CN101845612A - 线沉积源 - Google Patents

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Abstract

一种线沉积源，包括多个坩锅，每个坩锅容纳沉积材料。热屏蔽件提供用于所述多个坩锅中的至少一个的至少局部热隔离。本体包括多个传导槽道。所述多个传导槽道中的每一个的输入与所述多个坩锅中的相应一个的输出连接。加热器升高该多个坩锅的温度，这样，每个坩锅将沉积材料蒸发至该多个传导槽道中。多个喷嘴中的每一个的输入与所述多个传导槽道中的一个的输出连接。蒸发的沉积材料从坩锅通过传导槽道被输送给喷嘴，在喷嘴处，蒸发的沉积材料从该多个喷嘴排出，以形成沉积流。

Description

线沉积源
这里使用的多个部分的标题只是用于组织目的，而不应该解释为以任何方式限制描述在本申请中的主题。
相关申请部分
本申请要求美国临时专利申请系列号No.61/156348(2009年2月27日递交，标题为“Deposition Source，Systems，and Related Methodsfor Co-Depositing Copper，Indium，and Gallium”)和美国临时专利申请系列号No.61/138932(2008年12月18日递交，标题为“DepositionSource，Systems，and Related Methods for Co-Depositing Copper，Indium，and Gallium”)的优先权。美国临时专利申请系列号No.61/156348和美国临时专利申请系列号No.61/138932的整个文本通过参考结合到本文中。
背景技术
多年来，大面积基片沉积系统已经用于处理多种类型基片材料的柔性腹板(web)基片和刚性面板基片。很多已知的系统设计成处理塑性腹板基片和刚性玻璃面板基片。腹板基片或刚性面板直接从线沉积源的上面经过。适用于将材料蒸发至腹板基片上或刚性面板基片上的已知线沉积源包括船形坩锅，该船形坩锅通常由耐火材料形成，用于容纳沉积源材料。坩锅布置在蒸气出口管的内部。蒸气出口管同时用作蒸发空间和作为用于分配蒸气的空间。一个或多个蒸气出口开口沿该源线性地布置。
附图说明
在下面的详细说明中将结合附图特别介绍根据优选和示例实施例的本发明教导以及本发明的其它优点。本领域技术人员应当知道，下面所述的附图只是用于图示说明目的。附图并不必须按比例，而是重点通常在于图示说明本发明的原理。附图决不是用于以任何方式限制本发明的教导范围。
图1显示了本发明的线沉积源的透视剖视图，它包括多个坩锅，这些坩锅与多个传导槽道连接，然后与线性结构的多个喷嘴连接。
图2A显示了本发明的线沉积源的剖视图，该线沉积源具有多个喷嘴，这些喷嘴定位成使得它们沿向上方向蒸发沉积材料。
图2B显示了本发明的线沉积源的剖视图，该线沉积源具有多个喷嘴，这些喷嘴定位成使得它们沿向下方向蒸发沉积材料。
图2C显示了本发明的线沉积源的剖视图，该线沉积源具有包括多个喷嘴的本体，这些喷嘴沿垂直方向定位。
图2D显示了本发明的另一线沉积源的剖视图，该线沉积源具有包括多个喷嘴的本体，这些喷嘴沿垂直方向定位。
图3显示了本发明的线沉积源的透视剖视图，该线沉积源包括单个坩锅，该坩锅与多个传导槽道连接，然后与线性结构的多个喷嘴连接。
图4显示了用于本发明的线沉积源的坩锅的透视剖视图，该坩锅由两种材料形成。
图5显示了本发明的线沉积源的一部分的顶视透视图，它显示了与壳体中的三个坩锅连接的三个传导槽道。
图6A是用于本发明的线沉积源的电阻坩锅加热器的一部分的透视图，图中显示了加热器的内部和三个侧部，坩锅位于其中。
图6B是用于加热多个坩锅中的每个的多个加热器中的一个的外部的透视图。
图7A是本发明的线沉积源的侧视图，它显示了用于加热多个传导槽道的传导槽道加热器。
图7B是包括传导槽道加热器的杆的透视图。
图7C显示了本发明的线沉积源的本体的透视图，它显示了使杆的端部与本体连接的连接件。
图8显示了包括伸缩杆的本体的框架。
图9A是用于本发明的线沉积源的多个坩锅和多个传导槽道的热屏蔽件的透视剖视图。
图9B是图9A中所示的热屏蔽件的完全透视图。
图10显示了本发明的沉积源的顶视透视图，它显示了在本体中的多个喷嘴，用于将蒸发材料排出至基片或其它工件上。
图11A显示了本发明的沉积源的本体的剖视图，它显示了与传导槽道连接的一列喷嘴，该传导槽道具有控制沉积材料流向喷嘴的管。
图11B显示了本发明的沉积源的多个传导槽道的剖视图，它显示了与多个传导槽道连接的一排喷嘴，该传导槽道具有控制沉积材料流向喷嘴的管。
图12显示了喷嘴的透视图，该喷嘴包括用于本发明的线沉积源的多个喷嘴中的一个。
具体实施方式
在说明书中所述的“一个实施例”或“实施例”的意思是结合该实施例所述的特定特性、结构或特征将包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的不同位置处出现的术语“在一个实施例中”并不必须都指相同实施例。
应当知道，本发明的方法的各步骤可以以任意顺序和/或同时进行，只要本发明仍然可操作。而且，应当知道，本发明的装置和方法可以包括任意数目的或全部所述实施例，只要本发明仍然可操作。
下面将参考如附图中所示的本发明的示例实施例更详细地介绍本发明。尽管本发明将结合各种实施例和实例来介绍，但是本发明并不局限于这些实施例。相反，本发明包含各种变化、改变和等效物，如本领域技术人员已知。本领域普通技术人员通过本发明的教导应当知道另外的实施方式、变化形式和实施例以及其它使用领域，它们落在这里所述的本发明范围内。
本发明大致涉及用于产生源材料蒸气流的装置和方法，该源材料蒸气用于沉积在基片上。本发明的教导的一些方面涉及适合产生源材料蒸气流的线沉积源，用于使材料沉积在腹板基片、刚性面板基片或其它类型的细长工件上。本发明的教导的其它方面涉及适合产生源材料蒸气源的线沉积源，用于使材料沉积在基片保持器上，该基片保持器支承多个普通基片，例如半导体基片。
在本发明的多个实施例中，该方法和装置涉及通过蒸发来沉积。这里使用的术语“蒸发”的意思是将源材料转变成蒸气，并包括在本领域中正常使用的多个术语，例如蒸发、气化和升华。转变成蒸气的源材料可以为任意物质状态。在多个实施例中，本发明的装置和方法用于使两个或更多个不同的材料共同蒸发至基片上，例如腹板基片或刚性面板基片上。在一些实施例中，本发明的装置和方法用于使得单个材料蒸发到基片上，例如腹板基片或刚性面板基片上。
本发明的一个方面涉及用于将铜、铟、镓共同沉积至腹板基片或刚性面板基片上的方法和装置。具有代替全部或部分铟的镓的铜、铟联硒化物的化合物(CIS化合物)被称为铜、铟、镓联硒化物的化合物(CIGS化合物)。CIGS化合物通常用于制造光电池。特别是，CIGS化合物通常用作薄膜太阳能电池中的吸收剂层。这些CIGS化合物具有直接能带隙，该直接能带隙能够强烈吸收电磁光谱的可见区域中的太阳辐射。CIGS光电池已经被证明与通常使用的、具有其它类型吸收剂层化合物例如碲化镉(CdTe)和非晶硅(a-Si)的光电池相比具有很高的转变效率和良好的稳定性。
CIGS吸收层通常为具有良好结晶度的p类型混合物半导体层。通常需要良好的结晶度来获得高效光电操作所需的合适电荷输送特性。在实际中，CIGS吸收层必须至少部分被结晶化，以便获得高效光电操作。结晶化的CIGS化合物具有结晶结构，根据用于形成CIGS化合物的沉积温度，该结晶结构的特征可以在于黄铁矿或闪锌矿。
CIGS化合物可以通过各种技术而形成。用于形成CIGS化合物的一种方法使用化学产物母体。该化学产物母体沉积成薄膜，随后再进行退火以便形成合适的CIGS层。当CIGS产物母体材料在较低温度下沉积时，形成的CIGS薄膜是非晶的，或者只有很弱的结晶。然后CIGS薄膜在升高的温度下退火，以便提高CIGS化合物的结晶化，从而提供合适的电荷输送特性。
不过，在使得CIGS薄膜部分结晶化所需的升高温度下，在沉积薄膜中的硒比其它元素更易挥发。因此，通常在产物母体层退火时添加硒，以便提高结晶化和使得CIGS化合物具有合适的组分和化学当量。形成CIGS薄膜混合物的该方法相对消耗时间，且在蒸气相中需要较大容积的硒，这增加了制造成本。
用于形成CIGS化合物的另一方法使用真空蒸发。与由产物母体材料制造的CIGS光电池相比，通过共同蒸发制造的CIGS光电池可以具有很高的光电转换效率。在该方法中，铜、铟、镓和硒共同蒸发至基片上。共同蒸发能够精确控制薄膜的化学当量，并能够在薄膜吸光层中进行组分分级。因此，共同蒸发可以用于精确调节带隙，以便获得最佳的光电特性。不过，铜、铟、镓和硒的共同蒸发是一种很难以工业规模使用的处理技术，因为很难在较大表面面积上均匀蒸发材料。
本发明的一个方面是提供一种沉积源、系统以及操作该源和系统的方法，以便高效和可控制地提供多种蒸发源材料，用于制造多种装置，例如CIGS光电池。本发明的另一方面是提供沉积源、系统以及操作该沉积源和系统的方法，以便高效和可控制地提供单个蒸发源材料，用于制造多种装置，例如有机发光二极管(OLED)装置。本领域技术人员应当知道，尽管本发明的一些方面结合CIGS光电池和OLED装置的制造来介绍，但是本发明的教导可以用于能够利用蒸发材料来制造的任意其它类型装置。
图1显示了本发明的线沉积源100的透视剖视图，该线沉积源100包括多个坩埚102，这些坩埚102与多个传导槽道104连接，然后与线性结构的多个喷嘴106连接。所述多个坩埚102中的每一个都容纳有蒸发源材料，该蒸发源材料可以是相同或不同的源材料。所述多个传导槽道104中的每一个的输入与所述多个坩埚102中的相应一个的输出连接。在很多实施例中，该多个传导槽道104设计成当蒸发的材料在该多个传导槽道104中输送时该蒸发的材料并不相互混合。
壳体108容纳有该多个坩埚102。壳体108由不锈钢或类似材料形成。在一些实施例中，流体冷却槽道沿壳体108布置。壳体108还包括密封凸缘110，该密封凸缘110将壳体108附连在真空腔室(未示出)上。线沉积源100的一个特征是坩埚位于真空腔室的外部。因此，它们很容易重新充装和维护，因此提高了可用性。包括所述多个传导槽道104和多个喷嘴102的本体112延伸经过壳体108的密封凸缘110。在一些实施例中，流体冷却槽道沿本体112布置。
在图1所示的实施例中，源100包括成线性构型的三个坩埚102，其中，三个传导槽道104中的相应一个的输入与三个坩埚102中的相应一个的输出连接。喷嘴106布置在沿所述多个传导槽道104中的每一个的多个位置处。不过，因为图1是剖视图，因此在图1中只显示了中间传导槽道104和一半喷嘴106。
本领域技术人员应当知道，可以使用多种类型的坩埚。例如，所述多个坩埚中的至少一些可以包括形成于另一坩埚内部的至少一个坩埚，如结合图4所述。所述多个坩埚102容纳有适用于特殊制造处理的蒸发材料。在多个实施例中，所述多个坩埚102中每一个容纳有不同的蒸发材料。例如，三个坩埚各自可以容纳有铜、铟和镓中的一种，以便提供材料源，用于高效地共同蒸发CIGS基光电装置的功能吸收层。不过，在一些实施例中，该多个坩埚中的至少两个容纳有相同的沉积材料。例如，三个坩埚各自可以容纳有单个材料系统，用于沉积OLED装置的触点。
一个或多个坩埚加热器114定位成与所述多个坩埚102热连通。坩埚加热器114设计和定位成增加该多个坩埚102的温度，这样，所述多个坩埚102中的每一个将它的相应沉积源材料蒸发至所述多个传导槽道104中的相应一个中。一些坩埚加热器114需要将蒸发源材料加热至非常高的温度。这些坩埚加热器可以由石墨、碳化硅、耐火材料或其它非常高熔点的材料来形成。坩埚加热器114可以是单个加热器，或者可以是多个加热器。例如，在一个实施例中，所述多个坩埚加热器中的每一个是可单独控制的，这样，所述多个坩埚加热器中的相应一个与所述多个坩埚102中的相应一个热连通。
坩埚加热器114可以是任意类型的加热器。例如，坩埚加热器114可以是电阻加热器，如图1中所示。电阻加热器的一个实施例将结合图6A和6B更详细介绍。坩埚加热器114还可以是多种类型的RF感应加热器和/或红外线加热器中的一种。在多个实施例中，全部坩埚加热器114为相同类型的加热器。不过，在一些实施例中，坩埚加热器114中的两个或更多个是不同类型的加热器，这些加热器具有不同的热特性，用于蒸发不同的沉积源材料。
坩埚加热器114或单独的传导槽道加热器布置成与多个传导槽道104中的至少一个热连通，这样，所述多个传导槽道104中的每一个的温度升高至高于经过该特定传导槽道的沉积源材料的冷凝点。传导槽道加热器将结合图7A、7B和7C介绍。本领域技术人员应当知道，多种加热器可以用于加热该多个传导槽道104，例如电阻加热器、RF感应加热器和/或红外线加热器。传导槽道加热器可以是单个加热器，或者可以是多个加热器。可以使用多种类型的加热器。在一个实施例中，传导槽道加热器具有相对于所述多个传导槽道104中的另一个控制该多个传导槽道104中的一个的温度的能力。
图2A显示了本发明的线沉积源100的剖视图，该线沉积源100具有多个喷嘴106，这些喷嘴106定位成使得它们沿向上方向蒸发沉积材料。本发明的线沉积源的一个特征是该多个喷嘴106可以相对于多个坩锅102定位成任何方位。用于该多个传导槽道104的加热器设计成防止蒸发的源材料冷凝，而不管该多个喷嘴106的方位如何。
图2B显示了本发明的线沉积源150的剖视图，该线沉积源150具有多个喷嘴106，这些喷嘴106定位成使得它们沿向下方向蒸发沉积材料。图2B的线沉积源150与结合图2A描述的线沉积源100类似。不过，该多个喷嘴106定位成使得它们的出口孔在多个坩锅102的方向中朝下。
图2C显示了本发明的线沉积源152的剖视图，该线沉积源152具有本体112′，该本体112′包括沿垂直方向定位的多个喷嘴106。线沉积源152与结合图2A描述的线沉积源100类似，除了线沉积源152包括角度连接件154，该角度连接件154改变本体112′相对于密封凸缘110的法线方向的方位。本领域的技术人员将会理解到，该角度连接件154可以相对于密封凸缘110的法线方向以任何角度定位本体112′。因此，本发明的线沉积源的一个特征是，包括多个喷嘴106的本体112′可以相对于包含多个坩锅102的壳体108以任意方位定位。用于多个传导槽道104的加热器(图1)设计成防止蒸发的源材料冷凝，而不管本体112′的方位如何。
图2D显示了本发明的另一线沉积源156的剖视图，该线沉积源156具有本体112″，该本体112″包括沿垂直方向定位的多个喷嘴106。线沉积源156与结合图2C所述的线沉积源152类似，除了线沉积源156包括T形连接件158，该T形连接件158改变本体112″相对于密封凸缘110的法线方向的方位。在图2D所示的实施例中，本体112″在T形连接件158的两侧沿垂直方向延伸。
图3显示了本发明的线沉积源200的透视剖视图，该线沉积源200包括单个坩锅202，该单个坩锅202与多个传导槽道204连接，然后与成线性结构的多个喷嘴206连接。线沉积源200与结合图1和2描述的线沉积源100类似。不过，源200只包括一个坩锅202。该单个坩锅202定位在壳体208中，如结合图1所述。
单个坩锅202可以具有单个隔腔，该单个隔腔设计成用于一种类型的沉积源材料。与多个传导槽道204连接的这种坩锅将具有相对较高的沉积流处理量。也可选择，单个坩锅202可以具有多个隔板210，这些隔板210将局部隔离坩锅202的部分，其中，各局部隔离部分的尺寸设置成用于布置多种沉积源材料中的一种。该多个沉积源材料可以为相同材料，或者可以为不同材料。在单个坩锅202包括多个局部隔离部分的实施例中，所述传导槽道204中的每一个的输入定位成靠近该多个局部隔离部分中的一个。
加热器212定位成与单个坩锅202热连通。加热器212升高坩锅202的温度，这样，坩锅将该至少一种沉积材料蒸发至所述多个传导槽道204中。加热器212或第二加热器定位成与所述多个传导槽道204中的至少一个热连通，以便升高该多个传导槽道204的温度，从而使蒸发的沉积源材料不会冷凝。一些加热器212可以使得所述多个传导槽道204中的至少一个的温度相对于所述多个传导槽道204中的另一个升高。
热屏蔽件214定位成靠近坩锅202和靠近该多个传导槽道204，以便使得坩锅202和该多个传导槽道204至少部分热隔离。在一些实施例中，热屏蔽件214设计和定位成控制坩锅202的一部分相对于坩锅202的另一部分的温度。还有，在一些实施例中，热屏蔽件214设计和定位成用于使得所述多个传导槽道204中的至少一个相对于所述多个传导槽道204中的至少另一个至少部分热隔离，这样，在所述多个传导槽道204中的至少两个中可以保持不同的温度。在该实施例中，所述多个传导槽道204中的至少两个可以由具有不同热特性的热屏蔽材料来屏蔽。
所述多个喷嘴206与所述多个传导槽道204连接。蒸发的沉积材料可以通过多个传导槽道204从单个坩锅202输送给多个喷嘴206，在该喷嘴206处，蒸发的沉积材料从该多个喷嘴206排出，以便形成沉积流。
本发明的线沉积源很好地适用于将一种或多种不同的沉积源材料蒸发至大面积工件上，例如腹板基片或刚性面板基片上。源的线性几何形状使得它们很好地适用于处理较宽和较大面积的工件，例如用于光电池的腹板基片和刚性面板基片，因为源可以在相对较大区域上面提供可高效和高度控制的蒸发材料。
本发明的线沉积源的一个特征是它们相对紧凑。本发明的线沉积源的另一特征是它们使得公共加热器和公共热屏蔽材料用于多个沉积源中的每一个和多个传导槽道中的每一个，这提高了多个设备性能参数，例如尺寸、设备成本和操作成本。
图4显示了用于本发明的线沉积源的坩锅300的透视剖视图，该坩锅300由两种材料形成。坩锅300包括位于另一坩锅内部的至少一个坩锅。在图2所示的实施例中，坩锅300包括嵌套在外部坩锅304内部的内部坩锅302。在这种坩锅设计中，可以使用两种材料来容纳沉积材料，以便提高坩锅的性能。在其它实施例中，至少一个坩锅嵌套在至少两个其它坩锅的内部。
例如，在一个实施例中，一个或多个坩锅102(图1)或坩锅202(图3)构成为使得内部坩锅302由热解氮化硼形成，外部坩锅304由石墨形成。在该实施例中，由热解氮化硼形成的内部坩锅302容纳有沉积源材料。热解氮化硼是无孔、高度惰性和特别纯的材料。此外，热解氮化硼具有非常高的熔点、良好的导热性和优良的热冲击特性。这些特性使得热解氮化硼非常适合直接容纳大部分蒸发源材料。不过，热解氮化硼特别脆，因此容易损坏。外部坩锅304由更有耐久性且仍然能够高温工作的材料例如石墨形成。更有耐久性的材料保护热解氮化硼防止损坏。在其它实施例中，内部坩锅由石英形成，外部坩锅由氧化铝形成。石英内部坩锅和氧化铝外部坩锅的组合相对便宜。
图5显示了本发明的线沉积源100的一部分的顶视透视图，它显示了与壳体108中的三个坩锅102连接的三个传导槽道104。所述三个传导槽道104中的每一个的输入118与所述三个坩锅102中的相应一个的输出连接。这三个传导槽道104设计成这样，当蒸发的材料通过多个传导槽道104输送时，来自所述三个坩锅102中的任何坩锅的蒸发材料不会明显相互混合。在多种沉积处理中，重要的是基本防止沉积材料相互混合，以便在沉积材料到达要处理的基片表面之前防止两种或更多种沉积材料发生反应。
图6A是用于本发明的线沉积源的电阻坩锅加热器400的一部分的透视图，它显示了坩锅加热器400的内部和三个侧部，坩锅102(图1)位于该坩锅加热器400处。在不同实施例中，坩锅加热器400可以固定在壳体108中(图1)或者可拆卸地安装在壳体108上。坩锅加热器400包括在底部和侧部的多个电阻加热元件402，这些电阻加热元件环绕坩锅102。在图6A所示的实施例中，电阻加热元件402是多个间隔开的石墨汇流条402，这些石墨汇流条402是线性的石墨材料条。支承杆404在结构上使得石墨汇流条402连接在一起，还使得汇流条402电绝缘。电阻加热元件402可以包括位于加热元件402的相对端之间的蛇形石墨弹簧。电线穿过源100的壳体108来提供，以便将石墨汇流条402与电源(未示出)连接。石墨汇流条402包括用于牢固安装电线的螺钉406。
图6B是用于加热所述多个坩锅102(图1)中的一个的所述多个坩锅加热器400中的一个的外部的透视图。图6B中所示的透视图类似于图6A中所示的透视图，但是它显示了坩锅加热器400的全部四个侧部。
图7A是本发明的线沉积源100的侧视图，它显示了用于加热所述多个传导槽道104(图1)的传导槽道加热器。图7B显示了包括传导槽道加热器的杆130的透视图。图7C显示了本发明的线沉积源100的本体112的透视图，它显示了将杆130的端部与本体112连接的连接件132。
参考图1、7A、7B和7C，杆130定位成沿传导槽道104的长度在本体112的纵向方向上靠近传导槽道104。杆130可以由任意类型的耐高温材料(例如石墨、碳化硅、耐火材料或其它非常高熔点的材料)形成。杆130与电源(未示出)的输出电连接，该电源产生流过杆130的电流，从而升高杆130的温度。杆130可以利用弹簧或束线而与电源的输出电连接，该弹簧或束线提供足够运动，以便在正常工作过程中允许杆130的热膨胀。通过来自电源的电流在杆130中产生的热量辐射至传导槽道104中，从而升高传导槽道104的温度，这样，通过该多个传导槽道104输送的蒸发源材料不会冷凝。
图7A还显示了多个连接件152，这些连接件152将杆130的部分安装在一起。在一些实施例中，本体112的长度很长，以致于使多个杆130的部分连接在一起将更有成本效益、更可靠和更容易制造。本领域技术人员应当知道，多种连接件可以用于将多个杆130的部分连接在一起。例如，螺纹连接件可以用于将两个杆部分连接在一起。连接件132提供了通过杆130的整个长度的、具有相对恒定电阻的连续电连接。
图8显示了本体112(图1)的框架500，该框架500包括伸缩杆502。参考图1、7A和8，所述多个传导槽道104从本体112的框架500内部的空间中被除去，以便看见伸缩杆502。伸缩杆502有时使用，因为本体112在正常工作过程中经受显著的热膨胀和收缩。杆130和该多个传导槽道104的热膨胀系数可以与框架500和本体112中的其它部件的热膨胀系数明显不同。此外，在框架500和本体112中的其它部件(例如杆130和所述多个传导槽道104)之间可能有明显的温度差。因此，希望框架500能够相对于本体112中的其它部件(例如该多个传导槽道104和杆130)自由地膨胀和收缩。
图8中所示的伸缩杆500是可以用于框架500中的多种伸缩杆中的一种。在图8所示的实施例中，伸缩杆500通过销504或其它类型的紧固件安装在框架500的两部分上。当伸缩杆502膨胀时，连杆部分506膨胀，从而在框架500中产生用于本体112中的、比框架500更快膨胀的部件的空间。也可选择，当本体112中的部件比框架500更快收缩时，连杆部分506折叠，从而减小框架500中的空间，以便与收缩本体112的空间匹配。
图9A是用于本发明的线沉积源的多个坩埚102(图1)和多个传导槽道104的热屏蔽件600的透视剖视图。图9B是图9A中所示的热屏蔽件600的完全透视图。本领域技术人员应当知道，热屏蔽件600可以由多种热屏蔽材料中的任意一种制造。例如，在一个实施例中，热屏蔽件600由碳纤维碳复合材料形成。
参考图1、9A和9B，热屏蔽件600的第一部分602定位成靠近各所述多个坩埚102中的每个，以便提供所述多个坩埚102中的每个的至少局部热隔离。热屏蔽件600的第一部分602隔离各坩埚102，这样，可以在需要时在处理过程中保持明显不同的坩埚温度。对于某些沉积处理，保持明显不同的坩埚温度很重要，因为这时所述多个坩埚102中的每个可以被加热至它的用于特殊源材料的最佳温度。将坩埚102加热至它们的用于特殊源材料的最佳温度降低了负面的加热效果，例如沉积材料的喷溅。此外，将坩埚102加热至它们的用于特殊源材料的最佳温度可以明显降低沉积源的操作成本。
在各种其它实施例中，热屏蔽件600的第一部分602可以包括多个单独的热屏蔽件，其中，该多个单独的热屏蔽件600中的相应一个包围所述多个坩埚102中的相应一个。所述多个单独的热屏蔽件中的每一个可以是相同的，或者可以是不同的热屏蔽件。例如，用于加热更高温度的沉积源材料的坩埚可以由具有不同热特性的、不同或更厚的热屏蔽材料形成。
热屏蔽件600的第二部分604定位成靠近所述多个传导槽道104，以便使得该多个传导槽道104与多个坩埚102至少局部热隔离。所述多个传导槽道104中的每一个可以由单独的热屏蔽件来屏蔽，或者可以使用单个热屏蔽件。在一些实施例中，热屏蔽件600的第二部分604定位成用于使得所述多个传导槽道104中的至少一个相对于至少一个其它传导槽道至少局部热隔离。换句话说，热屏蔽件600的第二部分604的设计和定位可以选择为使得所述多个传导槽道104中的至少一个相对于所述多个传导槽道104中的至少另一个能够有不同的操作温度。在这些实施例中，所述多个传导槽道104中的至少两个可以由具有不同热特性的热屏蔽材料来屏蔽。例如，所述多个传导槽道104中的至少两个可以通过不同的热屏蔽材料、不同热屏蔽厚度和/或热屏蔽材料的不同接近程度来对特殊传导槽道进行屏蔽。
热屏蔽件600在正常操作过程中暴露于非常高的温度。本发明的一些热屏蔽件构成为具有由低发射率材料或具有低发射率涂层(它减小热辐射的发射)形成的至少一个表面。例如，热屏蔽件600的内表面或外表面涂覆有低发射率涂层或降低传热的任意其它类型涂层。通常，任何这样的涂层都设计成在源的操作寿命中保持恒定发射率。
与壳体108和本体112相比以及与壳体108或本体112中的部件相比，热屏蔽件600还以不同速率膨胀和收缩。在一个实施例中，热屏蔽件600可运动地安装在壳体108和本体112的框架500(图8)中的至少一个上，这样，它能够在正常工作过程中相对于壳体108和框架500中的至少一个运动。在一些实施例中，伸缩杆用于使得热屏蔽件600能够相对于其它源部件膨胀和收缩。而且，在一些实施例中，热屏蔽件600包括多层热屏蔽材料，这些热屏蔽材料可承受热膨胀和收缩。例如，可以使用多个热屏蔽瓦，以便提高对热膨胀和收缩的承受能力。
图10显示了本发明的沉积源100的透视图，它显示了在本体112中的多个喷嘴106，用于将蒸发的材料发射至基片或其它工件上。所述多个喷嘴106中的每一个的输入与所述多个传导槽道104中的相应一个的输出连接，如结合图5所述。蒸发的沉积材料在并不相互混合的情况下从多个坩埚102通过多个传导槽道104而输送至该多个喷嘴106，在该喷嘴106处，蒸发的沉积材料从该多个喷嘴106排出，以形成沉积流。
图10中所示的源100显示了七组喷嘴106，其中，每组包括三个喷嘴。本领域技术人员应当知道，本发明的沉积源可以包括任意数目的喷嘴组以及在各喷嘴中有任意数目的喷嘴。在各种实施例中，多个喷嘴106的间距可以均匀或不均匀。本发明的一个方面是该多个喷嘴106可以非均匀间开，以便获得特定处理目标。例如，在一个实施例中，多个喷嘴106的间距选择为提高沉积流的均匀性。在该实施例中，靠近本体112的边缘的喷嘴106的间距比靠近本体112的中心的喷嘴106的间距小，如图10中所示，以便补偿本体112的边缘附近的减少的沉积流。准确间距可以选择为使得源100在基片或工件附近产生基本均匀的沉积材料流。
在一些实施例中，多个喷嘴106的间距选择为获得很高的材料利用性，以便降低沉积源100的操作成本，并增加在维修间隔之间的处理时间和可用性。还有，在一些实施例中，多个喷嘴106的间距选择为使得来自多个喷嘴106的沉积流合适交叠，以便获得蒸发材料的预定混合物。
在一个实施例中，所述多个喷嘴106中的至少一些相对于传导槽道104的顶表面160的法线角以一定角度定位，以便获得特定处理目标。例如，在一个实施例中，所述多个喷嘴106中的至少一个相对于传导槽道104的顶表面160的法线角以一定角度定位，该角度选择为越过要处理的基片或工件的表面提供均匀的沉积流。还有，在一些实施例中，所述多个喷嘴106中的至少一个相对于传导槽道104的顶表面160的法线角以一定角度定位，该角度选择为使得来自该多个喷嘴106的沉积流合适交叠，以便获得蒸发材料的预定混合物。
图11A显示了本发明的沉积源100的本体112的剖视图，它显示了一列喷嘴106，该列喷嘴106与具有管170的传导槽道104连接，该管170控制沉积材料流向喷嘴104的流动。在一些实施例中，在管170的顶部处的发射率低于在管170的底部处的发射率。管170的尺寸(例如管170的长度和直径)确定了从传导槽道104供给相应喷嘴106的沉积材料的量。此外，管170的定位(例如管170定位在传导槽道104中的距离)也确定了从传导槽道104供给相应喷嘴106的沉积材料的量。
例如，改变管170的直径将改变从喷嘴106发出的沉积流分布图形。管170的长度通常选择为与管170的总体流阻和设计匹配。在一些实施例中，更远地穿透入传导槽道104内的更长管170将更少的沉积材料供给相应喷嘴106。在各种实施例中，特殊管170的几何形状和位置可以相同或可以不同。在一个实施例中，所述管170中的至少两个可以有不同的长度和/或不同的几何形状，以便获得通过所述多个管170中的每个的特殊传导，其实现特定处理目标。例如，具有不同尺寸的管170可以用于补偿从密封边缘110附近的本体112至本体112的端部的、源100中的压力差。
因此，本发明的沉积源100的一个特征是管170的几何形状和定位可以选择为精确地控制供给所述多个喷嘴106中的每一个的蒸发材料的量，而不改变从该多个喷嘴106发出的蒸发材料的分布。例如，特殊管170的几何形状和位置可以选择为获得特定处理目标，例如来自特殊喷嘴或来自该多个喷嘴106的预定沉积流。
在一些实施例中，所述多个喷嘴106中的至少一个在所述多个传导槽道104的顶表面160之上延伸，以便防止经过一段时间形成的蒸气冷凝和材料累积。喷嘴还可以定位成获得合适的沉积流分布图形。单个的喷嘴加热器可以定位成靠近所述多个喷嘴106中的一个或多个，以控制从喷嘴106发出的蒸发材料的温度，从而防止冷凝和材料累积。在其它实施例中，所述多个喷嘴106中的至少一个定位在所述多个传导槽道104的顶表面160的下面，以从加热器和所述多个传导槽道104传导合适量的热量和/或获得合适的沉积流分布图形。
图11B显示了本发明的沉积源100的多个传导槽道104的剖视图，它显示了与具有管170的多个传导槽道104连接的一排喷嘴106，该管170控制沉积材料流向喷嘴104的流动。图11B显示了具有管的三个传导槽道。本发明的一个方面是喷嘴106通过传导槽道加热器(图7A-C中的杆130)和相关的传导槽道104被加热。
图12显示了喷嘴106的透视图，该喷嘴106包括用于本发明的线性源100的多个喷嘴106中的一个。喷嘴106设计成使它提供所需的热传导，以便防止蒸发的源材料冷凝。喷嘴106可以由具有导热性的材料形成，该材料产生均匀的工作温度，从而降低了沉积材料的喷溅。例如，喷嘴可以由石墨、碳化硅、耐火材料或其它非常高熔点材料形成。在一些实施例中，喷嘴106设计成降低通过喷嘴106的热梯度。此外，喷嘴106可以设计成使辐射损失最小。
在一些实施例中，喷嘴106可以包括锥形外表面。还有，在一些实施例中，喷嘴106的内部为锥形。在一些实施例中，孔180的表面具有较低发射率涂层，该涂层减少了热发射，从而减少了在喷嘴106中的任何冷凝。在其它实施例中，喷嘴106由具有较低发射率的材料形成。
喷嘴106包括孔180，用于使得来自相关的传导槽道104的蒸发源材料通过。孔180设计成排出合适的羽流(plume)。大致圆形的孔108显示于图12的喷嘴106内。不过，应当知道，多种孔形状中任意一种可以用于喷嘴106中，以便获得合适的处理目标。例如，孔180可以为圆形、椭圆形、矩形、正方形或狭槽。此外，孔180的出口显示为具有半径形状。不过，应当知道，孔180可以使用多种出口形状中的任意一种，以便获得合适的处理目标。例如，出口形状可以为斜切、圆角或相扑(sumo)形(即逆吃水形或其它类型的限制喷嘴形状)。
在一些实施例中，所述多个喷嘴106中的至少一个具有孔180，该孔180的形状形成为通过非均匀的沉积流。在这些实施例中，所述多个孔180中的至少一些的形状可以形成为通过非均匀的沉积流，该沉积流组合形成合适的沉积流图形。例如，合适组合的沉积流图形可以是在预定区域之上的均匀沉积流图形。
在工作时，从多个沉积源产生沉积流的方法包括加热多个坩锅102，各坩锅102容纳有沉积源材料，这样，所述多个坩锅102中的每一个蒸发沉积材料。该方法可以包括可独立控制的单独坩锅加热器，以便获得用于各沉积源材料的不同坩锅温度。该方法还可以包括屏蔽所述多个坩锅102中的每一个，这样，在特殊坩锅中可以保持不同温度。
来自所述多个坩锅102中的每一个的沉积材料通过本体112中的相应传导槽道104输送，同时从所述多个坩锅102中的任意坩锅蒸发的沉积材料不会相互混合。传导槽道104被加热，这样，蒸发的沉积材料在从喷嘴106发出之前不会冷凝。传导槽道104可以被单独地加热，以便使得所述多个传导槽道104中的至少两个获得不同的温度。所述多个传导槽道104中的每一个可以被屏蔽，这样，在不同传导槽道104中可以保持不同的温度。多个方法包括提供用于在多个坩锅102附近和多个传导槽道104附近的加热器和热屏蔽材料的热膨胀的活动部件和空间。
蒸发的沉积材料从所述多个传导槽道104中的每一个输送给所述多个喷嘴106中的相应的一个。在各种实施例中，蒸发的沉积材料通过多个管170中的相应的一个或其它控制沉积材料流的结构从所述多个传导槽道104中的每一个输送给所述多个喷嘴106中的相应一个。在本发明的方法的不同实施例中，通过多个喷嘴106的沉积材料流通过使用具有变化的长度、几何形状和/或管进口相对于传导槽道104的位置来控制。该长度、几何形状和/或管进口相对于传导槽道104的位置选择为实现特定处理目标，例如均匀的沉积流和/或高沉积材料利用率。
然后，所述多个喷嘴106使得蒸发的沉积材料通过，从而形成沉积流。该方法可以包括选择多个喷嘴106的间距，以便获得特定处理目标，例如来自多个喷嘴106的均匀的沉积流和/或高沉积材料利用率。
等效物
尽管已经结合各种实施例介绍了本发明，但是本发明并不局限于这些实施例。相反，本发明包含各种变化、改变和等效物，如本领域技术人员已知，它们并没有脱离本发明的精神和范围。

Claims (48)

1.一种沉积源，包括：
a)多个坩锅，用于容纳沉积材料；
b)本体，该本体包括多个传导槽道，所述多个传导槽道中的每一个的输入与所述多个坩锅中的相应一个的输出连接；
c)加热器，该加热器定位成与所述多个坩锅和所述多个传导槽道热连通，该加热器升高该多个坩锅的温度，这样，所述多个坩锅中的每一个将沉积材料蒸发进入该多个传导槽道中；
d)热屏蔽件，该热屏蔽件提供用于所述多个坩锅中的至少一个的至少局部热隔离；以及
e)多个喷嘴，所述多个喷嘴中的每一个的输入与所述多个传导槽道中的一个的输出连接，蒸发的沉积材料从该多个坩锅通过该多个传导槽道被输送给该多个喷嘴，在喷嘴处，蒸发的沉积材料从该多个喷嘴排出，以形成沉积流。
2.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个坩锅中的至少一些包括位于外部坩锅内部的内部坩锅。
3.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个坩锅包括容纳有Cu的第一坩锅、容纳有In的第二坩锅以及容纳有Ga的第三坩锅。
4.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个坩锅中的每一个容纳有相同的沉积材料。
5.根据权利要求1所述的沉积源，其中：加热器包括RF感应加热器、电阻加热器和红外线加热器中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的沉积源，其中：加热器包括多个可单独控制的加热器，其中，所述多个加热器中的相应一个与所述多个坩锅中的相应一个热连通。
7.根据权利要求1所述的沉积源，其中：加热器使得所述多个传导槽道中的每一个的温度升高至高于沉积材料的冷凝点。
8.根据权利要求1所述的沉积源，其中：加热器控制所述多个传导槽道中的一个相对于该多个传导槽道中的另一个的温度。
9.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件提供用于所述多个传导槽道中的至少一个的至少局部热隔离。
10.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件包括多个热屏蔽瓦。
11.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件包括多层热屏蔽材料。
12.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件通过伸缩杆附连在本体上。
13.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件包括具有低发射率的至少一个表面。
14.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件包括多个热屏蔽件，其中，该多个热屏蔽件中的相应一个包围所述多个坩锅中的相应一个。
15.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件包围所述多个传导槽道。
16.根据权利要求1所述的沉积源，其中：热屏蔽件定位成使得所述多个传导槽道中的至少一个处于与所述多个传导槽道中的至少另一个不同的工作温度。
17.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴的间距不均匀。
18.根据权利要求1所述的沉积源，其中：在本体的边缘附近的所述多个喷嘴的间距比在本体中心附近的所述多个喷嘴的间距小。
19.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴的间距选择为获得基本均匀的沉积材料流。
20.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴的间距选择为提高沉积材料的利用率。
21.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴的间距选择为使得来自所述多个喷嘴的沉积流合适地交叠。
22.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个相对于所述多个传导槽道的顶表面的法线角以一定角度定位，该角度选择为使得来自该多个喷嘴的沉积流合适地交叠。
23.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个包括孔，该孔的形状形成为通过非均匀的沉积流。
24.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个包括低发射率涂层。
25.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个由具有导热性的材料形成，该材料导致均匀的工作温度，从而减少来自该多个喷嘴的沉积材料的喷溅。
26.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个包括管，该管定位成靠近所述传导槽道，该管限制供给相应喷嘴的沉积材料的量。
27.根据权利要求26所述的沉积源，其中：管的长度选择为通过所述多个喷嘴中的相应一个获得预定的沉积流。
28.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个包括管，该管定位成至少局部进入传导槽道中，该管限制供给相应喷嘴的沉积材料的量。
29.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少两个包括管，该管限制供给相应喷嘴的材料的量，与所述多个喷嘴中的一个相对应的管的长度和与所述多个喷嘴中的至少另一个相对应的管的长度不同。
30.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少两个包括管，该管限制供给相应喷嘴的材料的量，与所述多个喷嘴中的一个相对应的管的几何形状和与所述多个喷嘴中的至少另一个相对应的管的几何形状不同。
31.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个的顶部在所述多个传导槽道上面延伸。
32.根据权利要求1所述的沉积源，其中：所述多个喷嘴中的至少一个的顶部在所述多个传导槽道下面延伸。
33.根据权利要求1所述的沉积源，还包括：流体冷却槽道，该流体冷却槽道定位成靠近本体的至少一个边缘。
34.一种产生沉积流的方法，该方法包括：
a)加热多个坩锅，每个坩锅容纳有沉积材料，这样，所述多个坩锅中的每一个蒸发沉积材料，该沉积材料输送通过在本体中的多个传导槽道中的一个；以及
b)将蒸发的沉积材料从所述多个传导槽道中的每一个输送给所述多个喷嘴中的一个，该多个喷嘴使蒸发的沉积材料通过，从而形成沉积流。
35.根据权利要求34所述的方法，还包括：将蒸发的沉积材料从所述多个传导槽道中的每一个通过多个管中的相应一个输送给所述多个喷嘴中的相应一个。
36.根据权利要求35所述的方法，还包括：将所述多个管中的至少一个的尺寸选择为获得来自该多个喷嘴的均匀沉积流。
37.根据权利要求35所述的方法，还包括：将所述多个管中的至少一个的尺寸选择为获得高的沉积材料利用率。
38.根据权利要求34所述的方法，还包括：独立控制该多个坩锅和该多个传导槽道中的至少一些的温度。
39.根据权利要求34所述的方法，还包括：屏蔽由所述多个坩锅中的至少一个产生的热量，以便相对于至少另一个坩锅的温度来控制至少一个坩锅的温度。
40.根据权利要求34所述的方法，还包括：屏蔽由所述多个传导槽道中的至少一个产生的热量，以便相对于至少另一个传导槽道的温度来控制至少一个传导槽道的温度。
41.根据权利要求34所述的方法，还包括：在所述多个坩锅和所述多个传导槽道中的至少一个的附近提供用于热屏蔽材料的热膨胀的空间。
42.一种沉积源，包括：
a)坩锅，该坩锅容纳至少一种沉积材料；
b)本体，该本体包括多个传导槽道，所述传导槽道与坩锅连接；
c)加热器，该加热器定位成与坩锅热连通，该加热器升高坩锅的温度，这样，坩锅使得该至少一种沉积材料蒸发进入该多个传导槽道中；
d)热屏蔽件，该热屏蔽件提供用于坩锅的至少局部热隔离；以及
e)多个喷嘴，这些喷嘴与所述多个传导槽道连接，蒸发的沉积材料从坩锅通过该多个传导槽道输送给该多个喷嘴，在喷嘴处，蒸发的沉积材料从该多个喷嘴排出，以便形成沉积流。
43.根据权利要求42所述的沉积源，其中：坩锅包括多个局部隔离部分，所述多个局部隔离部分中的每一个的尺寸设置成定位该多个沉积材料中的一个。
44.根据权利要求43所述的沉积源，其中：所述多个局部隔离部分中的至少两个容纳有不同的沉积材料。
45.根据权利要求43所述的沉积源，其中：所述多个传导槽道中的每一个的输入定位成靠近所述多个局部隔离部分中的一个。
46.根据权利要求43所述的沉积源，其中：热屏蔽件提供热隔离，该热隔离控制坩锅的一部分相对于坩锅的另一部分的温度。
47.根据权利要求42所述的沉积源，其中：加热器定位成与该多个传导槽道中的至少一个热连通，该加热器升高所述多个传导槽道中的至少一个相对于所述多个传导槽道中的另一个的温度。
48.根据权利要求42所述的沉积源，其中：热屏蔽件提供用于所述多个传导槽道中的至少一个的热隔离。
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CN101845612B CN101845612B (zh) 2012-04-25

Family

ID=42194336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009102624920A Expired - Fee Related CN101845612B (zh) 2008-12-18 2009-12-18 线沉积源及产生沉积流的方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20100159132A1 (zh)
EP (1) EP2373825A4 (zh)
JP (1) JP2010150662A (zh)
KR (1) KR101117432B1 (zh)
CN (1) CN101845612B (zh)
DE (1) DE102009054677A1 (zh)
TW (1) TWI426143B (zh)
WO (1) WO2010080268A1 (zh)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103938162A (zh) * 2013-01-18 2014-07-23 株式会社日立高新技术 蒸镀装置和该蒸镀装置所用的蒸发源
CN104024466A (zh) * 2011-11-08 2014-09-03 初星太阳能公司 汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板
CN104053811A (zh) * 2011-11-18 2014-09-17 第一太阳能有限公司 用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统
CN104711520A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 三星显示有限公司 蒸发设备
CN104878349A (zh) * 2014-03-01 2015-09-02 Hzo股份有限公司 用于将材料引入材料处理系统的托架系统
WO2016011779A1 (zh) * 2014-07-21 2016-01-28 京东方科技集团股份有限公司 蒸发镀膜装置
CN106337165A (zh) * 2015-07-07 2017-01-18 三星显示有限公司 沉积源、沉积装置及利用沉积装置的显示装置制造方法
CN106414790A (zh) * 2014-05-23 2017-02-15 曼兹铜铟镓硒技术公司 用于蒸发器源的承载器装置
CN106460155A (zh) * 2014-05-23 2017-02-22 曼兹铜铟镓硒技术公司 用于基底的表面处理的蒸发器源
CN107002223A (zh) * 2014-12-05 2017-08-01 应用材料公司 材料沉积系统和用于在材料沉积系统中沉积材料的方法
CN107431015A (zh) * 2015-11-10 2017-12-01 东京毅力科创株式会社 气化器、成膜装置和温度控制方法
CN108103452A (zh) * 2017-12-29 2018-06-01 上海升翕光电科技有限公司 一种l型oled蒸镀线源
CN108690955A (zh) * 2017-04-10 2018-10-23 三星显示有限公司 制造显示设备的设备和方法
CN110684948A (zh) * 2018-07-04 2020-01-14 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 合金材料组、cigs靶材、cigs薄膜及太阳能电池
CN110684947A (zh) * 2018-07-04 2020-01-14 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜蒸镀方法
CN112458404A (zh) * 2016-05-10 2021-03-09 应用材料公司 操作沉积设备的方法和沉积设备

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101499228B1 (ko) * 2008-12-08 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 방법
DE102010030126B4 (de) * 2010-02-15 2016-09-22 Von Ardenne Gmbh Verdampfereinrichtung und Beschichtungsanlage
FR2956411B1 (fr) * 2010-02-16 2012-04-06 Astron Fiamm Safety Systeme de chauffage d'une source de depot en phase vapeur
WO2011140060A2 (en) * 2010-05-03 2011-11-10 University Of Delaware Thermal evaporation sources with separate crucible for holding the evaporant material
WO2012012700A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 First Solar, Inc. Buffer layer formation
DE102010056021B3 (de) * 2010-12-23 2012-04-19 Centrotherm Sitec Gmbh Düsenanordnung und CVD-Reaktor
DK2468917T3 (da) * 2010-12-27 2013-10-14 Riber Indsprøjtningsindretning til en vakuumfordampningskilde
JP5883230B2 (ja) * 2011-03-14 2016-03-09 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法
CN103380227B (zh) * 2011-03-15 2015-05-20 夏普株式会社 蒸镀颗粒射出装置和蒸镀装置
PL2524974T3 (pl) * 2011-05-18 2014-09-30 Riber Wtryskiwacz dla układu osadzania próżniowego oparów
WO2013052460A1 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 First Solar, Inc. Vapor transport deposition method and system for material co-deposition
FR2981667B1 (fr) * 2011-10-21 2014-07-04 Riber Systeme d'injection pour dispositif de depot de couches minces par evaporation sous vide
KR101350054B1 (ko) * 2012-06-07 2014-01-16 주식회사 야스 증착율 센서 어레이를 이용한 선형 증발원의 증착 제어시스템
JP6222929B2 (ja) * 2013-01-15 2017-11-01 日立造船株式会社 真空蒸着装置
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
US10214806B2 (en) 2013-06-25 2019-02-26 Veeco Instruments Inc. Bellows-free retractable vacuum deposition sources
WO2015116703A2 (en) * 2014-01-28 2015-08-06 Hzo, Inc. Material processing system with conduits configured to prevent heat transfer between a pyrolysis tube and adjacent elements
JP6388458B2 (ja) 2014-05-05 2018-09-12 学校法人沖縄科学技術大学院大学学園 太陽電池用途向けペロブスカイト膜の製造システム及び製造方法、並びにペロブスカイト膜
US9783881B2 (en) 2014-08-12 2017-10-10 National Chung-Shan Institute Of Science And Technology Linear evaporation apparatus for improving uniformity of thin films and utilization of evaporation materials
TWI523962B (zh) 2014-10-03 2016-03-01 Nat Inst Chung Shan Science & Technology Method and apparatus for stabilizing vapor deposition uniformity film
KR101990619B1 (ko) * 2014-11-07 2019-06-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증발된 재료를 증착하기 위한 장치, 분배 파이프, 진공 증착 챔버, 및 증발된 재료를 증착하기 위한 방법
KR102018865B1 (ko) * 2014-11-07 2019-09-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 증착을 위한 재료 소스 배열체 및 노즐
KR101606761B1 (ko) * 2014-11-12 2016-03-28 한국표준과학연구원 유도 가열 선형 증발 증착 장치
WO2016138964A1 (en) * 2015-03-03 2016-09-09 Applied Materials, Inc. Nozzle for a material source arrangement used in vacuum deposition
WO2017008838A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Applied Materials, Inc. Evaporation source.
EP3124648B1 (de) * 2015-07-31 2018-03-28 Hilberg & Partner GmbH Verdampfersystem sowie verdampfungsverfahren für die beschichtung eines bandförmigen substrats
JP6205028B1 (ja) * 2016-07-22 2017-09-27 マシン・テクノロジー株式会社 蒸発装置およびそれに用いる固定具
CN109371367A (zh) * 2018-11-26 2019-02-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀装置
CN112575308B (zh) * 2019-09-29 2023-03-24 宝山钢铁股份有限公司 一种能在真空下带钢高效镀膜的真空镀膜装置
DE102022122993A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verdampfungsanordnung und Prozessanordnung

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2159297A (en) * 1932-06-26 1939-05-23 Strip Tin Plate Company Apparatus for coating metal
US2153786A (en) * 1936-07-17 1939-04-11 Alexander Process and apparatus for thermal deposition of metals
US2363781A (en) * 1940-08-29 1944-11-28 Bell Telephone Labor Inc Apparatus for and method of applying metallic coatings by thermal evaporation
US2440135A (en) * 1944-08-04 1948-04-20 Alexander Paul Method of and apparatus for depositing substances by thermal evaporation in vacuum chambers
US2665225A (en) * 1950-04-27 1954-01-05 Nat Res Corp Apparatus and process for coating by vapor deposition
US2665227A (en) * 1950-06-30 1954-01-05 Nat Res Corp Apparatus and method of coating by vapor deposition
US2793609A (en) * 1953-01-26 1957-05-28 British Dielectric Res Ltd Means for the deposition of materials by evaporation in a vacuum
US2902574A (en) * 1958-02-03 1959-09-01 Hughes Aircraft Co Source for vapor deposition
US3446936A (en) * 1966-01-03 1969-05-27 Sperry Rand Corp Evaporant source
US3572672A (en) * 1968-11-22 1971-03-30 Rca Corp Vacuum evaporation apparatus
US3989862A (en) * 1970-10-13 1976-11-02 Jones & Laughlin Steel Corporation Method and apparatus for vapor-depositing coatings on substrates
US3683847A (en) * 1971-02-19 1972-08-15 Du Pont Apparatus for vacuum metallizing
US4061800A (en) * 1975-02-06 1977-12-06 Applied Materials, Inc. Vapor desposition method
JPS5274580A (en) * 1975-12-19 1977-06-22 Hitachi Ltd Boat for vacuum evaporation
US4125086A (en) * 1977-01-06 1978-11-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Nozzle beam type metal vapor source
JPS5399762A (en) * 1977-02-12 1978-08-31 Futaba Denshi Kogyo Kk Device for producing compound semiconductor film
US4401052A (en) * 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
US4325986A (en) * 1979-05-29 1982-04-20 University Of Delaware Method for continuous deposition by vacuum evaporation
US4392451A (en) * 1980-12-31 1983-07-12 The Boeing Company Apparatus for forming thin-film heterojunction solar cells employing materials selected from the class of I-III-VI2 chalcopyrite compounds
JPS58197270A (ja) * 1982-05-12 1983-11-16 Mitsubishi Electric Corp 蒸発源るつぼ
US4426569A (en) * 1982-07-13 1984-01-17 The Perkin-Elmer Corporation Temperature sensor assembly
US4533067A (en) * 1982-08-09 1985-08-06 United Technologies Corporation Fluid medium storage and expulsion apparatus
CH651592A5 (de) * 1982-10-26 1985-09-30 Balzers Hochvakuum Dampfquelle fuer vakuumbedampfungsanlagen.
FR2549857B1 (fr) * 1983-07-26 1985-10-04 Allovon Michel Dispositif d'evaporation sous vide
DE3578437D1 (de) * 1984-03-19 1990-08-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Vorrichtung zur bedampfung.
US4553022A (en) * 1984-06-04 1985-11-12 The Perkin-Elmer Corporation Effusion cell assembly
US4518846A (en) * 1984-06-11 1985-05-21 International Business Machines Corporation Heater assembly for molecular beam epitaxy furnace
WO1986000092A1 (en) * 1984-06-12 1986-01-03 Kievsky Politekhnichesky Institut Imeni 50-Letia V Evaporator for vacuum deposition of films
US4558218A (en) * 1984-08-01 1985-12-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Heat pipe oven molecular beam source
US4646680A (en) * 1985-12-23 1987-03-03 General Electric Company Crucible for use in molecular beam epitaxial processing
FR2598721B1 (fr) * 1986-05-15 1988-09-30 Commissariat Energie Atomique Cellule pour epitaxie par jets moleculaires et procede associe
JPS6353259A (ja) * 1986-08-22 1988-03-07 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成方法
KR930007853B1 (ko) * 1986-12-10 1993-08-20 후지 세이끼 가부시기 가이샤 진공 증발장치
DE3850941T2 (de) * 1987-12-04 1994-12-01 Japan Res Dev Corp Vakuumbeschichtungsanlage.
JP2612602B2 (ja) * 1987-12-17 1997-05-21 東洋インキ製造 株式会社 連続蒸着フィルムの製造方法および装置
EP0335267B1 (en) * 1988-03-30 1994-06-29 Rohm Co., Ltd. Molecular beam epitaxy apparatus
US5242298A (en) * 1988-04-09 1993-09-07 Dentaurum J. P. Winkelstroeter Kg Shaped bodies of transparent, polycrystalline alumina
KR920003591B1 (ko) * 1988-04-11 1992-05-04 미쯔비시주우고오교오 가부시기가이샤 연속진공증착장치
US5141564A (en) * 1988-05-03 1992-08-25 The Boeing Company Mixed ternary heterojunction solar cell
US5080870A (en) * 1988-09-08 1992-01-14 Board Of Regents, The University Of Texas System Sublimating and cracking apparatus
EP0393600B1 (de) * 1989-04-19 1995-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung mit einem Tiegel in einer Effusionszelle einer Molekularstrahlepitaxieanlage
US5034604A (en) * 1989-08-29 1991-07-23 Board Of Regents, The University Of Texas System Refractory effusion cell to generate a reproducible, uniform and ultra-pure molecular beam of elemental molecules, utilizing reduced thermal gradient filament construction
US5031229A (en) * 1989-09-13 1991-07-09 Chow Loren A Deposition heaters
US5015503A (en) * 1990-02-07 1991-05-14 The University Of Delaware Apparatus for producing compound semiconductor thin films
IT1240199B (it) * 1990-04-19 1993-11-27 Cselt Centro Studi Lab Telecom Effusore di vapori per impianti di deposizione epitassiale.
US5041719A (en) * 1990-06-01 1991-08-20 General Electric Company Two-zone electrical furnace for molecular beam epitaxial apparatus
US5158750A (en) * 1990-06-06 1992-10-27 Praxair S.T. Technology, Inc. Boron nitride crucible
US5167984A (en) * 1990-12-06 1992-12-01 Xerox Corporation Vacuum deposition process
SE502727C2 (sv) * 1991-10-29 1995-12-18 Applied Vacuum Tech Degel för metallsmältor och förfarande för dess användning vid vakuumförångning
DE4104415C1 (zh) * 1991-02-14 1992-06-04 4P Verpackungen Ronsberg Gmbh, 8951 Ronsberg, De
JPH04308076A (ja) * 1991-04-03 1992-10-30 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 昇華性物質真空蒸着装置
DE4136694C2 (de) * 1991-11-07 1996-10-10 Inventa Ag Stärkefaser oder Stärke-modifizierte Faser, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung
US5336324A (en) * 1991-12-04 1994-08-09 Emcore Corporation Apparatus for depositing a coating on a substrate
JP3156326B2 (ja) * 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
DE4204938C1 (zh) * 1992-02-19 1993-06-24 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
US5280884A (en) * 1992-06-15 1994-01-25 General Electric Company Heat reflectivity control for atomization process
US5253266A (en) * 1992-07-20 1993-10-12 Intevac, Inc. MBE effusion source with asymmetrical heaters
JP3386127B2 (ja) * 1992-09-22 2003-03-17 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 基板上に黄銅鉱半導体を迅速に作成する方法
JP3064701B2 (ja) * 1992-10-30 2000-07-12 松下電器産業株式会社 カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法
FI91423C (fi) * 1993-02-01 1994-06-27 Tampella Oy Valmet Kuivatuslaitteen kuivatustilan nauhanreunatiiviste
US5436204A (en) * 1993-04-12 1995-07-25 Midwest Research Institute Recrystallization method to selenization of thin-film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications
US5441897A (en) * 1993-04-12 1995-08-15 Midwest Research Institute Method of fabricating high-efficiency Cu(In,Ga)(SeS)2 thin films for solar cells
US5356839A (en) * 1993-04-12 1994-10-18 Midwest Research Institute Enhanced quality thin film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications by vapor-phase recrystallization
US5429851A (en) * 1993-05-05 1995-07-04 Tracor, Inc. Expandable rigid structure
US5803976A (en) * 1993-11-09 1998-09-08 Imperial Chemical Industries Plc Vacuum web coating
US5433791A (en) * 1994-05-26 1995-07-18 Hughes Aircraft Company MBE apparatus with photo-cracker cell
US5596673A (en) * 1994-11-18 1997-01-21 Xerox Corporation Evaporation crucible assembly
US5693173A (en) * 1994-12-21 1997-12-02 Chorus Corporation Thermal gas cracking source technology
US5616180A (en) * 1994-12-22 1997-04-01 Northrop Grumman Corporation Aparatus for varying the flux of a molecular beam
US5827371A (en) * 1995-05-03 1998-10-27 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion source employing such a crucible
US5820681A (en) * 1995-05-03 1998-10-13 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible
US5540780A (en) * 1995-06-23 1996-07-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Molecular beam epitaxy effusion cell
GB9515929D0 (en) * 1995-08-03 1995-10-04 Fisons Plc Sources used in molecular beam epitaxy
JP3244408B2 (ja) * 1995-09-13 2002-01-07 松下電器産業株式会社 薄膜太陽電池及びその製造方法
US5698168A (en) * 1995-11-01 1997-12-16 Chorus Corporation Unibody gas plasma source technology
US5674555A (en) * 1995-11-30 1997-10-07 University Of Delaware Process for preparing group Ib-IIIa-VIa semiconducting films
US5788776A (en) * 1996-12-02 1998-08-04 Chorus Corporation Molecular beam epitaxy isolation tube system
JP3212522B2 (ja) * 1996-12-27 2001-09-25 信越化学工業株式会社 分子線エピタキシー用熱分解窒化硼素るつぼ
JP3070021B2 (ja) * 1997-01-29 2000-07-24 日新電機株式会社 Ｓｉ用分子線セルと分子線エピタキシー装置
US6030458A (en) * 1997-02-14 2000-02-29 Chorus Corporation Phosphorus effusion source
US6011904A (en) * 1997-06-10 2000-01-04 Board Of Regents, University Of Texas Molecular beam epitaxy effusion cell
US5944903A (en) * 1997-06-25 1999-08-31 Tiedje; Henry Franklin Effusion cell crucible with thermocouple
JP3508484B2 (ja) * 1997-07-14 2004-03-22 松下電器産業株式会社 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
JP3992800B2 (ja) * 1997-09-22 2007-10-17 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 単結晶製造装置および単結晶の製造方法
KR100270319B1 (ko) * 1997-11-28 2000-10-16 정선종 에피택셜장치용 증발 도가니
US6053981A (en) * 1998-09-15 2000-04-25 Coherent, Inc. Effusion cell and method of use in molecular beam epitaxy
US6162300A (en) * 1998-09-25 2000-12-19 Bichrt; Craig E. Effusion cell
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
US20010005553A1 (en) * 1999-11-10 2001-06-28 Witzman Matthew R. Linear aperture deposition apparatus and coating process
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
US7194197B1 (en) * 2000-03-16 2007-03-20 Global Solar Energy, Inc. Nozzle-based, vapor-phase, plume delivery structure for use in production of thin-film deposition layer
WO2003025245A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-27 University Of Delaware Multiple-nozzle thermal evaporation source
EP1369499A3 (en) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US6911671B2 (en) * 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
WO2004105095A2 (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Svt Associates Inc. Thin-film deposition evaporator
JP2006057173A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Tohoku Pioneer Corp 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP2006176813A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Toshiba Corp 成膜装置
KR100703427B1 (ko) * 2005-04-15 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 채용한 증착장치
KR100666574B1 (ko) * 2005-01-31 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 증발원
KR101149977B1 (ko) * 2005-02-03 2012-06-01 김명희 유기박막 제작용 선형도가니 노즐부 교체형 증발원
KR100671673B1 (ko) * 2005-03-09 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 다중 진공증착장치 및 제어방법
JP4474324B2 (ja) * 2005-04-28 2010-06-02 パナソニック株式会社 成膜装置
KR100637896B1 (ko) * 2005-05-04 2006-10-24 주식회사 대우일렉트로닉스 유기물 진공 증착 장치
JP4894193B2 (ja) * 2005-08-09 2012-03-14 ソニー株式会社 蒸着装置、および表示装置の製造システム
KR100645689B1 (ko) * 2005-08-31 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 선형 증착원
JP4767000B2 (ja) * 2005-11-28 2011-09-07 日立造船株式会社 真空蒸着装置
US7631502B2 (en) * 2005-12-14 2009-12-15 United Technologies Corporation Local cooling hole pattern
KR100729097B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법
KR100784953B1 (ko) * 2006-05-23 2007-12-11 세메스 주식회사 다수의 도가니를 이용한 유기발광소자 박막 제작을 위한선형증발원
JP2008019477A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc 真空蒸着装置

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104024466A (zh) * 2011-11-08 2014-09-03 初星太阳能公司 汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板
CN104053811B (zh) * 2011-11-18 2017-04-12 第一太阳能有限公司 用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统
CN104053811A (zh) * 2011-11-18 2014-09-17 第一太阳能有限公司 用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统
US10749068B2 (en) 2011-11-18 2020-08-18 First Solar, Inc. Vapor transport deposition method and system for material co-deposition
CN103938162A (zh) * 2013-01-18 2014-07-23 株式会社日立高新技术 蒸镀装置和该蒸镀装置所用的蒸发源
CN104711520B (zh) * 2013-12-16 2019-01-04 三星显示有限公司 蒸发设备
CN104711520A (zh) * 2013-12-16 2015-06-17 三星显示有限公司 蒸发设备
CN104878349A (zh) * 2014-03-01 2015-09-02 Hzo股份有限公司 用于将材料引入材料处理系统的托架系统
CN106414790A (zh) * 2014-05-23 2017-02-15 曼兹铜铟镓硒技术公司 用于蒸发器源的承载器装置
CN106460155A (zh) * 2014-05-23 2017-02-22 曼兹铜铟镓硒技术公司 用于基底的表面处理的蒸发器源
CN106460155B (zh) * 2014-05-23 2020-04-03 Nice 太阳能有限责任公司 用于基底的表面处理的蒸发器源
WO2016011779A1 (zh) * 2014-07-21 2016-01-28 京东方科技集团股份有限公司 蒸发镀膜装置
US9945025B2 (en) 2014-07-21 2018-04-17 Boe Technology Group Co., Ltd. Evaporation coating apparatus
CN107002223A (zh) * 2014-12-05 2017-08-01 应用材料公司 材料沉积系统和用于在材料沉积系统中沉积材料的方法
CN107002223B (zh) * 2014-12-05 2019-11-05 应用材料公司 材料沉积系统和用于在材料沉积系统中沉积材料的方法
CN106337165A (zh) * 2015-07-07 2017-01-18 三星显示有限公司 沉积源、沉积装置及利用沉积装置的显示装置制造方法
CN106337165B (zh) * 2015-07-07 2020-03-10 三星显示有限公司 沉积源、沉积装置及利用沉积装置的显示装置制造方法
CN107431015A (zh) * 2015-11-10 2017-12-01 东京毅力科创株式会社 气化器、成膜装置和温度控制方法
CN107431015B (zh) * 2015-11-10 2021-11-12 东京毅力科创株式会社 气化器、成膜装置和温度控制方法
CN112458404A (zh) * 2016-05-10 2021-03-09 应用材料公司 操作沉积设备的方法和沉积设备
CN108690955A (zh) * 2017-04-10 2018-10-23 三星显示有限公司 制造显示设备的设备和方法
US11534790B2 (en) 2017-04-10 2022-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus and method of manufacturing display apparatus
CN108103452A (zh) * 2017-12-29 2018-06-01 上海升翕光电科技有限公司 一种l型oled蒸镀线源
CN110684948A (zh) * 2018-07-04 2020-01-14 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 合金材料组、cigs靶材、cigs薄膜及太阳能电池
CN110684947A (zh) * 2018-07-04 2020-01-14 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 薄膜蒸镀方法
CN110684947B (zh) * 2018-07-04 2022-05-27 鸿翌科技有限公司 薄膜蒸镀方法
CN110684948B (zh) * 2018-07-04 2022-05-27 鸿翌科技有限公司 合金材料组、cigs靶材、cigs薄膜及太阳能电池

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