KR101152755B1 - 태양전지 모듈의 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법 - Google Patents
태양전지 모듈의 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101152755B1 KR101152755B1 KR1020100134348A KR20100134348A KR101152755B1 KR 101152755 B1 KR101152755 B1 KR 101152755B1 KR 1020100134348 A KR1020100134348 A KR 1020100134348A KR 20100134348 A KR20100134348 A KR 20100134348A KR 101152755 B1 KR101152755 B1 KR 101152755B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- source
- solar cell
- cell module
- substrate
- cis light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 37
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 그 구성은 기판이 지지되는 하부체; 상기 하부체 위에 구비되어 기판에 공정을 위한 소스를 공급하는 소스 공급판; 상기 소스 공급판 위에 구비되는 상부체;를 포함하며, 상기 하부체, 소스 공급판 및 상부체는 서로 탈착되며 개폐되는 구조로 이루어지며, 방법은 1) 기판을 하부체에 안착시키는 단계; 2) 소스를 상부체 측에 공급시키는 단계; 3) 기판이 안착된 상태로 하부체와 상부체를 결합시켜 내부를 밀폐시키는 단계; 및 4) 밀폐된 상태에서 소스를 가열하여 기판에 안착시키는 단계;로 이루어진다.
Description
본 발명은 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 독성 가스(H2Se나 H2S)를 쓰지 않아도 CIGS 광흡수층을 형성시킬 수 있게 하고 대면적에 대해서도 쉽게 대응할 수 있게 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로 태양에너지를 전기 에너지로 바꿔주는 태양전지는 결정질 태양전지와 박막 태양전지로 크게 나눌 수 있다.
그 중 박막 태양전지는 광흡수층의 재료에 따라서 Si, I-III-VI족 화합물, II-VI족 화합물로 나눌 수 있고, I-III-VI족 태양전지는 일반적으로 Cu, In, Se을 사용하여 CIS계 태양전지라 불리며, Cu 대신에 I족 원소인 Ag, III족 원소인 In대신에 Ga이나 Al, VI족 원소인 Se 대신에 S 등으로 치환하여 물질 고유의 밴드갭을 조절할 수 있고 광흡수 계수가 105cm-1로 높기 때문에 태양전지로 각광받고 있다.
또한 (Cu(InxGa1-x)(SeyS1-y)2-(CIGS)) 태양전지는 기판 위에 후면 전극, CIGS 광흡수층, 버퍼층, 전면전극을 증착하는 순서로 제조된다. 기판으로는 가격이 싸고 CIGS 광흡수층과 열 팽창계수가 비슷한 유리 기판을 사용한다. 이외에도 스텐레스 스틸, 포일 등 금속기판과 폴리이미드 등 유연기판을 사용할 수도 있다. 후면전극으로는 CIGS 광흡수층과 낮은 접촉저항을 형성할 수 있고, 셀레늄(Se)이나 황(S) 분위기에서 안정적 물질인 몰리브덴(Mo)을 사용한다.
즉, 광흡수층은 높은 효율을 낼 수 있는 밴드갭을 조절하기 위해 일반적으로 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se), 황(S)을 사용하여 제조한다. 광흡수층을 증착하는 방법은 여러 가지가 있으나 크게 동시증발법과 2단계 방법으로 나눌 수 있다.
동시증발법은 각각의 원소들을 증발시켜서 기판상에 증착하는 기술로써 소면적에서는 높은 효율을 나타내지만 Cu, In, Ga의 경우 증발시키기 위해 높은 열을 필요로 하기 때문에 정확한 조절이 힘들어서 대면적에서 균일도가 떨어지는 단점이 있다.
그리고 2단계 방법은 1단계에서 구리(Cu), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 금속 전구체를 증착한 후에 2단계에서 셀레늄(Se)이나 황(S)을 추가해주어 CIGS 박막을 형성시키는 방법이다. 1단계에서 금속 전구체를 증착하는 방법은 프린팅, 전기 도금, 스퍼터링, 증발법 등 다양할 수 있으나, 일반적으로 스퍼터링법이 사용되고 있다. 셀레늄이나 황을 추가해 주는 공정에서 CIGS 화합물을 형성하기 위해서는 고온(350~600도)의 열처리가 필요하다. 열 공급의 소스로는 높은 승온 속도를 위해서 램프히터를 사용한다. 일반적으로 금속 전구체에 충분한 셀레늄이나 황을 공급해 줄 수 있는 분위기가 필요하기 때문에, H2Se나 H2S의 가스를 사용하여 셀레늄이나 황을 공급해 준다.
그러나 H2Se나 H2S 가스의 경우는 위험한 독성 가스이기 때문에 취급이 쉽지 않고 장비 구성이 어려지는 단점이 있다.
그리고 독성 가스를 사용하지 않는 방법으로 셀레늄이나 황을 1단계에서 먼저 증착하고 2단계에서는 열처리만 하는 방법도 사용된다.
그러나 이러한 방법은 금속과 반응하여 광흡수층 화합물을 이룰 수 있는 셀레늄이나 황 분위기를 만들기 어렵다는 단점이 있어 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 독성 가스(H2Se나 H2S)를 쓰지 않아도 CIGS 광흡수층을 형성시킬 수 있게 하고 대면적에 대해서도 쉽게 대응할 수 있게 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법을 제공함에 있다.
본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진다.
본 발명의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치는, 기판이 지지되는 하부체; 상기 하부체 위에 구비되어 기판에 공정을 위한 소스를 공급하는 소스 공급판; 상기 소스 공급판 위에 구비되는 상부체;를 포함하며, 상기 하부체, 소스 공급판 및 상부체는 서로 탈착되며 개폐되는 구조로 이루어진다.
또한 상기 CIGS 태양전지 모듈 열처리 장치는 내부 또는 외부에 가열수단이 구비되는 것이 바람직하다.
그리고 상기 CIGS 태양전지 모듈 열처리 장치는 흑연(Graphite) 또는 석영유리(Quartz Glass) 중 어느 하나로 구성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 소스는 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 선택된 어느 하나이거나 또는 이들 모두를 포함하여 공급하는 것이 바람직하며, 상기 소스는 고체 형태인 것이 바람직하다.
그리고 상기 소스 공급판은 소스가 배치되게 공간이 형성되는 것이 바람직하다.
한편 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치는, 내부가 진공 상태이거나 또는 상압 또는 가압 상태 중 선택된 어느 하나의 분위기에서 이루어지는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법은, 1) 기판을 하부체에 안착시키는 단계; 2) 소스를 상부체 측에 공급시키는 단계; 3) 기판이 안착된 상태로 하부체와 상부체를 결합시켜 내부를 밀폐시키는 단계; 및 4) 밀폐된 상태에서 소스를 가열하여 기판에 안착시키는 단계;로 이루어진다.
또한 상기 소스는 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 선택된 어느 하나이거나 또는 이들 모두를 포함하여 공급하는 것이 바람직하며, 상기 소스는 고체 상태인 것이 바람직하다.
그리고 상기 1)단계 전 단계에는 기판에 금속전구체를 증착하는 단계를 구비하는 것이 바람직하며, 상기 금속전구체는 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 선택된 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하거나 이들 모두를 포함하는 것이 바람직하다.
또한 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법은, 내부가 진공 상태이거나 또는 상압 또는 가압 상태 중 선택된 어느 하나의 분위기에서 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 독성 가스(H2Se나 H2S)를 쓰지 않아도 CIGS 광흡수층을 형성시킬 수 있게 하고 대면적에 대해서도 쉽게 대응할 수 있게 하는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따르면, 소스 손실 없이 공정을 효율적으로 진행시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 본 발명의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 소스 공급판을 나타내는 사시도.
도 3은 본 발명의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법을 나타내는 블록도.
도 2는 본 발명에 따른 소스 공급판을 나타내는 사시도.
도 3은 본 발명의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법을 나타내는 블록도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부된 도면을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예들은 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바에 의하면, 본 발명의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치는, 기판(S)이 지지되는 하부체(110); 상기 하부체(110) 위에 구비되어 기판에 공정을 위한 소스를 공급하는 소스 공급판(130); 상기 소스 공급판 위치 구비되는 상부체(120);를 포함하며, 상기 하부체(110), 소스 공급판(130) 및 상부체(120)는 서로 탈착되며 개폐되는 구조로 이루어진다.
즉, 본 발명의 장치는 하부체(110), 상부체(120) 및 소스 공급판(130)이 상호 분리된 상태로 구비되며, 이 상태에서 기판(S)이 외부로부터 하부체(110) 내부에 인입되어 안착되고 소스 공급판(130) 위에 공정을 위한 소스를 충진시켜 상부체와 하부체를 밀폐시킨 후 소스를 기판 위에 증착시켜 공정을 진행하도록 이루어진다.
이때 소스 공급판(130)에 공급되는 소스는 고체 형태로 안착시킬 수 있도록 공간(132)이 형성되며 외부로부터 가열수단에 의한 가열에 의해 기체화시켜 공급구를 통해 기판에 균일한 증착이 이루어지게 된다.
한편 본 발명의 장치는 내부 또는 외부에 가열수단(미도시)이 구비되며, 가열수단으로는 가열온도를 600°℃ 이상에서 기판을 가열할 수 있는 정도의 램프히터가 다수개 구비되는 것이 바림직하다.
또한 장치는 흑연(Graphite) 또는 석영유리(Quartz Glass) 중 어느 하나로 구성할 수 있으며, 흑연으로 구성할 경우 가열수단을 외부에 다수개 배치하여 가열수단이 1차적으로 발열하고 이 발열을 통해 본 발명의 장치를 가열하여 가열된 승온에 의해 내부에 배치된 기판을 2차적으로 가열하도록 하는 것이 가능하다.
그리고 상기 소스는 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 선택된 어느 하나이거나 또는 이들 모두를 포함하여 공급하는 것이 가능하며, 또한 본 발명의 장치는, 내부가 진공 상태이거나 상압 또는 가압 상태 중 어느 하나의 분위기에서 이루어지는 것이 가능하다.
이와 같이 기판을 장치 내부에서 밀폐된 상태로 CIGS 광흡수층 증착을 실시함으로써 공급되는 소스가 가열되는 열에 의해 외부로 증발되지 않고 기판에 균일하게 증착될 수 있게 되며, 기판의 크기가 커지더라도 이에 대한 대처가 쉬워 대면적 기판에 대한 증착 균일도를 실현하는 것이 가능하게 된다.
또한 종래의 공정 가스인 독성 가스(H2Se와 H2S)를 이용하지 않아도 되므로 유해물질에 의한 오염을 방지할 수 있고 대기중에 독성 물질 배출을 방지할 수 있게 된다.
그리고 본 발명의 장치는 금속전구체를 증착한 후 그 위에 별도의 처리 없이 CIGS 광흡수층을 증착할 수 있어 공정을 단축시킬 수 있게 된다.
한편, 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 제조 방법에 따르면, 1) 기판을 하부체에 안착시키는 단계(S10); 2) 소스를 상부체 측에 공급시키는 단계(S20); 3) 기판이 안착된 상태로 하부체와 상부체를 결합시켜 내부를 밀폐시키는 단계(S30); 및 4) 밀폐된 상태에서 소스를 가열하여 기판에 안착시키는 단계(S40);로 이루어진다.
그리고 1)단계(S10) 전 단계에는 기판에 금속전구체를 증착하는 단계를 구비하며, 상기 금속전구체 증착을 위한 방법이라면 어떠한 방법도 가능하다.
그리고 상기 금속전구체는 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 선택된 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하거나 이들 모두를 포함하게 한다.
또한 상기 소소는 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 선택된 어느 하나이거나 또는 이들 모두를 포함하여 공급한다.
여기서 본 발명의 공정 흐름을 보면, 먼저 기판에 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 선택된 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하거나 이들 모두를 포함하는 금속전구체를 증착시킨다.
다음으로 금속전구체가 증착된 기판을 하부체에 인입시켜 안착시킨 후 소스 공급판 위에 소스를 균일하게 인입시킨다. 이때 유입되는 소소는 셀레늄 또는 황 중 어느 하나이며, 이들 모두를 포함할 수는 고체 형태의 알갱이이다.
다음으로 상부체와 소스 공급판을 서로 밀착시켜 밀폐시킨 후 상부체와 하부체를 서로 결합시켜 내부가 밀폐되게 한다. 이 상태에서 소스 공급판 위치에 인입된 가열수단을 이용해 가열하여 고체 상태의 소스를 기체화시켜 소스 공급판에 형성된 공급구를 통해 하부체에 안착된 기판 위에 소스를 증착시킨다. 이때 가열수단은 장치 내부에 배치되어 소스를 직접 가열하거나 또는 외부에 배치되어 장치의 1차적인 가열에 의해 소스가 2차적으로 가열되는 방식 중 어느 하나를 선택적으로 이용할 수 있다.
이와 같이 기판을 밀폐된 상태에서 공정을 수행하게 함으로써 공정을 위한 소스인 셀레늄 또는 황이 가열에 의해 증발하는 것을 방지할 수 있게 되고, 종래와 같이 셀레늄 또는 황을 증착하기 위한 운반 가스인 독성 가스(H2Se와 H2S)를 사용하는 공정을 진행하지 않아도 되기 때문에 공정을 단축할 수 있게 되고, 밀폐된 상태에서 공정을 진행하기 때문에 소스의 사용량을 필요한 만큼만 이용할 수 있어 소스 소비를 최소화할 수 있으며, 독성 가스의 형성을 방지할 수 있게 된다.
본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
Claims (13)
- 기판이 지지되는 하부체;
상기 하부체 위에 구비되어 기판에 공정을 위한 소스를 공급하는 소스 공급판;
상기 소스 공급판 위에 구비되는 상부체;를 포함하며,
상기 하부체, 소스 공급판 및 상부체는 서로 탈착되며 개폐되는 구조로 이루어지는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치에 있어서,
상기 소스 공급판에는, 소스가 안착되는 가로 및 세로로 일정한 간격으로 형성되는 다수의 공간과, 기체화된 소스가 기판에 균일하게 공급되도록 상기 공간 사이에 가로 및 세로로 일정한 간격으로 형성되는 다수의 공급구가 마련되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치는 내부 또는 외부에 가열수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치는 흑연(Graphite) 또는 석영유리( Quartz Glass) 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 소스는 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 선택된 어느 하나이거나 또는 이들 모두를 포함하여 공급하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치.
- 제 4 항에 있어서,
상기 소스는 고체 형태인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치.
- 삭제
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치는,
내부가 진공 상태이거나 또는 상압 또는 가압 상태 중 선택된 어느 하나의 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 장치.
- 1) 기판을 하부체에 안착시키는 단계;
2) 소스를 상부체 측에 공급시키는 단계;
3) 기판이 안착된 상태로 하부체와 상부체를 결합시켜 내부를 밀폐시키는 단계; 및
4) 밀폐된 상태에서 소스를 가열하여 소스 공급판을 통하여 기판에 안착시키는 단계;로 이루어지고,
상기 소스 공급판에는, 소스가 안착되는 가로 및 세로로 일정한 간격으로 형성되는 다수의 공간과, 기체화된 소스가 기판에 균일하게 공급되도록 상기 공간 사이에 가로 및 세로로 일정한 간격으로 형성되는 다수의 공급구가 마련되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 소스는 셀레늄(Se) 또는 황(S) 중 선택된 어느 하나이거나 또는 이들 모두를 포함하여 공급하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,
상기 소스는 고체 상태인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 1)단계 전 단계에는 기판에 금속전구체를 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서,
상기 금속전구체는 구리(Cu), 인듐(In) 및 갈륨(Ga) 중 선택된 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하거나 이들 모두를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법.
- 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항의 태양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법은,
내부가 진공 상태이거나 또는 상압 또는 가압 상태 중 선택된 어느 하나의 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 양전지 모듈의 ＣＩＧＳ 광흡수층 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100134348A KR101152755B1 (ko) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | 태양전지 모듈의 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100134348A KR101152755B1 (ko) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | 태양전지 모듈의 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101152755B1 true KR101152755B1 (ko) | 2012-06-18 |
Family
ID=46688679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100134348A KR101152755B1 (ko) | 2010-12-24 | 2010-12-24 | 태양전지 모듈의 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101152755B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100105097A (ko) * | 2009-03-20 | 2010-09-29 | 주식회사 셀코스 | Ｒｔｓ를 이용한 ｃｉｇｓ 박막형 태양전지 제조장치 |
-
2010
- 2010-12-24 KR KR1020100134348A patent/KR101152755B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100105097A (ko) * | 2009-03-20 | 2010-09-29 | 주식회사 셀코스 | Ｒｔｓ를 이용한 ｃｉｇｓ 박막형 태양전지 제조장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9054267B2 (en) | Method of manufacturing light absorbing layer for solar cell using selenization process under element selenium vapor ambience and thermal treatment apparatus for manufacturing light absorbing layer | |
| US9178103B2 (en) | Apparatus and method for forming chalcogenide semiconductor absorber materials with sodium impurities | |
| CN101459200B (zh) | 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法 | |
| CN100413097C (zh) | 铜铟镓硒或铜铟镓硫或铜铟镓硒硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 | |
| US7842534B2 (en) | Method for forming a compound semi-conductor thin-film | |
| CN101740660B (zh) | 铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备 | |
| CN101299446A (zh) | 硒化物前驱薄膜与快速硒硫化热处理制备薄膜电池方法 | |
| US20100210065A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
| KR101779508B1 (ko) | 박막 태양전지 제조 장치 및 이를 이용한 열처리 공정 방법 | |
| KR101111047B1 (ko) | 태양 전지용 광흡수층 Ｃｕ(Ｉｎ, Ｇａ)(Ｓｅ, Ｓ)2 필름 제조를 위한 샘플 트레이 및 상기 샘플 트레이를 이용한 반도체 필름의 제조방법 | |
| KR101152755B1 (ko) | 태양전지 모듈의 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조 장치 및 그 방법 | |
| KR20100074383A (ko) | 태양전지의 제조에서 기판 상에 물질층을 형성하기 위한 장치 | |
| JP6586238B2 (ja) | Ｃｉｇｓ光吸収層を含む太陽電池及びその製造方法 | |
| US8632851B1 (en) | Method of forming an I-II-VI2 compound semiconductor thin film of chalcopyrite structure | |
| CN105633212A (zh) | 一种基于一步共蒸发工艺制备梯度带隙光吸收层的方法和装置 | |
| KR101181252B1 (ko) | Ｃｉｇｓ 태양전지의 제조방법 | |
| KR101403288B1 (ko) | 태양 전지용 박막 급속 열처리 시스템 | |
| KR20120007166A (ko) | 안전한 셀레늄 소스를 이용한 ｃｉｓ계 박막태양전지 흡수층 제조방법 | |
| EP4340047A1 (en) | Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition | |
| US9601653B2 (en) | Na dosing control method | |
| KR101564961B1 (ko) | 황동광계 광흡수층의 형성방법 | |
| WO2011135420A1 (en) | Process for the production of a compound semiconductor layer | |
| KR101335656B1 (ko) | Ｃｉｓ계 박막 제조방법 | |
| WO2015186899A1 (ko) | 박막 태양전지용 광흡수층 제조 방법 | |
| TWM543466U (zh) | 卷軸式大氣電漿鍍膜及硒化整合系統 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |