CN112458404A - 操作沉积设备的方法和沉积设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种操作沉积设备之方法。所述方法包括：通过从蒸发源(20)的一个或多个出口(22)导引蒸发的源材料朝向基板(10)而在基板(10)上沉积蒸发的源材料，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置(30)阻挡并且附接于所述屏蔽装置，所述屏蔽装置布置在一个或多个出口(22)和基板(10)之间；接着通过至少局部地加热屏蔽装置(30)来清洁屏蔽装置(30)，以用于从屏蔽装置(30)释放至少部分的附接的源材料。根据另一方面，提供沉积设备，所述沉积设备可根据所述的方法操作。

Description

操作沉积设备的方法和沉积设备
本申请是申请日为2016年5月10日、申请号为201680082636.2、发明名称为“操作沉积设备的方法和沉积设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及在基板上沉积例如为有机材料的材料的方法，和用于在基板上沉积例如为有机材料的材料的沉积设备。本公开内容的实施方式特别涉及具有蒸发源的沉积设备，所述蒸发源经构造以在基板上沉积蒸发的源材料，以及操作用于在基板上沉积蒸发的源材料的沉积设备的方法，特别是用于制造包括有机材料于装置中的装置。
背景技术
有机蒸发器是用于制造有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)的工具。OLED是特殊类型的发光二极管，其中发射层包括特定有机化合物的薄膜。有机发光二极管(OLED)用于制造电视屏幕、计算机显示器、移动电话和用于显示信息的其他手持装置。OLED也可用于一般空间照明。OLED显示器的颜色、亮度、和视角的可行范围大于传统液晶显示器(LCD)的颜色、亮度、和视角的可行范围，因为OLED像素直接发光而不需要背光。因此，OLED显示器的能耗显著地少于传统LCD显示器的能耗。此外，OLED可制造于柔性基板上的事实带来进一步的应用。一般的OLED显示器例如可包括位于两个电极之间的有机材料层，所述两个电极都以形成矩阵显示面板的方式沉积于基板上，所述矩阵显示面板具有可单独供能的(individually enregizable)像素。OLED一般位于两个玻璃面板之间，并且玻璃面板的边缘被密封，以封装OLED于玻璃面板中。
制造此类显示装置面临许多挑战。OLED显示器或OLED照明应用包括若干有机材料的堆叠结构(stack)，有机材料的堆叠结构例如是在真空中蒸镀的。有机材料通过阴影掩模(shadow mask)以连续的方式沉积。对于以高效率制造OLED堆叠结构来说，共沉积或共蒸发两种或更多种材料是有利的，所述两种或更多种材料例如为形成混合/掺杂层的主体(host)和掺杂剂。此外，必须考虑用于蒸镀非常敏感的(sensitive)有机材料的若干工艺条件。
为了将材料沉积于基板上，加热材料直到材料蒸发。管导引蒸发的材料通过喷嘴到达基板。在过去几年中，沉积工艺的精确度已经增加，例如为了能够提供越来越小的像素尺寸。在一些工艺中，掩模在蒸发的材料通过掩模开口时用于限定像素。然而，掩模的遮蔽效应(shadowing effect)、蒸发的材料的散布和类似情况使得难以进一步增加蒸发工艺的精确度和可预测性。
有鉴于上述，增加用于制造具有高质量和精确度的装置的蒸发工艺的精确度和可预测性是有利的。
发明内容
有鉴于上述，提供操作沉积设备的方法以及沉积设备。
根据本公开内容的一个方面，提供一种操作沉积设备的方法，所述方法包括通过从蒸发源的一个或多个出口导引蒸发的源材料朝向基板而在基板上沉积蒸发的源材料，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置阻挡并且附接于屏蔽装置，所述屏蔽装置布置于一个或多个出口和基板之间；接着通过至少局部地加热屏蔽装置来清洁屏蔽装置，以用于从屏蔽装置释放至少部分的附接的源材料。所述方法可以通过至少局部地加热所述屏蔽装置以从所述屏蔽装置释放至少部分的附接的源材料，来清洁所述屏蔽装置。
上述方法中，清洁可以包括相对于材料收集单元从沉积位置移动所述蒸发源至维修位置，在所述维修位置中所述屏蔽装置面向所述材料收集单元，其中所述屏蔽装置在所述维修位置中被加热。
上述方法中，移动所述蒸发源至所述维修位置可以包括以20°或更大的角度旋转所述蒸发源，特别是以从60°至120°的角度旋转所述蒸发源。
上述方法可以进一步包括：在清洁之后，从所述维修位置移动所述蒸发源回到所述沉积位置或到另一沉积位置；和继续在所述基板或另一基板上沉积所述蒸发的源材料。
上述方法中，沉积和清洁可以交替地执行，特别地其中所述屏蔽装置可以在沉积预定时间段之后或在所述屏蔽装置上积聚预定量的附接的源材料之后进行清洁。
上述方法中，所述屏蔽装置可以在所述清洁之后被冷却下来，特别地其中所述屏蔽装置可以在所述清洁之后和/或在所述沉积期间被主动冷却或被动冷却。
上述方法中，所述清洁可以包括热电或感应加热所述屏蔽装置的一个或多个表面区段。
上述方法中，所述清洁可以包括导引电磁辐射至所述附接的源材料上，以从所述屏蔽装置释放所述附接的源材料，所述电磁辐射特别是微波辐射、热辐射、激光辐射和紫外线(UV)辐射中的至少一种。
上述方法中，所述屏蔽装置可以阻挡相对于来自所述一个或多个出口的所述蒸发的源材料的主发射方向具有大于45°的发射角的蒸发的源材料。
根据本公开内容另一方面，提供一种操作沉积设备的方法，所述方法包括：在基板上沉积蒸发的源材料，包括：在从蒸发源的一个或多个出口导引蒸发的源材料朝向基板的同时，沿着基板的表面移动蒸发源，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置阻挡并且附接于屏蔽装置，所述屏蔽装置配布置于一个或多个出口和基板之间；从沉积位置将蒸发源旋转第一旋转角度至维修位置；接着通过在维修位置中至少局部地加热屏蔽装置来清洁屏蔽装置；将蒸发源旋转第二旋转角度回到所述沉积位置或旋转第二旋转角度至另一沉积位置；和在所述基板上或另一基板上沉积蒸发的源材料，包括：沿着所述基板或所述另一基板的表面移动蒸发源，同时从一个或多个出口朝向所述基板或朝向所述另一基板导引蒸发的源材料。
根据本公开内容的又一方面，提供一种沉积设备。沉积设备包括蒸发源，所述蒸发源经构造以在基板上沉积蒸发的源材料，其中蒸发源包括分布管，所述分布管具有一个或多个出口，所述出口用于导引蒸发的源材料朝向基板；和屏蔽装置，布置在一个或多个出口的下游，并且经构造以部分地阻挡朝向基板传播的蒸发的源材料；致动器装置，经构造以从沉积位置带动沉积设备至维修位置，其中提供加热装置而用于在沉积设备处于维修位置中时至少局部地加热屏蔽装置。
上述沉积设备可以包括多个孔，其中每个孔可以经构造以塑形从相关的出口射出的蒸发的源材料的羽流，特别地其中每个孔的周围边缘可以经构造以阻挡从所述相关的出口射出的蒸发的源材料的所述羽流的外部。
上述沉积设备中，所述加热装置可以放置于所述屏蔽装置中，或整合于所述屏蔽装置中，特别地其中至少所述屏蔽装置的表面的区段可以被构造为可被热电加热或感应加热的加热表面。
上述沉积设备可以进一步包括材料收集单元，其中所述屏蔽装置可以在所述蒸发源位于所述维修位置中时面向所述材料收集单元，并且/或者其中所述屏蔽装置可以在所述蒸发源位于所述沉积位置中时面向沉积区域。
上述沉积设备中，所述加热装置可以包括电磁辐射源，经构造以导引电磁辐射朝向在所述维修位置中的所述屏蔽装置，所述电磁辐射源特别地可以是光源、激光器、发光二极管(LED)、紫外线(UV)灯、红外线(IR)光源、卤素加热灯和微波产生器中的至少一个或多个，特别地其中所述电磁辐射源可以放置于所述材料收集单元处或整合于所述材料收集单元中。
本公开内容的其他方面、优点和特征通过说明书和附图而清楚。
附图说明
为了详细理解本公开内容的上述特征，可通过参照实施方式而具有简要概述于上的本公开内容的更具体说明。附图涉及本公开内容的实施方式并且说明于下方：
图1示出用于在真空腔室中沉积蒸发的源材料的沉积设备的示意性俯视图，沉积设备可根据本文所述的方法操作；
图2A、图2B和图2C示出根据本文所述实施方式的沉积设备的蒸发源的部分的示意图；
图3示出根据本文所述实施方式的沉积设备的示意性俯视图；
图4A和图4B示出根据本文所述实施方式的操作沉积设备的方法的两个连续的阶段；
图5A和图5B示出根据本文所述实施方式的操作沉积设备的方法的两个连续的阶段；
图6A和图6B示出根据本文所述实施方式的操作沉积设备的方法的两个连续的阶段；
图7A、图7B和图7C示出根据本文所述实施方式的操作沉积设备的方法的三个连续的阶段；
图8是图解根据本文所述实施方式的操作沉积设备的方法的流程图；和
图9是图解根据本文所述实施方式的操作沉积设备的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参照本公开内容的各种实施方式，各种实施方式的一个或多个示例图解于附图中。在下方的附图说明中，相同的参考数字表示相同的部件。一般来说，仅说明有关于个别实施方式的相异处。各示例以说明的方式提供而不意味为本公开内容的限制。作为一个实施方式的部分而图解或说明的特征可用于其他实施方式上或与其他实施方式结合使用，以产生另一实施方式。本说明书意欲包括此类调整和变化。
如本文所使用的术语“源材料”可理解为蒸发并沉积于基板的表面上的材料。举例来说，在本文所述的实施方式中，沉积于基板的表面上的蒸发的有机材料可以是源材料。非限制的有机材料的示例包括下述材料中的一种或多种：ITO、NPD、Alq3、喹吖啶酮(Quinacridone)、Mg/AG、星爆(starburst)材料和类似物。
如本文所使用的术语“蒸发源”可理解为提供将沉积于基板上的蒸发的源材料的布置。具体地，蒸发源可经构造以导引将沉积于基板上的蒸发的源材料朝向真空腔室中的沉积区域，所述真空腔室诸如沉积设备的真空沉积腔室。蒸发的源材料可经由蒸发源的多个喷嘴或出口被导引朝向基板。当沉积设备设于沉积位置中时，喷嘴或出口可被导引朝向沉积区域，特别是朝向待涂覆的基板。
蒸发源可包括蒸发器或坩锅和分布管，所述蒸发器或坩锅蒸发将沉积于基板上的源材料，分布管流体连接于坩锅，并且经构造以传送蒸发的源材料至多个出口或喷嘴，用于发射蒸发的源材料至沉积区域中。
如本文所使用的术语“坩锅”可理解为提供或包含将沉积的源材料的装置或储存器。一般来说，可加热坩锅，用于蒸发将沉积于基板上的源材料。根据本文的实施方式，坩锅可流体连通于分布管，蒸发的源材料可输送至所述分布管。
如本文所使用的之术语“分布管”可理解为用于导引和分布蒸发的源材料的管。具体地，分布管可从坩锅导引蒸发的源材料至分布管中的多个出口或喷嘴。如本文所使用的术语“多个出口”一般包括至少两个或更多个出口。根据本文所述的实施方式，分布管可以是在特别是纵向方向的第一方向中延伸的线性分布管，特别是在竖直方向中延伸。在一些实施方式中，分布管可包括具有圆柱形状的管。圆柱可具有圆形的底部形状或任何其他适合的底部形状。以下将更详细地说明分布管的示例。在一些实施方式中，蒸发源可包括两个或三个坩锅和两个或三个相关的分布管。
图1示出根据本文所述实施方式的沉积设备100的示意性俯视图，沉积设备100可根据本文所述的方法操作。沉积设备100包括蒸发源20，位于真空腔室110中。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，蒸发源20经构造以用于沿着待涂覆的基板的表面平移移动。此外，蒸发源20可经构造以用于绕着轴旋转。
根据一些实施方式，蒸发源20可具有一个或多个蒸发坩锅和一个或多个分布管。举例来说，如图1中所示的蒸发源20包括两个蒸发坩锅104和两个分布管106。如图1中所示，在真空腔室110中提供基板10和另一基板11，以用于接收蒸发的源材料。
根据本文的一些实施方式，用于遮蔽基板的掩模组件可设于基板和蒸发源之间。掩模组件可包括掩模和掩模框架，掩模框架保持掩模于预定位置中。在本文的实施方式中，可提供一个或多个附加的轨道，用于支撑和移位(displace)掩模组件。举例来说，如图1中所示的实施方式具有第一掩模133和第二掩模134，第一掩模133由布置在蒸发源20和基板10之间的第一掩模框架131支撑，第二掩模134由布置在蒸发源20和另外的基板11之间的第二掩模框架132支撑。基板10和所述另一基板11可在真空腔室110内支撑于个别的传送轨道(未示出于图1中)上。
图1进一步示出屏蔽装置30，提供屏蔽装置30以从一个或多个分布管106分别导引蒸发的源材料至基板10和/或至所述另一基板11，如稍后将更详细说明的。屏蔽装置30可以设在分布管106的出口22的下游，举例为在分布管和基板之间。在一些实施方式中，屏蔽装置30可分离地固定于至少一个分布管。举例来说，分布管106可包括具有个别的出口的多个喷嘴，用于从分布管的内部导引蒸发的源材料朝向基板。屏蔽装置30可附接于单个分布管，以例如是跟随(follow)单个分布管的局部热引起的移动，举例为热膨胀或收缩。碰撞于掩模上和基板上的蒸发的源材料的羽流的形状和张角(opening angle)可维持基本上恒定，因为屏蔽装置可跟随喷嘴的热运动。
出口可构造成喷嘴的喷嘴出口，可突出至屏蔽装置中，例如突出至屏蔽装置的孔中。在一些实施方式中，喷嘴不直接接触屏蔽装置，以减少来自通常为热的喷嘴而朝向选择性冷却的屏蔽装置的热流。可减少朝向基板的热辐射。
在本文的实施方式中，如果掩模用于诸如在OLED制造系统中沉积材料于基板上，那么掩模可以是像素掩模，具有像素开口，所述像素开口具有约50μm×50μm的尺寸，或甚至更小的尺寸，诸如具有约30μm或更小、或约20μm的横截面的尺寸(例如横截面的最小尺寸)。在一个示例中，像素掩模可具有约40μm的厚度。考虑掩模的厚度和像素开口的尺寸，遮蔽效应可能在掩模中的像素开口的壁遮蔽像素开口的位置发生。本文说明的屏蔽装置30可限制蒸发的源材料在掩模上和基板上的撞击的最大角度，并且减少遮蔽效应。
根据本文所述的实施方式，屏蔽装置30的材料可适用于具有约100℃至约600℃的温度的蒸发的源材料。在一些实施方式中，屏蔽装置可包括具有大于21W/(m·K)的热导率的材料和/或对例如是蒸发的有机材料为化学惰性的材料。根据一些实施方式，屏蔽装置可包括Cu、Ta、Ti、Nb、类金刚石碳(DLC)和石墨中的至少一种或可包括具有至少一种举出的材料的涂层。
根据本文所述的实施方式，基板可在基本上竖直的位置中以源材料涂覆。一般来说，分布管构造成基本上竖直延伸的线源(line source)。在可与本文所述其他实施方式结合的本文所述的实施方式中，术语“基本上竖直”特别是在表示基板定向时理解为允许从竖直方向20°或以下的偏差，例如10°或以下的偏差。举例来说，可提供此偏差，因为具有从竖直定向某种偏差的基板支撑件可带来更稳定的基板位置。然而，在源材料的沉积期间，基本上竖直的基板定向视为不同于水平的基板定向。基板的表面通过线源和平移移动进行涂覆，线源在对应于一个基板尺寸的一个方向中延伸，平移移动沿着对应于另一基板尺寸的另一方向。
在一些实施方式中，蒸发源20可设于沉积设备100的真空腔室110中，并且位于轨道或线性导件120上，轨道举例为环状轨道(未示出于附图中)。轨道或线性导件120经构造以用于蒸发源20的平移移动。根据可与本文所述其他实施方式结合的不同的实施方式，用于平移移动的驱动可设于蒸发源20中、位于轨道或线性导件120处、在真空腔室110内或上述位置的组合。因此，蒸发源可在沉积期间沿着待涂覆的基板的表面移动，特别是沿着线性路径。可改善在基板上沉积的材料的均匀性。
图1进一步示出阀105，例如闸阀。阀105允许到相邻真空腔室(未示出于图1中)的真空密封。根据本文的实施方式，阀105可为了传送基板或掩模进入真空腔室110和/或离开所述真空腔室而打开。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，相邻于真空腔室110提供另一真空腔室，诸如维护真空腔室111。真空腔室110和维护真空腔室111通过阀109连接。阀109经构造以用于打开和关闭在真空腔室110和维护真空腔室111之间的真空密封。根据本文的实施方式，当阀109处于打开状态中时，蒸发源20可被传送至维护真空腔室111。此后，可关闭阀，以提供真空腔室110和维护真空腔室111之间的真空密封。如果阀109关闭，维护真空腔室111可通风(vent)并且打开，以用于蒸发源20的维护，而无需破坏真空腔室110中的真空。
所述的材料沉积布置可用于各种应用，包括用于包括处理方法的OLED装置制造的应用，其中同时蒸发两种或更多种源材料，所述两种或更多种源材料例如是两种或更多种有机材料。在图1中所示的示例中，两个或更多个分布管106和对应的蒸发坩锅彼此相邻而设。举例来说，在一些实施方式中，三个分布管可彼此相邻而设，各分布管包括一个出口或多个出口22，用于从个别的分布管的内部将蒸发的源材料引入真空腔室的沉积区域中。出口可沿着个别的分布管的线性延伸方向例如以相等的间距而设。各分布管可经构造以用于将不同的源材料引入真空腔室的沉积区域中。
虽然图1中所示的实施方式提供具有可移动的蒸发源20的沉积设备100，一般技术人员可理解，上述的实施方式也可应用于基板在处理期间在沉积系统中移动的沉积系统。举例来说，待涂覆的基板可被沿着静止的材料沉积布置导引并且驱动。
本文所述的实施方式特别涉及例如用于制造在大面积基板上的OLED显示器的有机材料的沉积。根据一些实施方式，大面积基板或支撑一个或多个基板的载体可具有至少0.174m2的尺寸。举例来说，沉积系统可适用于处理大面积基板，诸如第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代的基板，第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m×1.3m)、第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95m×2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m×2.5m)、第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。甚至诸如第11代和第12代的更高代和对应的基板面积可以类似的方式应用。
根据可与本文所述其他实施方式结合的本文的实施方式，基板厚度可为从0.1至1.8mm，并且用于基板的保持布置可适用于此类基板厚度。基板厚度可为约0.9mm或更小，例如是0.5mm或0.3mm，并且保持布置适用于此类基板厚度。一般来说，基板可由任何适合用于材料沉积的材料制成。举例来说，基板可由选自包括以下项的组的材料制成：玻璃(例如钠钙玻璃(soda-lime glass)、硼硅酸盐玻璃(borosilicate glass)等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料或任何其他材料或可通过沉积工艺涂覆的材料的组合。
根据本文所述的一些实施方式，沉积设备100可进一步包括材料收集单元40，材料收集单元40构造成屏蔽壁。当蒸发源处于旋转位置，特别是在蒸发源绕着旋转轴旋转期间时，材料收集单元40可布置以收集从蒸发源射出的蒸发的源材料和/或从屏蔽装置30射出的蒸发的源材料。
在一些实施方式中，可提供加热装置50而用于清洁在沉积设备100的维修位置中的屏蔽装置，如以下将更详细说明的。
图2A至图2C示出根据本文所述实施方式的蒸发源20的部分。如图2A中所示，蒸发源20可包括分布管106和蒸发坩锅104。举例来说，分布管可以是具有加热单元215的延长的立方体。蒸发坩锅可以是储存器，用于将利用加热单元225蒸发的源材料，所述源材料为诸如有机材料。
根据可与本文所述其他实施方式结合的实施方式，多个出口(诸如喷嘴)可沿着蒸发源20的长度方向布置。具体地，多个出口可沿着分布管的长度方向布置。根据一个替代的实施方式，可提供沿着蒸发源的长度方向和/或分布管的长度方向延伸的一个细长的出口。举例来说，所述细长的开口可以是狭缝。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，分布管在长度方向中基本上竖直地延伸。举例来说，分布管106的长度至少对应于在沉积设备中待沉积的基板的高度。在许多情况中，分布管106的长度将比待沉积的基板的高度长至少10％或甚至20％，而允许在基板的上端和/或基板的下端处均匀的沉积。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，分布管的长度可为1.3m或更大，例如为2.5m或更大。根据一种构造，如图2A中所示，蒸发坩锅104设于分布管106的下端。一般来说，源材料在蒸发坩锅104中蒸发。蒸发的源材料在分布管106的底部处进入，并且被基本上侧向导引通过分布管中的多个出口而例如朝向基本上竖直定向的基板。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，布置多个出口以具有为水平+/-20°的主发射方向X。根据一些特定实施方式，主发射方向X可稍微向上定向成例如在从水平至向上15°的范围中，诸如向上3°至7°。类似地，基板可略微地倾斜至大体上垂直于蒸发方向，而可减少颗粒产生。出于说明的目的，蒸发坩锅104和分布管106在图2A中示出而不具有热屏蔽物。加热单元215和加热单元225可见于图2B中所示的示意性透视图中。
图2B示出蒸发源的部分的放大示意图，特别是连接于蒸发坩锅104的分布管106的放大示意图。提供凸缘单元203，凸缘单元203经构造以提供蒸发坩锅104和分布管106之间的连接。举例来说，蒸发坩锅和分布管设成分开的单元，可于凸缘单元处分开和连接或组装，举例如用于蒸发源的操作。
分布管106具有内部中空空间210。提供加热单元215以加热分布管。分布管106可被加热至某个温度，使得由蒸发坩锅104提供的蒸发的源材料不在分布管106的壁的内部凝结。可绕着分布管106的管提供两个或更多个热屏蔽物217。热屏蔽物系经构造以反射回由加热单元215提供的热能朝向内部中空空间210。可减少用于加热分布管106的能量(也就是提供至加热单元215的能量)，因为热屏蔽物217减少热损失。传递至其他分布管和/或至掩模或基板的热可减少。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，热屏蔽物217可包括两个或更多个热屏蔽层，例如五个或更多个热屏蔽层，诸如十个热屏蔽层。
一般来说，如图2B中所示，热屏蔽物217包括开口，位于分布管106中的出口22的位置处。图2B中所示的蒸发源的放大图示出四个出口。出口22可沿着分布管106的长度方向而设。如本文所述，分布管106可设为线性分布管，举例为具有设置于线性分布管中的多个开口。举例来说，分布管可具有多于30个的出口，诸如40、50或54个出口，沿着分布管的长度方向布置。根据本文所述的实施方式，出口可彼此分隔。举例来说，出口可分隔1cm或更大的距离，举例为分隔从1cm至3cm的距离，像是分隔例如是2cm的距离。
在操作期间，分布管106在凸缘单元203处连接于蒸发坩锅104。蒸发坩锅104经构造以容纳待蒸发的源材料并且蒸发源材料。图2B示出通过蒸发坩锅104的壳体的横截面。再填充(refill)开口设于例如是蒸发坩锅的上部，再填充开口可使用塞(plug)222、盖(lid)、覆盖件(cover)或类似物关闭来关闭蒸发坩锅104的外壳。
外加热单元225设于蒸发坩锅104的外壳内。外加热单元225可至少沿着部分的蒸发坩锅104的壁延伸。根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，可另外地或替代地提供一个或多个中央加热元件。图2B示出两个中央加热元件226、228。第一中央加热元件226和第二中央加热元件228可分别包括第一导体229和第二导体230，用于提供电功率至中央加热元件226、228。
为了改善蒸发坩锅内的源材料的加热效率，蒸发坩锅104可进一步包括热屏蔽物227，热屏蔽物227经构造以反射由外加热单元225提供的热能以及由中央加热元件226、228提供的热能(如果存在的话)回到蒸发坩锅104的外壳中。
根据已经在本文中描述的一些实施方式，可提供诸如热屏蔽物217和热屏蔽物227的热屏蔽物而用于蒸发源。热屏蔽物可减少来自蒸发源的能量损失，此也减少蒸发源蒸发源材料所消耗的总能量。作为另一方面，特别是针对沉积有机材料，可减少来自蒸发源的热辐射，特别是在沉积期间朝向掩模和基板的热辐射。特别是针对沉积有机材料于带掩模的基板，并且甚至更针对显示器制造来说，需要精确地控制基板和掩模的温度。通过热屏蔽物可减少或避免源自蒸发源的热辐射，热屏蔽物例如是热屏蔽物217和热屏蔽物227。
这些屏蔽物可包括若干屏蔽层，以减少热辐射到蒸发源20的外侧。作为另一选择，热屏蔽物可包括由流体主动冷却的屏蔽层，所述流体为诸如空气、氮、水或其他合适的冷却流体。根据本文所述的其他实施方式，一个或多个热屏蔽物可包括金属片，所述金属片围绕蒸发源的个别部分，例如围绕分布管106和/或蒸发坩锅104。根据本文的实施方式，金属片可具有0.1mm至3mm的厚度，可为选自包括黑色金属(ferrous metals，SS)和有色金属(Cu、Ti、Al)的组的至少一种材料，并且/或者可相对于彼此间隔例如是0.1mm或更大的间隙。
根据本文所述并且如有关于图2A和图2B范例性所示的一些实施方式，蒸发坩锅104设于分布管106的下侧。根据可与本文所述其他实施方式结合的其他实施方式，蒸汽导管242可设于分布管106的中央部或设在分布管的下端和分布管的上端之间的另一位置。
图2C图解具有分布管106和蒸汽导管242的蒸发源20的示例，蒸汽导管242设于分布管的中央部。产生于蒸发坩锅104中的蒸发的源材料被导引通过蒸汽导管242至分布管106的中央部。蒸发的源材料通过多个出口22离开分布管106。如有关于本文所述其他实施方式说明的，分布管106由支撑件102支撑。根据本文的其他实施方式，两个或更多个蒸汽导管242可沿着分布管106的长度而设于不同位置。蒸汽导管242可连接于一个蒸发坩锅或连接于若干蒸发坩锅。举例来说，各蒸汽导管242可具有对应的蒸发坩锅。或者，蒸发坩锅104可流体连通于两个或更多个蒸汽导管242，所述两个或更多个蒸汽导管242连接于分布管106。
如本文所述，分布管可为中空圆柱。术语圆柱可理解为普遍接受的具有圆形的底部形状和圆形的上部形状和连接上部圆和较靠下的圆的弯曲表面区域或壳。根据可与本文所述其他实施方式结合的其他附加或替代实施方式，术语圆柱可在数学观念中进一步理解为具有任意底部形状和一致的上部形状和连接上部形状与下部形状的弯曲表面区域或壳。圆柱没有必定需要具有圆形的横截面。
图3示出根据本文所述实施方式的沉积设备100的蒸发源20的示意性俯视图。图3中所示的蒸发源20包括一个分布管106。根据本文所述的实施方式，分布管106可在长度方向中延伸，并且多个出口22可沿着分布管106的长度方向布置。分布管的壁可通过加热元件380加热，所述加热元件安装或附接于壁。为了减少朝向基板10的热辐射，可冷却绕着分布管106的第一外部屏蔽物302。可提供附加的第二外部屏蔽物304以分别减少朝向沉积区域或基板10导引的热负载。第二外部屏蔽物304可具有前壁305，前壁305面对基板10和/或面对掩模340。第二外部屏蔽物304可包括一个或多个侧壁。举例来说，外部屏蔽物304包括第一侧壁306和第二侧壁307。根据本文的实施方式，前壁305、第一侧壁306和第二侧壁307可设为U形的外部屏蔽物304，以减少朝向沉积区域的热辐射，也就是朝向基板和/或掩模的热辐射。
根据可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式，屏蔽物可设为具有用于冷却流体的导管的金属板，所述冷却流体例如是水，所述导管附接于金属屏蔽物或设在金属屏蔽物内。可另外或替代地提供热电冷却装置或其他冷却装置以冷却屏蔽物。一般来说，可冷却外部屏蔽物，也就是绕着分布管106的内部中空空间的最外部的屏蔽物。
在一些实施方式中，蒸发源20可包括屏蔽装置30，所述屏蔽装置可布置在出口22的下游。屏蔽装置可经构造以用于导引蒸发的源材料朝向基板，并且用于塑形蒸发的源材料的羽流。因此，屏蔽装置30于本文中也可称为“塑形屏蔽物(shaper shield)”。在图3中所示的实施方式中，屏蔽装置30构造为外部屏蔽物304的部分。在其他实施方式中，屏蔽装置可设为分开的单元，而可以可移动地附接于分布管106。在一些实施方式中，屏蔽装置可包括多个屏蔽单元。屏蔽装置可包括多个孔32，其中各孔可布置于相关的出口22的前方，其中从相关的出口发射的部分的源材料由绕着孔32的屏蔽壁阻挡，并且可附接于绕着孔32的屏蔽壁。已经积聚于屏蔽装置上的源材料由图3中的参考数字35标注。
根据一些实施方式，可冷却屏蔽装置30以进一步减少朝向沉积区域发射的热负载。箭头312示出经由出口22离开分布管106的蒸发的源材料。根据本文的实施方式，蒸发源20一般包括多个出口22，所述多个出口沿着蒸发源20的长度方向分布。举例来说，蒸发源20可包括三十个或更多个出口，所述出口可彼此分隔例如是2cm的距离。根据一些实施方式，屏蔽装置30限定朝向基板10分布的蒸发的源材料的分布锥或羽流318。屏蔽装置30可经构造以阻挡至少部分的蒸发的源材料，例如羽流318的外角部分。
根据本文所公开的实施方式，屏蔽装置30包括至少一个侧表面。所述至少一个侧表面可经构造而用于根据来自垂直于蒸发源的长度方向的平面方向中的多个出口的蒸发的源材料的羽流的发射角而阻挡蒸发的源材料。在图3中，屏蔽装置30包括第一侧壁321和第二侧壁322。所述第一侧壁和第二侧壁各提供侧表面，所述侧表面经构造以用于阻挡在垂直于蒸发源的长度方向的平面中具有高发射角(θ)的蒸发的源材料。
根据本文所述的实施方式，所述至少一个侧表面可经构造以用于阻挡蒸发的源材料的羽流318的具有从蒸发的源材料的主发射方向X大于45°、或大于30°的发射角(θ)的蒸发的源材料。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，屏蔽装置可经构造以用于阻挡在平行于蒸发源20的长度方向的平面中的蒸发的源材料。
在一些实施方式中，屏蔽装置可包括多个孔32，所述多个孔分别由周围的屏蔽壁围绕。各孔可布置于蒸发源的两个或更多个出口22的前方，使得从两个或更多个出口22发射的蒸发的源材料可由相关的孔的屏蔽壁塑形。在一些实施方式中，屏蔽装置的各个孔32可分别布置于蒸发源20的单个相关的出口的前方，使得只有相关的出口的蒸发的源材料流过孔。从出口发射的蒸发的源材料的各羽流可通过屏蔽装置30的相关的孔单独地塑形。
屏蔽装置的孔可经构造以塑形从分布管的出口射出的蒸发的源材料的羽流。具体地，各孔32的周围边缘可经构造以阻挡从相关的出口射出的蒸发的源材料的羽流的外部。由于蒸发的源材料的羽流的外角部分可由屏蔽装置阻挡，所以蒸发的源材料不以大的入射角碰撞于基板上。可减少因掩模导致的遮蔽效应，并且可达成沉积的像素的准确边缘。
由屏蔽装置阻挡的蒸发的源材料可附接于屏蔽装置并且凝结于屏蔽装置上。附接的源材料可积聚在屏蔽装置上。具体地，源材料的层可在沉积期间形成于屏蔽装置的表面上，如图3中的参考数字35所标注的。具体地，源材料层可能形成于孔的内表面上和/或绕着孔的屏蔽壁上，使得随着沉积持续时间的增加，孔的直径可变得较小。举例来说，在本文所述的一些实施方式中，屏蔽装置的孔可具有7mm或更小的小直径，特别是5mm或更小的小直径。屏蔽装置的孔的小直径可改善沉积准确性。然而，小的孔直径更易于造成阻塞，而降低沉积效率和沉积均匀性。
提供本文所述的操作沉积设备的实施方式而用于长时段维持高沉积准确性，而同时可避免孔的阻塞。
根据本文所述实施方式的操作沉积设备100的方法参照图4A和图4B而说明。沉积设备可具有前述的沉积设备的一些或全部特征。不在此重述沉积设备100的细节，以避免重复。
本文所述的方法包括沉积蒸发的源材料于基板10上，如图4A中所示。沉积蒸发的源材料包括在主发射方向X中导引蒸发的源材料朝向基板10，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置30阻挡，屏蔽装置30布置于多个出口22和基板10之间，用于塑形蒸发的源材料的羽流。
在沉积期间，屏蔽装置30可保持于第一温度，所述第一温度可以是低的温度，举例为150℃以下的温度，特别是100℃或更低的温度，或50℃或更低的温度。举例来说，在沉积期间，面向基板的屏蔽装置的表面可保持于100℃或更低的温度，以减少朝向掩模和/或朝向基板的热辐射。在一些实施方式中，例如经由冷却通道或经由热电冷却装置(热电冷却装置附接于屏蔽装置)，屏蔽装置30可在沉积期间主动或被动地进行冷却。
由于屏蔽装置30的表面可保持于低的温度，由屏蔽装置阻挡的蒸发的源材料可凝结于屏蔽装置上并且附接于屏蔽装置。其中，部分的被阻挡的源材料可附接于屏蔽装置，而例如是在屏蔽装置上形成附接的源材料。孔直径可变小，并且可存在阻塞的风险。
根据本文所述的方法，示出于图4A中的沉积阶段之后是示出于图4B中的清洁阶段，其中通过加热屏蔽装置至高于第一温度的第二温度，至少部分的积聚于屏蔽装置30上的源材料从屏蔽装置移除。屏蔽装置可被至少局部地加热，特别是在具有积聚的源材料的屏蔽装置的表面区段处。举例来说，可加热绕着屏蔽装置的孔32的屏蔽壁区段，因为一些蒸发的源材料一般由绕着孔的屏蔽壁区段阻挡。
在一些实施方式中，可在清洁期间至少局部地加热屏蔽装置至高于源材料的蒸发温度的温度，举例为加热至高于100℃的温度、或高于200℃的温度，特别是300℃或更高的温度。附接的源材料可从屏蔽装置释放并且再蒸发。因此，可清洁屏蔽装置。
在一些实施方式中，屏蔽装置30在沉积期间面向基板10，而屏蔽装置30在加热期间不面向基板10。因此，可避免从屏蔽装置再蒸发的源材料沉积于基板。此外，可避免来自被加热的屏蔽装置的热辐射导致的掩模和/或基板的热膨胀。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，蒸发的源材料通过蒸发源20的出口22的发射可在清洁期间停止。举例来说，在清洁阶段期间可关闭出口22或可停止蒸发。可减少源材料的消耗。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，沉积设备可设定至用于清洁的维修位置II中。具体地，在沉积之后，可将沉积设备从沉积位置I带到维修位置II中，屏蔽装置的孔在沉积位置I中被导引朝向基板10，屏蔽装置的孔在维修位置II中不被导引朝向基板。
如本文所使用的“沉积位置”可以是沉积设备的状态，沉积设备在此状态中准备导引蒸发的源材料朝向基板。举例来说，蒸发源的出口和屏蔽装置的孔可面向基板或面向沉积设备的沉积区域。
如本文所使用“维修位置”可以是沉积设备的状态，在此状态中不适于导引蒸发的源材料朝向基板。举例来说，蒸发源的出口和屏蔽装置的孔可不面向基板或不面向沉积设备的沉积区域。将沉积设备从沉积位置设定至维修位置中可包括蒸发源的移动，举例为旋转移动。在一些实施方式中，设定沉积设备至维修位置中可包括移动蒸发源至某个位置中，在此位置中，提供加热装置50以加热屏蔽装置并且/或者屏蔽装置面向材料收集单元，所述材料收集单元诸如屏蔽壁。
在一些实施方式中，设定沉积设备至维修位置II中可包括蒸发源20和材料收集单元40之间的相对移动。举例来说，在图4A和图4B中所示的实施方式中，蒸发源20从图4A中所示的沉积位置I移动至图4B中所示的维修位置II，其中屏蔽装置30在维修位置II中被导引朝向材料收集单元40。
移动蒸发源至维修位置II可包括旋转蒸发源20某个旋转角度，特别是20°或更大的旋转角度α，更特别是从60°至120°的旋转角度。在图4B中所示的实施方式中，蒸发源从沉积位置I旋转约90°的旋转角度至维修位置II。
屏蔽装置30可在维修位置II中被加热，屏蔽装置30在维修位置II中面向材料收集单元40。材料收集单元40可设为壁元件，举例为凝结壁或屏蔽壁。如图4B中所示，壁元件可以是弯曲的。壁元件和屏蔽装置之间的距离可在蒸发源的旋转移动期间保持基本上固定。此外，由于壁元件的弯曲形状，基本上在蒸发源20的整个旋转移动期间，壁元件可作为阻挡从蒸发源20发射的蒸发的源材料的屏蔽物。举例来说，壁元件可相对于蒸发源的旋转轴跨45°或更大的角度延伸，特别是90°或更大的角度。
在一些实施方式中，清洁可包括加热屏蔽装置1秒或更多的时间段，特别是10秒或更多的时间段。更长的加热时间可带来更好的清洁效果，但可拖慢蒸发工艺。良好的清洁效果可通过加热1秒和60秒之间的时间段来达成。
在清洁之后，可继续在此基板上或另一基板上沉积蒸发的源材料。在继续沉积之前，在一些实施方式中，可将蒸发源从维修位置II带回到沉积位置I或到另一沉积位置。举例来说，蒸发源可旋转角度(–α)而回到沉积位置I，或者可通过在相同的旋转方向中进一步旋转蒸发源例如是另一角度α而将蒸发源带至另一沉积位置。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，沉积和清洁可交替地执行。举例来说，屏蔽装置可分别在预定沉积时段后清洁，并且在清洁之后，沉积可分别继续。在一些实施方式中，屏蔽装置的清洁可在沉积蒸发的源材料于每个基板上之后执行，或者在已经涂覆预定数量的基板之后执行，举例为在已经涂覆2个基板、4个基板或更多个基板之后执行。在一些实施方式中，可分别在若干分钟、若干小时或若干天的沉积操作之后执行屏蔽装置的清洁。时间段(在所述时间段之后执行清洁)可取决于屏蔽装置的孔的尺寸和形状、蒸发源的出口和屏蔽装置之间的距离、以及沉积期间屏蔽装置的表面的温度。举例来说，可分别在沉积蒸发的源材料于每个基板上之后或沉积时间达若干小时之后执行清洁。
在一些实施方式中，可测量在屏蔽装置上积聚的源材料，并且可在屏蔽装置上的附接的源材料积聚到预定量之后执行清洁。可避免屏蔽装置的孔的阻塞，并且可获得碰撞于基板上的蒸发的源材料的恒定的羽流。
为了避免被加热的屏蔽装置导致的基板上的相当大的热负载，屏蔽装置可允许在清洁之后冷却下来。举例来说，在清洁之后和继续沉积之前，屏蔽装置可被冷却至第一温度，例如150℃或更低的温度、或100℃或更低的温度。在一些实施方式中，在继续沉积之前，经构造以用于在清洁期间加热屏蔽装置的加热装置50关闭一段预定时间。在一些实施方式中，在清洁之后和/或继续沉积之前，屏蔽装置被动或主动地进行冷却。此外，屏蔽装置在沉积期间可另外或替代地被动或主动地进行冷却。被动冷却可包括经由冷却流体进行冷却。主动冷却可包括经由主动冷却元件进行冷却，主动冷却元件举例为热电冷却元件、帕尔帖(Peltier)元件或压电冷却元件。
如图4A和图4B中所示，屏蔽装置30可包括一个或多个孔32，蒸发的源材料可经由所述孔通过。孔32可在沉积期间面向基板10(图4A)，并且孔可在清洁期间面向材料收集单元40(图4B)。
屏蔽装置可经构造以阻挡来自多个出口22的具有相对于蒸发的源材料的主发射方向X的大于45°的发射角的蒸发的源材料。
如图4A和图4B所示，从沉积位置I将沉积设备100带至维修位置II可包括移动蒸发源20，例如旋转蒸发源20。
或者，如图5A和图5B中所示，从沉积位置I将沉积设备带至维修位置II可包括相对于蒸发源移动材料收集单元40，所述材料收集单元例如为凝结壁或屏蔽壁。在维修位置II中，材料收集单元40可布置在屏蔽装置30的孔32前方。
举例来说，材料收集单元40可移动至蒸发源和基板保持区域之间的空间中，使得蒸发源的主发射方向X与材料收集单元40相交。材料收集单元40可以是弯曲的壁区段，以确保从屏蔽装置再蒸发的大部分源材料击中壁区段。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，清洁可包括导引电磁辐射至积聚的源材料，以用于从屏蔽装置30释放源材料。举例来说，可导引微波辐射、热辐射、激光辐射、红外线(IR)辐射、和紫外线(UV)辐射中的至少一种至屏蔽装置，特别是至由源材料覆盖的屏蔽装置的区段上。
于图5B中所示的实施方式中，沉积设备100包括加热装置50，所述加热装置包括电磁辐射源。所述电磁辐射源可包括一个或多个光源，诸如灯，例如卤素加热灯、紫外线(UV)灯、红外线(IR)光源、激光器、闪光灯(flash lamp)或发光二极管(LED)。在一些实施方式中，电磁辐射源可以是或包括微波产生器或热辐射器。
在一些实施方式中，可提供一个或多个卤素加热灯而用于加热屏蔽装置，所述卤素加热灯例如为卤钨加热灯(tungsten-halogen heat lamps)。加热灯可以是宽频发射(broadband emission)灯，具有从UV辐射至NIR辐射的发射范围。
在一些实施方式中，可提供多个灯，所述多个灯被可导引至屏蔽装置的不同区段，举例为至不同孔的边缘。举例来说，可提供10个或更多个灯，或者100个或更多个灯。
在一些实施方式中，可使用一个或多个激光源而用于在维修位置中至少局部地加热屏蔽装置。特别地，凝结的源材料可以是被激光蒸发的。举例来说，可提供一个或多个垂直腔面发射激光器(vertical-cavity surface-emitting lasers，VCSELs)。
在一些实施方式中，一个或多个微波源可使用于再蒸发来自屏蔽装置的源材料。微波源可较上述的一些光源便宜。微波源可进一步提供良好的辐射均匀性。
在一些实施方式中，屏蔽装置可经由一个或多个UV灯加热。有机材料可吸收UV光，特别是在350nm和400nm之间的波长范围中，其中UV光的吸收可带来有机材料的加热和再蒸发。与其他加热装置相比，屏蔽装置上的热负载可能较小。UV光可致使一些有机分子分解。
加热装置可布置而使得电磁辐射可在沉积设备位于维修位置II中时被导引至屏蔽装置的表面区段。举例来说，加热装置可附接于材料收集单元40，或可位于所述材料收集单元中。在一些实施方式中，加热装置可布置于材料收集单元的中心。
利用电磁辐射源的加热提供从上方加热积聚的源材料，使得源材料可容易地再蒸发，并且屏蔽装置的温度可保持相对地低(“自上向下的加热”(“top-down-heating”))的优点。因此，在清洁之后和继续沉积之前，屏蔽装置可更快速地冷却下来。
示出于图5A和图5B中的实施方式的剩余特征可基本上对应于示出于图4A和图4B中的实施方式的特征，使得可参照上述的说明而不于此重复。
图6A和图6B示出根据本文所述一些实施方式的另外的沉积设备，所述另外的沉积设备可根据本文所述的方法操作。
如图6A和图6B中所示，从沉积位置I将沉积设备100带至维修位置II可包括移动基板10离开蒸发源前方的沉积区域。材料收集单元举例为壁元件40’，可在沉积期间布置于基板10的后方，如图6A中所示。在沉积之后，基板可移动离开，因此出口22和屏蔽装置30可被导引朝向壁元件40’。
附接于屏蔽装置30的源材料可通过加热屏蔽装置而再蒸发，因此再蒸发的源材料可朝向壁元件40’传送并且附接于壁元件40’。在一些实施方式中，材料收集单元可设为基本上平面的壁元件。
在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，清洁可包括热电或感应加热屏蔽装置30的一个或多个表面区段，以用于从被加热的表面区段释放附接的源材料。
在图6A和图6B中所示的实施方式中，加热元件51例如为热电加热器，加热元件51整合于屏蔽装置30中。在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，一个或多个加热元件可附接于屏蔽装置30。或者，屏蔽装置可至少部分地构造成加热元件。举例来说，屏蔽装置30可至少部分地涂覆有加热材料，使得屏蔽装置的表面包括一个或多个加热器区域，所述加热器区域可被加热至高于源材料的蒸发温度的温度，举例为高于100℃或高于200℃的温度，特别是300℃或更高的温度。在可与本文所述其他实施方式结合的一些实施方式中，例如通过诸如溅射的物理气相沉积，绕着屏蔽装置的孔的屏蔽壁部可涂覆有加热器材料，或者绕着屏蔽装置的孔的屏蔽壁部可至少部分地由加热器材料制成。
举例来说，屏蔽装置的非加热区域可由保护材料覆盖，举例为利用带(tape)，因此屏蔽装置可涂覆有加热器材料。保护材料可在涂覆之后移除，并且电触点可连接于加热器材料。如此一来，可在沉积期间在源材料易于覆盖的表面区段中进行热电加热屏蔽装置。举例来说，围绕屏蔽装置的孔的表面区段可构造为可被加热的表面。
至少屏蔽装置的表面的区段可构造为加热表面，所述加热表面可被热电或感应加热。
图7A、图7B和图7C示出根据本文所述实施方式的用于操作沉积设备100的方法的三个连续阶段。所述沉积设备100可基本上对应于如图1中所示的沉积设备，使得可参照上述说明而不于此重复。沉积设备100可进一步包括参照图2A至图6B所述的一些或全部特征。
如图7A中所示的沉积设备包括蒸发源20，所述蒸发源经构造以在基板10上沉积蒸发的源材料。所述蒸发源包括分布管，所述分布管具有多个出口，用于沿着主发射方向X导引蒸发的源材料朝向基板。蒸发的源材料的羽流示出于图7A中。蒸发源20进一步包括屏蔽装置30，所述屏蔽装置布置于多个出口22的下游，其中屏蔽装置经构造以塑形蒸发的源材料的羽流，特别是阻挡发射锥的外角范围。
屏蔽装置30可包括多个孔，其中各孔可经构造以塑形从相关的出口射出的蒸发的源材料的羽流，特别是其中各孔32的周围边缘经构造以阻挡从相关的出口射出的蒸发的源材料的羽流的外部，以减少掩模的遮蔽效应。阻挡蒸发的源材料可导致源材料积聚于屏蔽装置上，特别是分别绕着孔的边缘上。
如图7A中所示，当蒸发的源材料可通过掩模被导引朝向基板10时，蒸发源20可于基板的宽度方向中沿着基板10的表面移动。可提供线性导件120而用于沿着基板表面线性移动蒸发源。
在图7B中，蒸发源20已经到达基板的相对端，使得可涂覆基板的整个宽度。
在沉积处理的预定时间段之后，可接着进入清洁时间段。沉积可停止。举例来说，已涂覆的基板10可从真空腔室110移除。为了清洁屏蔽装置30，沉积设备100可被带至如图7C中所示的维修位置II中。具体地，蒸发源可绕着旋转轴旋转例如约90°的旋转角度。
在一些实施方式中，可提供致动器装置，以从图7B中所示的沉积位置I将沉积设备带至如图7C中所示的维修位置II。致动器装置可包括马达(诸如电动马达)，所述马达经构造以移动蒸发源，例如经构造以旋转蒸发源。
沉积设备100可进一步包括材料收集单元40，所述材料收集单元例如为屏蔽壁，其中当蒸发源位于维修位置II中时，屏蔽装置30面向材料收集单元40。
在维修位置II中，屏蔽装置30可通过例如经由加热装置50局部地加热屏蔽装置30来进行清洁。加热装置50可包括电磁辐射源，所述电磁辐射源例如为灯。加热可包括至少局部地加热屏蔽装置至高于源材料的蒸发温度的温度，使得积聚的源材料可再蒸发并且朝向材料收集单元40传播，再蒸发源材料可在材料收集单元40凝结。屏蔽装置可被清洁。
之后，在一些实施方式中，屏蔽装置可主动或被动冷却至低于源材料的蒸发温度的温度，例如至100℃以下的温度，诸如50℃或更低的温度。沉积可继续进行。
在一些实施方式中，在清洁之后，蒸发源可旋转第二旋转角度至另一沉积位置，在所述另一沉积位置中，屏蔽装置可面向另一基板11。在图7C中所示的实施方式中，蒸发源可逆时针旋转另一个90°，使得屏蔽装置30被导引至图7C中的右侧。
在进一步的阶段(未示出)中，当蒸发源20沿着所述另一基板的表面线性移动，也就是于图7C中向上移动时，可涂覆所述另一基板11。
另外的清洁阶段可分别跟在沉积操作的预定时间段之后。可获得沉积的像素的良好均匀性以及准确的像素形状，并且可减少掩模导致的遮蔽效应。
图8是图解根据本文实施方式的操作沉积设备的方法900的流程图。在方框910中，通过导引来自蒸发源20的多个出口22的蒸发的源材料朝向基板10，蒸发的源材料沉积于基板上，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置30阻挡，屏蔽装置30布置于多个出口22和基板之间。在方框920中，通过至少局部地加热屏蔽装置30来清洁屏蔽装置。在清洁之前，蒸发源可移动至维修位置，例如通过以某个旋转角度旋转蒸发源而至维修位置。在任选的方框930中，可继续在此基板上或另一基板上沉积蒸发的源材料。在继续沉积之前，蒸发源可从维修位置移动至沉积位置和/或被冷却。
在沉积期间屏蔽装置的表面温度可保持为低于在清洁期间屏蔽装置的表面温度。具体地，在清洁期间屏蔽装置的表面温度可高于源材料的蒸发温度，并且/或者在沉积期间屏蔽装置的表面温度可低于源材料的蒸发温度。
图9是图解根据本文实施方式的操作沉积设备的方法1000的流程图。在方框1010中，蒸发的源材料沉积于基板10上。当导引来自蒸发源20的多个出口22的蒸发的源材料朝向基板时，蒸发源20沿着基板10的表面线性移动，其中部分的蒸发的源材料由屏蔽装置30阻挡，屏蔽装置30可在沉积期间保持于第一温度。在方框1020中，蒸发源从沉积位置I旋转第一旋转角度α至维修位置II。在方框1030中，通过在维修位置II中至少局部地加热屏蔽装置30至第二温度来清洁屏蔽装置30，第二温度高于第一温度。
在方框1040中，蒸发源20旋转第二旋转角度而回到沉积位置I或至另一沉积位置。在方框1050中，蒸发的源材料沉积于另外的基板11上。当导引来自多个出口22的蒸发的源材料朝向另外的基板时，蒸发源沿着基板或另一基板的表面线性移动。蒸发源20于方框1050中的线性移动可相反于蒸发源于方框1010中的线性移动。在沉积期间，屏蔽装置的温度可保持于第一温度，也就是较低的温度。
本书面说明使用示例来公开本公开内容，包括最佳模式，并且也使本领域中一般技术人员能够实现所述的主题，包括制造和使用任何装置或系统和执行任何并入的方法。各种特定的实施方式已经在前述内容中公开，而上述实施方式的非互斥特征可彼此结合。专利范围由权利要求书限定，并且如果其他示例具有与权利要求的字面语言并非不同的结构元件时，或如果其他示例包括具有非实质上相异于权利要求的字面语言的等效结构元件时，其他示例意欲包含在权利要求的范围内。

Claims (21)

1.一种在基板上沉积蒸发的源材料的方法，包括：
导引来自蒸发源(20)的一个或多个出口(22)的所述蒸发的源材料通过所述蒸发源的屏蔽装置(30)朝向所述基板(10)，所述蒸发源的所述屏蔽装置布置于所述一个或多个出口(22)和所述基板(10)之间；和
通过用红外辐射至少局部地加热所述屏蔽装置(30)而清洁所述屏蔽装置(30)，以用于从所述屏蔽装置(30)释放附接的源材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中清洁包括相对于材料收集单元(40)从沉积位置(I)移动所述蒸发源(20)至维修位置(II)，在所述维修位置(II)中所述屏蔽装置(30)面向所述材料收集单元(40)，其中在所述维修位置(II)中加热所述屏蔽装置。
3.如权利要求2所述的方法，其中移动所述蒸发源(20)至所述维修位置(II)包括移动所述蒸发源(20)，使得所述出口的方向移动至少20°的角度(α)。
4.如权利要求2所述的方法，其中移动所述蒸发源(20)至所述维修位置(II)包括移动所述蒸发源(20)，使得所述出口的方向移动从60°至120°的角度。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个出口是喷嘴的喷嘴出口，并且所述喷嘴不与所述屏蔽装置直接接触，以减少来自所述喷嘴而朝向所述屏蔽装置的热流。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述喷嘴出口突出至所述屏蔽装置中。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述屏蔽装置在被清洁之后进行冷却。
8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述加热包括导引所述红外辐射至所述附接的源材料上，以用于从所述屏蔽装置(30)释放所述附接的源材料。
9.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述屏蔽装置(30)被构造为塑形屏蔽物，所述塑形屏蔽物塑形从所述一个或多个出口射出的蒸发的源材料的一个或多个羽流。
10.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述蒸发源具有多个出口(22)，并且所述屏蔽装置(30)包括多个孔(32)，所述多个孔(32)与所述多个出口(22)相关。
11.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述屏蔽装置(30)阻挡相对于来自所述一个或多个出口(22)的所述蒸发的源材料的主发射方向(X)具有大于45°的发射角的蒸发的源材料。
12.一种在基板上沉积蒸发的源材料的方法，包括：
沿着基板(10)的表面移动蒸发源(20)；
导引来自所述蒸发源(20)的一个或多个出口(22)的所述蒸发的源材料朝向所述基板，其中部分的所述蒸发的源材料由所述蒸发源(20)的屏蔽装置(30)阻挡并且附接于所述蒸发源的所述屏蔽装置，所述蒸发源的所述屏蔽装置布置于所述一个或多个出口(22)和所述基板(10)之间；
移动所述蒸发源，使得所述出口的方向从沉积位置(I)至维修位置(II)移动第一移动角度；
通过用红外辐射至少局部地加热在所述维修位置(II)中的所述屏蔽装置(30)来清洁所述屏蔽装置(30)；
移动所述沉积源(20)，使得所述出口的方向移动第二移动角度回到所述沉积位置(I)或至另一沉积位置；
沿着所述基板(10)或另一基板的表面移动所述蒸发源(20)；和
导引来自所述一个或多个出口(22)的所述蒸发的源材料朝向基板。
13.如权利要求12所述的方法，其中
移动所述蒸发源，使得所述出口的方向移动所述第一移动角度对应于：使所述蒸发源从所述沉积位置(I)至所述维修位置(II)旋转第一旋转角度，并且其中
移动所述蒸发源，使得所述出口的方向移动所述第二移动角度对应于：使所述沉积源旋转第二旋转角度回到所述沉积位置(I)或至所述另一沉积位置。
14.一种沉积设备(100)，包括：
蒸发源(20)，经构造以在基板上沉积蒸发的源材料，包括：
分布管(106)，具有一个或多个出口(22)，用于导引所述蒸发的源材料朝向所述基板(10)；和
屏蔽装置(30)，布置在所述一个或多个出口(22)的下游，并且经构造以部分地阻挡朝向所述基板传播的蒸发的源材料；
致动器装置，经构造以从沉积位置(I)将所述沉积设备(100)带至维修位置(II)；和
加热装置(50)，所述加热装置(50)包括红外线(IR)光源，用于在所述沉积设备位于所述维修位置(II)中时至少局部地加热所述屏蔽装置(30)。
15.如权利要求14所述的沉积设备，其中所述红外线(IR)光源包括卤素加热灯。
16.如权利要求14所述的沉积设备，其中所述屏蔽装置(30)包括多个孔，经构造以塑形从相关的出口(22)射出的蒸发的源材料的羽流。
17.如权利要求16所述的沉积设备，其中每个孔(32)的周围边缘经构造以阻挡从所述相关的出口(22)射出的蒸发的源材料的所述羽流的外部。
18.如权利要求14或17中任一项所述的沉积设备，其中所述加热装置放置于所述屏蔽装置(30)中。
19.如权利要求14至17中任一项所述的沉积设备，进一步包括材料收集单元(40)，其中所述屏蔽装置(30)在所述蒸发源(20)位于所述维修位置(II)中时面向所述材料收集单元(40)。
20.如权利要求14至17中任一项所述的沉积设备，其中所述加热装置(50)包括红外线(IR)光源，所述红外线(IR)光源经构造以导引电磁辐射朝向在所述维修位置(II)中的所述屏蔽装置(30)。
21.如权利要求14至17中任一项所述的沉积设备，其中通过相对于所述蒸发源移动材料收集单元(40)将所述沉积设备带至所述维修位置(II)，使得所述材料收集单元(40)布置在所述屏蔽装置的前方。
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