JP6741594B2 - キャリアによって支持された基板上に一又は複数の層を堆積させるためのシステム、及び当該システムを使用する方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、有機材料の堆積、例えば、有機材料などの、材料を堆積させるためのシステム、有機材料源及び有機材料の堆積装置に関する。本発明の実施形態は、特に、デバイス、特に有機材料をその内部に含むデバイスを製造するための製造システム、一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステム、デバイス、特に有機材料を含むデバイスを製造するための製造システムにおいてデバイスを製造する方法、及び一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステムにおいて、一又は複数の層を堆積させる方法に関する。

有機蒸発器は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の生産用ツールである。ＯＬＥＤは、内部で発光層がある有機化合物の薄膜を含む、特別な種類の発光ダイオードである。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の手持ちデバイスなどの製造時に使用される。ＯＬＥＤはまた、一般的な空間照明にも使用することができる。ＯＬＥＤディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は、ＯＬＥＤピクセルが直接発光し、バックライトを必要としないので、従来のＬＣＤディスプレイの範囲よりも大きい。したがって、ＯＬＥＤディスプレイのエネルギー消費は、従来のＬＣＤディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。更に、ＯＬＥＤは、フレキシブル基板上に製造することができるという事実により、更なる用途がもたらされる。例えば、ＯＬＥＤディスプレイは、個々にエネルギー供給可能なピクセルを有するマトリクスディスプレイパネルを形成するように、基板上にすべてが堆積された２つの電極の間に位置する有機材料の層を含み得る。ＯＬＥＤは、一般的に２つのガラスパネルの間に置かれ、ガラスパネルのエッジは、ＯＬＥＤを内部にカプセル化するために密閉される。

そのようなディスプレイデバイスの製造時に遭遇する多くの課題がある。１つの例では、デバイスの起こり得る汚染を防止するために、２つのガラスパネルの間でＯＬＥＤをカプセル化するのに必要な多くの大きな労力を要するステップがある。別の例では、ディスプレイスクリーンの異なるサイズ、更にガラスパネルの異なるサイズによって、ディスプレイデバイスを形成するために使用されるプロセス及びプロセスハードウェアの実質的な再構築が必要となり得る。一般的に、ＯＬＥＤデバイスは、大面積基板で製造されることが望ましい。

様々な課題をもたらす大規模なＯＬＥＤディスプレイの製造における１つのステップは、例えば、パターン形成された層の堆積のための、基板のマスキングである。更に、既知のシステムでは、典型的には、わずかな全体的材料利用率は、例えば、５０％未満などである。

したがって、ＯＬＥＤディスプレイデバイスなどのデバイスを形成するための新たな改良されたシステム、装置及び方法が継続的に必要となる。

上記を考慮すると、一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるための改良されたシステム、及び一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステムにおいて一又は複数の層を堆積させる改良された方法が、提供される。本発明の実施形態の更なる態様、利点及び特徴が、従属請求項、明細書及び添付図面から明らかになる。

一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステムが提供される。システムは、処理される基板をロードするためのロードロックチャンバと；基板を搬送するための移送チャンバと；ロードロックチャンバと移送チャンバとの間に提供された真空スイングモジュールと；少なくとも１つの堆積装置の真空チャンバの中に材料を堆積させるための少なくとも１つの堆積装置であって、移送チャンバに連結されている少なくとも１つの堆積装置と；処理された基板を取り出すための更なるロードロックチャンバと；基板を搬送するための更なる移送チャンバと；更なるロードロックチャンバと更なる移送チャンバとの間に提供された更なる真空スイングモジュールと；更なる真空スイングモジュールから真空スイングモジュールまでのキャリア戻り軌道（ｃａｒｒｉｅｒ ｒｅｔｕｒｎ ｔｒａｃｋ）であって、真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下でキャリアを搬送するように構成されるキャリア戻り軌道とを備える。

別の実施形態によれば、一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステムにおいて一又は複数の層を堆積させる方法が提供される。方法は、基板をシステムの中に水平配向にロードすることと；基板を真空スイングモジュールの中でキャリアにロードすることと；基板を真空スイングモジュールの中で垂直配向に回転させることと；キャリアをロードされた基板と共に真空スイングモジュールの中で垂直配向に回転させることと；キャリアをロードされた基板と共に、システムを通して、真空条件下で少なくとも１つの堆積チャンバの中に及び当該少なくとも１つの堆積チャンバから移送することと；キャリアを更なる真空スイングモジュールの中で水平配向に回転させることと；更なる真空スイングモジュールの中でキャリアから水平配向に基板を取り出すことと；真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下で、更なる真空スイングモジュールから真空スイングモジュールまで空のキャリアを戻すこととを含む。

更なる実施形態によれば、一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステムが提供される。システムは、処理される基板を水平配向にロードするためのロードロックチャンバと；基板を搬送するための移送チャンバと；ロードロックチャンバと移送チャンバとの間に提供された真空スイングモジュールであって、水平配向から垂直配向に基板を回転させるように構成されている真空スイングモジュールと；少なくとも１つの堆積装置の真空チャンバの中に材料を堆積させるための少なくとも１つの堆積装置であって、移送チャンバに連結されている少なくとも１つの堆積装置と；処理された基板を水平配向に取り出すための更なるロードロックチャンバと；基板を搬送するための更なる移送チャンバと；更なるロードロックチャンバと更なる移送チャンバとの間に提供された更なる真空スイングモジュールであって、水平配向で取り出すために、垂直配向から水平配向まで基板を回転させるように構成されている真空スイングモジュールと；更なる真空スイングモジュールから真空スイングモジュールまでのキャリア戻り軌道であって、真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下でキャリアを搬送するように構成されるキャリア戻り軌道とを含む。

本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるよう、実施形態を参照することによって、上記で簡潔に概説した本発明のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、本発明の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。

ＡからＤは、本明細書に記載の更なる実施形態による堆積装置の真空チャンバの異なる堆積位置における、本明細書に記載の実施形態による有機材料用の蒸発源を図示する概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置の概略上面図を示す。 本明細書に記載の実施形態による真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための別の堆積装置の概略上面図を示す。 Ａ及びＢは、本明細書に記載の実施形態による真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置、及び真空チャンバの中の異なる堆積位置における本明細書に記載の実施形態による有機材料蒸発のための蒸発源の概略側面図を示す。 Ａ及びＢは、本明細書に記載の実施形態による真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置、及び真空チャンバの中の異なる堆積位置における本明細書に記載の実施形態による有機材料蒸発のための蒸発源の概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による、少なくとも２つの堆積装置及び有機材料蒸発のための蒸発源を有するシステムの概略図を示す。 Ａ及びＢは、本明細書に記載の実施形態による蒸発源の部分の概略図を示し、Ｃは、本明細書に記載の実施形態による別の蒸発源の概略図を示す。 Ａ及びＢは、本明細書に記載の実施形態による真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置、及び真空チャンバの中の異なる堆積位置における本明細書に記載の実施形態による有機材料蒸発のための蒸発源の概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための別の堆積装置の概略図を示す。 本明細書に記載の実施形態による有機材料を蒸発させるための方法を示すフローチャートを図示する。 本明細書に記載のクラスタシステム部分、真空スイングモジュール、移送チャンバ、更なる移送チャンバ、更なる真空スイングモジュール及び更なるクラスタシステム部分を有する製造システムを示す。 Ａは、本明細書に記載の実施形態による製造システムで使用することができる真空スイングモジュールを示し、Ｂは、Ａに関して記載された真空スイングモジュールの中のキャリア内部で支持される基板を有するキャリアの回転を示す。 ＡからＣは、本明細書に記載のいくつかの実施形態による移送チャンバの中に提供することができるデュアル軌道搬送装置を図示し、キャリア戻り軌道が更に提供されている。 クラスタシステム部分、真空スイングモジュール、移送チャンバ、更なる移送チャンバ、更なる真空スイングモジュール、及び更なるクラスタシステム部分を有する更なる製造システムを示し、一列に並んだ堆積システム部分及びキャリア戻り軌道が本明細書のいくつかの実施形態に従って提供されている。 Ａ及びＢは、図１４に類似した一列に並んだ堆積システム部分及び独立したキャリア戻り軌道を有する、本明細書に記載の実施形態による更なる製造システムを示す。 更なる製造システムを示し、ループ状軌道及び／又は源−列構成を有する堆積装置、並びに直線的移動し回転可能な蒸発源を有する堆積装置が組み合わされている。 更なる製造システムを示し、ループ状軌道及び／又は源−列構成を有する堆積装置、並びに直線的移動し回転可能な蒸発源を有する堆積装置が組み合わされている。 本明細書に記載の実施形態による製造システムの操作方法を図示するフローチャートを示す。

これより本発明の種々の実施形態が詳細に参照されるが、その一又は複数の例が図示されている。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各例は、本発明の説明として提供されているが、本発明を限定することを意図するものではない。更に、１つの実施形態の一部として図示又は説明される特徴を、他の実施形態で、又は他の実施形態と併用して、更なる実施形態を得ることが可能である。本明細書は、かかる修正及び改変を含むことが意図されている。

図１Ａから図１Ｄは、真空チャンバ１１０の中の様々な位置における蒸発源１００を示す。異なる位置の間の移動は、矢印１０１Ｂ、１０１Ｃ、及び１０１Ｄによって示される。本明細書に記載の実施形態によれば、蒸発源は、並進運動及び軸周囲の回転のために構成される。図１Ａから図１Ｄは、蒸発るつぼ１０４及び分配管１０６を有する蒸発源１００を示す。分配管１０６は、支持体１０２によって支持される。更に、いくつかの実施形態によれば、蒸発るつぼ１０４はまた、支持体１０２によって支持することができる。２つの基板１２１は、真空チャンバ１１０の中に提供される。典型的には、基板上での層堆積のマスキング用マスク１３２を基板と蒸発源１００との間に提供することができる。図１Ａから図１Ｄに示されるように、有機材料は、分配管１０６から蒸発する。これは、参照番号１０により示される。

図１Ａでは、蒸発源１００が第１の位置に示される。図１Ｂに示されるように、真空チャンバ１１０の左側の基板は、矢印１０１Ｂにより示されるように、蒸発源の並進運動によって有機材料の層で堆積される。左側の基板１２１が有機材料の層で堆積されている間、第２の基板、例えば、図１Ａから図１Ｄの右側の基板を交換することができる。図１Ｂは、基板用の搬送軌道１２４を示す。左側の基板１２１が有機材料の層で堆積された後に、蒸発源の分配管１０６は、図１Ｃの矢印１０１Ｃによって示されるように回転する。有機材料の第１の基板（図１Ｂの左側の基板）への堆積中に、第２の基板が、マスク１３２に対して位置決め及び位置合わせされた。したがって、図１Ｃに示される回転後に、右側の基板、即ち、第２の基板１２１は、矢印１０１Ｄによって示されるように有機材料の層でコーティングすることができる。第２の基板１２１が有機材料でコーティングされる間、第１の基板を真空チャンバ１１０から移動させることができる。図１Ｄは、第１の基板（図１Ｄの左側）の位置にある搬送軌道１２４を示す。

本明細書に記載される実施形態によれば、基板は、本質的に垂直位置において有機材料でコーティングされる。要するに、図１Ａから図１Ｄに示される図は、蒸発源１００を含む装置の上面図である。典型的には、分配管は、蒸気分配シャワーヘッド、特に直線的蒸気分配シャワーヘッドである。分配管は、本質的に垂直に延びる線源を提供する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載の実施形態によれば、本質的に垂直とは、特に基板配向に言及する際に、１０度又はそれを下回る垂直方向からの偏差を許容すると理解される。この偏差は、垂直配向からのいくらかの偏差を有する基板支持体がより安定した基板位置をもたらし得るので、提供することができる。しかし、有機材料の堆積中の基板配向は、本質的に垂直と考えられ、水平な基板配向とは異なると考えられる。これにより、基板の表面は、１つの基板寸法に対応する１つの方向に延びる線源及び他の基板寸法に対応する他の方向に沿った並進運動によってコーティングされる。

図１Ｃに示されるように、分配管１０６の回転、即ち、第１の基板１２１から第２の基板１２１までの回転は１８０度とすることができる。第２の基板が図１Ｄに示されるように堆積された後に、分配管１０６は、後方に１８０度回転させることができるか、図１Ｃに示された方向と同一の方向に回転させることができるかのどちらかである。基板は、合計で３６０度回転する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載の実施形態によれば、分配管１０６は、例えば、参照番号１０で示された蒸発コイルが基板１２１の表面に直角に提供されない場合には、最も少なく１６０度回転される。しかしながら、典型的には、基板は、１８０度又は少なくとも３６０度回転される。

本明細書に記載の実施形態によれば、例えば、直線的蒸気分配シャワーヘッドなどの線源の並進運動と、例えば、直線的蒸気分配シャワーヘッドなどの線源の回転との組み合わせにより、ＯＬＥＤディスプレイ製造に対する高い蒸発源効率と高い材料利用が可能になり、この場合、基板の高精度のマスキングが所望される。基板及びマスクが静止状態を維持することができるので、源の並進運動により、高いマスキング精度が可能になる。別の基板が有機材料でコーティングされている間、回転移動によってある基板の基板交換が可能である。このことは、アイドル時間、即ち、蒸発源が基板をコーティングせずに有機材料を蒸発させる時間が著しく短縮されるので、材料利用を著しく改善する。

本明細書に記載される実施形態は、特に、例えば、ＯＬＥＤディスプレイ製造用の、大面積基板上での、有機材料の堆積に関する。いくつかの実施形態によれば、大面積基板、又は一又は複数の基板を支持するキャリア、即ち、大面積キャリアは、少なくとも０．１７４ｍ^２のサイズを有しうる。典型的には、キャリアのサイズを、約１．４ｍ^２から約８ｍ^２、より典型的には、約２ｍ^２から約９ｍ^２、更に最大で１２ｍ^２とすることができる。典型的には、本明細書に記載の大面積基板のサイズを有するキャリアは、本明細書に記載の実施形態による保持設備、装置、及び方法が提供される基板が支持される長方形の面積である。例えば、単一の大面積基板の面積に対応するであろう大面積キャリアを、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０とすることができる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に大きな世代並びにこれらに対応する基板面積が、同様に実現されうる。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、基板の厚さを０．１から１．８ｍｍとすることができ、保持設備及び特に保持デバイスをこのような基板の厚さに対して適合させることができる。しかしながら、特に基板の厚さを約０．９ｍｍ又はそれを下回る、例えば、０．５ｍｍ又は０．３ｍｍとすることができ、保持設備及び特に保持デバイスがそのような基板の厚さに適合される。典型的には、基板は、材料堆積に適した任意の材料から作られ得る。例えば、基板は、ガラス（例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、或いは堆積処理によって被覆することできる他の材料及び材料の組合せからなるグループから選択された材料から作成されたものであってもよい。

良好な信頼性及び歩留まり率を実現するために、本明細書に記載の実施形態は、有機材料の堆積中にマスク及び基板を静止状態に維持する。大面積基板の均一コーティングのための移動可能な直線的源が提供される。アイドル時間が、各堆積後に、基板が交換される必要があるが、ここにはマスク及び基板の互いに対する新たな位置合わせのステップが含まれる操作と比較して短縮される。アイドル時間中には、源が材料を浪費している。従って、堆積位置でマスクに対して容易に位置合わせされる第２の基板を有することにより、アイドル時間が短縮され、材料利用率が増加する。

図２は、真空チャンバ１１０の中に有機材料を堆積させるための堆積装置２００の実施形態を示す。蒸発源１００は、軌道又は直線的ガイド２２０上で真空チャンバ１１０の中に提供される。直線的ガイド２２０は、蒸発源１００の並進運動のために構成される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる異なる実施形態によれば、並進運動のためのドライバを、蒸発源１００の中に、軌道又は直線的ガイド２２０において、真空チャンバ１１０内で、又はそれらの組み合わせにおいて、提供することができる。図２は、例えば、ゲートバルブなどのバルブ２０５を示す。バルブ２０５は、隣接する真空チャンバ（図２に示されず）への真空密閉を可能にする。バルブは、基板１２１又はマスク１３２の真空チャンバ１１０内への又は真空チャンバ１１０からの搬送のために開放することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、保守真空チャンバ２１０などの更なる真空チャンバが、真空チャンバ１１０に隣接して提供される。真空チャンバ１１０及び保守真空チャンバ２１０は、バルブ２０７で連結される。バルブ２０７は、真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ２１０との間の真空密閉を開閉するように構成される。蒸発源１００は、バルブ２０７が開放状態にある間、保守真空チャンバ２１０に移送することができる。その後、バルブは、真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ２１０との間に真空密閉を提供するように閉鎖することができる。バルブ２０７が閉鎖される場合、保守真空チャンバ２１０は、真空チャンバ１１０の中の真空を破壊せずに、蒸発源１００保守のために換気及び開放することができる。

２つの基板１２１は、真空チャンバ１１０内のそれぞれの搬送軌道上で支持される。更に、その上にマスク１３２を提供する２つの軌道が提供される。基板１２１のコーティングは、それぞれのマスク１３２によってマスクすることができる。典型的な実施形態によれば、マスク１３２、即ち、第１の基板１２１に対応する第１のマスク１３２、及び第２の基板１２１に対応する第２のマスク１３２が、マスクフレーム１３１の中に提供され、所定の位置でマスク１３２を保持する。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、基板１２１は、位置合わせユニット１１２に連結された基板支持体１２６によって支持することができる。位置合わせユニット１１２は、マスク１３２に対する基板１２１の位置を調整することができる。図２は、基板支持体１２６が位置合わせユニット１１２に連結されている実施形態を示す。したがって、基板は、有機材料の堆積中に基板とマスクとの間の適切な位置合わせを行うために、マスク１３２に対して移動される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、代替的に又は追加的に、マスク１３２及び／又はマスク１３２を保持するマスクフレーム１３１を位置合わせユニット１１２に連結することができる。マスクを基板１２１に対して位置決めすることができるか、マスク１３２及び基板１２１双方を互いに対して位置決めすることができるかのどちらかとなる。位置合わせユニット１１２は、基板１２１とマスク１３２との間の相対位置を互いに対して調整するように構成されているが、堆積処理中にマスキングの適切な位置合わせを可能にし、高品質のディスプレイ製造又はＬＥＤディスプレイ製造に有益となる。

マスク及び基板の互いに対する位置合わせの例は、基板の平面及びマスクの平面に実質的に平行である平面を画定する少なくとも２つの方向における相対的な位置合わせを可能にする位置合わせユニットを含む。例えば、位置合わせは、ｘ−方向及びｙ−方向で、即ち、上記平行な平面を画定する２つのデカルト方向で少なくとも行うことができる。典型的には、マスク及び基板は、本質的に互いに平行とすることができる。特に、位置合わせは、更に、基板の平面及びマスクの平面に本質的に直角な方向に行うことができる。したがって、位置合わせユニットは、少なくともＸ−Ｙの位置合わせ、特にマスク及び基板の互いに対するＸ−Ｙ−Ｚの位置合わせにおいて構成される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる１つの特定の例は、基板をｘ−方向、ｙ−方向及びｚ−方向に、真空チャンバ１１０の中で静止状態に保持できるマスクに位置合わせすることである。

図２に示されるように、直線的ガイド２２０は、蒸発源１００の並進運動の方向を提供する。蒸発源１００の両側に、マスク１３２が提供される。これにより、マスク１３２は、並進運動の方向に本質的に平行に延びることができる。更に、蒸発源１００の対向する側における基板１２１はまた、並進運動の方向に本質的に平行に延びることができる。典型的な実施形態によれば、基板１２１は、バルブ２０５を介して、真空チャンバ１１０内へ及び真空チャンバ１１０から移動させることができる。堆積装置２００は、基板１２１各々の搬送用のそれぞれの搬送軌道を含むことができる。例えば、搬送軌道は、図２に示される基板位置に平行に、真空チャンバ１１０内へかつ真空チャンバ１１０から延びることができる。

典型的には、更なる軌道が、マスクフレーム１３１及びゆえにマスク１３２を支持するように提供される。したがって、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態は、処理真空チャンバ１１０内に４つの軌道を含むことができる。例えば、マスク洗浄のためなど、チャンバからマスク１３２のうちの１つを移動させるために、マスクフレーム１３１及びこれによりマスクを基板１２１の搬送軌道上に移動させることができる。次いで、それぞれのマスクフレームは、基板の搬送軌道上で真空チャンバ１１０を出入りすることができる。真空チャンバ１１０内へ及び真空チャンバ１１０外への別の搬送軌道をマスクフレーム１３１に提供することが可能であるにせよ、堆積装置２００の所有コストは、ただ２つの軌道、即ち、基板に対する搬送軌道が、真空チャンバ１１０内に及び真空チャンバ１１０から延び、加えて、マスクフレーム１３１は、適切なアクチュエータ又はロボットによって基板に対する搬送軌道のそれぞれに移動することができる場合に、削減することができる。

図２は、蒸発源１００の別の例示的実施形態を示す。蒸発源１００は、支持体１０２を含む。支持体１０２は、直線的ガイド２２０に沿った並進運動のために構成される。支持体１０２は、蒸発るつぼ１０４、及び蒸発るつぼ１０４上に提供された分配管１０６を支持する。蒸発るつぼで発生した蒸気は、上に向かって、分配管の一又は複数の排出口から移動することができる。本明細書に記載された実施形態によれば、分配管１０６はまた、蒸気分配シャワーヘッド、例えば、直線的蒸気分配シャワーヘッドと見なすことができる。

一又は複数の排出口は、例えば、シャワーヘッド又は他の蒸気分配システムに設けられる、一又は複数の開口部或いは一又は複数のノズルとすることができる。蒸発源は、蒸気分配シャワーヘッド、例えば、複数のノズル又は開口を有する直線的蒸気分配シャワーヘッドを含むことができる。シャワーヘッドは、シャワーヘッドの中の圧力がシャワーヘッドの外側の圧力よりも、例えば、少なくとも１桁ほど高くなるような開口を有する筐体を含むと本明細書では理解できる。

図２は、少なくとも１つのシールド２０２を有するシールドアセンブリを更に示す。典型的には、図２に示すように、実施形態は、２つのシールド２０２、例えば、サイドシールドを含むことができる。有機材料の蒸発は、基板に向かった方向に範囲を定めることができる。分配管に対する側方への蒸発、即ち、例えば、正常な（ｎｏｒｍａｌ）蒸発方向に対して直角な方向への蒸発は、回避するかアイドルモードだけで使用することができる。有機材料の蒸気ビームのスイッチを切ることと比較して、有機材料の蒸気ビームを遮断することの方が容易であり得るという事実を考慮すると、分配管１０６はまた、蒸気放出が望ましくない操作モード中に蒸気が蒸発源１００から出ていくのを回避するために、サイドシールド２０２のうちの１つに向かって回転され得る。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載の実施形態によれば、分配管の回転は、少なくとも分配管が装着される蒸発器制御ハウジングの回転により提供することができる。典型的には、蒸発るつぼもまた、蒸発器制御ハウジングに装着される。したがって、蒸発源は、少なくとも回転可能に装着される分配管、特に双方が、即ち、一緒に、回転可能に装着される分配管及び蒸発るつぼ、更に具体的には、一緒に回転可能に装着される制御ハウジング、分配管及び蒸発るつぼを含む。典型的には、一又は複数のサイドシールドは、固定して装着することができ、よって分配管と一緒に回転しない。典型的な例によれば、図２及び図３に示されるように、サイドシールドは、蒸気排出口が蒸発源の２つの側面に提供されるように提供でき、２つの側面は、それぞれ２つの基板のうちの１つに面している。したがって、固定されたサイドシールドは、軸周囲で分配管の回転に対して静止している。しかし、サイドシールドは、並進運動に従い、並進運動に対して移動可能である。

図３は、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる修正例を示す。これにより、図２に対して既に記載された詳細、態様及び特徴は、参照の便宜上省略されることになる。図２と比較して、図３に示された蒸発源１００は、３つの蒸発るつぼ１０４及び３つの分配管１０６を含む。有機材料の層で基板をコーティングするために、有機材料の１つの層を堆積させることを目的に、１つの有機材料を蒸発させることができる、又は複数の有機材料を蒸発させることができる。これにより、複数の有機材料が蒸気の状態で及び／又は基板の表面で混ざり、有機材料の１つの層を形成する。このことを考慮し、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、複数の蒸発るつぼ１０４及び複数の分配管１０６を支持体１０２によって支持することができる。前述のように、分配管は、例えば、直線的分配シャワーヘッドなどの線源を提供することができ、更に、支持体１０２は、有機材料を基板１２１上に堆積させるために、直線的ガイド２２０に沿って移動する。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、保守真空チャンバ２１０における蒸発源１００の移送を、直線的ガイド２２０の延長された部分によって提供することができる。更なる直線的ガイド３２０が、保守真空チャンバ２１０の中に提供される。更に、第２の蒸発源１００を保守真空チャンバ２１０の中の待機位置に提供することができる。図３は、保守真空チャンバの左側の待機位置にある更なる蒸発源１００を示す。堆積装置２００を操作するいくつかの実施形態によれば、真空チャンバ１１０に示された蒸発源１００は、例えば、保守が所望されると、保守真空チャンバ２１０内に移動することができる。この移動のために、バルブ２０７を開放することができる。待機位置にあり、作動準備のできた状態にある図３に示された更なる蒸発源１００を真空チャンバ１１０内に移動させることができる。その後、バルブ２０７を閉鎖することができ、保守真空チャンバ２１０を、保守真空チャンバの中の待機位置内に移動したばかりの第１の蒸発源１００の保守のために換気及び開放することができる。これにより、蒸発源の迅速な交換が可能になる。したがって、堆積装置２００は、既知の堆積装置の所有コストのかなりの部分を生み出すダウンタイムを短縮した。

更に、本明細書に記載の実施形態により、１週間又はそれを上回る時間的尺度で、例えば、約±５％又はそれを下回る安定した蒸発率が可能になる。これは、特に、改善した保守状況によって提供することができる。しかし、更に有機材料を作用させる方法によれば、蒸発るつぼの中に有機材料を補充することは、真空を破壊することなく、更には堆積装置の蒸発を停止させることなく実行することができる。１つの蒸発源の保守及び補充は、別の源の動作から独立して実行することができる。源の保守及び補充は多くの他のＯＬＥＤ製造システムにおいて障害であるため、これは、所有コスト（ＣｏＯ）を改善する。要するに、ルーチン保守中に又はマスク交換中に基板ハンドリングチャンバ又は堆積チャンバを換気する必要性がないことによる高いシステム稼働時間が、ＣｏＯを著しく改善することができる。前述のように、この改善の１つの理由は、保守真空チャンバ及び／又は本明細書に記載の保守真空チャンバと関連した他の構成要素であり、排気することができる別個のチャンバ、即ち、保守真空チャンバ又は別の源ストレージチャンバの中の一又は複数の蒸発源の保守及び事前調整が提供される。

図４Ａ及び４Ｂは、有機材料を堆積させるための堆積装置２００の概略側断面図を示す。これにより、図４Ａは、真空チャンバ１１０の中の左側の基板１２１は、有機材料でコーティングされる動作状況を示す。図４Ｂは、真空チャンバ１１０の中の右側の基板１２１は、分配管１０６（２つの分配管は、図４Ａ及び図４Ｂの中で見ることができる）が回転された後に、有機材料でコーティングされる動作状況を示す。

図４Ａ及び図４Ｂは、第１の基板１２１に対する第１の搬送軌道、及び第２の基板１２１に対する第２の搬送軌道を示す。第１のローラアセンブリが、真空チャンバ１１０の片側に示され、第２のローラアセンブリが、真空チャンバの反対側に示される。図４Ａ及び図４Ｂには、第１のローラアセンブリ及び第２のローラアセンブリのそれぞれのローラ４２４が示される。ローラは、軸４２５周囲を回転することができ、ドライバシステムによって駆動される。典型的には、複数のローラが、１つのモータによって回転される。基板１２１は、キャリア４２１の中で支持される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、キャリア４２１は、その下側にロッドを有し、ロッドはローラと係合することができる。したがって、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、第１の基板に対する第１の搬送軌道及び第２の基板に対する第２の搬送軌道が提供される。２つの更なる軌道が、例えば、それぞれのローラアセンブリによって提供される。図４Ａ及び図４Ｂは、真空チャンバ１１０の両側のローラ４０３を示す。更なる軌道が、マスクフレーム１３１の中で支持することができるマスク１３２を支持するように構成される。例示的実施形態によれば、マスクフレーム１３１は、それぞれのローラアセンブリのローラ４０３と係合するためのロッド４３１をその下側に有することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、処理システムで使用するように適合されたキャリアは、電極アセンブリ及び支持体ベースを含む。電極アセンブリは、基板を基板キャリアに固定するための静電チャッキング力を生成するように構成される。更なる追加的又は代替的な修正例によれば、支持体ベースは内部に形成された加熱／冷却リザーバを有する。電極アセンブリ及び支持体ベースは、処理システム内部での搬送のために構成された単一本体（ｕｎｉｔａｒｙ ｂｏｄｙ）を形成する。キャリアは、処理システムの中で供給媒体に連結することができる。クイックディスコネクト（ｑｕｉｃｋ ｄｉｓｃｏｎｎｅｃｔ）は、本体に結合することができ、本体が熱調節媒体の源から分離されると、加熱リザーバ／冷却リザーバの中で熱調節媒体を捕捉するように構成することができる。クイックディスコネクトは、チャッキング電荷を加えるために結合することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、ローラ４０３からローラ４２４までマスクフレーム１３１を移動させるためのアクチュエータ又はロボットが、真空チャンバ１１０の中に提供される。マスクフレーム、更にはマスクが、搬送軌道を提供するローラアセンブリ上に提供される。したがって、マスクフレーム１３１は、基板のローラアセンブリにより提供される搬送軌道に沿って、真空チャンバ１１０内へ及び真空チャンバから移動させることができる。

図４Ａでは、左側の基板１２１は、有機材料でコーティングされる。これは、有機材料の蒸気が分配管１０６の中の複数の排出開口又はノズルから案内されていることを図示している参照番号１０によって示される。真空チャンバ１１０の右側の基板及びキャリアが、点線で図４Ａに示される。点線は、基板が真空チャンバ１１０内への若しくは真空チャンバ１１０からの搬送下にあること、又は基板及びマスク１３２が互いに対して現在位置合わせされていることを示す。典型的には、有機材料でコーティングされる基板の搬送及びマスクの位置合わせは、左側の基板上への有機材料の堆積が終了する前に、終了する。これにより、蒸発源１００は、左側の基板の堆積位置から、右側の基板の堆積位置まで直ちに回転することができ、これが図４Ｂに示されている。

蒸発源１００は、例えば、トルクモータ、電気ロータ又は空気圧ロータなどのアクチュエータ１０８を含む。アクチュエータ１０８は、例えば、強磁性流体フィードスルーなどの真空回転フィードスルー１０９を介して、トルクを提供することができる。アクチュエータ１０８は、本質的に垂直である軸周囲で少なくとも分配管１０６を回転させるように構成される。蒸発源は、例えば、アクチュエータ１０８及びフィードスルー１０９を収納することができる支持体１０２を含む。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、蒸発源１００は、蒸発器制御ハウジング４０２を更に含む。蒸発器制御ハウジング４０２は、大気ボックス、即ち、真空チャンバ１１０が技術的真空になるまで排気されるときでさえ、内部の大気圧を維持するように構成されたボックスとすることができる。例えば、スイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット及び冷却制御ユニットから成るグループから選択された少なくとも１つの要素を蒸発器制御ハウジング４０２の中に提供することができる。支持体１０２は、蒸発るつぼ１０４及び分配管１０６を更に支持する。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、支持体１０２は、直線的ガイド４３３と係合される。蒸発源の並進運動は、直線的ガイド４３３内部で又は直線的ガイド４３３上に支持体１０２を移動させることにより提供することができる。これにより、アクチュエータ、ドライバ、モータ、ドライバベルト、及び／又はドライバチェーンを直線的ガイドの中に又は支持体１０２の中に提供することができる。更なる代替案によれば、アクチュエータ、ドライバ、モータ、ドライバベルト、及び／又はドライバチェーンのそれぞれの部分を直線的ガイド及び支持体の双方の中に提供することができる。

分配管が、真空チャンバ１１０の中の左側の基板１２１がコーティングされるコーティング位置（図４Ａを参照）から、真空チャンバ１１０の中の右側の基板１２１が有機材料でコーティングされる位置（図４Ｂを参照）まで回転された後に、蒸発源１００は、真空チャンバ１１０の中の右側の基板１２１を堆積させるために直線的ガイド４３３に沿った並進運動によって移動される。図４Ｂの左側の点線によって示されるように、有機材料で事前にコーティングされた第１の基板は、真空チャンバ１１０からこの時点で移動される。新たな基板が左側の真空チャンバ１１０の中の処理領域内に提供され、マスク１３２及び基板１２１が互いに対して位置合わせされる。したがって、右側の基板１２１が有機材料の層でコーティングされた後に、左側の新たな基板１２１上に有機材料を再び堆積させるために、分配管１０６をアクチュエータ１０８により回転させることができる。

前述のように、本明細書に記載される実施形態は、基板１２１の１つの寸法に沿って線源を提供する少なくとも１つの分配管の並進運動と、第１の処理領域から第２の処理領域までの少なくとも１つの分配管の回転とを含み、第１の処理領域及び第２の処理領域の各々は、内部で支持される基板を有するように構成される。例えば、処理領域の中の基板は、キャリアの中で支持され、次にキャリアは、基板位置の位置合わせのために搬送軌道及び／又はアクチュエータ上に提供される。典型的には、線源を形成する少なくとも１つの分配管１０６が、本質的に垂直方向に延び、即ち、線源を定める線が、本質的に垂直方向に延び、少なくとも１つの分配管１０６の回転軸もまた、本質的に垂直方向に延びる。少なくとも１つの分配管１０６は、動作中に回転するように構成される。例えば図４Ａ及び図４Ｂに関して分かるように、線源を形成する方向及び回転軸の方向は、平行とすることができる。

いくつかの実施形態によれば、蒸発源は、例えば、スライド式コンタクトを有するなど、源への機械信号及び／又は電力伝送を含み得る。例えば、直線的ドライバ、真空回転ユニット及び／又はスライド式コンタクトの組み合わせを、蒸発源への信号及び／又は電力伝送のために提供することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、蒸発源は、誘導性電力伝送及び／又は誘導性信号伝送を含むことができる。図４Ａ及び図４Ｂは、蒸発源１００における、例えば、支持体１０２における第１のコイル配置４５２、及び真空チャンバ１１０の中の第２のコイル配置４５３を示す。これにより、電力及び／又は制御信号を真空チャンバ１１０内から蒸発源１００まで誘導的に伝送することができる。例えば、コイル配置４５３は、電力及び／又は信号伝送を並進運動の位置に関係なく提供することができるように、真空チャンバの中を延びることができる。異なる実施態様によれば、蒸発るつぼ用電力、即ち、有機材料を蒸発させるための電力、アクチュエータ１０８用の電力、即ち、分配管回転用の電力、蒸発制御用の制御信号、分配管の回転制御用の制御信号、及び並進運動用の制御信号のうちの少なくとも１つは、コイル配置の組み合わせによって提供することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、蒸発源は、少なくとも１つの蒸発るつぼと、少なくとも１つの分配管、例えば、少なくとも１つの直線的蒸気分配シャワーヘッドとを含む。しかしながら、蒸発源は、２つ又は３つの、最終的には４つ又は５つでさえある蒸発るつぼと、対応する分配管とを含むことができる。これにより、異なる有機材料は、基板上に１つの有機層を形成するように、いくつかのるつぼのうちの少なくとも２つの中で蒸発させることができる。追加的に又は代替的には、類似の有機材料は、堆積速度が上昇可能となるように、いくつかのるつぼのうちの少なくとも２つの中で蒸発させることができる。有機材料は、多くの場合、比較的小さな温度範囲の中だけで（例えば、２０℃又はそれを下回る）蒸発させることができ、ゆえに、るつぼの中の温度を上昇させることによって、蒸発率を著しく高めることができないので、これが特にあてはまる。

本明細書に記載の実施形態によれば、蒸発源、堆積装置、蒸発源及び／又は堆積装置を操作する方法、並びに蒸発源及び／又は堆積装置を製造する方法が、垂直堆積のために構成される、即ち、基板は、層堆積中に、本質的に垂直配向（例えば、垂直±１０度）で支持される。更に、線源、並進運動及び蒸発方向の回転、特に本質的に垂直である軸、例えば、基板配向及び／又は線源の線延長方向に平行である軸周囲の回転の組み合わせにより、約８０％又はそれを上回る高い材料利用率が可能になる。これは、他のシステムと比較して、少なくとも３０％の改善である。

処理チャンバ内、即ち、内部での層堆積用の真空チャンバ内での移動可能かつ回転可能な蒸発源により、高い材料利用率での連続的又はほぼ連続的なコーティングが可能になる。本明細書に記載の実施形態により、交互の２つの基板をコーティングするために１８０度回転機構を有する走査源アプローチを使用することによって、高い蒸発源効率（＞８５％）及び高い材料利用率（少なくとも５０％又はそれを上回る）が可能になる。これにより、源効率は、蒸気ビームが、コーティング対象の基板の全体面積を均一にコーティングできるように、大面積基板のサイズを超えて広がるという事実により生じる材料損失を考慮に入れる。加えて、材料利用率は、蒸発源のアイドル時間中に、即ち、蒸発源が蒸発した材料を基板上に堆積させることができない時間中に生じる損失も考慮に入れる。

更にまた、本明細書に記載され、垂直基板配向に関する実施形態により、堆積装置の小さな設置面積、及び特に基板上で有機材料のいくつかの層をコーティングするためのいくつかの堆積装置を含む堆積システムの小さな設置面積が可能になる。本明細書に記載の装置は、大面積基板処理又は大面積キャリアの中の複数の基板の処理のために構成されていると見なすことができる。垂直配向により、すなわち現在及び未来のガラスサイズである、現在及び未来の基板サイズ世代に対する良好なスケーラビリティが更に可能になる。

図５Ａ及び図５Ｂは、堆積装置５００の更なる実施形態を示す。図５Ａは、堆積装置５００の概略上面図を示す。図５Ｂは、堆積装置５００の概略側断面図を示す。堆積装置５００は、真空チャンバ１１０を含む。バルブ２０５、例えば、ゲートバルブは、隣接する真空チャンバへの真空密閉を可能にする。バルブは、基板１２１又はマスク１３２の真空チャンバ１１０内への又は真空チャンバ１１０からの搬送のために開放することができる。２つ又はそれを上回る蒸発源１００が、真空チャンバ１１０の中に提供される。図５Ａに示された例は、７つの蒸発源を示す。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、２つの蒸発源、３つの蒸発源、又は４つの蒸発源を、有利には提供することができる。またいくつかの実施形態により提供され得る蒸発源のより大きな数と比較して、蒸発源の限定された数（例えば、２から４）の保守のロジスティックの方が容易であり得る。したがって、そのようなシステムに対する所有コストの方が好ましい可能性がある。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、また例えば図５Ａに示されているように、ループ状軌道５３０を提供することができる。ループ状軌道５３０は、真っすぐな部分５３４及び湾曲部分５３３を含むことができる。ループ状軌道５３０は、蒸発源の並進運動及び蒸発源の回転を提供する。前述のように、蒸発源は、典型的には線源、例えば、直線的蒸気分配シャワーヘッドとすることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、ループ状軌道は、ループ状軌道に沿って一又は複数の蒸発源を移動させるために、レール若しくはレール装置、ローラ装置又は磁気ガイドを含む。

ループ状軌道５３０に基づき、源の列は、典型的にはマスク１３２によってマスクされる基板１２１に沿って並進運動で移動することができる。ループ状軌道５３０の湾曲部分５３３は、蒸発源１００を回転させる。更に、湾曲部分５３３は、第２の基板１２１の前に蒸発源を位置決めするように提供することができる。ループ状軌道５３０の更なる真っすぐな部分５３４は、更なる基板１２１に沿って更なる並進運動を提供する。前述のように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、基板１２１及びマスク１３２は、堆積中に本質的に静止したままである。線源、例えば、線が本質的に垂直配向の複数の線源を提供する蒸発源は、静止した基板に沿って移動される。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、真空チャンバ１１０の中に示された基板１２１は、ローラ４０３及び４２４を有する基板支持体によって、更に静止した堆積位置では、位置合わせユニット１１２に連結されている基板支持体１２６によって、支持することができる。位置合わせユニット１１２は、マスク１３２に対する基板１２１の位置を調整することができる。したがって、基板は、有機材料の堆積中に基板とマスクとの間の適切な位置合わせを行うために、マスク１３２に対して移動することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、代替的に又は追加的に、マスク１３２及び／又はマスク１３２を保持するマスクフレーム１３１を位置合わせユニット１１２に連結することができる。マスクを基板１２１に対して位置決めすることができるか、マスク１３２及び基板１２１双方を互いに対して位置決めすることができるかのどちらかとなる。

図５Ａ及び図５Ｂに示される実施形態は、真空チャンバ１１０の中に提供される２つの基板１２１を示す。しかし、特に真空チャンバの中に蒸発源１００の列を含む実施形態について、少なくとも３つの基板又は少なくとも４つの基板を提供することができる。これにより、基板の交換のための十分な時間、即ち、真空チャンバ内への新しい基板の搬送及び真空チャンバからの処理された基板の搬送のための十分な時間を、多数の蒸発源と、それゆえにより高いスループットとを有する堆積装置５００にさえも提供することができる。

図５Ａ及び図５Ｂは、第１の基板１２１に対する第１の搬送軌道、及び第２の基板１２１に対する第２の搬送軌道を示す。第１のローラアセンブリが、真空チャンバ１１０の片側に示される。第１のローラアセンブリは、ローラ４２４を含む。更に、搬送システムは、磁気案内エレメント５２４を含む。同様に、ローラ及び磁気案内エレメントを有する第２の搬送システムが、真空チャンバの反対側に提供される。搬送システムは、例えば、図４Ａ及び図４Ｂに関して記載されたように操作することができる。キャリア４２１の上部は、磁気案内エレメント５２４によって案内される。同様に、いくつかの実施形態によれば、マスクフレーム１３１は、ローラ４０３及び磁気案内エレメント５０３によって支持することができる。

図５Ｂは、ループ状軌道５３０のそれぞれ真っすぐな部分５３４上に提供された２つの支持体１０２を例示的に示す。蒸発るつぼ１０４及び分配管１０６は、それぞれの支持体１０２によって支持される。図５Ｂは、支持体１０２によって支持された２つの分配管１０６を示す。支持体１０２は、ループ状軌道の真っすぐな部分５３４上に案内さているように示される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、アクチュエータ、ドライバ、モータ、ドライバベルト、及び／又はドライバチェーンは、ループ状軌道に沿って、即ち、ループ状軌道の真っすぐな部分５３４に沿って、且つループ状軌道の湾曲部分５３３（図５Ａを参照）に沿って、支持体１０２を移動させるように提供することができる。

図６は、第１の堆積装置２００及び第２の堆積装置２００を有する堆積システム６００の実施形態を示す。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載の実施形態によれば、一又は複数の移送チャンバが提供される。図６は、第１の移送チャンバ６１０及び第２の移送チャンバ６１１を例示的に示す。更に、移送チャンバ６０９及び６１２の部分が示される。図６に示されるように、ゲートバルブ６０５が、移送チャンバ６１０と移送チャンバ６０９との間に提供される。ゲートバルブ６０５は、移送チャンバ６１０と移送チャンバ６０９との間に真空密閉を提供するように開閉することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、一又は複数のゲートバルブを２つの隣接する移送チャンバの間に提供することができる。ゲートバルブ６０５の存在は、堆積システム６００の用途、即ち、基板上に堆積された有機材料層の種類、数、及び／又は順番によって決まる。したがって、一又は複数のゲートバルブ６０５を移送チャンバの間に提供することができる。代替的には、ゲートバルブは、移送チャンバのどの間にも提供されない。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、移送チャンバのうちの一又は複数を真空回転チャンバとして提供することができる。その内部で、基板１２１を中心軸、例えば、垂直な中心軸周囲で回転させることができる。これによって、搬送軌道６２１の配向を変更することができる。移送チャンバ６１１の中に示されるように、２つの基板１２１が回転される。基板１２１が位置する２つの搬送軌道６２１Ｒは、２つの搬送軌道６２１に対して回転し、堆積装置２００の搬送軌道６２１から延在する。これらを考慮し、搬送軌道６２１Ｒ上の２つの基板１２１が、隣接する移送チャンバ６１０又は６１２に移送される位置にそれぞれ提供される。

第１の堆積装置２００は、バルブ２０５によって、第１の移送チャンバ６１０に連結される。図６に示されるように、且つ本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、搬送軌道６２１は、真空チャンバ１１０から移送チャンバ６１０内まで延びる。これにより、基板１２１の一又は複数を真空チャンバ１１０から移送チャンバ６１０まで移送することができる。これにより、バルブ２０５は、典型的には、一又は複数の基板の搬送のために開放される。更なる堆積装置２００は、更なるバルブ２０５によって、第２の移送チャンバ６１１に連結される。したがって、１つの堆積装置から移送チャンバへ、移送チャンバから更なる移送チャンバへ、且つ更なる移送チャンバから更なる堆積装置へ、基板を移送することができる。これによって、基板を大気、及び非真空状態、及び／又は不所望な環境に露出せずに、有機材料のいくつかの層を基板上に堆積させることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、移送チャンバは、例えば、真空状態及び／又は所望の環境下で一又は複数の基板を移送するように構成されている真空移送チャンバである。

図６に示された堆積装置２００は、図３に関して記載された堆積装置に類似である又はそれに相当する。本明細書中で位置装置について記載された態様、詳細及び特徴はまた、図６に例示的に示された堆積システム６００に提供することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、蒸発源１００’を堆積装置２００の中に提供することができる。蒸発源１００’は、基板１２１上で有機材料を案内するように構成されている４つの分配管を含む。これにより、異なる有機材料は、基板上に１つの有機層を形成するように、４つのるつぼのうちの少なくとも２つの中で蒸発させることができる。追加的に又は代替的には、類似の有機材料は、堆積速度が上昇可能となるように、４つのるつぼのうちの少なくとも２つの中で蒸発させることができる。４つの蒸発るつぼの中で蒸発したそれぞれの材料は、図６に示された４つの分配管のそれぞれによって、基板１２１の方に案内される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、例えば、図２及び図３に関して示されたサイドシールドは、いくつかの実施形態によれば、省略することができる。これは、蒸発源１００’に対して例示的に示される。

前述のように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、基板１２１は、真空チャンバ１１０から第１の方向に沿って移動させることができる。基板１２１は、本質的に真っすぐな経路に沿って、隣接する真空チャンバ内に、例えば、移送チャンバ内に移動される。移送チャンバの中で、基板は、第１の方向と異なる第２の方向に第２の真っすぐな経路に沿って移動できるように、回転させることができる。典型的な実施形態によれば、第２の方向は、第１の方向に対して実質的に直角である。これは、堆積システムの容易な設計を可能にする。基板を真空チャンバ１１０の中に積み込むために、基板を第２の方向に沿って移送チャンバの中に移動させることができ、その内部で回転させることができる。その後、第２の方向と異なる第１の方向に沿って、基板を真空チャンバ１１０内に移動させることができる。

図７Ａから図７Ｃは、本明細書に記載の実施形態従って利用することができる蒸発源の部分を示す。蒸発源は、図７Ａに示すように、分配管１０６及び蒸発るつぼ１０４を含むことができる。これにより、例えば、この分配管は、加熱ユニット７１５を有する細長い立方体とすることができる。蒸発るつぼは、加熱ユニット７２５で蒸発する有機材料用のリザーバとすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、分配管１０６は、線源を提供する。例えば、複数の開口及び／又はノズルが、少なくとも１つの線に沿って配置される。代替的実施形態によれば、少なくとも１つの線に沿って延びる１つの細長い開口を提供することができる。例えば、細長い開口は、スリットとすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、線は本質的に垂直に延びる。例えば、分配管１０６の長さは、少なくとも堆積装置の中に堆積される基板の高さに対応する。多くの場合、分配管１０６の長さは、堆積される基板の高さよりも、少なくとも１０％ほど又は２０％ほど長くなるだろう。これにより、基板の上端及び／又は基板の下端における均一な堆積を提供することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、分配管の長さは、１．３ｍ又はそれを上回る、例えば、２．５ｍ又はそれを上回るとすることができる。１つの構成によれば、図７Ａに示されるように、蒸発るつぼ１０４は、分配管１０６の下端に提供される。有機材料は、蒸発るつぼ１０４の中で蒸発する。有機材料の蒸気が、分配管の底で分配管１０６に入り、本質的に側方から、分配管の中の複数の開口を通って、例えば、本質的に垂直な基板の方へ案内される。例示的目的で、熱シールドを含まない、蒸発るつぼ１０４及び分配管１０６が、図７Ａに示される。加熱ユニット７１５及び加熱ユニット７２５が、図７Ａに示される概略斜視図の中に見られる。

図７Ｂは、蒸発源の一部の拡大概略図を示し、分配管１０６が蒸発るつぼ１０４に連結されている。蒸発るつぼ１０４と分配管１０６との間を連結するように構成されているフランジユニット７０３が提供される。例えば、蒸発るつぼ及び分配管が、例えば、蒸発源の動作のために、フランジユニットで分離及び連結又は組み立てることができる分離ユニットとして提供される。

分配管１０６は、内側が中空の空間７１０を有している。加熱ユニット７１５は、分配管を加熱するために提供される。したがって、分配管１０６は、蒸発るつぼ１０４によって提供される有機材料の蒸気が、分配管１０６の壁の内側部分で液化しない温度まで加熱することができる。シールド７１７が、分配管１０６の管周囲に提供される。シールドは、加熱ユニット７１５により提供される熱エネルギーを中空スペース７１０の方に反射し返すように構成される。分配管を加熱するのに必要なエネルギー、即ち、加熱ユニット７１５に提供されるエネルギーは、シールド７１７が熱損失を低下させるので、低下させることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、シールド７１７は、１つの加熱シールド層を含むことができる。代替的には、２つ又はそれを上回る加熱シールド層を加熱シールド７１７内に提供することができる。

典型的には、図７Ｂに示されるように、熱シールド７１７は、分配管１０６の中の開口７１２の位置に開口を含む。図７Ｂに示される蒸発源の拡大図は、４つの開口７１２を示す。開口７１２は、分配管１０６の軸に本質的に平行な線に沿って提供される。本明細書に記載されるように、分配管１０６は、例えば、内部に配置された複数の開口を有する、直線的分配シャワーヘッドとして提供することができる。本明細書中で理解されるシャワーヘッドは、例えば、蒸発るつぼから、材料を提供又は案内することができる、筐体、中空スペース、又はパイプを有する。シャワーヘッドは、シャワーヘッド内の圧力がシャワーヘッドの外側の圧力より高くなるような複数の開口（又は細長いスリット）を有することができる。例えば、シャワーヘッド内の圧力は、シャワーヘッドの外側の圧力よりも少なくとも１桁高いとすることができる。

動作中に、分配管１０６が、フランジユニット７０３で蒸発るつぼ１０４と連結される。蒸発るつぼ１０４は、蒸発させる対象となる有機材料を受け取り、有機材料を蒸発させるように構成される。図７Ｂは、蒸発るつぼ１０４のハウジングを通る断面図を示す。リフィル開口は、例えば、プラグ７２２、蓋、カバー又は蒸発るつぼ１０４の筐体を閉じるための同種のものを使用して閉鎖することができる、蒸発るつぼの上部に提供される。

外側加熱ユニット７２５は、蒸発るつぼ１０４の筐体内に提供される。外側加熱要素は、少なくとも蒸発るつぼ１０４の壁の一部に沿って延びるとすることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、一又は複数の中央加熱要素７２６を追加的に又は代替的に提供することができる。図７Ｂは、２つの中央加熱要素７２６を示す。中央加熱要素７２６は、中央加熱要素に電力を供給するための導体７２９を含むことができる。いくつかの実施態様によれば、蒸発るつぼ１０４は、シールド７２７を更に含むことができる。シールド７２７は、外側加熱ユニット７２５、及び存在する場合には、中央加熱要素７２６によって提供される熱エネルギーを蒸発るつぼ１０４の筐体内に反射し返すように構成することができる。これにより、蒸発るつぼ１０４内での有機材料の効率的加熱を提供することができる。

本明細書に記載された、いくつかの実施形態によれば、シールド７１７及びシールド７２７などの熱シールドを蒸発源に提供することができる。熱シールドは、蒸発源のエネルギー損失を減少させることができる。これにより、エネルギー消費を縮小させることができる。しかしながら、更なる態様として、特に有機材料の堆積について、蒸発源から生じた熱放射、特に堆積中にマスク及び基板に向かった熱放射を減少させることができる。特にマスクされた基板上への有機材料の堆積について、更にディスプレイ製造について、基板及びマスクの温度を正確に制御する必要がある。したがって、蒸発源から生じた熱放射を低下させる又は回避することができる。したがって、本明細書に記載された、いくつかの実施形態は、シールド７１７及びシールド７２７などの熱シールドを含む。

これらのシールドは、蒸発源の外側への熱放射を減少させるためのいくつかのシールド層を含むことができる。更なるオプションとして、熱シールドは、空気、窒素、水又は他の適切な冷却流体などの流体によって能動的に冷却されるシールド層を含み得る。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、蒸発源に提供される一又は複数の熱シールドは、分配管１０６及び／又は蒸発るつぼ１０４など、蒸発源のそれぞれの部分を取り囲む薄板金属を含むことができる。例えば、薄板金属は、０．１ｍｍから３ｍｍの厚さを有することができ、鉄系金属（ＳＳ）及び非鉄金属（Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ）から成るグループから選択された少なくとも１つの材料から選択することができ、及び／又は例えば、０．１ｍｍ又はそれを上回る間隙によって、互いに対して間隔を空けることができる。

いくつかの実施形態によれば、図７Ａ及び図７Ｂに例示的に示されるように、蒸発るつぼ１０４は、分配管１０６の下端に提供される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、蒸気導管７３２は、分配管の中央部分又は分配管の下端と分配管の上端との間の別の位置で分配管１００６に提供することができる。図７Ｃは、分配管１０６及び分配管の中央部分に提供される蒸発導管７３２を有する蒸発源の例を示す。有機材料の蒸気は、蒸発るつぼ１０４の中で発生し、蒸気導管７３２を通って分配管１０６の中央部分に案内される。蒸気は、複数の開口７１２を通って分配管１０６を出る。分配管１０６は、本明細書に記載された他の実施形態に関して説明されたように、支持体１０２によって支持される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、２つ又はそれを上回る蒸気導管７３２が、分配管１０６の長さに沿って異なる位置に提供できる。蒸気導管７３２は、１つの蒸発るつぼ１０４かいくつかの蒸発るつぼ１０４かのどちらかに連結することができる。例えば、各蒸気導管７３２は、対応する蒸発るつぼ１０４を有することができる。代替的には、蒸発るつぼ１０４は、分配管１０６に連結されている２つ又はそれを上回る蒸気導管７３２と流体連通することができる。

本明細書に記載されるように、分配管は、中空の円筒とすることができる。用語「円筒」は、円形の底形状及び円形の上部形状、並びに上部円形及び小さな下部円形と連結する湾曲した表面積又はシェルを有すると一般的に認められると理解することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、用語「円筒」は、任意の底形状及び一致する上部形状、並びに上部形状及び下部形状と連結する湾曲した表面積又はシェルを有すると数学的意味において更に理解することができる。したがって、円筒は、必ずしも円形の断面を有する必要はない。その代わりに、ベース面及び上面は、円と異なる形状を有することができる。

図５Ａ及び図５Ｂについて記載されたように、蒸発源の列を有する実施形態及び／又は蒸発源の並進運動及び回転運動のためのループ状軌道を有する実施形態は、３つ以上の基板を真空チャンバの中に提供することから恩恵を受けることができる。３つ以上の基板を真空チャンバ１１０内に提供する異なる実施形態が、図８Ａ、図８Ｂ及び図９に示される。図８Ａに示された例について、真空チャンバ１１０は、基板１２１を処理することができる、例えば、有機材料を基板１２１上で堆積することができる、４つの位置又は処理領域を含み得る。これにより、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、特に、複数の蒸発源が提供される堆積装置５００について、スループットを増加させるために、基板の交換を加速することができる。図８Ａに示される堆積装置５００は、２つの移送チャンバ８１０を含む。移送チャンバの各々は、真空チャンバ１１０に隣接して提供される。例えば、移送チャンバ８１０は、バルブ２０５を介して、真空チャンバ１１０に連結することができる。本明細書に示される他の実施形態に関して記載されるように、図８Ａに示された２つの移送チャンバ８１０の代わりに、１つの移送チャンバを提供することができる。

搬送軌道６２１が、移送チャンバ８１０の中に提供される。搬送軌道６２１は、真空チャンバ１１０内に延びる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、搬送軌道は、ローラの配置、磁気案内エレメントの配置、及び／又は基板及び／又は基板を有するキャリアの本質的な直線的運動のために構成された他の搬送要素によって画定することができ、基板は、典型的には、本質的に垂直に配向される。図８Ａに示されるように、例えば、基板を内部に配置したキャリア４２１を支持することによって、基板を支持する基板支持体１２６を提供することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、基板１２１は、搬送軌道６２１から自然にずれる処理位置に提供することができる。例えば、基板１２１は、処理位置内へ又は処理位置から基板を位置決めするための搬送軌道６２１の方向と本質的に直角な方向に移動させることができる。

４つの基板１２１が真空チャンバ１１０の中に提供され、２つの基板は、搬送軌道６２１の方向と本質的に平行な線に沿って位置決めすることができる。したがって、２つの基板は、第１の線に沿って位置決めされ、２つ基板は、第２の線に沿って位置決めされる。複数の蒸発源１００を移動させるためのループ状軌道５３０は、第１の線と第２の線との間に提供される。いくつかの実施形態によれば、ループ状軌道は、２つの真っすぐな部分及び２つの湾曲した部分を含むことができる。２つの真っすぐな部分は、第１の線と本質的に平行とすることができ、及び／又は基板１２１と本質的に平行とすることができる。蒸発源１００は、例えば、直線的分配シャワーヘッドで、基板上の有機材料の位置に並進運動を提供するように、ループ状軌道５３０の真っすぐな位置に沿って移動させることができる。蒸発源１００は、ループ状軌道の湾曲部分に沿って、蒸発源の移動によって回転される。これにより、有機材料の蒸気が蒸発源の分配管により案内される方向は、例えば１８０度、回転される。したがって、蒸発源の分配管は、少なくとも１６０度回転可能である。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、例えば、マスクフレーム１３１によって支持することができるマスク１３２が、基板位置によって画定される第１の線とループ状軌道５３０との間、又は更なる基板位置によって画定される第２の線とループ軌道５３０との間にそれぞれ提供される。ループ軌道５３０は、マスク１３２によってマスクされる基板に沿って複数の蒸発源１００の並進運動を可能にする。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、２つ又はそれを上回る蒸発源１００が、ループ状軌道５３０上に提供される。例えば、図８Ａは、ループ軌道５３０上に提供された８つの蒸発源１００を示す。２つ又はそれを上回る蒸発源は、並進運動が次々に行われている状態で、基板を越えて搬送することができる。これにより、例えば、蒸発源１００の各々が、有機材料の１つの層を堆積させることができる。したがって、有機材料のいくつかの異なる層を、処理位置に提供される基板上に堆積させることができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、２つ若しくはそれを上回る蒸発源１００、又は蒸発源の各々でさえ、基板上に異なる有機材料の異なる層を堆積させることができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、保守真空チャンバ２１０を提供することができる。例えば、保守真空チャンバ２１０は、バルブ２０７により真空チャンバ１１０から分離させることができる。バルブ２０７は、真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ２１０との間の真空密閉を開閉するように構成される。蒸発源１００は、保守真空チャンバ２１０に移送することができる。その後、バルブは、真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ２１０との間に真空密閉を提供するように閉鎖することができる。従って、保守真空チャンバは、真空チャンバ１１０の真空を破壊せずに、換気及び開放することができる。

更なる軌道８２０、例えば、更なるループ状軌道が、保守真空チャンバ２１０の中に提供される。図８Ａに例示的に示されるように、更なる軌道８２０の湾曲部分は、ループ状軌道５３０の湾曲部分と重なることができる。これにより、ループ状軌道５３０から更なる軌道８２０への蒸発源１００の移送が可能になる。従って、蒸発源をループ状軌道５３０から更なる軌道８２０まで、及びその逆に移動させることができる。これにより、蒸発源の保守のため、及び保守真空チャンバ２１０から真空チャンバ１１０内への維持された蒸発源の移動のために、保守真空チャンバ２１０の中での蒸発源の移動が可能になる。維持された蒸発源は、真空チャンバ１１０の中の基板上で有機材料を蒸発させることができる。

図８Ａには示されないが、基板及びマスクの互いに対する位置合わせのための一又は複数の位置合わせユニットは、図８Ａに示される堆積装置５００の中に提供することができる。図８Ａは、ループ状軌道５３０が、２つの基板の処理位置によって画定された第１の線と２つの更なる基板の処理位置によって画定された第２の線との間に提供される実施形態を示す。

ループ状軌道５３０の代替的な配置が図８Ｂに示される。ループ状軌道５３０は、少なくとも１つの基板、典型的には、基板の処理位置によって画定された線に沿って配置された２つ又はそれを上回る基板を取り囲む。上記を考慮し、１つのオプションによれば（図８Ａを参照）、少なくとも２つの基板は、有機材料が堆積されたそれらの基板のそれぞれの表面が互いに向かい合うように配向することができる。別のオプションによれば（図８Ｂを参照）、真空チャンバ１１０の中の基板と、有機材料が堆積されるそれらそれぞれの表面とは、同一方向に配向される。図８Ａ及び図８Ｂに示された堆積装置５００は、４つの基板１２１を収納するように構成されている真空チャンバ１１０を示しているが、それぞれの改良を２つの基板１２１を収納するように構成されている真空チャンバに提供することもできる。例えば、保守真空チャンバ２１０、更なる軌道８２０、搬送軌道６２１、移送チャンバ８１０又は同種のものに関する、更なる詳細、態様及び特徴を、図８Ａに示された実施形態に対して記載された類似の方法で、図８Ｂに示された実施形態において実施することができる。

本明細書に記載の実施形態によれば、堆積装置は、２つ又はそれを上回る基板を有するチャンバ、即ち、基板処理領域を含む。１つの基板が処理されている際に、別の基板がチャンバ内へ又はチャンバから移動される。したがって、１つの基板を１つの基板処理領域の中で処理することができる。更に、第２の基板処理領域に位置する基板を除去することができ、新しい基板を第２の基板処理領域内に移動させることができる。

本明細書に記載されるように、一又は複数の蒸発源を、並進運動により静止した基板を走査する一又は複数の線源として提供することができる。特に源の列及び／又はループ状軌道を有する実施形態について、有機層毎に少なくとも１つの線源を提供することができる。例えば、ディスプレイを製造している場合に、線源を発光層、孔搬送層、孔注入層又は同種のものに提供することができる。

図９は、堆積装置５００の更なる実施形態を示す。堆積装置５００は、本明細書に記載された他の実施形態に対して先ほど説明されたような移送チャンバ８１０、バルブ２０５、保守真空チャンバ２１０、及び更なる軌道８２０を含む。図９に示された実施形態が、基板上に有機材料を堆積させるように真空チャンバ内への基板１２１の更に良好な交換を支援するために、４つの移送チャンバ８１０を含むにもかかわらず、類似の搬送軌道が移送チャンバ８１０の中に提供される。搬送軌道は、真空回転区画内への及び真空回転区画からの基板の搬送のための真空回転区画９１０内へ延びる。図９は、４つの真空回転区画９１０が真空チャンバ１１０に連結される例を示す。ループ状軌道５３０が、真空チャンバ１１０の中に提供される。複数の蒸発源１００は、ループ状軌道５３０により支持され、ゆえにループ状軌道の真っすぐな部分に沿った並進運動、及びループ状軌道の湾曲部分に沿った回転移動を行うことができる。

真空回転区画９１０は、真空チャンバ１１０及び真空回転区画９１０を含むシステムが排気できるように、真空チャンバ１１０に連結される。代替的には、回転モジュールを含む１つのチャンバを提供することができる。真空回転区画９１０内での基板の回転は、参照番号９１１で表示された円によって示される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、真空回転区画の各々は、真空回転モジュールを含み、基板を真空回転モジュールの第１の部分に積み込む又はそこから取り外すことができる。例えば１８０度、移送チャンバ８１０から積み込まれた基板を回転させると、処理位置において基板１２１が移動し、蒸発源が基板の表面に沿って走査を行う。更なる代替例によれば、基板を処理位置内へ提供するための基板の回転はまた、例えば、真空チャンバ及び区画が別様に配置される場合に、１８０度とは異なる角度で行うことができる。しかしながら、移送位置から処理位置まで基板を移動させるための１８０度の回転は、比較的小さな設置面積を提供する。

図９に示されるように、例えば、回転モジュールは、基板１２１及びマスク１３２が、回転モジュールの中に提供された２つの基板の場所毎に互いに対して位置合わせできるような２つの位置合わせユニット１１２を含むことができる。１つの実施形態によれば、堆積装置は、例えば、４つの真空回転モジュールと、８つの基板支持体位置とを含むことができる。しかしながら、本明細書に記載の更なる実施形態と組み合わせることができる他の実施形態によれば、異なる数の基板支持体位置及び／又は異なる数の真空回転モジュールを提供することができる。例えば、少なくとも２つの基板処理位置は、本明細書に記載の実施形態にしたがって提供される。基板処理位置は、蒸発源の少なくとも分配管の回転によって基板の処理が可能になるように配置される。別の例として、少なくとも２つの回転モジュール、少なくとも２つの基板処理位置及び少なくとも４つの基板支持体位置（そのうちの２つは基板処理位置でもある）を提供することができる。

図１０は、本明細書に記載された実施形態による有機材料を蒸発させる方法を示すフローチャートを図示する。金属利用率を改善するために、２つの基板位置が提供される。これは、蒸発源の、特に直線的分配シャワーヘッドなどの線源の並進運動及び回転運動と組み合わされる。ステップ８０２では、本質的に垂直配向で提供される第１の基板は、第１の処理位置において移動される。ステップ８０４において、蒸発源は、少なくとも並進運動で、例えば、第１の基板を走査するなど、第１の処理位置に位置する第１の基板に沿って移動し、有機材料が第１の基板上に堆積される。第１の基板が処理される間、第２の処理位置を、内部での第２の基板処理のために準備することができる。ステップ８０６において、例えば、第２の基板は、第１の処理位置とは異なる第２の処理位置の中で移動することができる。更に、第２の基板の準備は、第２の処理位置から事前に処理された基板を除去すること、及び／又はマスク及び第２の基板を互いに対して位置合わせすることを含み得る。ステップ８０８では、蒸発源のすくなくとも分配管が回転され、次に、第２の処理位置に向けられる。本明細書に記載されるように、本質的に垂直な軸周囲、典型的には、線源が延びる軸周囲で回転を行うことができる。ステップ８０９において、蒸発源は、少なくとも並進運動で、例えば、第２の基板を走査するなど、第２の処理位置に位置する第２の基板に沿って移動し、有機材料が第２の基板上に堆積される。

蒸発システムの上記様々な実施形態を考慮して、堆積装置、及び本明細書の他の実施形態と組み合わせることができる、特に本明細書に記載の製造システムの何れかで使用することができる、有機材料を蒸発させるための方法が、本明細書で提供される。これらの実施形態が以下に示される。

実施形態１． 有機材料用の蒸発源であって、有機材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼと；蒸発るつぼと流体連通しており、蒸発中に軸周囲を回転可能である、一又は複数の排出口を有する分配管と；第１のドライバと連結可能であり又は第１のドライバを含む、分配管の支持体であって、第１のドライバが支持体及び分配管の並進運動のために構成される、支持体とを含む蒸発源。

実施形態２． 分配管が、一又は複数の排出口を含む蒸気分配シャワーヘッドであり、特に蒸気分配シャワーヘッドが、直線的蒸気分配シャワーヘッドである、実施形態１に記載の蒸発源。

実施形態３． 分配管が、本質的に垂直に延びる線源を提供し、及び／又は分配管を回転させる軸が、本質的に垂直に延びる、実施形態１又は２に記載の蒸発源。

実施形態４． 分配管が、少なくとも１６０度、特に１８０度又は少なくとも３６０度回転可能である、実施形態１から３の何れかに記載の蒸発源。

実施形態５． 分配管が、支持体に対して分配管を回転させ、特に支持体に対して蒸発るつぼも回転させる第２のドライバによって、軸周囲を回転可能である、実施形態１から４の何れかに記載の蒸発源。

実施形態６． 支持体が、内部で大気圧を維持するように構成された支持体ハウジングを含み、支持体が、回転可能な真空フィードスルー、特に磁性流体フィードスルーを介して、分配管を支持する、実施形態５に記載の蒸発源。

実施形態７． 分配管が、ループ状軌道に沿って進行することによって、軸周囲を回転可能である、実施形態１から４の何れかに記載の蒸発源。

実施形態８． 内部で大気圧を維持するように構成された蒸発器制御ハウジングであって、支持体によって支持され、スイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット及び冷却制御ユニットから成るグループから選択された少なくとも１つの要素を収納するように構成されたハウジングを更に備える、実施形態１から７の何れかに記載の蒸発源。

実施形態９． 有機材料の蒸発をシールドするための、少なくとも片側シールド、特に両側シールドを更に含む、実施形態１から８の何れかに記載の蒸発源。

実施形態１０． 誘導性電力伝送及び誘導性信号伝送の少なくとも１つのためのコイルを更に含む、実施形態１から９の何れかに記載の蒸発源。

実施形態１１． 支持体によって支持された少なくとも１つの第２の蒸発るつぼと；支持体によって支持された少なくとも１つの第２の分配管とを更に含み、少なくとも１つの第２の分配管が、少なくとも１つの第２の蒸発源と流体連通する、実施形態１から１０の何れかに記載の蒸発源。

実施形態１２． 真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置であって、処理真空チャンバと；実施形態１から１１の何れかに記載の蒸発源であって、処理真空チャンバの中で有機材料を蒸発させる蒸発源と；真空チャンバの中に配置され、少なくとも２つの軌道を有する基板支持体システムであって、基板支持体システムの少なくとも２つの軌道が、基板又は真空チャンバの中で基板を運ぶキャリアの本質的に垂直な支持のために構成される、基板支持体システムとを含む堆積装置。

実施形態１３． 処理真空チャンバと連結された保守真空チャンバと；処理真空チャンバと保守真空チャンバとの間の真空密閉を開閉するための真空バルブであって、蒸発源を処理真空チャンバから保守真空チャンバへ及び保守真空チャンバから処理真空チャンバへ移送することができる、真空バルブとを更に備える、実施形態１２に記載の堆積装置。

実施形態１４． 有機材料を蒸発させる方法であって、本質的に垂直な第１の処理位置で第１の基板を移動させることと；蒸発源が有機材料を蒸発させる間に、少なくとも並進運動で第１の基板に沿って蒸発源を移動させることと；第１の処理位置と異なる本質的に垂直な第２の処理位置で第２の基板を移動させることと；蒸発中に軸周囲で蒸発源の分配管を回転させることと；蒸発源が有機材料を蒸発させる間に、少なくとも更なる並進運動で第２の基板に沿って蒸発源を移動させることとを含む方法。

実施形態１５． 第２の基板は、蒸発源が第１の基板に沿って移動される間に、本質的に垂直な第２の処理位置で移動される、実施形態１４に記載の方法。

図１１は、デバイス、特に有機材料をその内部に含むデバイスを製造するためのシステム１０００を示す。例えば、デバイスは、光電子デバイス及び特にディスプレイなどの電子デバイス又は半導体デバイスとすることができる。大量生産システムの改良されたキャリアハンドリング及び／又はマスクハンドリングを提供することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、これらの改良点は、ＯＬＥＤデバイス製造に有利に用いることができ、ゆえに図１Ａから図１０を参照して記載されるような堆積装置、その構成要素、及び堆積装置を操作する方法を含むことができる。しかしながら、本明細書に記載されたように様々なチャンバの配置の概念によって提供されるキャリアハンドリング及びマスクハンドリングの改良はまた、他の基板処理システム、例えば、蒸発源、スパッタ源、特にロータリスパッタターゲット、ＰＥＣＶＤ堆積源などのＣＶＤ堆積源、又はそれらの組み合わせを含む基板処理システムにも用いられうる。特に大面積基板、例えば大面積ガラス基板上の製造システムに関する本開示は、特に以下に記載される概念から利益が得られる可能性があるため、ＯＬＥＤ製造システムに関して記載される。

本明細書に記載される実施形態は、特に、例えば、ディスプレイ製造用の、大面積基板上での、材料の堆積に関する。いくつかの実施形態によれば、大面積基板、又は一又は複数の基板を支持するキャリア、即ち、大面積キャリアは、少なくとも０．１７４ｍ^２のサイズを有しうる。典型的には、キャリアのサイズを、約１．４ｍ^２から約８ｍ^２、より典型的には、約２ｍ^２から約９ｍ^２、更に最大で１２ｍ^２とすることができる。典型的には、基板が支持され、本明細書に記載の実施形態による保持設備、装置、及び方法が提供される長方形の面積が、本明細書に記載の大面積基板のサイズを有するキャリアである。例えば、単一の大面積基板の面積に対応するであろう大面積キャリアを、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０とすることができる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に大きな世代並びにこれらに対応する基板面積が、同様に実現されうる。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、基板の厚さを０．１から１．８ｍｍとすることができ、保持設備及び特に保持デバイスをこのような基板の厚さに対して適合させることができる。しかしながら、特に基板の厚さを約０．９ｍｍ又はそれを下回る、例えば、０．５ｍｍ又は０．３ｍｍとすることができ、保持設備及び特に保持デバイスがそのような基板の厚さに適合される。典型的には、基板は、材料堆積に適した任意の材料から作られ得る。例えば、基板は、ガラス（例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、或いは堆積処理によって被覆することできる他の材料及び材料の組合せからなるグループから選択された材料から作成されたものであってもよい。

コータ又は堆積システムの概念、例えば、いくつかの実施形態によるＯＬＥＤ大量生産の概念は、垂直クラスタアプローチを提供し、ゆえに例えば、すべてのチャンバへの「ランダムな」アクセスが提供されうる。したがって、そのような概念は、所望の数の必要とされるモジュールを加える際にフレキシビリティを提供することによって、ＣＦ（色フィルタ）堆積上のＲＧＢ及びＷｈｉｔｅに有効である。このフレキシビリティはまた、冗長性を形成するためにも使用できるだろう。一般的に、ＯＬＥＤディスプレイ製造には、２つの概念を提供することができる。一方で、赤色光、緑色光、及び青色光の発光を有するＲＧＢ（赤緑青）ディスプレイが製造される。他方で、ＣＦディスプレイ上のＷｈｉｔｅが製造され、白色光が発光され、色フィルタによって色が生成される。ＣＦディスプレイ上のＷｈｉｔｅがそのようなデバイスを製造するためのチャンバの減数を必要としようとも、両概念が実施され、賛否両論がある。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、ＯＬＥＤデバイス製造は、典型的には、堆積用基板のマスキングを含む。更に、大面積基板は、典型的には、その処理中にキャリアによって支持される。マスクハンドリング及びキャリアハンドリングの双方が、温度安定、マスク及びキャリアなどの洗浄に関して、特にＯＬＥＤデバイスには重要でありうる。したがって、本明細書に記載の実施形態は、真空条件下、又は保護ガスなどの定義されたガス雰囲気下で、キャリア戻り経路、及び改良された洗浄の任意選択をキャリア及びマスクに提供する。加えて、図１Ａから図１０までに関して記載された堆積装置配置について記載された、改良されたシステム稼働時間、改良された堆積源効率、及び／又は改良された材料利用率が提供されうる。これらの配置により、ルーチン保守中又はマスク交換中に、基板ハンドリングチャンバ又は堆積チャンバを換気する必要性が回避される。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、マスク洗浄は、例えば、任意選択的なプラズマ洗浄によって、インシトゥで提供することができるか、製造システムの処理チャンバ又は移送チャンバを換気せずに外側のマスク洗浄を可能にするために、マスク交換インターフェースを提供することによって提供することができるかのどちらかである。

図１１に示される製造システム１０００は、水平基板ハンドリングチャンバ１１００に連結されているロードロックチャンバ１１２０を含む。基板は、ガラスハンドリングチャンバ１１００から真空スイングモジュール１１６０まで移送することができ、キャリア上の水平位置にロードされる。キャリア上で水平位置に基板をロードした後に、真空スイングモジュール１１６０は、垂直な又は本質的に垂直な配向で上部に提供された基板を有するキャリアを回転させる。上部に提供された基板を有するキャリアは、次いで垂直配向を有する第１の移送チャンバ６１０及び少なくとも１つの更なる移送チャンバ（６１１−６１５）を通って移送される。一又は複数の堆積装置２００は、移送チャンバに連結することができる。更に、他の基板処理チャンバ又は他の真空チャンバは、移送チャンバの一又は複数に連結することができる。基板の処理後に、上部に基板を有するキャリアが、移送チャンバ６１５から垂直配向の更なる真空スイングモジュール１１６１内に移送される。更なる真空スイングモジュール１１６１は、上部に基板を有するキャリアを垂直配向から水平配向に回転させる。その後、基板は、更なる水平ガラスハンドリングチャンバ内に取り出すことができる。処理された基板は、例えば、製造されたデバイスが薄膜のカプセル化チャンバ１１４０又は１１４１の１つにカプセル化された後に、処理システム１０００からロードロックチャンバ１１２１を通って取り出すことができる。

図１１には、第１の移送チャンバ６１０、第２の移送チャンバ６１１、第３の移送チャンバ６１２、第４の移送チャンバ６１３、第５の移送チャンバ６１４、及び第６の移送チャンバ６１５が提供される。本明細書に記載の実施形態によれば、少なくとも２つの移送チャンバが製造システムの中に含まれ、典型的には２つから８つの移送チャンバを製造システムの中に含むことができる。各々が真空チャンバ１１０を有し、かつ各々が例示的に移送チャンバの１つに連結されている、例えば、図１１の９つの堆積装置２００など、いくつかの堆積装置が提供される。いくつかの実施形態によれば、堆積装置の真空チャンバの一又は複数は、ゲートバルブ２０５を介して移送チャンバに連結される。

位置合わせユニット１１２は、図１Ａから図１０に関して記載された実施形態の何れかに従って、真空チャンバ１１０に提供することができる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、真空保守チャンバ２１０は、例えば、ゲートバルブ２０７を介して、真空チャンバ１１０に連結することができる。真空保守チャンバ２１０は、製造システム１０００の中の堆積源の保守を可能にする。保守真空チャンバが２１０の更なる詳細を図１Ａから図１０を参照して説明したが、製造システムに関する実施形態に対しても同様に提供することができる。

いくつかの実施形態によれば、図１１に示されるように、一又は複数の移送チャンバ６１０−６１５が、一列に並んだ搬送システム部分を提供するための線に沿って提供される。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、本明細書に記載のいくつかの実施形態によれば、デュアル軌道搬送装置が提供され、移送チャンバが、第１の軌道及び第２の軌道の少なくとも１つに沿って、キャリア、即ち、基板を支持するキャリアを移送するために、第１の軌道１１１１及び第２の軌道１１１２を含む。移送チャンバの中の第１の軌道１１１１及び第２の軌道１１１２は、製造システム１０００の中にデュアル軌道搬送装置を提供する。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、移送チャンバ６１０−６１５のうちの一又は複数が、真空回転チャンバとして提供される。第１の軌道１１１１及び第２の軌道１１１２を、少なくとも９０度、例えば、９０度、１８０度又は３６０度回転させることができる。軌道上のキャリアは、堆積装置２００の真空チャンバの１つ、又は以下に記載される他の真空チャンバの１つにおいて移送される位置で回転する。移送チャンバは、垂直配向されたキャリア及び／又は基板を回転させるように構成され、例えば、移送チャンバの中の軌道が、垂直回転軸周囲を回転する。これが、図１１の矢印によって示される。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、移送チャンバは、１０ミリバール未満の圧力下で基板を回転させるための真空回転モジュールである。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、更なる軌道が、複数の移送チャンバ（６１０−６１５）内部に提供され、キャリア戻り軌道が提供される。典型的実施形態によれば、キャリア戻り軌道１１２５は、第１の軌道１１１１と第２の軌道１１１２との間に提供することができる。キャリア戻り軌道１１２５は、真空条件下で、更なる真空スイングモジュール１１６１から真空スイングモジュール１１６０まで空のキャリアを戻すことを可能にする。真空条件下で、及び任意選択的には、制御された不活性雰囲気（例えば、Ａｒ、Ｎ_２、又はそれらの組み合わせ）下で、キャリアを戻すことは、キャリアの周囲空気への露出を減らす。湿気へのコンタクトを低減又は回避することができる。したがって、製造システム１０００でのデバイス製造中のキャリアのガス放出を低減することができる。これは、製造されたデバイスの品質を向上させ得、及び／又は延長時間中に洗浄されることなく、キャリアを動作中にすることができる。

図１１は、第１の事前処理チャンバ１１３０及び第２の事前処理チャンバ１１３１を更に示す。ロボット（図示されず）又は別のハンドリングシステムを基板ハンドリングチャンバ１１００の中に提供することができる。ロボット又は別のハンドリングシステムは、ロードロックチャンバ１１２０から基板ハンドリングチャンバ１１００の中に基板をロードし、事前処理チャンバ（１１３０、１１３１）の一又は複数内に基板を移送することができる。例えば、事前処理チャンバは、基板のプラズマ事前処理、基板の洗浄、基板のＵＶ及び／又はオゾン処理、基板のイオン源処理、基板のＲＦ又はマイクロ波プラズマ処理、及びそれらの組み合わせから成るグループから選択された事前処理ツールを含むことができる。基板の事前処理後に、ロボット又は別のハンドリングシステムは、事前処理チャンバから基板ハンドリングチャンバを介して真空スイングモジュール１１６０内に基板を移送する。基板ロード用のロードロックチャンバ１１２０を換気し、大気条件下で基板ハンドリングチャンバ１１００の中の基板をハンドリングすることができるように、ゲートバルブ２０５が、基板ハンドリングチャンバ１１００と真空スイングモジュール１１６０との間に提供される。従って、基板ハンドリングチャンバ１１１０、及び必要に応じてロードロックチャンバ１１２０の一又は複数、第１の事前処理チャンバ１１３０、並びに第２の事前処理チャンバ１１３１は、ゲートバルブ２０５が開放され、基板が真空スイングモジュール１１６０内に移送される前に、排気することができる。従って、基板のロード及び処理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ａｎｄ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）は、基板が真空スイングモジュール１６０内にロードされる前に、大気条件下で行われうる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる本明細書に記載に実施形態によれば、基板が真空スイングモジュール１６０内にロードされる前に行われうる基板のロード及び処理は、基板が水平に配向される又は本質的に水平に配向される間に行われる。本明細書に記載の更なる実施形態による、図１１に示された製造システム１０００は、水平配向での基板ハンドリング、垂直配向での基板の回転、垂直配向での基板上への材料堆積、材料堆積後の水平配向での基板の回転、及び水平配向での基板の取り出しを組み合わせる。

図１１に示された製造システム１０００だけではなく、本明細書に記載の他の製造システムもまた、少なくとも１つの薄膜カプセル化チャンバを含む。図１１は、第１の薄膜カプセル化チャンバ１１４０及び第２の薄膜カプセル化チャンバ１１４１を示す。一又は複数の薄膜カプセル化チャンバは、カプセル化装置を含み、堆積材料及び／又は処理材料が周囲空気及び／又は大気条件に露出されないよう保護するために、堆積層及び／又は処理層、特にＯＬＥＤ材料が、処理基板と更なる基板との間でカプセル化される、即ち、それらの間に挟まれる。典型的には、薄膜カプセル化は、２つの基板、例えば、ガラス基板の間に材料を挟むことによって、提供することができる。しかしながら、ガラス、ポリマー若しくは金属シートでの積層、カバーガラスのレーザ融解のような他のカプセル化方法が、薄膜カプセル化チャンバの１つに提供されたカプセル化装置によって代替的に適用され得る。特に、ＯＬＥＤ材料層が周囲空気並びに／又は酸素及び湿気への露出を被りうる。従って、製造システム１０００は、例えば、図１１に示されるように、ロードロックチャンバ１１２１を介して処理基板を取り出す前に、薄膜をカプセル化することができる。

図１１に示された製造システム１０００だけではなく、本明細書に記載の他の製造システムもまた、層検査チャンバ１１５０を更に含むことができる。電子及び／又はイオン層検査ツールなどの層検査ツールを層検査チャンバ１１５０の中の提供することができる。製造システム１０００に提供された一又は複数の堆積ステップ又は処理ステップ後に、層検査を行うことができる。したがって、基板を内部に有するキャリアは、堆積又は処理チャンバから、層検査チャンバ１１５０がゲートバルブ２０５を介して連結される移送チャンバ６１１まで移動することができる。検査される基板は、層検査チャンバの中に移送され、製造システム内部で検査することができる、即ち、製造システムから基板を除去しなくてよい。オンライン層検査は、製造システム１０００の中で行われうる堆積ステップ又は処理ステップの一又は複数の後に提供することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、製造システムは、キャリアバッファ１４２１を含むことができる。例えば、キャリアバッファは、真空スイングモジュール１１６０及び／又は最後の移送チャンバ、即ち、第６の移送チャンバ６１５に連結される第１の移送チャンバ６１０に連結することができる。例えば、キャリアバッファは、真空スイングモジュールの１つに連結される移送チャンバの１つに連結することができる。基板が真空スイングモジュールの中でロードされ取り出されるので、キャリアバッファ１４２１が、真空スイングモジュールに接近して提供される場合には有利である。キャリアバッファは、一又は複数の、例えば、５から３０のキャリアにストレージを提供するように構成される。バッファの中のキャリアは、別のキャリアが、例えば、洗浄などの保守のために交換が必要である際に、製造システムの工程中に使用することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、製造システムは、マスク棚１１３２、即ち、マスクバッファを更に含むことができる。マスク棚１１３２は、特定の堆積ステップのために保管しなければならない交換マスク用ストレージ又はマスクを提供するように構成される。製造システム１０００を操作する方法によれば、第１の軌道１１１１及び第２の軌道１１１２を有するデュアル軌道搬送装置を介して、マスク棚１１３２から堆積装置２００まで移送することができる。したがって、堆積装置の中のマスクは、堆積装置を排気せず、移送チャンバを排気せず、及び／又はマスクを大気圧にさらさずに、洗浄などの保守、又は堆積パターン変化のどちらかのために交換することができる。

図１１は、マスク洗浄チャンバ１１３３を更に示す。マスク洗浄チャンバ１１３３は、ゲートバルブ１２０５を介してマスク棚１１３２に連結される。したがって、マスク棚１１３２とマスク洗浄用のマスク洗浄チャンバ１１３３との間に真空気密閉を提供することができる。異なる実施形態によれば、マスクは、プラズマ洗浄ツールなどの洗浄ツールによって、製造システム１０００内部で洗浄することができる。プラズマ洗浄ツールは、マスク洗浄チャンバ１１３３の中に提供することができる。加えて又は代替的には、図１１に示されるように、更なるゲートバルブ１２０５をマスク洗浄チャンバ１１３３に提供することができる。したがって、マスク洗浄チャンバ１１３３だけを排気する必要がある際には、マスクを製造システム１０００から取り出すことができる。マスクを製造システムから取り出すことによって、製造システムが完全に動作し続ける間、外側のマスク洗浄を提供することができる。図１１は、マスク棚１１３２に隣接したマスク洗浄チャンバ１１３３を示す。対応する又は類似の洗浄チャンバ（図示されず）もまた、キャリアバッファ１４２１に隣接して提供され得る。洗浄チャンバをキャリアバッファ１４２１に隣接して提供することによって、キャリアが製造システム１０００内部で洗浄され得、又は洗浄チャンバに連結したゲートバルブを通って製造システムから取り出すことができる。

ＯＬＥＤディスプレイなどのデバイスを図１１に示される製造システム１０００の中で以下のように製造することができる。これは、単に例示的製造方法に過ぎず、多くの他のデバイスが他の製造方法によって製造され得る。基板は、ロードロックチャンバ１１２０を介して、基板ハンドリングチャンバ１１００内にロードすることができる。基板事前処理は、基板が真空スイングモジュール１１６０の中にロードされる前に、事前処理チャンバ１１３０及び／又は１１３１内部に提供することができる。基板は、真空スイングモジュール１１６０の中でキャリア上にロードされ、水平配向から垂直配向に回転する。その後、基板は、移送チャンバ６１０−６１５を通して移送される。移送チャンバ６１５に提供された真空回転モジュールは、基板を含むキャリアが図１１の移送チャンバ６１５の下面に提供された堆積装置まで移動できるように、回転する。移送チャンバの１つの中の真空回転モジュールの１つの更なる回転ステップ、及び移送チャンバの一又は複数を通した移送ステップは、本節によるディスプレイ製造の記載における参照の便宜上、以下では省略される。堆積装置の中で、基板上にデバイスのアノードを堆積させるために、電極堆積が行われる。キャリアは、電極堆積チャンバから除去され、移送チャンバ６１０に連結され、両方が第１の孔注入層を堆積させるように構成されている、堆積装置２００の１つに移動する。移送チャンバ６１０に連結された２つの堆積装置は、例えば、代替的には、異なる基板上での孔注入層の堆積に用いることができる。キャリアは次いで、移送チャンバ６１２（図１１）に連結された下位チャンバに移送され、これにより第１の孔搬送層を図１１の移送チャンバ６１２下に提供された堆積装置２００によって堆積させることができる。この後、キャリアは、図１１の移送チャンバの下側に提供された堆積装置２００に搬送され、ゆえに青色発光層を第１の孔搬送層上に堆積させることができる。キャリアは次いで、第１の電子搬送層を堆積させるために、移送チャンバ６１４の下端で連結した堆積装置に搬送される。続くステップでは、赤色発光層を図１１の移送チャンバ６１２の上側の堆積装置の中に提供し、緑色発光層を図１１の移送チャンバ６１４の上側に提供された堆積装置の中に提供することができる前に、更なる孔注入層を、例えば、図１１の移送チャンバ６１１の下側に提供された堆積装置の中に、堆積させることができる。更に、電子搬送層は、発光層の間又は発光層の上に提供され得る。製造の終わりに、カソードを図１１の移送チャンバ６１５下に提供された堆積装置の中に堆積させることができる。更なる実施形態によれば、加えて一又は複数の励起子ブロッキング層（若しくは孔ブロッキング層）又は一又は複数の電子注入層が、アノードとカソードとの間に堆積され得る。カソード堆積後、キャリアは、更なる真空スイングモジュール１１６１に移送され、基板を含むキャリアが垂直配向から水平配向に回転する。その後、基板が、更なる基板ハンドリングチャンバ１１０１の中のキャリアから取り出され、堆積した積層をカプセル化するための薄膜カプセル化チャンバ１１４０／１１４１の１つに移送される。その後、製造デバイスは、ロードロックチャンバ１１２１を通して取り出すことができる。

図１２Ａは、真空スイングモジュール１１６０を示す。図１１に示された更なる真空スイングモジュール１１６１のような他の真空スイングモジュールは、類似の特徴、詳細、及び態様を含むことができる。真空スイングモジュール１１６０は、真空チャンバ１２６１を含む。真空チャンバは、典型的には、例えば、真空ポンプなどの排気ユニットを真空チャンバに連結するための一又は複数のフランジを有する。したがって、真空チャンバ１２６１は、典型的には、例えば、１０ミリバール又はそれを下回る、本明細書に記載の製造システムの一又は複数のチャンバに提供される、技術的真空に排気することができる。真空スイングモジュールは、真空チャンバ１２６１内部に提供される。スイングモジュールは、ベース１２０２を含む。ベース１２０２は、キャリア４２１上にロードされている基板１２１が垂直配向又は水平配向に支持されつつ、安定性を提供するように構成される。後者の配向が、図１２Ａに示される。例えば、トルクモータなどのアクチュエータ１２０４は、軸１２０７周囲で支持体１２０６を回転させることができる。したがって、支持体及び／又はそれに連結されたテーブルは、水平配向から垂直配向に及びその逆に回転させることができる。上記を考慮し、基板１２１は、水平配向を有して提供されつつ、キャリア４２１上にロードすることができる。その後、基板１２１を支持するキャリア４２１を、水平配向から垂直配向に回転させ、真空チャンバ１２６１から垂直に配向されつつ、搬送経路に沿って移動させることができる。逆のプロセスでは、キャリアは、真空チャンバ１２６１内に垂直に配向されつつ、搬送経路に沿って移動させることができる。基板１２１を支持するキャリア４２１は、真空チャンバ１２６１内部でスイングモジュールによって、垂直配向から水平配向に回転させることができる。その後、基板１２１は、キャリア４２１から取り出すことができる。

図１２Ｂは、水平配向から垂直配向に又はその逆にキャリア４２１に提供された基板１２１を回転させる順序を示す。左から右に、基板１２１がキャリア４２１の中に提供される。基板１２１が、リフトピン１２１０が垂直移動するとすぐに、キャリア４２１に対して上下するように、リフトピン１２１０をキャリア４２１の下に提供することができる。キャリアは、典型的には、基板受容部分、上方案内部分１２４１、及び下方案内部分を含む。上方案内部分は、搬送装置の中でキャリアの磁気案内を可能にする一又は複数の永久磁石を含むことができる。下方案内部分は、一又は複数のローラ４２４上で案内されるように構成されているロッドを含むことができる。複数のローラ４２４は、搬送装置の下方部分を形成することができる。

前記基板１２１がキャリア４２１上にロードされる前に、リフトピン１２１０は、上昇位置に垂直に移動する。ロボット又は別のアクチュエータは、真空スイングモジュールの中に基板をロードし、リフトピン１２１０上に基板を置くことができる。したがって、リフトピン１２１０は、基板１２１を支持する。その後、リフトピン１２１０を下げることができ、基板１２１は、キャリア４２１上にロードされる。その後、キャリア４２１は、図１２Ｂの順序によって示されるように回転させることができ、他方でキャリア４２１のロッドは、搬送システムの一又は複数のローラ４２４に位置する。キャリア（及び、ゆえに基板）が垂直位置まで上昇した後に、キャリアは、製造システムの搬送経路に沿って移動させることができる。

図１３Ａは、２つの隣接する移送チャンバ１３６１の部分を示す。２つの支持体１３１０が、チャンバの各々に提供される。支持体１３１０は、互いに平行であり、共通の垂直回転軸について一緒に回転可能となるように配置することができる。複数のローラ４２４が、移送チャンバ１３６１の壁に面した支持体１３１０のそれぞれの側面に提供される。このように、搬送軌道が、支持体１３１０の各々に沿って提供され、デュアル軌道搬送システムが提供される。追加の組のローラ１３４２が、他のそれぞれの支持体に面した支持体１３１０の１つの側面に提供される。追加の組のローラ１３４２は、移送チャンバ１３６１内部でキャリア戻り軌道を提供する。図１３Ａは、図１３Ｃにより詳しく示されているデュアル軌道搬送装置の下方部分を示す。図１３Ｂは、搬送装置の１つの軌道の上方部分を示す。磁気案内要素５２４が、搬送軌道の上方部分に提供される。第１の磁石１３２４及び第２の磁石１３２５が、磁石支持体要素１３２３のそれぞれの側面部分に提供される。磁石支持要素１３２３は、第１の磁石１３２４及び第２の磁石１３２５をキャリア４２１の対向側面又はキャリアの上方案内部分１２４１にそれぞれ提供できるようなＵ字型の支持体要素とすることができる。キャリア４２１の上方案内部分１２４１は、永久磁石を含み、ゆえにキャリアは、第１の磁石１３２４と第２の磁石１３２５との間で接触することなく案内される。

図１３Ｃは、搬送装置の１つの軌道の下方部分を示す。複数のローラ４２４は、それぞれの軸４２５に回転可能に装着される。ローラ４２４は、湾曲した外面、特に凹形の外面を有しており、ゆえにキャリア４２１のロッド１３２１を複数のローラに沿って案内することができる。異なる実施形態によれば、ローラ４２４の一又は複数は、モータ又は同種のものによって駆動することができる。例えば、モータは、ベルトシステム又はドライバチェーンに連結することができ、次に共通の回転速度でローラを回転させるためにローラの複数に連結される。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる更なる実施形態によれば、キャリアはまた、磁気浮上されうる。そのような実施形態によれば、キャリアの磁気浮上は、デュアル軌道搬送システムの軌道の各々の下方位置に提供することができる。加えて、キャリアの磁気浮上は、デュアル軌道搬送システムの軌道の各々の上方位置に提供することができる。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、処理システムで使用するように適合されたキャリアは、電極アセンブリ及び支持体ベースを含む。電極アセンブリは、基板を基板キャリアに固定するための静電チャッキング力を生成するように構成される。更なる追加的又は代替的な修正例によれば、支持体ベースは内部に形成された加熱／冷却リザーバを有する。電極アセンブリ及び支持体ベースは、処理システム内部での搬送のために構成された単一本体（ｕｎｉｔａｒｙ ｂｏｄｙ）を形成する。キャリアは、処理システムの中で供給媒体に連結することができる。クイックディスコネクト（ｑｕｉｃｋ ｄｉｓｃｏｎｎｅｃｔ）は、本体に結合することができ、本体が熱調節媒体の源から分離されると、加熱／冷却リザーバの中で熱調節媒体を捕捉するように構成することができる。クイックディスコネクト（ｑｕｉｃｋ ｄｉｓｃｏｎｎｅｃｔ）は、本体に結合することができ、本体が熱調節媒体の源から分離されると、加熱／冷却リザーバの中で熱調節媒体を捕捉するように構成することができる。クイックディスコネクトは、チャッキング電荷を加えるために結合することができる。

更なる実施形態によれば、誘導性電力結合要素は、デュアル軌道搬送装置の一又は複数の軌道の下方部分及び／又はデュアル軌道搬送装置の一又は複数の軌道の上方部分で静電気キャリアに電力供給するための移送チャンバ１３６１の一又は複数に提供することができる。例えば、一又は複数のコイル、即ち、伝導性ループ（複数可）をキャリアの下端及び／又は上端に提供することができる。例えば、これらのループは、デュアル軌道搬送装置の軌道に提供された更なるコイル装置と比較して、小さなループとすることができる。デュアル軌道搬送装置の軌道は、例えば、大きなループなど、更なるコイル装置を有しうる。キャリアの一又は複数のコイル及び軌道の更なるコイル装置を考慮すると、誘導性電力伝送を提供することができる。特定の例によれば、軌道での大きなループは、図１３Ａに示された支持体１３１０の長さに沿って、延在することができる。大きなループは、少なくとも支持体１３１０の全長の５０％に沿って、特に全長の少なくとも９０％に沿って延在することが可能となり得る。異なる又は代替的な実施態様によれば、電気コンタクト、即ち、スライディングコンタクトは、キャリアが移送チャンバ１３６１の軌道に沿って搬送される間に提供され得る。

図１４は、本明細書に記載の実施形態による更なる製造システム１０００を示す。図１１を参照して説明された実施形態の製造システムに類似するチャンバ、構成要素、特徴、態様、及び要素は、図１４を参照する際に再び説明されない。要するに、異なる実施形態に関する相違のみが説明される。図１４は、第１の移送チャンバ６１０及び第２の移送チャンバ６１１を有する製造システム１０００を示す。一又は複数の堆積装置２００が、第１の移送チャンバ６１０と第２の移送チャンバ６１１との間に提供される。図１４は、例として３つの堆積装置を示し、第２と第３の堆積装置の間の点は、第１の移送チャンバ６１０と第２の移送チャンバ６１１との間に提供された、更に多くの堆積装置、即ち、堆積チャンバを有する任意選択を示している。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、例えば、３つ、４つ、５つ、６つ、又は７つの堆積チャンバ、即ち、堆積装置を、移送チャンバの間に提供することができる。製造装置１０００の一部は、一列に並んだ堆積システム部分として提供される。図１４に示された製造システム１０００の本概念、即ち、一列に並んだ堆積システム部分を有しているとの概念を考慮すると、堆積チャンバ又は堆積装置２００の数は、図１１と比較して減らされてもよい。数が減少した堆積チャンバは、例えば、ＣＦディスプレイのＷｈｉｔｅに使用することができる。

キャリアバッファ１４２１は、ゲートバルブ２０５を介して、第１の移送チャンバ６１０に連結され、マスク棚１１３２は、ゲートバルブ２０５を介して、第２の移送チャンバ６１１に連結される。堆積装置２００は、本明細書に記載の様々な実施形態、特に図１Ａから図１０を参照して、提供することができ、蒸発源１００の保守用の一又は複数の保守真空チャンバは、１つの堆積装置から隣接する堆積装置への一列に並んだキャリアの搬送を提供できるように、堆積装置の真空チャンバの側面に提供される。

図１１及び図１４において例示的に見られるように、実施形態は、例えば、基板のロード及び事前処理並びに取り出し及び事後処理のための、クラスタ堆積システム部分（図１１）及び／又は一列に並んだ堆積システム部分並びに一又は複数のクラスタ部分を含むシステムを対象とすることができる。システムは、一列に並んだ処理システムとクラスタ処理システムとの間のハイブリットシステムとすることができる。

図１４に示されるように、堆積装置２００は各々、材料を基板上に堆積させることができる。２つの基板は、移送チャンバ６１０から更なる移送チャンバ６１１までデュアル軌道搬送システムに沿って搬送することができる。

図１４に関して記載された実施形態は、いくつかのキャリア戻りチャンバ１４１０によってキャリア戻り経路を提供する。キャリア戻りチャンバ１４１０は、ゲートバルブ１４０５を介して、移送チャンバ６１０及び６１１の各々にそれぞれ連結することができる。移送チャンバに連結されたキャリア戻りチャンバの一又は複数は、ロードロックチャンバ、即ち、換気及び排気されるチャンバとしても提供されうる。キャリア戻りチャンバをロードロックチャンバとして提供することは、移送チャンバ（例えば、製造システム１０００の移送チャンバ６１０又は６１１）と、次に例えば、不活性ガス雰囲気を伴うより高い圧力で操作されうる隣接するチャンバ、例えば、真空回転モジュール又は別のキャリア戻りチャンバとの間での圧力差の補償を可能にする。図１４に示されたように、２つの真空回転モジュール１４６１が提供される。例えば、２つの真空回転モジュールはまた、ゲートバルブ１４０５を介して、キャリア戻りチャンバ１４１０に連結され得る。複数のキャリア戻りチャンバ１４１０は、製造システム１０００の一列に並んだ堆積部分の延長に沿って延在する。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、キャリア戻りチャンバを有するキャリア戻り経路は、真空条件下、又は制御された不活性大気、若しくはアルゴン、窒素、それらの組み合わせなどの定義されたガス混合物を有する制御されたガス条件下で、キャリアに戻るように構成することができる。このキャリア戻り軌道を考慮して、キャリアの周囲空気への露出を回避することができる。これは、製造システム１０００におけるキャリアのガス抜きを低減することができる。例えば、不活性雰囲気は、不活性ガスを含有する。不活性雰囲気は、１０ｐｐｍ又はそれを下回る濃度、例えば、１ｐｐｍ又はそれを下回る濃度を有する、酸素又は湿気などの反応性ガスを含有する。

本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、キャリア戻りチャンバ１４１０の一又は複数は、一又は複数の保守アクセスポート１４２０を含むことができる。例えば、保守アクセスポートを有するキャリア戻りチャンバ１４１０は、ゲートバルブ１４０５を介して、隣接するキャリア戻りチャンバに連結することができる。したがって、ゲートバルブを閉鎖することができ、保守アクセスポートを有するキャリア戻りチャンバは、キャリアにアクセスするために、換気及び開放することができる。これは、例えば、洗浄などの保守のための、キャリアのロード及び取出しに使用することができる。

しかし、製造システム１０００の更なる実施態様を図１５Ａ及び１５Ｂを参照して説明することができる。図１４同様に、一列に並んだ堆積システム部分が提供される。しかしながら、キャリア戻り経路チャンバ１５１０が、その堆積装置２００の真空チャンバ１１０の下に提供される。キャリア戻り経路チャンバ１５１０は、水平に延びる筐体１５１２を有し、キャリアを、水平に配向されている間に、更なる真空スイングモジュール１１６１から真空スイングモジュール１１６０まで搬送し返すことができる。

更なる実施形態によれば、製造システム１０００は、加えて又は代替的に、図１６を参照して説明するように変更することができる。図１６は、図１１に類似したクラスタ堆積システム部分を有する製造システム１０００を示す。図１６に示されるように、複数の移送チャンバ、例えば、第１の移送チャンバ６１０、第２の移送チャンバ６１１、第３の移送チャンバ６１２、及び第４の移送チャンバ６１３を、第１の軌道１１１１及び第２の軌道１１１２を有するデュアル軌道搬送装置を有する１つの線に提供することができる。いくつかの実施形態によれば、キャリア戻り軌道１１２５は、第１の軌道１１１１と第２の軌道１１１２との間に提供される。

図１６を参照して説明される製造システム１０００は、移送チャンバ６１０−６１３の１つに連結されたいくつかの堆積チャンバ又は堆積装置を有する。図１１は、図１Ａから図４Ｂ及び図６を参照して説明された実施形態の何れかによる複数の堆積装置２００を示す。図１６に例示的に示される更なる実施形態は、一又は複数の堆積装置５００を含むことができ、それらの実施形態は、図５Ａ、図５Ｂ、及び図８Ａから図９を参照して説明されている。更なる実施形態によれば、製造システムは、一又は複数の堆積装置を含み得、それらの装置すべてが、図５Ａ、図５Ｂ、及び図８Ａから図９を参照して説明されている実施形態にしたがって提供されている。

そのような堆積装置５００において、ループ状軌道に基づき、源の列は、典型的にはマスクによってマスクされる基板に沿って並進運動で移動することができる。ループ状軌道の湾曲部分は、蒸発源１００を回転させる。更に、湾曲部分は、第２の基板の前に蒸発源を位置決めするように提供することができる。ループ状軌道の更なる真っすぐな部分は、更なる基板に沿って更なる並進運動を提供する。前述のように、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる、いくつかの実施形態によれば、基板及びマスクは、堆積中に本質的に静止したままである。線源、例えば、複数の線源に線の本質的に垂直配向を提供する蒸発源は、静止した基板に沿って移動する。蒸発源の列を有する実施形態及び／又は蒸発源の並進運動及び回転運動のためのループ状軌道を有する実施形態は、真空チャンバの中に提供された３つ以上の基板から恩恵を受けることができる。

例えば、更なる移送チャンバ６１３に連結された堆積装置５００は、複数の蒸発源１００がループ状軌道５３０に沿って移動する間の４つの基板上でのＯＬＥＤ材料堆積のために構成される。更に、ループ状軌道８２０は、蒸発源保守用の保守真空チャンバの中に提供することができる。移送チャンバ６１０に連結された堆積装置５００は、２つの基板上でのＯＬＥＤ材料堆積のために構成される。同様に、並進回転運動を提供するために、複数の蒸発源をループ状軌道に沿って移動させることができる。他の列のような堆積源装置の更なる実施態様又は変更例を、本明細書に記載の他の実施形態に従って提供することができる。

図１７に示される製造システム１０００に関して例示的に説明されている、製造システムの更なる実施形態は、図１４を参照して先ほど説明された一列に並んだ堆積システム部分を含むことができ、堆積装置５００は、一列に並んだ堆積システム部分に提供された一又は複数の堆積チャンバとしてループ状軌道を有する源の列構成を含む。

堆積装置５００又はそのそれぞれの堆積チャンバが、移送チャンバ６１０又は別の堆積装置に連結される。堆積装置５００は、ループ状軌道、即ち、源−列構成を含み、例示的な３つの源１００が、静止基板、例えば、静止したマスクによってマスクされている静止基板に沿って移動する。蒸発源１００は、軌道又は直線的ガイド２２０上で真空チャンバ１１０の中に提供される。直線的ガイド２２０は、蒸発源１００の並進運動のために構成される。その後、一又は複数の更なる堆積装置２００、その２つが図１７に示されている、が、一列に並んだ堆積システム部分の１つの堆積装置から隣接する堆積装置までキャリアを搬送するように提供される。更なる堆積装置２００は、軌道又は直線的ガイド２２０上で真空チャンバ１１０の中に提供される蒸発源１００を有する。直線的ガイド２２０は、蒸発源１００の並進運動のために構成される。更に、蒸発源の回転運動を、モータ又は蒸発源を回転させるための別の手段によって提供することができる。図１７に示される堆積装置５００及び２００は各々、基板上に材料を堆積させることができる。２つの基板は、移送チャンバ６１０から更なる移送チャンバ６１１までデュアル軌道搬送システムに沿って搬送することができる。更なる実施形態によれば、製造システムは、一又は複数の堆積装置を含み得、それらの装置すべてが、図５Ａ、図５Ｂ、及び図８Ａから図９を参照して説明されている実施形態にしたがって提供されている。

したがって、図１７は、基板が水平配向にハンドリングされる場合の、基板ハンドリングチャンバ１１００を含む先ほど説明されたクラスタ部分を有する製造システム１０００、並びに基板が水平配向にハンドリングされる場合の、真空スイングモジュール１１６０、第１の移送チャンバと第２の移送チャンバ、第１の移送チャンバと第２の移送チャンバとの間の複数の堆積装置、更なる真空スイングモジュール１１６１、及び基板ハンドリングチャンバ１１０１を有するクラスタ部分を示す。更に、キャリア戻り軌道が、先ほど説明されたように、複数のキャリア戻りチャンバ１４１０及び一又は複数の真空回転モジュール１４１６によって提供される。図１７に示された製造システム１０００の変更例として提供することができる様々な実施形態の更なる詳細、態様、特徴は、先ほど説明された他の実施形態の実施態様によって得ることができる。

図１８は、本明細書に記載の実施形態による製造デバイスを操作する実施形態のフローチャートを示す。基板が、水平配向で製造システム内にロードされる（ステップ１８０２を参照）。基板をキャリア上に水平配向でロードすることができ、ステップ１８０４で水平配向から垂直配向にキャリアを回転させることによって、基板を回転させる。ステップ１８０６では、基板は、基板と共にキャリアを垂直配向に移送することによって、製造システム、即ち、一又は複数の堆積チャンバ又は処理チャンバを通して、移送される。その後、ステップ１８０８において、基板をその上に有するキャリアを垂直配向から水平配向まで回転させる。ステップ１８１０で、基板は、水平配向に取り出される。ステップ１８１２で、真空条件下で、及び／又は、例えば、チャンバの中に提供されたアルゴン、窒素、又はそれらの組み合わせを有する一又は複数のチャンバの中の定義され若しくは制御された不活性雰囲気などの定義されたガス雰囲気で、キャリアが戻される。例えば、不活性雰囲気は、不活性ガスを含有する。不活性雰囲気は、１０ｐｐｍ又はそれを下回る濃度、例えば、１ｐｐｍ又はそれを下回る濃度を有する、酸素又は湿気などの反応性ガスを含有する。

上記を考慮して、本明細書に記載された実施形態は、複数の改良点、特に以下に記載される改良点の少なくとも一又は複数を提供することができる。全てのチャンバへの「ランダムな」アクセスは、垂直クラスタアプローチを用いてそのようなシステムに、即ち、クラスタ堆積システム部分を有するシステムに提供することができる。システム概念は、多くのモジュール、即ち、堆積装置、を加える際にフレキシビリティを提供することによって、ＣＦ堆積上のＲＧＢ及びＷｈｉｔｅ双方に対して実施することができる。このフレキシビリティはまた、冗長性を形成するためにも使用できるだろう。ルーチン保守中又はマスク交換中に基板ハンドリング又は堆積チャンバを換気する必要性が低減される又はなくなることによって、高いシステム稼働時間を提供することができる。任意選択的プラズマ洗浄によりインシトゥで又はマスク交換インターフェースを提供することによって外部でのどちらかで、マスク洗浄を提供することができる。高い堆積源効率（＞８５％）及び高い材料利用率（＞５０％）は、１つの真空チャンバにおいて２以上の基板を交互に又は同時に（源−列構成）コーティングするために１８０度旋回機構での走査源アプローチを使用して提供することができる。キャリアが、一体化したキャリア戻り軌道のために真空中に又は制御されたガス環境下に留まる。堆積源の保守及び事前調整を、別個の保守真空チャンバ又は源ストレージチャンバの中に提供することができる。水平なガラスのハンドリング、例えば、水平な大気ガラスのハンドリングは、真空スイングモジュールを実施することによって、製造システムの所有者の既存のガラスハンドリング機器を使用して、より容易に適合することができる。真空カプセル化システムに対するインターフェースを提供することができる。基板検査（オンラインの層解析）、マスク又はキャリアストレージ用のモジュールを加える高いフレキシビリティがある。システムの設置面積は小さい。更に、現在及び将来のガラスサイズに対する良好なスケーラビリティを提供することができる。

上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の更なる実施形態を考案することもでき、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステムであって、
処理される基板を載置するためのロードロックチャンバと、
前記基板を搬送するための移送チャンバと、
前記ロードロックチャンバと前記移送チャンバとの間に提供された真空スイングモジュールと、
少なくとも１つの堆積装置の真空チャンバの中に材料を堆積させるための少なくとも１つの堆積装置であって、前記移送チャンバに連結されている少なくとも１つの堆積装置と、
処理された前記基板を取り出すための更なるロードロックチャンバと、
前記基板を搬送するための更なる移送チャンバと、
前記更なるロードロックチャンバと前記更なる移送チャンバとの間に提供された更なる真空スイングモジュールと、
前記更なる真空スイングモジュールから前記真空スイングモジュールまでのキャリア戻り軌道であって、真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下で前記キャリアを搬送するように構成されているキャリア戻り軌道と
を備えるシステム。
（態様２）
前記移送チャンバ及び前記更なる移送チャンバが垂直な基板搬送のために構成されている、態様１に記載のシステム。
（態様３）
前記ロードロックチャンバが水平基板ハンドリングのために構成され、前記真空スイングモジュールが基板回転のために構成されており、及び／又は前記更なるロードロックチャンバが水平基板ハンドリングのために構成され、前記更なる真空スイングモジュールが基板回転のために構成されている、態様１又は２に記載のシステム。
（態様４）
前記移送チャンバ及び前記更なる移送チャンバが、前記真空スイングモジュールと前記更なる真空スイングモジュールとの間に少なくとも２つの直線的基板搬送経路を提供するように配置されており、前記少なくとも１つの堆積装置が、前記基板を前記基板の回転後に少なくとも２つの堆積装置の中に載置することができるような、各々が前記第１の移送チャンバ及び前記第２の移送チャンバのうちのそれぞれの１つに連結された前記少なくとも２つの堆積装置である、態様１から３の何れか一項に記載のシステム。
（態様５）
前処理チャンバ、層検査チャンバ、マスク棚チャンバ、及びキャリアバッファチャンバから成るグループから選択されたチャンバの一又は複数を更に備える、態様１から４の何れか一項に記載のシステム。
（態様６）
前記少なくとも２つの直線的基板搬送経路の間に提供されたキャリア戻り軌道
を更に備える、態様４又は５に記載のシステム。
（態様７）
前記少なくとも１つの堆積装置が、前記移送チャンバと前記更なる移送チャンバとの間に提供される、態様１から３の何れか一項に記載のシステム。
（態様８）
前記移送チャンバ及び前記更なる移送チャンバに連結されたチャンバアセンブリの中に提供され、真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下で、前記更なる真空スイングモジュールから前記真空スイングモジュールまで前記キャリアを戻すように適合されたキャリア戻り軌道
を更に備える、態様７に記載のシステム。
（態様９）
前記少なくとも１つの堆積装置が、
処理真空チャンバと、
有機材料のための蒸発源であって、
前記有機材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼと、
前記蒸発るつぼと流体連通しており、蒸発中に軸周囲を回転可能である、一又は複数の排出口を有する分配管と
を備える蒸発源と、
前記真空チャンバの中に配置され、少なくとも２つの軌道を有する基板支持体システムであって、前記基板支持体システムの前記少なくとも２つの軌道が、前記基板又は前記真空チャンバの中で前記基板を運ぶキャリアの本質的に垂直な支持のために構成される、基板支持体システムと
を備える、態様１から８の何れか一項に記載のシステム。
（態様１０）
前記処理真空チャンバと連結した保守真空チャンバと、
前記処理真空チャンバと前記保守真空チャンバとの間の真空密閉を開閉するための真空バルブであって、前記蒸発源を前記処理真空チャンバから前記保守真空チャンバへ及び前記保守真空チャンバから前記処理真空チャンバへ移送することができる、真空バルブと
を更に備える、態様９に記載のシステム。
（態様１１）
前記堆積装置が、
第１のドライバと連結可能であり又は前記第１のドライバを含む、前記分配管の支持体であって、前記第１のドライバが前記支持体及び前記分配管の並進運動のために構成され、前記蒸発源が前記処理真空チャンバの中で前記有機材料を蒸発させる支持体
を更に備える、態様９又は１０に記載のシステム。
（態様１２）
前記分配管が、前記支持体に対して前記分配管を回転させ、特に前記支持体に対して前記蒸発るつぼも回転させる第２のドライバによって、前記軸周囲を回転可能である、態様９から１１の何れか一項に記載のシステム。
（態様１３）
前記分配管が、ループ状軌道に沿って進行することによって、前記軸周囲を回転可能である、態様９から１２の何れか一項に記載のシステム。
（態様１４）
一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステム、より具体的には、態様１から１４の何れか一項に記載のシステムの中で一又は複数の層を堆積させる方法であって、
前記基板を前記システムの中に水平配向に載置することと、
前記基板を真空スイングモジュールの中で前記キャリア上に載置することと、
前記キャリアを前記載置された基板と共に前記真空スイングモジュールの中で垂直配向に回転させることと、
前記キャリアを前記載置された基板と共に、前記システムを通して、真空条件下で少なくとも１つの堆積装置の中に及び当該少なくとも１つの堆積装置から移送することと、
前記キャリアを更なる真空スイングモジュールの中で水平配向に回転させることと、
前記更なる真空スイングモジュールの中で前記キャリアから水平配向に前記基板を取り出すことと、
真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下で、前記更なる真空スイングモジュールから前記真空スイングモジュールまで空の前記キャリアを戻すことと
を含む方法。

Claims (14)

1. 一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステムであって、
   処理される基板をロードするための第１のロードロックチャンバと、
   前記基板を搬送するための第１の移送チャンバと、
   前記第１のロードロックチャンバと前記第１の移送チャンバとの間に提供された第１の真空スイングモジュールであって、基板を本質的に水平な配向でキャリアの上にロードし、前記基板と前記キャリアとの前記配向を、本質的に水平配向から垂直配向または前記垂直配向から１０度以下だけ偏差した配向に変更するように構成された、第１の真空スイングモジュールと、
   少なくとも１つの堆積装置の真空チャンバの中に、前記垂直配向または前記垂直配向から１０度以下だけ偏差した配向で前記基板に有機材料を堆積させるための少なくとも１つの堆積装置であって、前記第１の移送チャンバに連結されている少なくとも１つの堆積装置と、
   処理された前記基板を取り出すための第２のロードロックチャンバと、
   前記基板を搬送するための第２の移送チャンバと、
   前記第２のロードロックチャンバと前記第２の移送チャンバとの間に提供された第２の真空スイングモジュールであって、前記基板と前記キャリアとの前記配向を垂直配向または前記垂直配向から１０度以下だけ偏差した配向から、本質的に水平配向に変更し、前記キャリアから本質的に水平な基板を取り出すように構成された、第２の真空スイングモジュールと、
   前記第２の真空スイングモジュールから前記第１の真空スイングモジュールまで延在するキャリア戻り軌道であって、真空条件下及び制御された不活性雰囲気下の少なくとも一方で前記キャリアを搬送するように構成されているキャリア戻り軌道と
   を備えるシステム。
2. 前記第１の移送チャンバ及び前記第２の移送チャンバがそれらを通る本質的に垂直な基板搬送のために構成されている、請求項１に記載のシステム。
3. 前記第１のロードロックチャンバが水平基板ハンドリングのために構成され、及び／又は前記第２のロードロックチャンバが水平基板ハンドリングのために構成される、請求項１又は２に記載のシステム。
4. 前記第１の移送チャンバ及び前記第２の移送チャンバが、前記第１の真空スイングモジュールと前記第２の真空スイングモジュールとの間に少なくとも２つの直線的基板搬送経路を提供するように配置されており、前記少なくとも１つの堆積装置が、前記基板を前記基板の回転後に少なくとも２つの堆積装置の中にロードすることができるような、各々が前記第１の移送チャンバ及び前記第２の移送チャンバのうちのそれぞれの１つに連結された前記少なくとも２つの堆積装置である、請求項１から３の何れか一項に記載のシステム。
5. 前処理チャンバ、層検査チャンバ、マスク棚チャンバ、及びキャリアバッファチャンバから成るグループから選択されたチャンバの一又は複数を更に備える、請求項１から４の何れか一項に記載のシステム。
6. 前記少なくとも２つの直線的基板搬送経路の間に提供されたキャリア戻り軌道
   を更に備える、請求項４又は５に記載のシステム。
7. 前記少なくとも１つの堆積装置が、前記第１の移送チャンバと前記第２の移送チャンバとの間に提供される、請求項１から３の何れか一項に記載のシステム。
8. 前記第１の移送チャンバ及び前記第２の移送チャンバに連結されたチャンバアセンブリの中に提供され、真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下で、前記第２の真空スイングモジュールから前記第１の真空スイングモジュールまで前記キャリアを戻すように適合されたキャリア戻り軌道
   を更に備える、請求項７に記載のシステム。
9. 前記少なくとも１つの堆積装置が、
   処理真空チャンバと、
   有機材料のための蒸発源であって、
   前記有機材料を蒸発させるように構成されている蒸発るつぼと、
   前記蒸発るつぼと流体連通しており、蒸発中に軸周囲を回転可能である、一又は複数の排出口を有する分配管と
   を備える蒸発源と、
   前記真空チャンバの中に配置され、少なくとも２つの軌道を有する基板支持体システムであって、前記基板支持体システムの前記少なくとも２つの軌道が、前記基板又は前記真空チャンバの中で前記基板を運ぶ前記キャリアの本質的に垂直な支持のために構成される、基板支持体システムと
   を備える、請求項１から８の何れか一項に記載のシステム。
10. 前記処理真空チャンバと連結した保守真空チャンバと、
    前記処理真空チャンバと前記保守真空チャンバとの間の真空密閉を開閉するための真空バルブであって、前記蒸発源を前記処理真空チャンバから前記保守真空チャンバへ及び前記保守真空チャンバから前記処理真空チャンバへ移送することができる、真空バルブと
    を更に備える、請求項９に記載のシステム。
11. 前記堆積装置が、
    第１のドライバと連結可能であり又は前記第１のドライバを含む、前記分配管の支持体であって、前記第１のドライバが前記支持体及び前記分配管の並進運動のために構成され、前記蒸発源が前記処理真空チャンバの中で前記有機材料を蒸発させる支持体
    を更に備える、請求項９又は１０に記載のシステム。
12. 前記分配管が、前記支持体に対して前記分配管を回転させ、特に前記支持体に対して前記蒸発るつぼも回転させる第２のドライバによって、前記軸周囲を回転可能である、請求項９から１１の何れか一項に記載のシステム。
13. 前記分配管が、ループ状軌道に沿って進行することによって、前記軸周囲を回転可能である、請求項９から１２の何れか一項に記載のシステム。
14. 請求項１から１３の何れか一項に記載のシステムを用いて、一又は複数の層、特に有機材料をその内部に含む層をキャリアによって支持された基板上に堆積させるためのシステム中で一又は複数の層を堆積させる方法であって、
    前記基板を前記システムの中に水平配向にロードすることと、
    前記基板を前記第１の真空スイングモジュールの中で前記キャリア上にロードすることと、
    前記キャリアをロードされた前記基板と共に前記第１の真空スイングモジュールの中で垂直配向に回転させることと、
    前記キャリアをロードされた前記基板と共に、前記システムを通して、真空条件下で前記少なくとも１つの堆積装置の中に及び当該少なくとも１つの堆積装置から移送することと、
    前記キャリアを前記第２の真空スイングモジュールの中で水平配向に回転させることと、
    前記第２の真空スイングモジュールの中で前記キャリアから水平配向に前記基板を取り出すことと、
    真空条件下及び／又は制御された不活性雰囲気下で、前記第２の真空スイングモジュールから前記第１の真空スイングモジュールまで空の前記キャリアを戻すことと
    を含む方法。

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