JP4373235B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 235
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 232
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 130
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 104
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 100
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 69
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 61
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 50
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 43
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 43
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 299
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 41
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 MgAg Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical class [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004116 SrO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- UPSWHSOSMRAWEH-UHFFFAOYSA-N 2-n,3-n,4-n-tris(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n,3-n,4-n-pentakis-phenylbenzene-1,2,3,4-tetramine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=C(N(C=3C=CC=CC=3)C=3C=C(C)C=CC=3)C(N(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 UPSWHSOSMRAWEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910000683 memory titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- IZMLNVKXKFSCDB-UHFFFAOYSA-N oxoindium;oxotin Chemical compound [In]=O.[Sn]=O IZMLNVKXKFSCDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003190 poly( p-benzamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜装置であり、
前記基板が配置される成膜室には、蒸着源と、該蒸着源をX方向に移動する手段と、基板をY方向に移動する手段とを有し、
前記蒸着源をX方向に移動させた後、前記基板をY方向に一定間隔で移動させることを繰り返して成膜を行うことを特徴とする成膜装置を有する製造装置である。
基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜装置であり、
前記成膜室には、基板をY方向に移動する手段を有し、
前記成膜室には設置室が連結されており、該設置室には、前記蒸着源と、該蒸着源を前記設置室から前記成膜室内にわたってX方向に移動する手段とを有し、
前記成膜室において前記蒸着源をX方向に移動させた後、前記基板をY方向に一定間隔で移動させることを繰り返して成膜を行うことを特徴とする成膜装置を有する製造装置である。
基板に対向して配置した複数の蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜装置であり、
前記基板が配置される成膜室には、第1の蒸着源と、該第1の蒸着源をX方向に移動する第1の手段と、第2の蒸着源と、該第2の蒸着源をX方向に移動する第2の手段と、前記基板をY方向に移動する手段とを有し、
前記第1の蒸着源をX方向への移動速度と、前記第2の蒸着源のX方向への移動速度を異ならせ、前記基板をY方向に一定間隔で移動させることを繰り返して成膜を行うことを特徴とする成膜装置を有する製造装置である。
ロード室、該ロード室に連結された搬送室、及び該搬送室に連結された複数の成膜室とを有する製造装置であり、
前記基板が配置される成膜室には、複数の蒸着源と、該蒸着源をX方向に移動する手段と、基板をY方向に移動する手段とを有し、
前記基板をY方向に一定速度で移動させながら、前記複数の蒸着源をX方向に移動または往復させて成膜を行うことを特徴とする成膜装置を有する製造装置である。
図1に本発明の製造装置の上面図を示す。
ここでは図2に本発明の製造装置の他の一例を示す。
ここでは共蒸着を行う例を図5に示す。なお、図5に示す蒸着装置は、図1や図2とも異なっている。
本実施の形態では、容器をシャッターとして用いる例を図6に示す。
本実施の形態では、基板サイズが、320mm×400mm、370mm×470mm、400mm×500mm、550mm×650mm、600mm×720mm、620mm×730mm、680mm×880mm、730mm×920mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、1150mm×1300mmのような大面積基板に対して、効率よくEL材料を蒸着する方法を提供するため、大面積基板へ対応可能なマスクを図7に示す。
成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス(例えばCH4、C2H2、C6H6など)とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。
101:成膜室
104:蒸着源ホルダ
Claims (16)
- 基板に対向して配置した蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜室を有する成膜装置であって、
前記蒸着源をX方向に移動する手段と、前記基板をY方向に移動する手段とを有し、
前記蒸着源をX方向に移動させた後、前記基板をY方向に一定間隔で移動させることを繰り返して成膜を行うことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1において、
前記蒸着源を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1又は2において、
前記基板を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記成膜室には、設置室が連結されており、
前記設置室は、蒸着材料が収納された容器を大気に触れさせることなく前記蒸着源に設置する手段を有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項4において、
前記成膜室および前記設置室は、室内を真空にする真空排気処理室と連結され、且つ、材料ガス又はクリーニングガスを導入する手段を有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項4又は5において、
前記設置室には、膜厚計が設けられていることを特徴とする成膜装置。 - 基板に対向して配置した複数の蒸着源から蒸着材料を蒸着させて前記基板上に成膜を行う成膜室を有する成膜装置であって、
第1の蒸着源と、該第1の蒸着源をX方向に移動する第1の手段と、第2の蒸着源と、該第2の蒸着源をX方向に移動する第2の手段と、前記基板をY方向に移動する手段とを有し、
前記第1の蒸着源及び前記第2の蒸着源をX方向へ移動させた後、前記基板をY方向に一定間隔で移動させることを繰り返して成膜を行うことを特徴とする成膜装置。 - 請求項7において、
前記第1の蒸着源又は前記第2の蒸着源を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。 - 請求項7又は8において、
前記基板を往復させることにより成膜を行うことを特徴とする成膜装置。 - 請求項7乃至9のいずれか一において、
前記第1の蒸着源のX方向への移動速度と、前記第2の蒸着源のX方向への移動速度とを異ならせることを特徴とする成膜装置。 - 請求項7乃至10のいずれか一において、
前記複数の蒸着源は、互いに平行に移動することを特徴とする成膜装置。 - 請求項7乃至11のいずれか一において、
前記成膜室には、設置室が連結されており、
前記設置室は、蒸着材料が収納された容器を大気に触れさせることなく前記第1の蒸着源及び第2の蒸着源に設置する手段を有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項12において、
前記成膜室および前記設置室は、室内を真空にする真空排気処理室と連結され、且つ、材料ガス又はクリーニングガスを導入する手段を有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項12又は13において、
前記設置室には、前記複数の蒸着源に対応する複数の膜厚計が設けられており、
前記複数の膜厚計は、前記基板の移動経路を挟んで交互に配置されていることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至14のいずれか一において、
前記成膜室には搬送室が連結され、前記搬送室にはロード室が連結されていることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至15のいずれか一に記載の成膜装置を用いた成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004034491A JP4373235B2 (ja) | 2003-02-14 | 2004-02-12 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003037375 | 2003-02-14 | ||
JP2004034491A JP4373235B2 (ja) | 2003-02-14 | 2004-02-12 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004263299A JP2004263299A (ja) | 2004-09-24 |
JP2004263299A5 JP2004263299A5 (ja) | 2007-04-05 |
JP4373235B2 true JP4373235B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=33134002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004034491A Expired - Fee Related JP4373235B2 (ja) | 2003-02-14 | 2004-02-12 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4373235B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP5084112B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2012-11-28 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 蒸着膜の形成方法 |
JP2007227086A (ja) | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および発光素子の製造方法 |
US8608855B2 (en) | 2006-04-28 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode cover and evaporation device |
JP2008274322A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Sony Corp | 蒸着装置 |
JP5323784B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-10-23 | フオン・アルデンネ・アンラーゲンテヒニク・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 微細構造を製造するための方法及び装置 |
KR101975741B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법 |
KR101785562B1 (ko) * | 2010-10-18 | 2017-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연속 증착이 가능한 박막 증착 장치 및 그 박막 증착 장치에 사용되는 마스크유닛과 도가니유닛 |
KR20130129728A (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 승화 정제 장치 및 방법 |
JP6585191B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2019-10-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | キャリア又は基板を搬送するための装置及び方法 |
JP2018104804A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
KR102184356B1 (ko) * | 2019-02-27 | 2020-11-30 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
CN114752913B (zh) * | 2022-05-05 | 2023-11-28 | 温岭市倍福机械设备制造有限公司 | 一种往复式双面高真空卷绕镀膜机 |
-
2004
- 2004-02-12 JP JP2004034491A patent/JP4373235B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004263299A (ja) | 2004-09-24 |
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