CN104053811B - 用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统 - Google Patents

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Abstract

一种改进的用于持续气相传输沉积的方法和给料器系统，所述给料器系统包括通过改进的密封件结合到共同的分配器的至少两个蒸发器，以用于分别蒸发和收集至少任何两种可蒸发材料，以使材料在基底上沉积为材料层。多个蒸发器提供冗余操作并允许在蒸发器维修和修理期间持续沉积。

Description

用于材料共沉积的气相传输沉积方法及系统
技术领域
公开的实施例涉及材料气相传输沉积(VTD)方法和系统的领域，更具体地讲，涉及允许粉末材料的持续且控制的蒸发和沉积的材料气相传输沉积方法和系统。
背景技术
诸如光伏模块或电池的光伏器件可以包括利用各种沉积系统和技术沉积在基底上方的半导体和其他材料。一个示例是利用VTD系统在基底上方沉积诸如硫化镉(CdS)或碲化镉(CdTe)薄膜的半导体材料。VTD系统可以使用粉末传输单元、粉末蒸发器和蒸气分配器、以及真空沉积单元。
VTD粉末蒸发器被设计为将原料粉末蒸发或升华为气态形式。在传统的粉末蒸发器中，来自粉末传输单元的原料粉末与载气结合并注入到蒸发器(形成为可渗透的加热缸)中。材料在缸中被蒸发并且蒸发的材料通过蒸发器的可渗透壁扩散到蒸气分配器中。蒸气分配器通常围绕蒸发器缸并且引导收集的蒸气朝向面向基底的开口，以使薄膜材料沉积在基底上。
图1A示出了传统的用于将半导体材料(例如，CdS或CdTe)传输并沉积到基底13(例如，在薄膜太阳能模块的制造中使用的玻璃基底13)上的气相传输沉积系统20的一个示例。惰性载气源25和27(例如，氦气(He)源)分别将载气供应至包含CdS或CdTe粉末材料的粉末给料器21和23。气体通过蒸发器和分配器组件10的相对端上的注入口17、19传输半导体材料。蒸发器和分配器组件10使半导体材料粉末蒸发并分配半导体材料粉末，以使半导体材料粉末沉积在基底13上。
图1B是沿着图1A的剖面线2-2截取的传统的粉末蒸发器和分配器组件10的一个示例的剖面图。蒸发器12被构造为加热的管状可渗透构件。蒸发器12由能够通过AC电源29加热的电阻材料形成，并且使由通过入口17、19进入到蒸发器12中的载气传输的诸如CdS或CdTe半导体材料粉末蒸发。分配器15是由导热材料(例如，石墨或多铝红柱石)形成的壳体，分配器15通过来自蒸发器12和/或来自其他源的辐射热被加热。分配器15的壳体围绕蒸发器12，以捕获通过蒸发器12的壁扩散的CdS或CdTe半导体材料蒸气。运动经过分配器50的半导体材料蒸气由分配器引导朝向面向基底13的表面的狭槽或一系列孔14。示出的类型的VTD系统的更详细的示例可以从均转让给第一太阳能公司的第5,945,163号美国专利、第5,945,165号美国专利、第6,037,241号美国专利和第7,780,787号美国专利中找到。
粉末材料的蒸发通常不完全，从而导致蒸发器和分配器组件10的堵塞和恶化。当特定的沉积将掺杂剂引入到半导体材料中时(在沉积过程期间，掺杂剂可以在蒸发器12中与半导体材料反应并形成固相化合物和气相化合物)，该问题会变得复杂。例如，为了掺杂CdTe材料，还将诸如压缩的干空气的工艺气体引入到蒸发器12中，以提供与掺杂剂(在CdTe粉末混合中提供)的可反应的混合。将掺杂剂和工艺气体引入到蒸发器12中可以导致气相产物和固相产物的形成。虽然气体能够穿过蒸发器12的多孔壁以沉积在基底13上，但是固体不能，并且固体被限制在蒸发器中，从而导致蒸发器孔堵塞的增加。利用VTD系统来高效地且成本有效地生产硫化镉(CdS)或碲化镉(CdTe)薄膜的主要障碍是完全停止生产来维修或修理蒸发器和分配器组件10。完全停止生产进行这种维修或修理会是昂贵和费时的。
期望的是缓解注意到的问题并能够更好地控制施加到基底的蒸气的改进的气相传输沉积系统。
附图说明
图1A是传统的气相传输沉积(VTD)系统的示意图；
图1B是沿着图1A中的线2-2的方向截取的剖面图，以示出传统的粉末蒸发器和分配器组件的示例；
图2是气相传输沉积(VTD)系统的实施例的示意图；
图3是沿着图2的线4-4的方向截取的剖面图，以示出图2的蒸发器和分配器组件实施例的实例；
图4是蒸发器和分配器组件中的蒸发器和分配器的连接处的L形密封件的放大图；
图5是沿着图3的线5-5的方向截取的底部平面图，以示出设备的不同尺寸的狭槽开口；
图6示出了利用具有蒸发器和分配器组件的VTD系统使得半导体材料在基底上持续沉积为层的方法100。
具体实施方式
在下面的详细描述中将参照附图，附图形成了详细描述的一部分，并且示出了本发明的特定实施例。这些实施例被足够详细地描述，以使本领域普通技术人员制造并使用它们。还应理解的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下可以对这里公开的特定实施例进行结构、逻辑或程序上的改变。
根据示例性实施例，提供一种改进的气相传输沉积方法及系统，所述气相传输沉积系统包括结合到两个蒸发器的分配器，其具有位于每个蒸发器和分配器之间的连接处的改进的密封件。所述分配器可采用导热材料并且可由来自两个蒸发器和/或来自其他源的辐射热来加热。每个相应的蒸发器能够独立地使原料粉末蒸发或升华为原料蒸气，并且两种蒸气可扩散出相应的蒸发器、穿过密封件并进入到分配器中的不同室内。然后，两种原料蒸气分别被引出相应的分配器室，以在基底上共沉积为薄膜层。该示例性实施例还可包括至少两个粉末给料器，用于供应可蒸发的粉末至相应的蒸发器。第一粉末给料器可载有第一可蒸发材料，并且第二给粉末给料器可载有相同的可蒸发材料。至少两种载气源可提供载气(例如，氦气(He))至相应的粉末给料器中，以分别将来自粉末给料器的相应可蒸发材料粉末传输至相应的蒸发器中。
两个蒸发器中的与每个蒸发器的相应的粉末给料器和载气源相结合的每个蒸发器被独立地控制。独立控制允许蒸发器同时操作或者一个蒸发器操作而另一个蒸发器不操作。两个蒸发器的同时操作由于提高了沉积速度而增加了可蒸发材料的生产量。在多个蒸发器中只有一个蒸发器操作时，允许VTD系统中的其他操作。如果第一蒸发器需要维修、修理或清洗，那么可使第一蒸发器停止，同时第二蒸发器继续进行蒸发或者第二蒸发器被激活来接替第一蒸发器。由于第二蒸发器结合第二蒸发器的相应的粉末给料器和载气源仍在操作，因此在对第一蒸发器的维修和修理期间，薄膜层的VTD系统生产持续而不中断。该持续的VTD系统生产更高效并且成本效益更好。
位于每个蒸发器和分配器之间的连接处的密封件可包括：管状部，所述管状部可插入到相应的蒸发器中的开口中；L形部，在蒸发器开口的边缘之上延伸并延伸至分配器中的相对应的开口中。密封件提供每个蒸发器和分配器之间的安全连接，以当将来自蒸发器的蒸气引导至分配器中时，降低蒸气的损耗。这还改善了VTD系统的生产和效率。
该改进的气相传输沉积方法和系统可用于沉积任何可蒸发材料或者可蒸发材料的组合。例如，各种可蒸发材料可包括但不限于半导体材料、半导体合金、多种半导体材料的组合、半导体材料和掺杂剂的组合、或者多种半导体材料和/或掺杂剂的组合。可蒸发半导体材料可(例如)包括与硫族化物(第18族)(例如，碲化镉(CdTe)，硫化镉(CdS)，碲化锌(ZnTe)或硫化锌(ZnS))结合的铜铟镓硒化物(CIGS)或过渡金属(第12族)。合适的可蒸发掺杂剂可包括Si、CuCl2或MnCl2。合适的半导体合金可包括CdxZn1-xTe、CdTexS1-x、或者相变材料(例如，GeSbTe)。
图2示出了包括附着到共同的分配器的多个蒸发器以使材料持续沉积到基底(例如，在薄膜太阳能模块的制造中使用的玻璃基底)13(图3)上的沉积系统的实施例。所述沉积系统包括容置在真空容器35内的蒸发器和分配器组件30。蒸发器和分配器组件30包括一对蒸发器单元40a、40b，一对蒸发器单元40a、40b结合到分配器单元50并在蒸发器单元40a、40b的相对端处具有相应的蒸发器入口41a、42a和41b、42b，以接收来自相应的给料器43a、43b和44a、44b的可蒸发材料粉末。惰性载气源45a、46a和45b、46b(例如，氦气(He)源)通过质量流控制器47a、47b和48a、48b分别供应载气至给料器43a、43b和44a、44b，以通过相应的蒸发器入口41a、42a和41b、42b将原料传输至相应的蒸发器单元40a、40b中。质量流控制器47a、47b和48a、48b调节通过相应的给料器43a、43b和44a、44b的载气的流量，从而控制半导体材料粉末至相应的蒸发器单元40a、40b中的流量以及可蒸发材料蒸气至分配器单元50中的流量。
给料器43a、43b和44a、44b可以是能够用于将原料处理为粉末形式并将材料粉末送进至蒸发器和分配器组件30中的任何类型的材料供给器(例如，市售的振动粉末给料器、流化床给料器及回转盘给料器)。用于处理原料粉末的振动速度和/或幅度也可用于控制原料从给料器43a、43b和44a、44b通过相应的蒸发单元40a、40b的流量，以及到达蒸发器和分配器组件30的流量。给料器43a、43b和44a、44b的振动速度和/或幅度以及质量流控制器47a、47b和48a、48b的流率可通过人工输入或数字/模拟信号来调节。
从惰性载气源45a、46a和45b、46b输入的惰性载气可选择地为诸如氮、氖、氩或氪、或者这些气体的组合的另一惰性的气体。载气还可能混合有并且包含一定量的能够对材料的生长特性起有益效果的反应气体(例如，氧)。已经确定大约0.1slpm至大约10slpm的流率的载气足够帮助粉末流出给料器43a、43b和44a、44b、通过蒸发单元40a、40b并通过蒸发器和分配器组件30。在沉积过程期间，质量流控制器47a、47b和48a、48b可调节大约0.1slpm至大约10slpm之间的流率，以控制沉积膜的厚度和/或成分。
图3示出了沿着图2中的剖面线4-4截取的蒸发器和分配器组件30的剖面图。如图3所示，蒸发器单元40a、40b被封闭在共同的分配器单元50中并结合到分配器单元50。蒸发器单元40a、40b分别由可渗透的管状壁组成，其由通过AC电源29(图2)加热的电阻材料形成，并且使从入口41a、42a和41b、42b通过相应的注入口17a、17b的由惰性气体(例如，氦气(He)所携带的材料粉末单独地蒸发、或者使由惰性气体(例如，氦气(He)所携带的与反应气体混合的材料粉末蒸发。分配器单元50包括由导热材料(例如，石墨、或者绝缘体(例如，多铝红柱石))形成的相应的蒸气壳体15a、15b，分配器单元50由来自蒸发器单元40a和40b和/或来自其他外部源的辐射热来加热。包围相应的蒸发器单元40a、40b的相应的蒸气壳体15a、15b用于捕获通过蒸发器单元40a、40b的可渗透管状壁扩散的材料蒸气。蒸发的材料在相应的蒸气壳体15a、15b内被引导，流出相应的开口36a、36b并通过相应的通道55a、55b到达分配器单元50中的分配器室57a、57b。还在图4中更详细地示出的相应的L形密封件70a、70b插入到相应的蒸气壳体15a、15b的相应的开口36a、36b中并延伸至分配器单元50中。L形密封件70a、70b可由导热材料(例如，石墨、或者绝缘体(例如，多铝红柱石))形成，并且L形密封件70a、70b可耐受达大约1200℃的温度。然后，从相应的蒸发器单元40a、40b收集在室57a、57b中的蒸发的材料被引导朝向开口60a、60b，开口60a、60b中的每个开口可被构造为沿着分配器50的狭长开口或者多个分开的开口，开口60a、60b引导相应的材料蒸气流出分配器单元50，以沉积到基底13上。
蒸发器单元40a、40b由具有优选地具有导电性的任何可渗透性材料(例如，碳化硅)制成并通过AC电源29加热，以提供对材料的蒸发或升华。另外，蒸气壳体15a、15b通常是围绕蒸发器单元40a、40b的管状(如图3所示)。
蒸发器40a和40b向分配器单元50的表面提供辐射热，以足以在分配器室57a、57b中保持大约900℃至大约1200℃的温度。热绝缘也可应用于分配器单元50的顶部，以在分配器室57a、57b中保持期望的温度。分配器室57a、57b内的蒸气压力处于大约1托至大约10托之间。
用于引导组合材料蒸气流出相应的分配器室57a、57b的开口60a、60b可以是狭槽60(如图5A所示)、多个狭槽61(如图5B所示)、单个孔62(如图5C所示)、或者多个孔63(如图5D所示)。狭槽60、61可在蒸气壳体15a、15b之间和/或平行于蒸气壳体15a、15b沿着分配器单元50的底部延伸。如图5B所示，多个狭槽61可均具有相同的宽度W61。在其他实施例中，多个狭槽61可具有彼此不同的宽度W61。多个狭槽61可彼此平行。图5C和图5D的孔62、63可以是圆形、椭圆形、方形、矩形、或者其他规则或不规则的形状。如图5C所示的单个孔62可设置在分配器单元50的蒸气壳体15a、15b之间的底部的中部。多个孔63可沿着分配器单元50的蒸气壳体15a、15b之间的底部均匀地分布。多个孔63可布置为多行和多列，如图5D所示。在另一实施例中，多个孔63可布置为单行。在各种实施例中，单个狭槽的宽度W60、多个狭槽的宽度W61、以及多个开口的宽度W63可设置为小于基底13的宽度，以使材料沉积在小于整个基底13的区域上。
如上所述，与相应的给料器43a、43b和44a、44b以及载气源45a、45b和46a、46b相结合的蒸发器单元40a、40b的独立的控制允许蒸发器单元40a、40b同时操作或者一个蒸发器单元操作而另一个蒸发器单元不操作。蒸发器单元40a、40b的同时操作由于提高了沉积速度而增加了可蒸发材料的生产量。如上所述，相应的蒸发器单元40a、40b的独立的生产量可通过利用相应的质量流控制器47a、47b和48a、48b来控制，以独立地调节蒸发的材料流率。在只有蒸发器单元40a、40b中的一个蒸发器操作时，允许VTC系统内的其他操作。如果需要修理或维修蒸发器单元40a、或者相应的给料器43a、44a、载气源45a、46a、或者质量流控制器47a、48a时，那么可关闭蒸发器单元40a，同时蒸发器单元40b和相应的给料器43b、44b、载气源45b、46b、或者质量流控制器47b、48b持续运行，以允许连续的(持续的)半导体薄膜层的生产。如果需要修理或维修蒸发器单元40b、或者相应的给料器43b、44b、载气源45b、46b、或质量流控制器47b、48b，那么可关闭蒸发器单元40b，同时蒸发器单元40a和相应的给料器43a、44a、载气源45a、46a、或者质量流控制器47a、48a持续运行，以允许连续的半导体薄膜层的生产。这种持续的VTC系统生产更高效并且成本效益更好。
在图6中示出了利用具有如这里描述的蒸发器和分配器组件的VTD系统用于使蒸气材料持续沉积为基底上的层的方法100。如上所述，多个给料器用于将材料处理为粉末并将处理为粉末的材料送进至蒸发器和分配器组件的蒸发器单元中。在方法100中，步骤101、103、105、107、109和111涉及使用第一给料器，以通过第一入口将可蒸发材料供应至第一蒸发器单元中。步骤102、104、106、108、110和112涉及使用第二给料器，以通过第二入口将不同的可蒸发材料供应至第二蒸发器单元中。虽然在图6中未示出或描述方法100的单独的步骤，但如图2所示，至少两个另外的给料器可在接下来的步骤101-112中用作需要处理另外的材料并将另外的材料送进至蒸发器和分配器组件的第一蒸发器单元和第二蒸发器单元的相对端上的第三入口和/或第四入口中。
在步骤101和步骤102中，材料被载入到第一给料器和/或第二给料器的振动粉末给料器中。在步骤103和步骤104，相应的载气源将相应的载气分别供应至相应的第一给料器和/第二给料器。在步骤105和步骤106，相应的给料器用于将材料处理为粉末。在步骤107和步骤108，相应的送料器用于将载气和材料粉末传送至相应的蒸发器单元中。在步骤109和步骤110，相应的蒸发器单元用于使相应的材料粉末蒸发为相应的材料蒸气。在步骤111和步骤112，相应的材料蒸气从相应的蒸发器单元传输至共同的分配器单元的单独的分配器室中。在步骤113，分配器单元用于将收集在相应的分配器室中的材料蒸气分别沉积在基底上。在步骤114，如果需要修理或维修第一蒸发器单元，那么关闭第一给料器和第一蒸发器单元，同时第二给料器和第二蒸发器单元继续运行，使得VTC系统的薄膜层的生产保持继续。在步骤115，如果需要修理或维修第二蒸发器单元，那么关闭第二给料器和第二蒸发器单元，同时第一给料器和第一蒸发器单元继续运行，使得VTC系统的薄膜层的生产保持继续。在步骤116，如果需要修理或维修给料器中的用于处理并送进另外的材料至第一蒸发器单元中的一个给料器，那么关闭该给料器并且第二给料器继续将材料送进至第一蒸发器单元中，使得VTC系统的薄膜层的生产保持继续。在步骤117，如果需要修理或维修给料器中的用于处理并送进另外的材料至第二蒸发器单元中的一个给料器，那么关闭该给料器并且第二给料器继续将材料送进至第二蒸发器单元中，使得VTC系统的薄膜层的生产保持继续。
虽然已经详细地描述了实施例，但是应当容易理解的是，本发明不限于公开的实施例。相反，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，实施例可以被修改为包括任意数量的在此之前未公开的变化、替换物、替代物或等同布置。

Claims (40)

1.一种设备，所述设备包括：
第一蒸发器单元，用于蒸发第一粉末材料；
第二蒸发器单元，用于蒸发第二粉末材料；
第一蒸气壳体，用于捕获来自所述第一蒸发器单元的材料蒸气，其中，所述第一蒸发器单元在所述第一蒸气壳体内，其中，所述第一蒸气壳体还包括第一蒸气壳体出口；
第二蒸气壳体，用于捕获来自所述第二蒸发器单元的材料蒸气，其中，所述第二蒸发器单元在所述第二蒸气壳体内，其中，所述第二蒸气壳体还包括第二蒸气壳体出口；
蒸气分配单元，包括用于分别收集来自所述第一蒸发器单元和所述第二蒸发器单元的蒸气的第一入口通道和第二入口通道以及用于分别输出在所述第一入口通道和所述第二入口通道中接收的蒸气的第一出口通道和第二出口通道；
第一密封件，在所述第一蒸气壳体和所述蒸气分配单元之间的连接处；以及
第二密封件，在所述第二蒸气壳体和所述蒸气分配单元之间的连接处，
其中，所述第一密封件和所述第二密封件中的每个还包括沿着一个方向延伸到相应的蒸气壳体出口中的管状部分和远离相应的入口通道延伸到所述蒸气分配单元中的相对应的开口中的第二部分，
其中，所述蒸气分配单元还包括：第一室，与所述第一入口通道和所述第一出口通道连通；以及第二室，与所述第二入口通道和所述第二出口通道连通。
2.如权利要求1所述的设备，其中，第一室收集由所述第一蒸气壳体捕获的材料蒸气，第二室收集由所述第二蒸气壳体捕获的材料蒸气；
所述蒸气分配单元还包括：第一室出口，用于使收集在所述第一室中的材料蒸气沉积；以及第二室出口，用于使收集在所述第二室中的材料蒸气沉积。
3.如权利要求2所述的设备，其中，所述第一蒸发器单元还包括：
第一可渗透构件，具有用于接收所述第一粉末材料的至少一个材料入口；
其中，所述第二蒸发器单元还包括：
第二可渗透构件，具有用于接收所述第二粉末材料的至少一个材料入口。
4.如权利要求3所述的设备，其中，在所述蒸气分配单元中的所述第一入口通道位于所述第一蒸气壳体和所述第一室之间，其中，在所述蒸气分配单元中的所述第二入口通道位于所述第二蒸气壳体和所述第二室之间。
5.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一密封件和第二密封件为L形密封件。
6.如权利要求5所述的设备，其中，所述第一密封件和所述第二密封件包括导热材料。
7.如权利要求6所述的设备，其中，所述第一密封件和所述第二密封件包括石墨。
8.如权利要求5所述的设备，其中，所述蒸气分配单元包括导热材料。
9.如权利要求5所述的设备，其中，所述蒸气分配单元包括石墨。
10.如权利要求5所述的设备，其中，所述蒸气分配单元包括导热材料。
11.如权利要求5所述的设备，其中，所述第一蒸气壳体和第二蒸气壳体包括导热材料。
12.如权利要求5所述的设备，其中，所述第一蒸气壳体和第二蒸气壳体包括石墨。
13.如权利要求5所述的设备，所述设备还包括第一振动粉末给料器和第二振动粉末给料器，用于分别将所述第一粉末材料和所述第二粉末材料送进至第一蒸发器单元的第一入口和第二蒸发器单元的第一入口中。
14.如权利要求13所述的设备，所述设备还包括第三振动粉末给料器和第四振动粉末给料器，用于分别将所述第一粉末材料和所述第二粉末材料送进至第一蒸发器单元的第二入口和第二蒸发器单元的第二入口中。
15.如权利要求14所述的设备，所述设备还包括：
第一气源和第二气源，用于通过第一质量流控制器和第二质量流控制器将气体引导至第一振动粉末给料器和第二振动粉末给料器中；以及
第三气源和第四气源，用于通过第三质量流控制器和第四质量流控制器将气体引导至第三振动粉末给料器和第四振动粉末给料器中。
16.如权利要求15所述的设备，其中，所述第一粉末材料和所述第二粉末材料是半导体粉末材料。
17.如权利要求15所述的设备，其中，所述第一粉末材料和所述第二粉末材料是半导体材料和掺杂剂的混合物。
18.如权利要求16所述的设备，其中，所述半导体粉末材料是CdTe。
19.如权利要求16所述的设备，其中，所述半导体粉末材料是CdS。
20.如权利要求17所述的设备，其中，所述半导体粉末材料是CdTe，并且所述掺杂剂包括Si。
21.如权利要求15所述的设备，其中，所述气体是载气。
22.如权利要求21所述的设备，其中，所述气体是氦。
23.如权利要求15所述的设备，其中，所述气体是载气和反应气体的混合物。
24.如权利要求23所述的设备，其中，所述载气是氦，并且所述反应气体包含氧。
25.一种用于沉积材料的方法，所述方法包括：
在第一蒸气壳体中将第一材料粉末蒸发为第一材料蒸气，所述第一蒸气壳体包括第一蒸气壳体出口，其中，第一蒸发器单元在所述第一蒸气壳体内；
在第二蒸气壳体中将第二材料粉末蒸发为第二材料蒸气，所述第二蒸气壳体包括第二蒸气壳体出口，其中，第二蒸发器单元在所述第二蒸发器壳体内；
分别将第一材料蒸气和第二材料蒸气收集到共用的蒸气分配单元中，所述共用的蒸气分配单元包括用于分别收集来自所述第一蒸发器单元的第一材料蒸气第一入口通道和来自所述第二蒸发器单元的第二材料蒸气的第二入口通道以及位于相应的蒸气壳体和所述共用的蒸气分配单元之间的连接处的第一密封件和第二密封件；以及
分别通过第一出口通道和第二出口通道输出材料蒸气，
其中，所述第一密封件和所述第二密封件中的每个还包括沿着一个方向延伸到相应的蒸气壳体出口中的管状部分和远离相应的入口通道延伸到所述共用的蒸气分配单元中的相对应的开口中的第二部分，
其中，所述共用的蒸气分配单元还包括：第一室，与所述第一入口通道和所述第一出口通道连通；以及第二室，与所述第二入口通道和所述第二出口通道连通。
26.如权利要求25所述的方法，其中，分别收集第一材料蒸气和第二材料蒸气的步骤还包括：
捕获来自第一蒸气壳体中的第一蒸发器单元的第一材料蒸气；
通过所述第一入口通道将来自第一蒸气壳体的第一材料蒸气传输至蒸气分配单元中的第一室；
捕获来自第二蒸气壳体中的第二蒸发器单元的第二材料蒸气；以及
通过所述第二入口通道将来自第二蒸气壳体的第二材料蒸气传输至蒸气分配单元中的第二室。
27.如权利要求26所述的方法，其中，第一材料粉末和第二材料粉末是半导体材料。
28.如权利要求26所述的方法，其中，第一材料粉末和第二材料粉末是两种不同半导体材料的混合物。
29.如权利要求26所述的方法，其中，第一材料粉末和第二材料粉末是半导体材料和掺杂剂的混合物。
30.如权利要求27所述的方法，其中，所述半导体材料是CdTe。
31.如权利要求27所述的方法，其中，所述半导体材料是CdS。
32.如权利要求28所述的方法，其中，两种半导体材料中的至少一种是CdTe。
33.如权利要求29所述的方法，其中，所述半导体材料是CdTe，并且所述掺杂剂是Si。
34.一种用于在基底上进行材料的持续气相传输沉积的方法，所述方法包括：
通过相应的第一蒸气壳体和第二蒸气壳体将来自第一蒸发器单元和第二蒸发器单元的蒸气分别传输至蒸气分配单元中的第一室和第二室中，其中，相应的第一密封件和第二密封件设置在相应的第一蒸气壳体和第二蒸气壳体与所述蒸气分配单元之间的连接处，其中，所述第一密封件和所述第二密封件中的每个还包括沿着一个方向延伸到相应的蒸气壳体出口中的管状部分和远离相应的入口通道延伸到所述蒸气分配单元中的相对应的开口中的第二部分；
分别通过蒸气分配单元的与第一室连通的第一出口通道和与第二室连通的第二出口通道将第一室和第二室中的蒸气输出至基底上；
如果需要修理或维修第一蒸发器，那么停用第一蒸发器并持续将来自第二蒸发器单元的蒸气传输至用于输出的蒸气分配单元的第二室中；以及
如果需要修理或维修第二蒸发器，那么停用第二蒸发器并持续将来自第一蒸发器单元的蒸气传输至用于输出的蒸气分配单元的第一室中。
35.如权利要求34所述的方法，其中，所述蒸气是半导体材料蒸气。
36.如权利要求34所述的方法，其中，所述蒸气是两种半导体材料蒸气的混合物。
37.如权利要求34所述的方法，其中，所述蒸气是第一半导体材料蒸气和掺杂剂的混合物。
38.如权利要求35所述的方法，其中，所述半导体材料蒸气是CdTe蒸气。
39.如权利要求36所述的方法，其中，第一半导体材料蒸气和第二半导体材料蒸气中的至少一种是CdTe蒸气。
40.如权利要求37所述的方法，其中，第一半导体材料蒸气是CdTe蒸气，并且掺杂剂是Si。
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