KR20190081002A - 증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치는 기판의 증착 대상면에 제1공정가스를 분출하는 제1공정가스공급부와, 제1공정가스와 다른 제2공정가스를 분출하는 제2공정가스공급부 및, 제1공정가스가 분출되는 영역과 제2공정가스가 분출되는 영역 사이를 불활성가스로 차단해주는 에어커튼부를 구비한 가스공급부를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 공정가스를 대상체 표면에 공급하여 박막을 증착하는 증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법에 관한 것이다.
예컨대 유기 발광 표시 장치의 박막 형성과 같은 박막 제조 공정에는 증착챔버 내에서 공정가스를 대상체 표면에 공급하여 박막을 형성하는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정이 많이 이용된다. 즉, 기판에 마스크를 대고 그 위에 공정가스를 공급함으로써, 마스크의 개구 패턴을 따라 기판 상에 화학 반응에 의한 박막이 증착되게 하는 것이다. 이외에도 공정가스를 공급하면서 높은 전압을 인가하여 플라즈마 상태로 증착이 진행되게 하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD) 공정이나, 원자층 수준의 극히 얇은 두께로 증착이 이루어지게 하는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 공정 등도 널리 사용되고 있다.
그런데, 이와 같은 다양한 증착 공정을 진행할 때, 보통 한 가지의 박막만 형성하는 경우는 드물고, 대개는 여러 층의 박막이 다층으로 적층되게 형성하는 경우가 대부분이다. 따라서, 이를 위해 기존에는 여러 개의 챔버를 준비해놓고 한 챔버에서 기판 위에 한 박막층을 증착한 후 다음 챔버로 기판을 옮겨서 다음 박막층을 형성하거나, 또는 한 챔버에서 한 박막층을 증착한 후 공정가스를 모두 배기시켰다가 다음 공정가스를 그 챔버에 투입하여 다음 박막층을 형성하는 식으로 증착을 진행했다. 그러나, 이런 식으로 증착을 진행하게 되면, 기판을 여러 챔버로 옮기면서 작업하든, 한 챔버에서 공정가스를 교체해가면 작업하든, 중간의 작업 대기 시간이 너무 많아지게 되어 생산성이 크게 저하되는 단점이 있고, 또한 잦은 기판 운반으로 작업 중 파손의 위험도 커지는 문제가 있다.
본 발명의 실시예들은 한 챔버 내에서 한 공정으로 이종의 증착막을 형성할 수 있도록 개선된 증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 증착챔버와, 상기 증착챔버 내에서 기판을 지지하는 서셉터와, 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 가스공급부를 포함하며, 상기 가스공급부는 상기 기판의 증착 대상면에 제1공정가스를 분출하는 제1공정가스공급부와, 상기 기판의 증착 대상면에 상기 제1공정가스와 다른 제2공정가스를 분출하는 제2공정가스공급부 및, 상기 제1공정가스가 분출되는 영역과 상기 제2공정가스가 분출되는 영역 사이를 불활성가스로 차단해주는 에어커튼부를 포함하는 증착 장치를 제공한다.
상기 가스공급부에 상기 제1공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제1공정가스공급부 사이에 제1공정가스의 순환경로를 형성하기 위한 제1배기부와, 상기 제2공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제2공정가스공급부 사이에 제2공정가스의 순환경로를 형성하기 위한 제2배기부가 더 구비될 수 있다.
상기 가스공급부와 상기 기판의 증착 대상면 사이의 간격은 1.5~4mm 범위일 수 있다.
상기 서셉터는 상기 증착챔버 내에서 상기 가스공급부를 중심으로 왕복 이동 가능할 수 있다.
상기 증착챔버에는, 상기 서셉터가 상기 가스공급부를 중심으로 일측과 타측으로 이동할 때 상기 기판의 증착 대상면이 상기 제1공정가스공급부와 상기 제2공정가스공급부 영역 전체를 다 지나갈 수 있는 여유 공간이 구비될 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 질화막을 형성하는 혼합가스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 산화막을 형성하는 혼합가스를 포함할 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판에 무기막을 형성하는 혼합가스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 기판에 유기막을 형성하는 혼합가스를 포함할 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판에 흡착될 원자층 반응소스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 흡착된 반응소스와 성막 반응하는 원자층 반응가스를 포함할 수 있다.
상기 불활성가스가 상기 성막 반응으로 형성된 원자층 위에 중첩되며 흡착된 여분의 반응소스를 제거하는 퍼징의 역할을 겸할 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판에 성막될 소스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 제1공정가스에 의해 성막된 박막을 개질하기 위한 표면트리트먼트가스를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예는, 증착챔버 내에 기판의 증착 대상면에 제1공정가스를 분출하는 제1공정가스공급부와, 상기 기판의 증착 대상면에 상기 제1공정가스와 다른 제2공정가스를 분출하는 제2공정가스공급부 및, 상기 제1공정가스가 분출되는 영역과 상기 제2공정가스가 분출되는 영역 사이를 불활성가스로 차단해주는 에어커튼부를 구비한 가스공급부를 준비하는 단계; 상기 기판을 향해 상기 제1공정가스와 제2공정가스를 분출하여 상기 증착 대상면에 상기 제1공정가스에 의한 박막층과 상기 제2공정가스에 의한 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 증착 방법을 제공한다.
상기 가스공급부에 구비된 제1배기부로 상기 제1공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제1공정가스공급부 사이에 제1공정가스의 순환경로를 형성하는 단계와, 상기 가스공급부에 구비된 제2배기부로 상기 제2공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제2공정가스공급부 사이에 제2공정가스의 순환경로를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가스공급부와 상기 기판의 증착 대상면 사이의 간격을 1.5~4mm 범위로 유지할 수 있다.
상기 제1공정가스와 제2공정가스가 분출되는 동안, 상기 기판을 상기 가스공급부를 중심으로 왕복 이동시킬 수 있다.
상기 기판이 상기 가스공급부를 중심으로 일측과 타측으로 이동할 때 상기 기판의 증착 대상면이 상기 제1공정가스공급부와 상기 제2공정가스공급부 영역 전체를 다 지나가게 할 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 질화막을 형성하는 혼합가스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 산화막을 형성하는 혼합가스를 포함할 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판에 무기막을 형성하는 혼합가스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 기판에 유기막을 형성하는 혼합가스를 포함할 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판에 흡착될 원자층 반응소스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 흡착된 반응소스와 성막 반응하는 원자층 반응가스를 포함할 수 있다.
상기 불활성가스가 상기 성막 반응으로 형성된 원자층 위에 중첩되며 흡착된 여분의 반응소스를 제거하는 퍼징의 역할을 겸할 수 있다.
상기 제1공정가스는 상기 기판에 성막될 소스를 포함하고, 상기 제2공정가스는 상기 제1공정가스에 의해 성막된 박막을 개질하기 위한 표면트리트먼트가스를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법은 기판을 챔버 안팎으로 여러 번 투입하고 빼내는 번거로운 과정없이, 한 챔버 내에서 이종의 박막을 한 공정을 통해 증착할 수 있게 해주므로, 이를 사용하면 생산속도가 대폭 향상될 수 있으며, 또한 그만큼 기판이 여기저기로 옮겨 다닐 필요가 없어져서 파손의 위험도 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 증착 장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 증착 장치에서 가스공급부의 내부 구조를 보인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1에 도시된 증착 장치를 이용한 증착 과정을 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 증착 장치로 제조할 수 있는 대상체의 예로서 유기 발광 표시장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 증착 장치에서 가스공급부의 내부 구조를 보인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1에 도시된 증착 장치를 이용한 증착 과정을 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 증착 장치로 제조할 수 있는 대상체의 예로서 유기 발광 표시장치의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 구조를 개략적으로 도시한 것이고, 도 2는 도 1에 도시된 증착 장치에서 가스공급부(100)의 내부 구조를 자세히 도시한 것이다.
도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 증착 장치는, 증착챔버(400) 내에서 기판(10)을 지지하는 서셉터(200)와, 상기 기판(10)에 원하는 증착막이 형성되도록 증착 영역을 규제해주는 개구가 형성된 마스크(300) 및, 상기 기판(10) 상에 공정가스를 공급하는 가스공급부(100) 등을 구비하고 있다. 따라서, 가스공급부(100)에서 공정가스를 분출하면 상기 마스크(300)에 의해 오픈된 기판(10)의 증착 대상면에 그 공정가스에 의한 박막층이 형성되는 것이다. 참조부호 500은 RF(radio frequency) 전원을 나타내며, 이 RF 전원(500)이 꺼진 상태로 공정가스를 투입하면서 증착을 진행하면 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정이 되고, RF 전원(500)에서 가스공급부(100)에 고전압을 인가하여 기판(10)과의 사이에 플라즈마가 형성된 상태로 증착을 진행하면 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD) 공정이 된다. 즉, 본 실시예의 증착 장치는 증착 공정의 종류에 상관없이 적용될 수 있는 것이며, 예컨대 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 공정에도 적용이 가능하다. 이러한 다양한 증착 공정으로의 적용에 대해서는 뒤에서 다시 언급하기로 한다.
한편, 상기 가스공급부(100)는 제1공정가스(110a)를 분출하는 제1공정가스공급부(110)와, 제2공정가스(120a)를 분출하는 제2공정가스공급부(120) 및, 제1,2공정가스(110a)(120a)가 각각 주변으로 흩어져 섞이지 않게 아르곤(Ar)과 같은 불활성가스(130a)를 불어서 막아주는 에어커튼부(130)를 구비하고 있다. 즉, 기판(10)을 향해 하나의 공정가스만 공급하는 것이 아니라, 서로 다른 제1공정가스(110a)와 제2공정가스(120a)를 동시에 공급하여 이종의 박막층을 한 공정에서 형성할 수 있게 해주는 것이며, 이때 두 공정가스(110a)(120a)가 섞이지 않도록 에어커튼부(130)로 차단벽을 만들어주는 것이다.
그리고, 상기 서셉터(200)는 기판(10)을 탑재하고 상기 증착챔버(400) 내에서 상기 가스공급부(100)를 중심으로 왕복 이동이 가능하며, 증착챔버(400)는 서셉터(200)가 일측과 타측으로 이동할 때 기판(10)의 증착 대상면 전체가 제1,2공정가스(110a)(120a)가 분출되는 영역을 다 지나갈 수 있을 만큼의 여유 공간을 좌우측에 확보하고 있다.
여기서, 상기 가스공급부(100)와 기판(10)의 증착 대상면 사이의 간격(d)은 1.5~4mm 정도로 좁게 유지하는 것이 좋은데, 그것은 제1,2공정가스(110a)(120a)가 분출과 배기의 순환경로를 형성하여 주변으로 흩어지지 않게 하는데 유리하기 때문이다.
이와 관련해서 도 2를 참조하여 상기 가스공급부(100)의 구조를 좀 더 자세히 살펴보기로 한다.
전술한 바대로 가스공급부(100)에는 제1공정가스(110a)를 분출하는 제1노즐(111)을 구비한 제1공정가스공급부(110)와, 제2공정가스(120a)를 분출하는 제2노즐(121)을 구비한 제2공정가스공급부(120)가 구비되어 있으며, 상기 제1,2공정가스(110a)(120a)가 분출되는 영역 주변은 에어커튼부(130)에서 아르곤(Ar)과 같은 불활성가스(130a)를 불어서 서로 섞이지 않게 차단해주고 있다.
그리고 상기 제1노즐(111)과 제2노즐(121)의 바로 옆에는 분출된 제1,2공정가스(110a)(120a)를 흡입해서 배출하는 제1배기부(112)와 제2배기부(122)가 각각 마련되어 있다. 따라서, 기판(10)과 제1공정가스공급부(110) 사이 및, 기판(10)과 제2공정가스공급부(120) 사이에서는 제1공정가스(110a)와 제2공정가스(120a)의 분출과 배기의 순환경로가 형성되며, 이것이 안정적으로 유지되려면 전술한 바대로 간격(d)을 1.5~4mm 정도로 좁게 유지하는 것이 좋다. 에어커튼부(130)가 어느 정도 제1,2공정가스(110a)(120a)의 흩어짐을 막아주기는 하지만, 이렇게 분출과 배기의 순환경로가 형성돼야 상호간의 혼입을 더 안정적으로 방지할 수 있다.
한편, 이와 같은 구조의 증착 장치를 이용한 다양한 증착 방법을 설명하기 전에, 먼저 이 증착 장치로 박막층을 형성할 수 있는 대상체의 예로서 유기 발광 표시 장치를 도 4를 참조하여 간략히 설명하기로 한다.
도 4는 상기한 증착 장치로 형성할 수 있는 박막봉지층(12)을 구비한 유기 발광 표시 장치를 도시한 것이다.
먼저, 도 4을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(10) 위에 화상을 구현하는 디스플레이부(11)가 마련되어 있고, 그 위를 박막봉지층(12)이 덮는 구조를 가지고 있다. 따라서, 디스플레이부(11)는 기판(10)과 박막봉지층(12) 사이에서 밀봉되며, 이 박막봉지층(12)가 디스플레이부(11)를 외부의 수분과 공기로부터 보호하게 된다.
상기 박막봉지층(12)은 복수의 무기막이 적층된 구조일 수도 있고, 무기막과 유기막이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 무기막은 주로 투습 방지 기능을 맡고, 유기막은 그 유동성으로 하부층의 굴곡을 평탄화시키면서 동시에 박막봉지층(12)에 유연성을 부여하는 기능을 맡게 된다.
따라서, 예컨대 이종의 무기막을 적층하여 박막봉지층(12)을 형성하거나, 또는 무기막과 유기막을 적층해서 박막봉지층(12)을 형성하거나 할 때 상기한 증착 장치를 사용할 수 있다.
이제, 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 상기 증착 장치를 이용한 증착 과정을 설명하기로 한다.
우선, 도 3a와 같이 증착챔버(400) 안의 서셉터(200) 위에 기판(10)과 마스크(300)를 설치한 다음, 서셉터(200)를 일측으로 이동시켜서 기판(10)의 증착 대상면 전체가 제1공정가스(110a)가 분출되는 영역과 제2공정가스(120a)가 분출되는 영역을 차례로 지나가게 한다.
그러면, 도 3b에 도시된 바와 같이 기판(10) 위에 제1공정가스(110a)에 의한 제1박막층(12a)과 제2공정가스(120a)에 의한 제2박막층(12b)이 차례로 증착되어 형성된다. 예를 들어, 제1공정가스(110a)가 SiH4 + NH3 + N2의 혼합가스이고, 제2공정가스(120a)가 SiH4 + N2O의 혼합가스라면, 제1박막층(12a)은 SiNx의 질화막이 되고 제2박막층(12b)은 SiOx의 산화막이 된다. 즉, 박막봉지층(12)을 예로 들면 이종의 무기막을 적층해서 박막봉지층(12)을 구성하는 것이며, 이것을 여러 증착챔버(400)에서 질화막과 산화막으로 나눠서 증착하거나, 또는 한 증착챔버(400)에서 공정가스를 교체해가면서 하는 것이 아니라, 한 증착챔버(400)내의 한 공정에서 동시에 진행하는 것이다.
그리고, 제1박막층(12a)과 제2박막층(12b)을 한 층씩만 형성하는 것이 아니라 각각 복수층으로 형성할 때에는 도 3c 및 도 3d에 도시된 바와 같이 서셉터(200)를 좌우로 다시 왕복 이동시키면서 증착을 반복한다. 그러면, 제1박막층(12a)-제2박막층(12b)-제2박막층(12b)-제1박막층(12a)-제1박막층(12a)-제2박막층(12b)의 순서로 박막층이 적층되면서 다층 구조를 만들게 된다.
그러므로, 이와 같은 방식을 통해 서로 다른 이종의 공정가스(110a)(120a)를 한 증착챔버(400) 내의 한 공정에 공급하며 복수의 박막층을 효율적으로 신속하게 형성할 수 있게 된다.
한편, 전술한 실시예에서는 제1박막층(12a)과 제2박막층(12b)을 이종의 무기막으로 형성하는 경우를 예시하였는데, 무기막과 유기막을 형성하는데 사용할 수도 있다. 즉, 제1공정가스(110a)가 SiNx나 SiOx와 같은 무기막을 형성하기 위한 혼합가스이고, 제2공정가스(120a)가 유기막을 형성하기 위한 HMDSO(Hexamethyldisiloxane)과 N2O의 혼합가스라면, 제1박막층(12a)은 질화막 또는 산화막의 무기막이 되고 제2박막층(12b)은 유기막이 된다. 즉, 박막봉지층(12)을 예로 들면 무기막과 유기막이 교대로 적층된 박막봉지층(12)을 구성하는 것이며, 이것을 여러 증착챔버(400)에서 무기막과 유기막으로 나눠서 증착하거나, 또는 한 증착챔버(400)에서 공정가스를 교체해가면서 하는 것이 아니라, 한 증착챔버(400)내의 한 공정에서 동시에 진행할 수 있는 것이다.
또한, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 공정에도 활용할 수 있다. 즉, 제1공정가스(110a)가 기판(10)에 흡착하는 원자층 반응소스이고, 제2공정가스(120a)가 그 흡착된 원자층 반응소스와 성막 반응하는 원자층 반응가스라면, 반응소스와 반응가스의 동시 공급에 의해 원자층이 형성된다. 그리고, 이때 성막 반응으로 형성된 원자층 위에 여분의 반응소스가 중첩되며 흡착될 수 있는데, 상기 불활성가스(130a)는 이 중첩 흡착된 여분의 반응소스를 불어서 날리는 퍼징의 역할도 하게 된다.
또 다른 응용으로는, 표면 개질에 활용할 수도 있다. 즉, 상기 제1공정가스(110a)는 기판(10)에 성막될 소스이고, 제2공정가스(120a)는 제1공정가스(110a)에 의해 형성된 박막을 개질하기 위한 H2, Ar, O2, N2 등의 표면트리트먼트가스를 포함하는 것이다. 그러면, 제1공정가스(110a)에 의해 기판(10) 상에 특정 박막층이 형성되고, 제2공정가스(120a)는 그 박막층에 미반응 상태로 흡착만 되어 있는 물질을 추가로 반응시키거나 아예 깨끗이 날려버리는 역할을 한다.
이와 같이 상기한 증착 장치는 이종의 공정가스를 동시에 공급하면서 다양한 증착 공정을 효율적으로 신속하게 수행할 수 있게 해준다.
그러므로, 이상에서 설명한 바와 같은 증착 장치 및 그것을 이용한 증착 방법을 이용하면, 기판을 챔버 안팎으로 여러 번 투입하고 빼내는 번거로운 과정없이 한 챔버 내에서 이종의 박막을 한 공정을 통해 증착할 수 있게 되므로, 생산속도가 대폭 향상될 수 있고, 기판이 여기저기로 옮겨 다닐 필요가 없어져서 파손의 위험도 줄일 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 가스공급부
110: 제1공정가스공급부
120: 제2공정가스공급부 130: 에어커튼부
200: 서셉터 300: 마스크
400: 증착챔버 500: RF 전원
120: 제2공정가스공급부 130: 에어커튼부
200: 서셉터 300: 마스크
400: 증착챔버 500: RF 전원
Claims (20)
- 증착챔버와, 상기 증착챔버 내에서 기판을 지지하는 서셉터와, 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 가스공급부를 포함하며,
상기 가스공급부는 상기 기판의 증착 대상면에 제1공정가스를 분출하는 제1공정가스공급부와, 상기 기판의 증착 대상면에 상기 제1공정가스와 다른 제2공정가스를 분출하는 제2공정가스공급부 및, 상기 제1공정가스가 분출되는 영역과 상기 제2공정가스가 분출되는 영역 사이를 불활성가스로 차단해주는 에어커튼부를 포함하는 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 가스공급부에 상기 제1공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제1공정가스공급부 사이에 제1공정가스의 순환경로를 형성하기 위한 제1배기부와, 상기 제2공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제2공정가스공급부 사이에 제2공정가스의 순환경로를 형성하기 위한 제2배기부가 더 구비된 증착 장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 가스공급부와 상기 기판의 증착 대상면 사이의 간격은 1.5~4mm 범위인 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 서셉터는 상기 증착챔버 내에서 상기 가스공급부를 중심으로 왕복 이동 가능한 증착 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 증착챔버에는, 상기 서셉터가 상기 가스공급부를 중심으로 일측과 타측으로 이동할 때 상기 기판의 증착 대상면이 상기 제1공정가스공급부와 상기 제2공정가스공급부 영역 전체를 다 지나갈 수 있는 여유 공간이 구비된 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 질화막을 형성하는 혼합가스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 산화막을 형성하는 혼합가스를 포함하는 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판에 무기막을 형성하는 혼합가스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 기판에 유기막을 형성하는 혼합가스를 포함하는 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판에 흡착될 원자층 반응소스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 흡착된 반응소스와 성막 반응하는 원자층 반응가스를 포함하는 증착 장치.
- 제 8 항에 있어서,
상기 불활성가스가 상기 성막 반응으로 형성된 원자층 위에 중첩되며 흡착된 여분의 반응소스를 제거하는 퍼징의 역할을 겸하는 증착 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판에 성막될 소스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 제1공정가스에 의해 성막된 박막을 개질하기 위한 표면트리트먼트가스를 포함하는 증착 장치.
- 증착챔버 내에 기판의 증착 대상면에 제1공정가스를 분출하는 제1공정가스공급부와, 상기 기판의 증착 대상면에 상기 제1공정가스와 다른 제2공정가스를 분출하는 제2공정가스공급부 및, 상기 제1공정가스가 분출되는 영역과 상기 제2공정가스가 분출되는 영역 사이를 불활성가스로 차단해주는 에어커튼부를 구비한 가스공급부를 준비하는 단계;
상기 기판을 향해 상기 제1공정가스와 제2공정가스를 분출하여 상기 증착 대상면에 상기 제1공정가스에 의한 박막층과 상기 제2공정가스에 의한 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 가스공급부에 구비된 제1배기부로 상기 제1공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제1공정가스공급부 사이에 제1공정가스의 순환경로를 형성하는 단계와,
상기 가스공급부에 구비된 제2배기부로 상기 제2공정가스를 회수하여 상기 기판의 증착 대상면과 상기 제2공정가스공급부 사이에 제2공정가스의 순환경로를 형성하는 단계를 더 포함하는 증착 방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 가스공급부와 상기 기판의 증착 대상면 사이의 간격을 1.5~4mm 범위로 유지하는 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제1공정가스와 제2공정가스가 분출되는 동안, 상기 기판을 상기 가스공급부를 중심으로 왕복 이동시키는 증착 방법.
- 제 14 항에 있어서,
상기 기판이 상기 가스공급부를 중심으로 일측과 타측으로 이동할 때 상기 기판의 증착 대상면이 상기 제1공정가스공급부와 상기 제2공정가스공급부 영역 전체를 다 지나가게 하는 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 질화막을 형성하는 혼합가스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 기판의 증착 대상면에 산화막을 형성하는 혼합가스를 포함하는 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판에 무기막을 형성하는 혼합가스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 기판에 유기막을 형성하는 혼합가스를 포함하는 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판에 흡착될 원자층 반응소스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 흡착된 반응소스와 성막 반응하는 원자층 반응가스를 포함하는 증착 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 불활성가스가 상기 성막 반응으로 형성된 원자층 위에 중첩되며 흡착된 여분의 반응소스를 제거하는 퍼징의 역할을 겸하는 증착 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 제1공정가스는 상기 기판에 성막될 소스를 포함하고,
상기 제2공정가스는 상기 제1공정가스에 의해 성막된 박막을 개질하기 위한 표면트리트먼트가스를 포함하는 증착 방법.
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