JP2010121215A - 蒸着装置および蒸着方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】各蒸着材料の蒸発中心が被蒸着物の一点に合うように、容器が有する開口を調節する。図10(D)に示す共蒸着においては、開口810aと開口810bの両方を向かい合わせる。また、図10(E)に示す共蒸着においては、開口810cは垂直方向に蒸発するような上部パーツを使用し、その方向に合わせて傾いた開口810dを有する上部パーツを使用して蒸発させる。
【選択図】図10
Description
また、上記各構成において、前記マスクは耐熱性を有する接着材でフレームと接着されていることを特徴としている。また、前記マスクはフレームと溶接によって固定してもよい。
図1(A)は、本発明のマスクの斜視図である。マスクフレーム120の幅における熱膨張中心121を通過する線上に配置した固定位置A124aでマスク本体122を固定している。また、蒸着チャンバー内でマスクフレームを支持するアーム(図示しない)も固定位置A124aで支持することが好ましい。
ここでは、基板保持手段の構成について図2を用いて詳述する。大面積基板を用い、多面取り(1枚の基板から複数のパネルを形成する)を行う際、スクライブラインとなる部分が接するように基板を支える基板保持手段を設ける。即ち、基板保持手段の上に基板を載せ、基板保持手段の下方に設けられた蒸着源ホルダから蒸着材料を昇華させて基板保持手段で接していない領域に蒸着を行う。こうすることによって、大面積基板のたわみを1mm以下に抑えることができる。
ここでは、RGBの塗りわけを蒸着で行う例を示す。
或いは、1つのマスクでアライメント時にRGB毎に基板とマスクをずらして蒸着を行ってもよい。また、1つのチャンバー内で1つのマスクでアライメント時にRGB毎に基板とマスクをずらして蒸着を行ってもよい。
ここでは、蒸着材料を収納するための容器を図10に示す。図10(A)は容器の斜視図であり、図10(B)は鎖線A−Bで切断した断面図であり、図10(C)は点線C−Dで切断した断面図である。
例えば、ニッケル42%、鉄58%の低熱膨張合金などが挙げられる。また、加熱される蒸着マスクを冷却するため、蒸着マスクに冷却媒体(冷却水、冷却ガス)を循環させる機構を備えてもよい。
こうすることにより、ルツボおよび該ルツボに収納されたEL材料を汚染から防ぐことができる。
なお、アクティブマトリクス型の発光装置を作製する場合、予め基板上には、陽極に接続している薄膜トランジスタ(電流制御用TFT)およびその他の薄膜トランジスタ(スイッチング用TFTなど)が複数設けられ、薄膜トランジスタからなる駆動回路も設けられている。また、単純マトリクス型の発光装置を作製する場合にも図5に示す製造装置で作製することが可能である。
を形成した場合、平坦性が向上し、その上に成膜される膜のカバレッジおよび膜厚均一性を良好なものとすることができる。特に発光層の膜厚が均一となるため均一な発光を得ることができる。この場合、正孔注入層を塗布法で形成した後、蒸着法による成膜直前に大気圧加熱または真空加熱(100〜200℃)を行うことが好ましい。
の薄膜(1nm〜10nm)、或いは上記金属膜の薄膜(1nm〜10nm)と透明導電膜との積層を陰極とすることが好ましい。また、搬送室508から受渡室511を経由して搬送室514に基板を搬送した後、成膜室509に搬送し、スパッタ法を用いて透明導電膜を形成する。
は、プラズマCVD法(代表的には、RFプラズマCVD法、マイクロ波CVD法、電子サイクロトロン共鳴(ECR)CVD法、熱フィラメントCVD法など)、燃焼炎法、スパッタ法、イオンビーム蒸着法、レーザー蒸着法などで形成することができる。成膜に用いる反応ガスは、水素ガスと、炭化水素系のガス(例えばCH4、C2H2、C6H6など)とを用い、グロー放電によりイオン化し、負の自己バイアスがかかったカソードにイオンを加速衝突させて成膜する。また、CN膜は反応ガスとしてC2H4ガスとN2ガスとを用いて形成すればよい。なお、DLC膜やCN膜は、可視光に対して透明もしくは半透明な絶縁膜である。可視光に対して透明とは可視光の透過率が80〜100%であることを指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が50〜80%であることを指す。
上面出射型とし、熱硬化性樹脂を充填した場合、シール材を硬化させる加熱処理と同時に硬化させることができる。
なお、これらのガスを水素やアルゴンなどで希釈した混合ガスも含む。装置内部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に蒸着装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれる残留気体(酸素や水分、その他の不純物など)を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防ぐことができる。
1116からなる発光素子1118が形成される。本実施例では、有機化合物を含む層1115として、CuPc(膜厚20nm)、α−NPD(膜厚30nm)、白金を中心金属とした有機金属錯体(Pt(ppy)acac)を含むCBP(膜厚30nm)、BCP(膜厚20nm)、BCP:Li(膜厚40nm)
とを順次積層させて白色発光を得る。本実施例では発光素子1118は白色発光とする例であるので着色層1131と遮光層(BM)1132からなるカラーフィルター(簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない)を設けている。
は折りたたんだ状態を示す斜視図である。ノート型パーソナルコンピュータは本体2201、筐体2202、表示部2203a、2203b、キーボード2204、外部接続ポート2205、ポインティングマウス2206等を含む。
映像信号選択スイッチ2106の出力はスイッチ2107に入力され、スイッチ2106の信号がそのままディスプレイ2101に入力されるか、反転して入力されるかを選択できる。明暗反転が必要な場合には反転して入力をおこなえばよい。この選択はディスプレイコントローラによっておこなわれる。また、全点灯をおこなう場合場合にはディスプレイ2101に固定の電圧を入力すればよい。
(図示せず)
Claims (14)
- 蒸着源に設置される、第1の蒸着材料を収納する第1の容器及び第2の蒸着材料を収納する第2の容器を有し、
前記第1の容器は第1の開口を有し、
前記第2の容器は第2の開口を有し、
前記第1の蒸着材料と前記第2の蒸着材料は、混合しながら被蒸着物に蒸着され、
前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料の各蒸発中心が前記被蒸着物の一点に合うように、前記第1の開口及び前記第2の開口は調節されていることを特徴とする蒸着装置。 - 蒸着源に設置される、第1の蒸着材料を収納する第1の容器及び第2の蒸着材料を収納する第2の容器を有し、
前記第1の容器は第1の開口を有し、
前記第2の容器は第2の開口を有し、
前記第1の蒸着材料と前記第2の蒸着材料は、混合しながら被蒸着物に蒸着され、
前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料の各蒸発中心が前記被蒸着物の一点に合うように、前記第1の開口及び前記第2の開口の各開口方向は調節されていることを特徴とする蒸着装置。 - 請求項2において、前記第1の開口及び前記第2の開口の前記各開口方向によって、前記第1の開口及び前記第2の開口から、前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料の飛び出す角度が調節されることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、前記第1の容器及び前記第2の容器は、それぞれ上部パーツと下部パーツで構成され、前記第1の容器の前記上部パーツに前記第1の開口が設けられ、前記第2の容器の前記上部パーツに前記第2の開口が設けられていることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項4において、前記上部パーツと前記下部パーツは異なる加熱手段により加熱されることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか1項において、前記被蒸着物と前記蒸着源との間隔は20cm以下であることを特徴とする蒸着装置。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか1項において、前記被蒸着物は固定されることを特徴とする蒸着装置。
- 蒸着源に、第1の開口を有する第1の蒸着材料が収納された第1の容器と、第2の開口を有する第2の蒸着材料が収納された第2の容器を設置し、
前記第1の容器と前記第2の容器を加熱し、
前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料を混合させながら、被蒸着物に前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料を共蒸着し、
前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料の各蒸発中心が前記被蒸着物の一点に合うように、前記第1の開口及び前記第2の開口は調節されていることを特徴とする蒸着方法。 - 蒸着源に、第1の開口を有する第1の蒸着材料が収納された第1の容器と、第2の開口を有する前記第2の蒸着材料が収納された第2の容器を設置し、
前記第1の容器と前記第2の容器を加熱し、
前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料を混合させながら、被蒸着物に前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料を共蒸着し、
前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料の各蒸発中心が前記被蒸着物の一点に合うように、前記第1の開口及び前記第2の開口の各開口方向は調節されていることを特徴とする蒸着方法。 - 請求項9において、前記第1の開口及び前記第2の開口の前記各開口方向によって、前記第1の開口及び前記第2の開口から、前記第1の蒸着材料及び前記第2の蒸着材料の飛び出す角度が調節されることを特徴とする蒸着方法。
- 請求項8乃至請求項10のいずれか1項において、前記第1の容器及び前記第2の容器は、それぞれ上部パーツと下部パーツで構成され、前記第1の容器の前記上部パーツに前記第1の開口が設けられ、前記第2の容器の前記上部パーツに前記第2の開口が設けられていることを特徴とする蒸着方法。
- 請求項11において、前記上部パーツと前記下部パーツは異なる加熱手段により加熱されることを特徴とする蒸着方法。
- 請求項8乃至請求項12のいずれか1項において、前記被蒸着物と前記蒸着源との間隔は20cm以下であることを特徴とする蒸着方法。
- 請求項8乃至請求項13のいずれか1項において、共蒸着している間は前記被蒸着物は固定されていることを特徴とする蒸着方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012127982A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、有機発光素子の製造方法、及び有機発光素子 |
JP2015019114A (ja) * | 2014-10-28 | 2015-01-29 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、表示装置及び照明装置 |
JP2019192899A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 真空システム、基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 |
CN115094383A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-09-23 | 江阴纳力新材料科技有限公司 | 一种基于蒸镀的复合正极集流体制备装置及方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51122158U (ja) * | 1975-03-29 | 1976-10-04 | ||
JPS54150332A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ultra fine granules evaporator |
JPS57100998A (en) * | 1980-09-16 | 1982-06-23 | Varian Associates | Device for forming highly uniform epitaxial film |
JPS57131362A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Vacuum plating method and metal evaporating device |
JPS58207369A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-02 | Matsushita Electronics Corp | 真空蒸着装置 |
JPS6015698B2 (ja) * | 1981-09-30 | 1985-04-20 | 日本真空技術株式会社 | ノズル付蒸発器 |
JPS60161394A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶薄膜を形成するための分子線エピタキシヤル成長装置 |
JPS63277752A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置 |
JPH0297663A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-10 | Kobe Steel Ltd | Zn−Mg系蒸着めっき鋼板の製造方法 |
JPH0290662U (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-18 | ||
JPH10242054A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Yamaha Corp | 成膜装置 |
-
2010
- 2010-01-14 JP JP2010005752A patent/JP2010121215A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51122158U (ja) * | 1975-03-29 | 1976-10-04 | ||
JPS54150332A (en) * | 1978-05-18 | 1979-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ultra fine granules evaporator |
JPS57100998A (en) * | 1980-09-16 | 1982-06-23 | Varian Associates | Device for forming highly uniform epitaxial film |
JPS57131362A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Vacuum plating method and metal evaporating device |
JPS6015698B2 (ja) * | 1981-09-30 | 1985-04-20 | 日本真空技術株式会社 | ノズル付蒸発器 |
JPS58207369A (ja) * | 1982-05-26 | 1983-12-02 | Matsushita Electronics Corp | 真空蒸着装置 |
JPS60161394A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶薄膜を形成するための分子線エピタキシヤル成長装置 |
JPS63277752A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置 |
JPH0297663A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-10 | Kobe Steel Ltd | Zn−Mg系蒸着めっき鋼板の製造方法 |
JPH0290662U (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-18 | ||
JPH10242054A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Yamaha Corp | 成膜装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012127982A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法、有機発光素子の製造方法、及び有機発光素子 |
CN103429783A (zh) * | 2011-03-18 | 2013-12-04 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置、成膜方法、有机发光元件的制造方法和有机发光元件 |
JP2015019114A (ja) * | 2014-10-28 | 2015-01-29 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、表示装置及び照明装置 |
JP2019192899A (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 真空システム、基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法 |
CN115094383A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-09-23 | 江阴纳力新材料科技有限公司 | 一种基于蒸镀的复合正极集流体制备装置及方法 |
CN115094383B (zh) * | 2022-07-01 | 2023-06-30 | 江阴纳力新材料科技有限公司 | 一种基于蒸镀的复合正极集流体制备装置及方法 |
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