JP2011506758A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 原子層堆積法によって基板上に有機薄膜を形成する方法であって、実質的に平行な細長チャネルに沿って一連のガス流を同時に方向付けする工程を含み、該一連のガス流は、順番に、少なくとも第１反応ガス材料と、不活性パージガスと、第２反応ガス材料とを含み、任意選択的に複数回繰り返される、この際、該第１反応ガス材料は、該第２反応ガス材料で処理された基板表面と反応することができ、そして該第２反応ガス材料は、該第１反応ガス材料で処理された表面と反応して、薄膜を形成することができ、該第１反応ガス材料、該第２反応ガス材料、又はその両方は、揮発性有機化合物であり、
   該方法は、実質的に大気圧で、又は大気圧を上回る圧力で実施され、堆積中の該基板の温度は２５０℃未満であり、そして該堆積された有機薄膜は少なくとも２０原子量パーセントの炭素を含む、
   原子層堆積法によって基板上に有機薄膜を形成する方法。
2. 該第１反応ガス材料が金属原子又は半金属原子を含む、請求項１に記載の方法。
3. 該第１反応ガス材料が、炭素、窒素、酸素、又は水素に結合された金属原子又は半金属原子を含む、請求項２に記載の方法。
4. 該金属原子又は半金属原子は、アルミニウム、亜鉛、チタン、及びケイ素から成る群から選択される、請求項２に記載の方法。
5. 該金属原子又は半金属原子が、β−ジケトネート化合物と関連づけられている、請求項２に記載の方法。
6. 該第２反応ガス材料該、ヒドロキシル基、チオール基、及びアミン基から成る群から選択された１つ又は２つ以上の官能基を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
7. 該第２反応ガス材料が、ジオール、ジチオール、ジアミン、及びキノリネートから成る群から選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
8. 該有機薄膜が、無機−有機ハイブリッド薄膜である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
9. 該一連のガス流が、平面図において該基板に向いている、実質的に並行であり、該基板に近接して該基板上に配置され、堆積装置の出力面内にある、一連の開いた細長い出力開口を含む該堆積装置によって提供され、該出力面は、堆積を受ける基板表面から１ｍｍ内の間隔が開いており、任意選択的に、該第１反応ガス材料及び該第２反応ガス材料のための細長い出力開口の間に、排気チャネルがない、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 該方法が、
    （ａ） それぞれ少なくとも第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料のための少なくとも第１源、第２源、及び第３源を含む、それぞれ複数のガス材料のための複数の源；
    （ｂ）（ｉ）該第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料をそれぞれ受容するための少なくとも第１、第２、及び第３流入ポートを含む複数の流入ポート；並びに
    （ｉｉ）該基板から所定の距離だけ離され、該第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料のそれぞれのための実質的に平行な複数の細長出力開口を含む堆積出力面
    を含む、該複数のガス材料を、薄膜堆積を受ける基板に供給するための少なくとも１つの供給ヘッドを含み、供給ヘッドが、該出力面内の該細長出力開口から該第１ガス材料、第２ガス材料、及び第３ガス材料を同時に供給するように構成されている、
    堆積システム内で実施される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. 薄膜堆積のために該供給ヘッドから基板表面へのガス材料のうちの１種又は２種以上の流れによって、薄膜堆積中に該供給ヘッドの出力面と該基板表面との間の分離を維持する力の少なくとも一部が生成され、そして該堆積装置が、少なくとも該第１反応ガス材料及び該第２反応ガス材料のための実質的に平行な細長い出力開口の間に排気チャネルをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
12. 該基板又は該基板のための支持体が、可動ウェブを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
13. 該方法が、周囲雰囲気に対して密閉されていない関係にある、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 該方法が、少なくとも２つの導電性電極間に配置された絶縁層を含有する電子デバイスの前記絶縁層を形成するために用いられる、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
15. 該方法が、電子デバイスをその周囲雰囲気から保護するバリア層を形成するために用いられる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。