JP2010541159A5 - - Google Patents

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  1. 封止するOLEDデバイスの表面に薄膜材料を原子層堆積させてそのOLEDデバイスを薄膜封止パッケージするため、一連のガス流を実質的に平行な細長い出口開口部に沿った方向に同時に向ける操作を含む方法であって、上記一連のガス流が、順番に、少なくとも1つの第1の反応性ガス材料と、不活性なパージ・ガスと、第2の反応性ガス材料を、場合によっては繰り返して含んでおり、上記第1の反応性ガス材料は、上記第2の反応性ガス材料で処理した基板と反応して封止薄膜を形成することができ、上記第1の反応性ガス材料は、揮発性の有機金属前駆体化合物であり、この方法は、実質的に大気圧で、または大気圧よりも大きな圧力で実施され、堆積中の上記基板の温度は250℃未満である方法。
  2. OLEDデバイスを形成するため、
    (a)第1の電極と、その上に形成されて少なくとも1つは発光層になる1つ以上の有機層を有する基板を設け;
    (b)上記1つ以上の有機層の面のうちで上記第1の電極とは反対側に透明な導電性酸化物を含む第2の電極を形成し;
    (c)請求項1の薄膜封止パッケージを形成する操作を含む方法。
  3. 堆積システムにおいて原子層堆積を実施するにあたって、この堆積システムが、順番に、
    (A)入口区画と;
    (B)被覆区画と;
    (C)出口区画と;
    (D)基板を移動させて上記被覆区画を一方向に通過させる手段と;
    (E)薄膜を堆積させている間は供給ヘッドの堆積用放出面と上記基板の表面の間の距離を実質的に一定に維持する手段とを備えていて、
    上記被覆区画は、
    (i)上記第1の反応性ガス材料と、上記第2の反応性ガス材料と、上記不活性なパージ・ガスのそれぞれを少なくとも含む複数のガス材料それぞれのための複数の供給源と;
    (ii)薄膜堆積を受け入れる上記基板に上記複数のガス材料を供給するための少なくとも1つの供給ヘッドを備えていて、その供給ヘッドは、
    (a)上記第1の反応性ガス材料と、上記第2の反応性ガス材料と、上記不活性なパージ・ガスをそれぞれ受け入れる第1、第2、第3の導入ポートを少なくとも含む複数の導入ポートと;
    (b)基板から所定の距離離れていて、上記第1の反応性ガス材料と、上記第2の反応性ガス材料と、上記不活性なパージ・ガスそれぞれのための実質的に互いに平行な複数の細長い出口開口部を含む堆積用放出面を備えていて、上記供給ヘッドは、上記第1の反応性ガス材料と、上記第2の反応性ガス材料と、上記不活性なパージ・ガスを上記堆積用放出面の細長い出口開口部から同時に供給する設計にされており;
    上記被覆区画の供給ヘッドは、上記ガス材料の1つ以上の流れを上記基板の表面に供給して薄膜を堆積させる設計にされていて、その流れは、その供給ヘッドの堆積用放出面を上記基板の表面から隔てる力の少なくとも一部も提供しており、場合によっては、上記入口区画および/または上記出口区画は、それぞれ、この堆積システムの少なくとも一部を通過する間に上記基板の表面に非反応性ガス流を供給する設計にされた複数の非堆積用出口開口部を有する非堆積用放出面を備える、請求項1に記載の方法。
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