JP2004263299A5 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

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Claims (16)

  1. 基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜室を有する成膜装置であって
    前記蒸着源をX方向に移動する手段と、前記基板をY方向に移動する手段とを有し、
    前記蒸着源をX方向に移動させた後、前記基板をY方向に一定間隔で移動させることを繰り返して成膜を行うことを特徴とする成膜装置。
  2. 請求項において、
    前記蒸着源を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。
  3. 請求項1又は2において、
    前記基板を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一において、
    前記成膜室には、設置室が連結されており、
    前記設置室、蒸着材料が収納された容器を大気に触れさせることなく前記蒸着源に設置する手段を有することを特徴とする成膜装置。
  5. 請求項において、
    前記成膜室および前記設置室は、室内を真空にする真空排気処理室と連結され、且つ、材料ガス又はクリーニングガスを導入する段をすることを特徴とする成膜装置。
  6. 請求項4又は5において、
    前記設置室には、膜厚計が設けられていることを特徴とする成膜装置。
  7. 基板に対向して配置した複数の蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜室を有する成膜装置であって
    第1の蒸着源と、該第1の蒸着源をX方向に移動する第1の手段と、第2の蒸着源と、該第2の蒸着源をX方向に移動する第2の手段と、前記基板をY方向に移動する手段とを有し、
    前記第1の蒸着源及び前記第2の蒸着源X方向へ移動させた後、前記基板をY方向に一定間隔で移動させることを繰り返して成膜を行うことを特徴とする成膜装置。
  8. 請求項7において、
    前記第1の蒸着源又は前記第2の蒸着源を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。
  9. 請求項7又は8において、
    前記基板を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。
  10. 請求項7乃至9のいずれか一において、
    前記第1の蒸着源のX方向への移動速度と、前記第2の蒸着源のX方向への移動速度とを異ならせることを特徴とする成膜装置。
  11. 請求項7乃至10のいずれか一において、
    前記複数の蒸着源は、互いに平行に移動することを特徴とする成膜装置。
  12. 請求項7乃至11のいずれか一において、
    前記成膜室には、設置室が連結されており、
    前記設置室は、蒸着材料が収納された容器を大気に触れさせることなく前記第1の蒸着源及び第2の蒸着源に設置する手段を有することを特徴とする成膜装置。
  13. 請求項12において、
    前記成膜室および前記設置室は、室内を真空にする真空排気処理室と連結され、且つ、材料ガス又はクリーニングガスを導入する手段を有することを特徴とする成膜装置。
  14. 請求項12又は13において、
    前記設置室には、前記複数の蒸着源に対応する複数の膜厚計が設けられており、
    前記複数の膜厚計は、前記基板の移動経路を挟んで交互に配置されていることを特徴とする成膜装置。
  15. 請求項1乃至14のいずれか一において、
    前記成膜室には搬送室が連結され、前記搬送室にはロード室が連結されていることを特徴とする成膜装置。
  16. 請求項1乃至15のいずれか一に記載の成膜装置を用いた成膜方法。
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US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP5084112B2 (ja) * 2005-04-06 2012-11-28 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 蒸着膜の形成方法
JP2007227086A (ja) 2006-02-22 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および発光素子の製造方法
KR101353567B1 (ko) 2006-04-28 2014-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전극 커버 및 증착장치
JP2008274322A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Sony Corp 蒸着装置
JP5323784B2 (ja) * 2009-09-15 2013-10-23 フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング 微細構造を製造するための方法及び装置
KR101975741B1 (ko) * 2009-11-13 2019-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법
KR101785562B1 (ko) * 2010-10-18 2017-10-18 삼성디스플레이 주식회사 연속 증착이 가능한 박막 증착 장치 및 그 박막 증착 장치에 사용되는 마스크유닛과 도가니유닛
KR20130129728A (ko) * 2012-05-21 2013-11-29 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 승화 정제 장치 및 방법
CN109154062B (zh) * 2016-05-18 2021-10-26 应用材料公司 无接触对齐载具组件的方法、处理载具组件的基板的方法、和无接触对齐载具组件的设备
JP2018104804A (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
KR102184356B1 (ko) * 2019-02-27 2020-11-30 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
CN114752913B (zh) * 2022-05-05 2023-11-28 温岭市倍福机械设备制造有限公司 一种往复式双面高真空卷绕镀膜机

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