバーを含むという点で、図2の保持アレンジメントと同様である。ロッド、レールまたはバーは、フレーム要素のうちの1ないし複数において設けられ、搬送システムの1ないし複数の搬送ローラ60に接触するように構成される。図3に示す例では、ロッド、レールまたはバーは、例えば接続ブリッジといった1ないし複数の接続要素501によって、フレームに取り付けられている。
本書において説明される他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの他の実施形態によると、搬送ローラ60には、凹部61が含まれる。例として、凹部61は、コンタクトインターフェース500を少なくとも部分的に収容するように構成される。コンタクトインターフェース500は、凹部61と係合するように構成され得る。典型的な実施形態では、凹部61は、搬送の間、保持アレンジメント10をガイドするように構成される。図3は、コンタクトインターフェース500がロッド、レールまたはバーを含む例を示しているが、本開示はそれらに限定されない。図3の保持アレンジメントはまた、図1に関連して示される保持アレンジメントとしても構成され得る。
異なる実施形態によれば、PVD堆積プロセス、CVD堆積プロセス、基板構造化エッジング(substrate structuring edging)、加熱(例えばアニール)または任意の種類の基板処理に対して、保持アレンジメント10を利用することができる。本書に記載された保持アレンジメント10の実施形態、及びこうした保持アレンジメント10の利用方法の実施形態は、垂直に配向された大面積ガラス基板の非定常の基板処理、すなわち連続基板処理に対して特に有用である。非定常の処理では典型的に、保持アレンジメントが当該処理用のマスキング要素も提供する必要がある。
図4は、本書に記載の、例えば堆積チャンバであるチャンバ600の概略図である。チャンバ600は、PVDプロセスまたはCVDプロセスといった、堆積プロセスに対して適合されている。基板移送装置620上の、本書に記載の実施形態による保持アレンジメント10/キャリアの中に、または保持アレンジメント10/キャリアの箇所に、基板20が配置されて示されている。堆積源630、例えば材料源または堆積材料源は、基板20のコーティングされる側に面して、処理チャンバ612内に提供される。堆積源630、例えば堆積材料源は、基板20上に堆積される堆積材料を供給する。
図4では、堆積源630は、その上に堆積材料を有するターゲット、または材料が基板20上への堆積のため放出されることを可能にする他の任意のアレンジメントであり得る。典型的には、堆積源630は回転ターゲットであり得る。いくつかの実施形態の場合、堆積源を配置ないし交換するために、堆積源630は移動可能であってよい。他の実施形態の場合、材料源は平面ターゲットである。
いくつかの実施形態の場合、堆積材料は、堆積プロセスに応じて、また基板20の堆積後の用途に応じて選択することができる。例えば、堆積源630の堆積材料は、アルミニウム、モリブデン、チタン、銅などの金属、シリコン、酸化インジウムスズ及び他の透明な導電性酸化物からなる群から選択される材料であってよい。典型的には、材料源から材料を供給することによって、または反応性堆積、すなわち材料源からの材料が処理ガスからの酸素、窒化物または炭素のような要素と反応することによって、こうした材料を含み得る酸化物、窒化物または炭化物の層を堆積することが可能である。いくつかの実施形態の場合、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または酸窒化アルミニウムのような、薄膜トランジスタ材料を堆積材料として使用することができる。
典型的には、基板20は、保持アレンジメント10/キャリアの中に、または保持アレンジメント10/キャリアの箇所に提供され、保持アレンジメント10/キャリアは、エッジ除外マスク、具体的には非定常堆積プロセス用のエッジ除外マスクとしての役目も果たすことができる。破線665は、チャンバ運転中の堆積材料の経路を例示的に示す。本書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態の場合、処理チャンバ612内に提供された別個のエッジ除外マスクによって、マスキングを提供することができる。それによって、本明細書に記載された実施形態による保持アレンジメント10は、定常のプロセスに対して、及び非定常のプロセスに対しても有益となり得る。
図5は、本明細書に記載の実施形態による保持アレンジメントの搬送方法100のフロー図である。
保持アレンジメントを搬送する当該方法100には、少なくとも1つのコンタクトインターフェースによって、搬送システムの少なくとも1つの搬送ローラと接触すること(ブロック101)と、保持アレンジメントを搬送すること(ブロック102)とが含まれる。典型的な実施形態においては、保持アレンジメントは、搬送システムのローラの回転によって搬送される。
いくつかの実施形態において、少なくとも0.174mの大面積基板のサイズとすることができる。典型的には、大面積基板のサイズを、約1.4mから約8m、より典型的には約2mから約9m、または最大12mとすることができる。典型的には、本明細書に記載された実施形態による保持アレンジメントが用いられ得る長方形の基板が、本明細書に記載された大面積基板である。例えば、大面積基板は、約1.4mの基板(1.1m×1.3m)に対応するGEN5、約4.39mの基板(1.95m×2.25m)に対応するGEN7.5、約5.5mの基板(2.2m×2.5m)に対応するGEN8.5、または約8.7mの基板(2.85m×3.05m)に対応するGEN10であり得る。GEN11およびGEN12などのさらに大型の世代ならびに対応する基板面積も、同様に実装可能である。
典型的には、基板は、材料を堆積するのに適した任意の材料から作られることができる。例えば、基板は、ガラス(例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、ならびに堆積プロセスによってコーティングできる任意の他の材料および材料の組合せからなる群から選択された材料から作られたものとすることができる。
搬送の間、キャリアとローラの間の接触領域で、摩滅、摩耗が発生することがある。1ないし複数のコンタクトインターフェースは材料のショアD硬度が85〜90の範囲にあることから、搬送の間に発生した粒子は、コンタクトインターフェースの材料内に機械的に圧入され、それにより、堆積プロセス下での汚染が回避される。結果として、堆積層の品質が改善される。
以上、本発明の実施形態を記述したが、本発明の基本的な範囲を逸脱することなくその他の実施形態が可能であり、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (15)

  1. 真空プロセス下で基板(20)を保持する保持アレンジメント(10)であって、
    1ないし複数のフレーム要素を有するフレーム(30)と、
    1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)とを備え、
    前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)は、前記フレーム要素のうちの1ないし複数のものに設けられて、搬送システムの1ないし複数の搬送ローラ(60)と接触するように構成され、
    前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)の材料は、ショアD硬度が、85から90の範囲にある、保持アレンジメント(10)。
  2. 前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)の材料の前記ショアD硬度が、87から89の範囲にあるか、又は、前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)の材料の前記ショアD硬度が、87もしくは89である、請求項1に記載の保持アレンジメント(10)。
  3. 前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)が、材料層、ロッド、レール、及びバーのうちの少なくとも1つを含む、請求項1または2に記載の保持アレンジメント(10)。
  4. 前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)の材料は、ポリマー、プラスチック、金、ポリエーテルケトン、PEEK、PEEEK、ガラス繊維強化PEEK、及び/またはPEEKKのうちの少なくとも1つを含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  5. 前記1ないし複数のフレーム要素は、ポリマー、プラスチック、及び金の少なくとも1つを含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  6. 前記1ないし複数のフレーム要素及び前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)は、同一の材料から作られている、請求項1から5のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  7. 前記1ないし複数のフレーム要素及び前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)は、異なる材料から作られている、請求項1から5のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  8. 前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)は、前記1ないし複数のフレーム要素から取り外し可能に設けられている、請求項1から7のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  9. 前記1ないし複数のフレーム要素と前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)は、ワンピースで作られている、請求項1から7のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  10. 前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)は、円形、長円形、または長方形の形状である、請求項1から9のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  11. 垂直に配向された基板(20)を保持するように構成された、請求項1から10のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  12. 前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50、500)の材料硬度は、前記搬送ローラ(60)の材料硬度よりも低い、請求項1から11のいずれか一項に記載の保持アレンジメント(10)。
  13. 前記保持アレンジメント(10)の搬送のために、前記保持アレンジメント(10)の前記1ないし複数のコンタクトインターフェース(50)に接触するように構成された、前記搬送ローラ(60)
    を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の保持アレンジメント搬送するシステム。
  14. 内部に層を堆積するためのチャンバ(612)と、
    前記チャンバ内の、請求項1から12のいずれか1項に記載の保持アレンジメント(10)と、
    前記層を形成する材料を堆積する堆積源(630)と
    を備える、基板(20)上に層を堆積する装置(600)。
  15. 少なくとも1つの前記コンタクトインターフェースによって、前記搬送システムの少なくとも1つの前記搬送ローラと接触すること(101)と、
    前記保持アレンジメントを搬送すること(102)と
    を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の保持アレンジメントを搬送する方法(100)。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180171466A1 (en) * 2015-07-06 2018-06-21 Applied Materials, Inc. Carrier for supporting at least one substrate during a sputter deposition process, apparatus for sputter deposition on at least one substrate, and method for sputter deposition on at least one substrate
WO2017050350A1 (en) * 2015-09-21 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Substrate carrier, and sputter deposition apparatus and method using the same
WO2021228389A1 (en) * 2020-05-13 2021-11-18 Applied Materials, Inc. Carrier for a roller transport system, roller transport system and vacuum processing apparatus having the same
TWI737520B (zh) * 2020-08-14 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示面板

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS538093Y2 (ja) * 1973-07-10 1978-03-02
JP3108980B2 (ja) * 1994-08-11 2000-11-13 松下電器産業株式会社 ディスク演奏装置
JP2001028389A (ja) * 1999-07-14 2001-01-30 Nichias Corp シリコンウエハ保持搬送治具の製造方法
US20030031548A1 (en) * 2001-08-09 2003-02-13 Parell Phillip King Rigid vacuum tip
JP2005016589A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Nsk Ltd 転動装置
CN101641272B (zh) * 2007-04-16 2011-11-16 株式会社爱发科 输送机和成膜装置及其维护方法
US20090071403A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
DE102008010317A1 (de) * 2008-02-21 2009-09-03 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Befördern und Drehen stoßempfindlicher Platten in Reinsträumen
DE102008015982B3 (de) * 2008-03-27 2009-07-30 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Fixierung und den Weitertransport stoßempfindlicher Platten in Sputter-Beschichtungsanlagen, Computerprogramm zur Durchführung des Verfahrens und maschinenlesbarer Träger hierzu
JP5554779B2 (ja) * 2008-08-25 2014-07-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動シールドをもつコーティングチャンバ
US20100163406A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Applied Materials, Inc. Substrate support in a reactive sputter chamber
US8764927B2 (en) * 2009-04-30 2014-07-01 Sca Hygiene Products Ab Method and apparatus for providing a diaper
JP2011061023A (ja) * 2009-09-10 2011-03-24 Kaneka Corp 基板保持部材及び薄膜の製造方法
DE102011017566A1 (de) * 2010-04-22 2011-12-01 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Substratbehandlungsanlage und Substrathalter dafür
US20140030435A1 (en) * 2010-12-01 2014-01-30 Applied Materials, Inc. Evaporation unit and vacuum coating apparatus
CN103283011B (zh) * 2011-04-11 2016-02-03 株式会社爱发科 成膜装置
JP2013120907A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Olympus Corp 基板搬送装置
CN204570033U (zh) * 2012-01-24 2015-08-19 应用材料公司 基板载具
JP2014107412A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 搬送システム及び成膜装置

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