CN104024466A - 汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板 - Google Patents

汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板 Download PDF

Info

Publication number
CN104024466A
CN104024466A CN201280066366.8A CN201280066366A CN104024466A CN 104024466 A CN104024466 A CN 104024466A CN 201280066366 A CN201280066366 A CN 201280066366A CN 104024466 A CN104024466 A CN 104024466A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dispensing
substrate
emittance
plate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201280066366.8A
Other languages
English (en)
Inventor
M.J.帕沃尔
C.拉思维格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Primestar Solar Inc
Original Assignee
Primestar Solar Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Primestar Solar Inc filed Critical Primestar Solar Inc
Publication of CN104024466A publication Critical patent/CN104024466A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
    • C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供了用于使升华的源材料的汽相沉积为基底上的薄膜的设备及方法。该设备可包括沉积头；设置在沉积头中并被构造成用于接收源材料的容器；设置在容器下方并被构造成将容器加热至足以使源材料在容器内升华程度的加热分送歧管；以及，设置在分送歧管下方并设置在被传送穿过设备的基底的上表面的水平传送平面上方限定距离处的沉积板。分送板可限定穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过分送歧管的升华的源材料。分送板在沉积期间的板温度下可具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。

Description

汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板
技术领域
在本文中公开的主题大体上涉及薄膜沉积方法领域，其中诸如半导体材料层的薄膜层沉积在基底上。更具体而言，本主题涉及用于在光伏(PV)模块的形成中使光反应材料薄膜层沉积在玻璃基底上的汽相沉积设备以及相关联的方法。
背景技术
以作为光反应构件与硫化镉(CdS)配对的碲化镉(CdTe)为基础的薄膜光伏(PV)模块(也称为"太阳能电池板")正在获得广泛的接受，并且在行业中是令人感兴趣的。CdTe是具有特别适用于将太阳能转换成电力的特性的半导体材料。例如，CdTe具有大约1.45eV的能量带隙，这使其能够比历史上用于太阳能电池应用的低带隙半导体材料(例如，对于硅是大约1.1eV)从太阳光谱转换更多能量。另外，相比于低带隙材料，CdTe在较低的光或漫射光条件下转换辐射能，并且因此相比于其它常规材料在一天里或者在多云条件下具有较长的有效转化时间。
使用CdTe PV模块的太阳能系统大体上被认为是按照每瓦发电成本折算的成本效益最高的市售系统。然而，CdTe不与可持续商业开发和接受太阳能作为工业或住宅电力的补充来源或主来源矛盾的优点，取决于大规模且以成本有效方式生产有效PV模块的能力。
某些因素在成本和发电能力方面极大地影响CdTe PV模块的效率。例如，CdTe相对昂贵，并且因此材料的有效利用(即，最少浪费)是主要成本因素。此外，模块的能量转换效率是沉积的CdTe膜层的某些特性的因素。膜层的不均匀性或缺陷可显著地减少模块的输出，从而增加到每单位电力的成本中。另外，以经济上明智的商业规模处理相对较大的基底的能力是关键的考虑因素。
CSS(封闭系统升华)是用于生产CdTe模块的已知商业汽相沉积方法。例如，参照美国专利第6,444,043号和美国专利第6,423,565号。在CSS系统中的汽相沉积室内，基底被带至与CdTe源相对的较小距离(即，大约2-3mm)的相对位置。CdTe材料升华并且沉积在基底的表面上。在上文引用的美国专利第6,444,043号的CSS系统中，CdTe材料为颗粒形式，并且保持在汽相沉积室内的加热容器中。升华的材料移动穿过置于容器上的盖中的孔，并且沉积在静止的玻璃表面上，玻璃表面保持在盖框架上方最小可能的距离(1-2mm)处。将理解的是，CSS为一类扩散输送沉积(DTD)系统，并且扩散输送沉积系统更广义来说不一定在性质上是合格的"封闭空间"。
目前相信，薄膜的最佳膜质量是在刚好处于膜将要开始升华比其沉积更快(例如，对于碲化镉是在大约600℃下开始)的点以下的较窄温度范围内实现的。然而，在此较高温度下，已经存在于基底上的下方层的材料(例如，CdS)可从基底升华。例如，在高于大约525℃的温度下，CdS可开始从基底升华。因此，由于基底且特别是任何下方的薄膜层暴露于此相对较高温度的副作用，通常不期望在其最佳温度下使薄膜沉积(例如，对于CdTe是接近600℃)。
因此，对于用于有效PV模块(特别是CdTe模块)的经济可行的大规模生产的改进的汽相沉积设备和方法，本行业中存在着不断的需求。具体而言，CSS方法中存在着用于在有效PV模块(特别是CdTe模块)的经济可行的大规模生产中使用的改进的升华板的需要。
发明内容
本发明的方面和优点将部分地在以下描述中进行阐明，或者可从描述成为显而易见，或者可通过实施本发明来被理解。
一种设备被大体上提供用于使升华的源材料的汽相沉积为基底上的薄膜。该设备大体上可包括沉积头；设置在沉积头中并被构造成用于接收源材料的容器；设置在容器下方并被构造成将容器加热至足以使源材料在容器内升华程度的加热分送歧管；以及，设置在分送歧管下方并设置在被传送穿过设备的基底的上表面的水平传送平面上方限定距离处的沉积板。分送板可限定穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过分送歧管的升华的源材料。
在一个实施例中，分送板可在沉积期间的板温度下具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。
在一个特定实施例中，分送板可包括面朝向加热分送歧管的第一层和面朝向基底的上表面的水平传送平面的第二层。第一层可具有第一发射率，并且第二层可具有第二发射率。例如，第一发射率在沉积期间的板温度下可低于第二发射率。作为备选，第一发射率在沉积期间的板温度下可高于第二发射率。
一种方法还被大体上提供用于升华的源材料的汽相沉积在基底上形成薄膜。在一个实施例中，可将源材料供应至沉积头内的容器。容器可利用设置在容器下方的热源部件间接地加热来使源材料升华，使得升华的源材料在沉积头内被向下引导穿过热源部件。可将单独的基底在热源部件下方进行传送，并且可使升华的源材料沉积在其上。例如，升华的源材料可穿过热源部件，并且经由被定位在基底的上表面与热源部件之间的分送板到达基底的上表面上。分送板可被定位成离基底的上表面大约5mm至大约50mm，并且可具有充分的发射率，使得当分送板由热源部件加热至板温度时，基底在大约20秒或更短内从初始基底温度加热至少75℃。
本发明的这些及其它特征、方面和优点将参照以下描述和所附权利要求变得更好理解。并入本说明书并且构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的示例性实施例，并且与描述一起用于阐释本发明的原理。
附图说明
包括其最佳模式的本发明的完整及开放的公开内容在参照附图的说明书中进行阐明，在附图中：
图1为可结合本发明的汽相沉积设备的实施例的系统的平面视图；
图2为第一操作构造中的根据本发明的方面的汽相沉积设备的实施例的截面视图；
图3为第二操作模式中的图2的实施例的截面视图；
图4为与基底传送器协作的图2的实施例的截面视图；
图5为图2的实施例内的容器构件的顶视图；
图6为图2-5的汽相沉积设备中使用的分送板的一个示例性实施例的侧视图；以及
图7为图2-5的汽相沉积设备中使用的分送板的另一个示例性实施例的侧视图。
本说明书及附图中的参考标号的重复使用旨在表示相同或类似的特征或元件。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施例，本发明的一个或多个实例在附图中示出。每一个实例通过阐释本发明的方式进行提供，而不限制本发明。事实上，本领域的技术人员将清楚的是，可在本发明中作出各种改型和变型，而不会脱离本发明的范围或精神。例如，显示为或描述为一个实施例的一部分的特征可与另一个实施例一起使用来产生再一个实施例。因此，期望本发明覆盖归入所附权利要求及其等同物的范围内的此类改型及变型。
在本公开内容中，当层被描述为在另一层或基底"上"或"上方"时，将理解的是，除非另外指出，层可直接地接触彼此或者具有在层之间的另一层或特征。因此，这些用语仅描述了层对于彼此的相对位置，并且不必意味着在"顶部上"，因为上方或下方的相对位置取决于装置与观察者的定向。此外，尽管本发明不限于任何特定的膜厚度，但是描述光伏装置的任何膜层的用语"薄"大体上是指具有小于大约10微米("微米"或"μm")的厚度的膜层。
将理解的是，本文提到的范围和极限包括位于规定极限内的所有范围(即，子范围)。例如，从大约100到大约200的范围还包括从110到150、170到190、153到162和145.3到149.6的范围。此外，达到大约7的极限还包括达到大约5、达到大约3和达到大约4.5的极限，以及极限内的范围，诸如，从大约1到大约5，以及从大约3.2到大约6.5。
可被描述为扩散输送沉积系统的汽相沉积的设备被大体上提供，其包括具有相对较高发射率的分送板，以确保在其沉积期间辐射能被传输至穿过其附近的任何基底。因此，基底可在初始基底温度下开始沉积，并且在沉积期间被加热到最终基底温度。因此，可将初始基底温度选择成减少任何下方层的升华，即使其低于用于薄膜沉积的最佳沉积温度。然后，随着沉积过程继续，基底温度可由于来自分送板的热发射而升高。当薄膜沉积并且基底被加热时，其可涂布和覆盖下方的薄膜层，以抑制较高基底温度对下方薄膜的影响，同时允许薄膜被沉积来更接近期望的温度发生或者在期望的温度下发生。在一个实施例中，例如，分送板可具有大约0.7至小于1.0的发射率，诸如，大约0.85至大约0.95。
图1示出了系统10的实施例，其可结合根据本发明的实施例的被构造成用于使薄膜层沉积在基底14上的汽相沉积设备100(图2至5)，基底14在一个特定实施例中可为光伏(PV)模块基底或覆盖物。例如，薄膜可为碲化镉(CdTe)的膜层。如所提到的那样，本领域中大体上认识到了PV模块基底上的"薄"膜层大体上小于10微米(μm)。
如图4中所描绘的，汽相沉积设备100包括分送板152，分送板152被沉积在分送歧管124下方离下方基底14的上表面的水平面上方一个限定的距离。分送板152限定了诸如孔、缝隙等通路的图案，通过其进一步分送穿过分送歧管124的升华的源材料，使得源材料蒸气在横向方向上不中断。换言之，通路的图案被定形并且交错，或者以其它方式被定位成确保升华的源材料沿着横向方向完全地沉积在基底上，以便避免了基底上的"未涂布"区的纵向条痕或条纹。
在使用期间，沉积板152被加热至高于基底14温度的温度，以确保没有材料沉积并累积在沉积板152上。例如，当使薄膜碲化镉层沉积时，基底14可被加热至大约475℃至大约550℃之间的初始升华温度(例如，大约500℃至大约525℃之间)，而沉积板可被加热至大约725℃或以上的板温度，诸如从大约750℃至大约850℃(例如，从大约775℃)。此外，基底14的传送器160可被加热至传送器温度，诸如，大约500℃或更高(例如，大约550℃至大约650℃，诸如，大约600℃)。通过使用相对较高发射率的分送板152，基底14还可在沉积步骤期间(例如，大约20秒或更短的时段内)被加热至少大约75℃(例如，大约75℃至大约150℃)。即，分送板152具有足够的发射率，使得其被加热至板温度时，基底14在大约20秒或更短内从初始基底温度被加热至少75℃。在该实施例中，分送板152可被定位成离基底14的上表面大约5mm至大约50mm。
如本领域中已知的那样，表面的发射率系数是根据斯忒芬-玻尔兹曼定律比较具有来自理想"黑体"的辐射热的表面与在给定温度下的发射率系数ε=1来计算出的。例如，石墨化碳具有100℃下大约0.76、300℃下大约0.75，以及500℃下大约0.71的发射率系数。
按照规定，分送板152的发射率在沉积期间的板温度下可在大约0.7至大约1.0的理论极限(例如，大约0.85至大约0.95)的范围内，以便控制沉积板152与基底14之间的热传递。此外，可将沉积板152选择成在沉积期间的板温度下(例如，大约725℃或更高)控制发射率同时仍大致保持其形状。例如，板温度在使碲化镉薄膜层沉积在基底14上期间可为大约700℃至大约800℃(例如，大约750℃至大约775℃)。当使不同材料沉积时，可使用其它的板温度。
可将任何适合的材料选择成用于分送板152，以便实现此性质。在一个实施例中，例如，分送板152可包括石墨(也称为石墨化碳)。作为备选或此外，分送板152可包括陶瓷材料，诸如，氧化铝、耐火土等。
通常，分送板具有充分的热性质以确保沉积板152始终被大致均匀加热，同时在沉积期间使沉积板152与基底14之间的热交换最大化。例如，分送板152可具有极高的熔点(例如，大约1000℃)，允许分送板152被加热至极端温度，而不用担心其熔化或其它方式的破坏(例如，由高温化学相互作用或热冲击引起)。诸如氧化铝、熔凝石英和耐火土的陶瓷耐火材料是以它们的热和化学稳定性为人所知的材料，并且可被大体上认为是用于分送板152的候选材料。
最后，分送板152可具有对腐蚀和摩擦相对较高的抵抗力。因此，沉积板152可在沉积头中使用多次，包括加热和冷却，以使层在商业规模制造设置中沉积。
在具有沉积板152的沉积汽相沉积设备100中的基底14的实际温度升高可取决于许多因素。例如，穿过设备100的基底14的行进速度影响了暴露于汽相沉积设备100内上升温度的基底14的时间长度，并且因此可影响温度增益。然而，在碲化镉层形成为大约1到5μm的厚度的特定实施例中，基底14可在沉积期间同时在汽相沉积设备100内温度升高至少大约75℃，诸如，从大约75℃至大约150℃。换言之，基底14的基底温度可从其在离开汽相沉积设备100之前进入汽相沉积设备100的初始温度升高至少15%，诸如，从大约15%至大约25%。
在一个实施例中，分送板152可以以一致的方式构成(例如，始终大致相同的成分)。例如，分送板152可按照规定由高发射率材料构成(例如，基于石墨的材料、陶瓷材料或其组合)。
在另一个实施例中，如图6中所示，分送板152可包括具有表面涂层200的芯板202。表面涂层可存在于顶部表面204上(即，如图2至5中所示，面朝向加热分送歧管)，底部表面206上(即，如图2-5中所示，面朝向传送穿过所述设备的基底的上表面的水平传送平面)，和/或在被限定于分送板152中的孔口153内。例如，表面涂层为在沉积温度下具有至少0.8的发射率的高发射率材料(例如，石墨)。例如，芯板202可由涂布有相对较高发射率的表面涂层(例如，石墨、陶瓷等)的具有相对较低发射率的钼、钛或另一金属构成。
在另一个实施例中，分送板152可包括形成面朝向加热分送歧管(图7)的第一表面204的第一层208。此外，如图7中所示，分送板152还可包括形成了第二表面206的第二层209，第二表面206面朝向基底的上表面的水平传送平面。在该实施例中，第一层可具有不同于第二层的第二发射率的第一发射率。例如，第一发射率可高于第二发射率，或者第一发射率可低于第二发射率。第一层和第二层可彼此连接在一起(例如，焊接、软钎焊或以其它方式附接)。尽管示出的仅具有2层，但应当理解的是，可使用多层(例如，3、4、5等)来形成分送板152。
在一个实施例中，多层分送板152(如图7中所示)还可具有表面涂层(如图6中所示)。
通过图6-7的实施例中的这些组合材料，分送板152的发射率可通过改变涂层和/或层的尺寸和/或成分按期望精细调节。还将理解的是，成分梯度可在给定层内产生，例如，如果如此期望，则允许选择的表面的发射率穿过分送板152的长度变化。
应当认识到的是，本汽相沉积设备100不限于在图1中所示的系统10中使用，而是可组合到被构造成用于使薄膜层的汽相沉积到PV模块基底14上的任何适合的处理线中，并且实际上可延伸至非PV应用中的薄膜的汽相沉积。为了参照和理解可使用汽相沉积设备100的环境，下文描述了图1的系统10，随后是设备100的详细描述。
参看图1，示例性系统10包括由多个互连模块限定的真空室12，包括多个加热器模块16，其限定了真空室12的预热区段，基底14被传送穿过真空室，并且在被传送到汽相沉积设备100中之前被加热到期望的温度。每一个模块16可包括多个单独控制的加热器18，其中这些加热器限定了多个不同的热区。特定的热区可包括一个以上的加热器18。
真空室12还包括汽相沉积设备100下游的多个互连的冷却模块20。冷却模块20限定了真空室12内的冷却区段，具有沉积在其上的升华的源材料的薄膜的基底14被传送穿过冷却区段，并且在将基底从系统10除去之前以受控的冷却速率进行冷却。每一个模块20均可包括强制冷却系统，其中冷却介质如冷冻水、制冷剂或其它介质被泵送穿过构造有模块20的冷却盘管(未图示)。
在系统10的所示实施例中，至少一个后加热模块22在基底的传送方向上刚好位于汽相沉积设备100的下游和冷却模块20的上游。当基底14的前区段被传送出汽相沉积设备100时，其移动到后加热模块22中，后加热模块22将基底14的温度保持在与仍在汽相沉积设备100内的基底的后部部分相同的温度下。以此方式，当后区段仍在汽相沉积设备100内时，不允许基底14的前区段冷却。如果允许基底14的前区段在其离开设备100时冷却，则将沿基底14纵向地生成不一致的温度轮廓。该情况可导致热应力引起的基底破裂。
如图1中图解示出的那样，供给装置24被构造有汽相沉积设备100以供应源材料如颗粒CdTe。供给装置24可采用本发明的范围和精神内的各种构造以及功能，以便供应源材料，而不中断设备100内的连续汽相沉积过程或者基底14经由设备100的传送。
仍参看图1，单独基底14首先被放置在负载传送器26上，并且随后被移动到进入真空锁站点中，其包括负载模块28和缓冲模块30。"粗"(即，初始)真空泵32被构造有负载模块28以抽初始真空，而"精"(即，最终)真空泵38被构造有缓冲模块30以将缓冲模块30中的真空升高至基本上真空室12内的真空压力。滑动闸或滑阀34被可操作地设置在负载传送器26与负载模块28之间、负载模块28与缓冲模块30之间，以及缓冲模块30与真空室12之间。这些阀34由电机或其它类型的促动机构36相继地促动，以便以分步方式将基底14引入真空室12中，而不会影响室12内的真空。
在系统10的操作中，在真空室12内借助于粗和/或精真空泵40的任何组合的方式保持操作真空。为了将基底14引入真空室12中，负载模块28和缓冲模块30首先被排出(利用两个模块之间的滑阀34处于开启位置)。缓冲模块30与第一加热器模块16之间的滑阀34闭合。负载模块28与负载传送器26之间的滑阀34被开启，并且基底14被移动到负载模块28中。在该点处，第一滑阀34被关闭，并且粗真空泵32然后在负载模块28和缓冲模块30中抽取初始真空。基底14然后被传送到缓冲模块30中，并且负载模块28与缓冲模块30之间的滑阀34被闭合。精真空泵38然后将缓冲模块30中的真空增大至真空室12中的大致相同的真空。在该点处，缓冲模块30与真空室12之间的滑阀34被开启，并且基底14被传送至第一加热器模块16中。
退出真空锁站点被构造在最后的冷却模块20下游，并且基本上与上文所述的进入真空锁站点相反操作。例如，退出真空锁站点可包括退出缓冲模块42和下游的退出锁模块44。按顺序操作的滑阀34被设置在缓冲模块42与最后一个冷却模块20之间，缓冲模块42与退出锁模块44之间，以及退出锁模块44与退出传送器46之间。精真空泵38被构造有退出缓冲模块42，并且粗真空泵32被构造有退出锁模块44。泵32,38和滑阀34按顺序操作来使基底14以分步方式移出真空室12，而不会损失真空室12内的真空状态。
系统10还包括被构造成使基底14移入、移动穿过和移出真空室12的传送器系统。在所图示的实施例中，该传送器系统包括多个单独控制的传送器48，其中各种模块中的每一个包括相应一个传送器48。应当认识到的是，传送器48的类型或构造可变化。在所图示的实施例中，传送器48为具有可旋转地驱动的滚子的滚子传送器，这些滚子受到控制以便实现基底14穿过总体相应的模块和系统10的期望传送速率。
如所述的，系统10中的各种模块和相应传送器中的每一个单独地受到控制以执行特定功能。为了这样控制，单独模块中的每一个可具有与其构造在一起的相关联的单独控制器50，以便控制相应模块的单独功能。如图1中示意性示出那样，多个控制器50继而又可与中央系统控制器52连通。中央系统控制器52可监测和控制(经由单独的控制器50)任何一个模块的功能，以便在基底14穿过系统10的处理中实现总体期望的加热速率、沉积速率、冷却速率、传送速率等。
参看图1，对于单独的相应传送器48的单独控制，每一个模块可包括任何方式的主动或被动传感器54，其在它们被传送穿过模块时检测基底14的存在。传感器54与相应的模块控制器50通信，模块控制器50继而又与中心控制器52通信。以此方式，单独的相应传送器48可控制成确保保持基底14之间的适当间距，并且基底14以期望的传送速率被传送穿过真空室12。
图2至图5涉及汽相沉积设备100的特定实施例。具体参看图2和图3，设备100包括限定了内部空间的沉积头110，其中容器116被构造成接收颗粒源材料(未示出)。如提到的那样，颗粒源材料可由供给装置或系统24(图1)经由供给管148(图4)供应。供给管148连接到分送器144上，分送器144被设置在沉积头110的顶壁114中的开口中。分送器144包括多个排出端口146，其被构造成将颗粒源材料均匀地分送至容器116中。容器116具有开口顶部，并且可包括内部肋条120或其它结构元件的任何构造。
在所图示的实施例中，至少一个热电偶122被可操作地设置成穿过沉积头110的顶壁114，以监测邻近容器116或在容器116中的沉积头110内的温度。
沉积头110还包括纵向端壁112和侧壁113(图5)。具体参看图5，容器116具有一形状和构造，使得端壁118与头室110的端壁112被间隔开。如图5中所示，容器116的侧壁117位于沉积头的侧壁113附近并且紧邻侧壁113，以便很小的间隙存在于相应的壁之间。如图2、图3和图5所示，利用该构造，升华的源材料将流出容器116的开口端部，并且在端壁118上向下流动来作为蒸气119的前幕帘和后幕帘。很少的升华源材料将在容器116的侧壁117上流动。
加热分送歧管124被设置在容器116下方。该分送歧管124可采用本发明的范围和精神内的构造，并且用于间接地加热容器116，以及分送从容器116流出的升华源材料。在所图示的实施例中，加热分送歧管124具有蛤壳构造，其包括上壳部件130和下壳部件132。每一个壳部件130,132包括其中的凹口，当壳体部件如图2和3中所示那样匹配在一起时凹口限定了腔134。加热器元件128设置在腔134内，并且用于加热分送歧管124至足以间接地加热容器116内的源材料以引起源材料升华的程度。加热器元件128可由与源材料蒸气反应的材料制成，并且在此方面，壳部件130,132还用于将加热器元件128与源材料蒸气的接触隔离开。由分送歧管124生成的热还足以防止升华的源材料在头室110的构件上析出。期望的是，头室110中的最冷构件为被传送穿过其的基底14的上表面，以便确保升华的源材料涂镀到基底上，而不是在头室110的构件上。
仍参看图2和图3，加热分送歧管124包括被限定为穿过其的多个通路126。这些通路具有一形状和构造，以便将升华的源材料朝向下方的基底14(图4)一致地分送。
在所图示的实施例中，如图4中所示，分送板152被设置在分送歧管124下方离下方基底14的上表面的水平面有限定距离处。例如，该距离可在大约0.3cm至大约4.0cm之间。在特定实施例中，该距离为大约1.0cm。分送板152下方的基底的传送速率例如可在大约10mm/秒至大约40mm/秒的范围内。在特定实施例中，例如，该速率可为大约20mm/秒。涂布到基底14的上表面上的CdTe膜层的厚度可在本发明的范围和精神内变化，并且例如可为大约1微米至大约5微米。在特定实施例中，膜厚度可为大约3微米。如上文更详细所述，分送板152为高发射率分送板152。
如前文提到的那样，如图5中所示，升华的源材料的较大部分将流出容器116来作为蒸气119的前幕帘和后幕帘。尽管蒸气119的这些幕帘将在穿过分送板152之前沿纵向方向扩散一定程度，但是应当认识到的是，不太可能实现升华的源材料沿纵向方向的一致分送。换言之，相比于分送板的中间部分，大部分升华的源材料将经由分送板152的纵向端部区段进行分送。然而，如上文所述，由于系统10以恒定(不停)的线速度传送基底14穿过汽相沉积设备100，故基底14的上表面将暴露于相同的沉积环境，而不管沿设备100的纵向方面的蒸气分送的任何不一致。分送歧管124的通路126和分送板152中的孔确保了汽相沉积设备100的横向方面的升华的源材料的相对一致的分送。只要保持蒸气的一致横向方面，则相对一致的薄膜层可沉积在基底14的上表面上，而不管沿设备100的纵向方面的汽相沉积的任何不一致。
如图中所图示的，可能期望包括容器116与分送歧管124之间的碎屑防护物150。该防护物150包括被限定为穿过其的孔(其可大于或小于分送板152的孔的尺寸)，并且如下文更详细所述，主要用于保持任何颗粒或粒状源材料免于穿过和可能干扰分送歧管124的可动构件的操作。换言之，碎屑防护物150可被构造成充当可呼吸的筛，其阻止颗粒通过，而基本上不干扰蒸气119流过防护物150。
具体参看图2至4，期望着设备100包括在头室110的每一个纵向端部处的沿横向延伸的密封件154。在所图示的实施例中，密封件限定了在头室110的纵向端部处的进入槽口156和退出槽口158。如图4中所示，这些密封件154被设置在基底14的上表面上方一距离处，该距离小于基底14的表面与分送板152之间的距离。密封件154有助于保持基底上方的沉积区域中的升华的源材料。换言之，密封件154防止升华的源材料经由设备100的纵向端部"漏出"。应当认识到的是，密封件154可由任何适合的结构限定。在所图示的实施例中，密封件154实际上由加热分送歧管124的下壳部件132的构件限定。还应当认识到的是，密封件154可与汽相沉积设备100的其它结构协作来提供密封功能。例如，密封件可接合沉积区域中的下方的传送器组件的结构。
沿纵向延伸的密封结构155的任何方式还可被构造有提供沿其纵向侧的密封件的设备100。参看图2和图3，该密封结构155可包括沿纵向延伸的侧部件，其被大体上设置成离下方的传送表面的上表面尽可能得靠近，以便阻止升华的源材料的流出，而不会摩擦地接合传送器。
参看图2和图3，所图示的实施例包括被设置在分送歧管124上方的可动闸板136。该闸板136包括被限定为穿过其的多个通路138，其与如图3中所示的闸板136的第一操作位置上的分送歧管124中的通路126对准。如可从图3中容易地认识到的那样，在该闸板136的该操作位置，升华的源材料是自由的流过闸板136并且穿过分送歧管124中的通路126，以便用于随后分送穿过板152。参看图2，闸板136可关于分送歧管124的上表面移动至第二操作位置，其中闸板136中的通路138与分送歧管124中的通路126失准。在该构造中，升华的源材料被阻挡而不能穿过分送歧管124，并且基本上容纳在头室110的内部容积内。任何适合的促动机构(大体上140)可被构造成用于使闸板136在第一操作位置与第二操作位置之间移动。在所图示的实施例中，促动机构140包括杆142和将杆142连接到闸板136上的任何方式的适合的连杆结构。杆142由位于头室110外的任何方式的机构来旋转。
图2和图3中所图示的闸板136构造特别有益，其中如期望地那样，升华的源材料可以很快且容易地容纳在头室110内，并且被防止穿过传送单元上方的沉积区域。例如，这在系统10启动期间，在头室内的蒸气119的浓度累积到足以开始沉积过程的程度时是期望的。同样，在系统停机期间，可能期望保持头室110内的升华的源材料以防止材料冷凝在传送器或设备100的其它构件上。
参看图4，气相沉积设备100还可包括被设置在头室110下方的传送器160。相比于上文参照图1的系统10所述的传送器48，该传送器160可被独特地构造成用于沉积过程。例如，传送器160可为整装传送单元，其包括连续循环传送器，在分送板152的下方，基底14被支承在传送器上。在所图示的实施例中，传送器160由多个条板162限定，条板162向基底14提供平的未破裂(即，条板之间没有间隙)的支承表面。条板传送器以无限循环围绕链轮164驱动。然而，应当认识到的是，本发明不限于用于使基底14移动穿过汽相沉积设备100的任何特定类型的传送器160。
本发明还涵盖用于汽相沉积升华的源材料以在基底上形成薄膜的各种方法实施例，举例来说，基底可为PV模块。各种方法可以以上文所述的系统实施例来实施，或者通过任何其它构造的适合的系统构件来实施。因此，应当认识到的是，根据本发明的方法实施例不限于本文所述的系统构造。
在特定实施例中，汽相沉积方法包括将源材料供应至沉积头内的容器，并且利用热源部件间接地加热容器来升华源材料。升华的源材料被引导出容器，并且在沉积头内向下穿过热源部件。单独的基底在热源部件下方传送。穿过热源的升华的源材料被分送在基底的上表面上，使得沿其输送方向的基底的前区段和后区段经历相同的汽相沉积条件，以便在基底的上表面上实现期望的均匀厚度的薄膜层。
在独特的方法实施例中，升华的源材料从容器主要以横向延伸的前幕帘和后幕帘的形式关于基底的传送方向来进行引导。升华的源材料的幕帘朝基底的上表面被向下引导穿过热源部件。升华的源材料的这些前幕帘和后幕帘可在穿过热源部件之后关于基底的传送方向沿纵向分送成一定程度。
在又一个独特方法实施例中，如上文所述，用于升华的源材料穿过热源的通路可利用外部促动的阻塞机构来进行堵塞。
期望的是，方法实施例包括在汽相沉积过程期间以大致恒定的线速度连续地传送基底。
本书面说明使用了包括最佳模式的实例来公开本发明的某些实施例，并且还使本领域的任何技术人员能够实施本发明的某些实施例，包括制造和使用任何装置或系统，以及执行任何组合方法。本发明的专利范围由权利要求限定，并且可包括本领域技术人员构想出的其它实例。如果这些其它的实例包括并非不同于本权利要求的书面语言的结构元件，或者如果这些其它实例包括与本权利要求的书面语言无实质差异的同等结构元件，则确定这些实例在本权利要求的范围之内。

Claims (20)

1.一种用于使升华的源材料的汽相沉积作为基底上的薄膜的设备，所述设备包括：
沉积头；
容器，其设置在所述沉积头中，所述容器被构造成用于接收源材料；
加热分送歧管，其设置在所述容器下方，所述加热分送歧管被构造成将所述容器加热至足以使所述源材料在所述容器内升华的程度；以及
沉积板，其设置在所述分送歧管下方并且在被传送穿过所述设备的基底的上表面的水平传送平面上方的限定距离处，所述分送板限定了穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过所述分送歧管的所述升华的源材料，其中所述分送板在沉积期间的板温度下具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板在沉积期间的所述板温度下具有大约0.85至大约0.95的发射率。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括石墨。
4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括陶瓷材料。
5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述陶瓷材料包括氧化铝。
6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括具有表面涂层的芯板。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述表面涂层包括高发射率材料，所述高发射率材料在沉积期间的板温度下具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。
8.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，所述表面涂层包括石墨。
9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述分送板包括第一层和第二层，其中所述第一层面朝向所述加热分送歧管，并且所述第二层面朝向所述基底的所述上表面的水平传送平面。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述第一层具有第一发射率，并且所述第二层具有第二发射率，其中所述第一发射率不同所述第二发射率。
11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述第一发射率高于所述第二发射率。
12.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述第一发射率低于所述第二发射率。
13.一种用于使升华的源材料的汽相沉积作为基底上的薄膜的设备，所述设备包括：
沉积头；
容器，其设置在所述沉积头中，所述容器被构造成用于接收源材料；
加热分送歧管，其设置在所述容器下方，所述加热分送歧管被构造成将所述容器加热至足以使源材料在所述容器内升华的程度；以及，
沉积板，其设置在所述分送歧管下方并且在被传送穿过所述设备的基底的上表面的水平传送平面上方的限定距离处，所述分送板限定了穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过所述分送歧管的所述升华的源材料，其中所述分送板包括面朝向所述加热分送歧管的第一层以及面朝向所述基底的所述上表面的水平传送平面的第二层，并且其中所述第一层具有第一发射率，并且所述第二层具有第二发射率，其中在沉积期间的板温度下所述第一发射率低于所述第二发射率。
14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第二层包括石墨。
15.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第二层包括陶瓷材料。
16.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述陶瓷材料包括氧化铝。
17.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第二层包括具有至少0.8的发射率的高发射率材料。
18.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第一层被焊接到所述第二层上。
19.一种用于升华的源材料的汽相沉积在基底上形成薄膜的方法，所述方法包括：
将源材料供应至沉积头内的容器；
利用设置在所述容器下方的热源部件来间接地加热所述容器以使所述源材料升华，其中所述升华的源材料在所述沉积头内被向下引导穿过所述热源部件；
将单独的基底传送到所述热源部件下方；以及
分送穿过所述热源部件经由分送板到达所述基底的上表面上的所述升华的源材料，所述分送板被定位在所述基底的所述上表面与所述热源部件之间，其中所述分送板被定位成离所述基底的所述上表面大约5mm到大约50mm，并且其中所述分送板具有足够的发射率，使得当所述分送板由所述热源部件加热至板温度时，所述基底在大约20秒或更短内从初始基底温度加热至少75℃。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述分送板具有大约700℃至大约800℃的板温度。
CN201280066366.8A 2011-11-08 2012-11-07 汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板 Pending CN104024466A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/291,421 US20130115372A1 (en) 2011-11-08 2011-11-08 High emissivity distribution plate in vapor deposition apparatus and processes
US13/291,421 2011-11-08
PCT/US2012/063782 WO2013070649A1 (en) 2011-11-08 2012-11-07 High emissivity distribution plate in vapor deposition apparatus and processes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104024466A true CN104024466A (zh) 2014-09-03

Family

ID=47179000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280066366.8A Pending CN104024466A (zh) 2011-11-08 2012-11-07 汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20130115372A1 (zh)
EP (1) EP2776601A1 (zh)
CN (1) CN104024466A (zh)
WO (1) WO2013070649A1 (zh)

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US20140099794A1 (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Applied Materials, Inc. Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9306105B2 (en) * 2013-07-31 2016-04-05 First Solar Malaysia Sdn. Bhd. Finger structures protruding from absorber layer for improved solar cell back contact
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
WO2024000569A1 (en) * 2022-07-01 2024-01-04 China Triumph International Engineering Co., Ltd. Device for evaporating of a coating material and use of it

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6444043B1 (en) * 1999-03-29 2002-09-03 Antec Solar Gmbh Apparatus for depositing CdS and CdTe layers on substrates by means of a CSS process
US20020192370A1 (en) * 1998-10-27 2002-12-19 Metzner Craig R. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
CN101845612A (zh) * 2008-12-18 2010-09-29 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 线沉积源
CN102102177A (zh) * 2009-12-16 2011-06-22 初星太阳能公司 用于在基板上持续沉积薄膜层的气相沉积设备和过程

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3450864A (en) * 1967-05-24 1969-06-17 Us Army Elongated infrared heater
IL65176A0 (en) * 1982-03-05 1982-05-31 C I Ltd Material testing method and apparatus
US4688239A (en) * 1984-09-24 1987-08-18 The B. F. Goodrich Company Heat dissipation means for X-ray generating tubes
DE3803227A1 (de) * 1988-02-04 1989-08-17 Hoechst Ceram Tec Ag Verfahren zum vakuumdichten verschliessen eines keramikrohres
US6132550A (en) * 1995-08-11 2000-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatuses for desposition or etching
US20010000577A1 (en) * 1997-05-09 2001-05-03 Parise Ronald J. Anti-global warming device
US6182603B1 (en) * 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
US6423565B1 (en) 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
US7618678B2 (en) * 2003-12-19 2009-11-17 Conocophillips Company Carbon-coated silicon particle powders as the anode material for lithium ion batteries and the method of making the same
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US7132128B2 (en) * 2005-03-31 2006-11-07 Tokyo Electron Limited Method and system for depositing material on a substrate using a solid precursor
US7951421B2 (en) * 2006-04-20 2011-05-31 Global Oled Technology Llc Vapor deposition of a layer
KR101071605B1 (ko) * 2006-05-19 2011-10-10 가부시키가이샤 알박 유기 증착 재료용 증착 장치, 유기 박막의 제조 방법
US7854820B2 (en) * 2006-10-16 2010-12-21 Lam Research Corporation Upper electrode backing member with particle reducing features
US20100285218A1 (en) * 2008-12-18 2010-11-11 Veeco Instruments Inc. Linear Deposition Source
KR101336363B1 (ko) * 2009-01-29 2013-12-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 장치 및 가스 토출 부재
CN101525743B (zh) * 2009-04-23 2011-06-15 浙江嘉远格隆能源股份有限公司 一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置
US8163089B2 (en) * 2009-12-16 2012-04-24 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US9034142B2 (en) * 2009-12-18 2015-05-19 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead for high temperature operations
US8361229B2 (en) * 2010-04-22 2013-01-29 Primestar Solar, Inc. Seal configuration for a system for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8361232B2 (en) * 2010-04-29 2013-01-29 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate
US20120027921A1 (en) * 2010-12-22 2012-02-02 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8801858B2 (en) * 2010-12-23 2014-08-12 First Solar, Inc. Non-wear shutter apparatus for a vapor deposition apparatus
US20140024172A1 (en) * 2012-07-20 2014-01-23 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition and treatment of a thin film layer on a substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020192370A1 (en) * 1998-10-27 2002-12-19 Metzner Craig R. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US6444043B1 (en) * 1999-03-29 2002-09-03 Antec Solar Gmbh Apparatus for depositing CdS and CdTe layers on substrates by means of a CSS process
US6837939B1 (en) * 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
CN101845612A (zh) * 2008-12-18 2010-09-29 维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司 线沉积源
CN102102177A (zh) * 2009-12-16 2011-06-22 初星太阳能公司 用于在基板上持续沉积薄膜层的气相沉积设备和过程

Also Published As

Publication number Publication date
EP2776601A1 (en) 2014-09-17
WO2013070649A1 (en) 2013-05-16
US20130115372A1 (en) 2013-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104024466A (zh) 汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板
US8481355B2 (en) Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8247255B2 (en) Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
CN102234789B (zh) 将薄膜层连续地间接淀积在衬底上的气相淀积设备和过程
US20120028395A1 (en) Vapor deposition process for continuous deposition and treatment of a thin film layer on a substrate
US8207006B1 (en) Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
CN102534508A (zh) 用于连续沉积掺杂薄膜层到基底上的汽相沉积设备及方法
US20080302653A1 (en) Method And Device For Producing An Anti-Reflection Or Passivation Layer For Solar Cells
US20120027921A1 (en) Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US20120164776A1 (en) Non-Wear Shutter Apparatus for a Vapor Deposition Apparatus
US8673777B2 (en) In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer
EP1976022A2 (en) Method and device for producing an anti-reflection or passivation layer for solar cells
US8722136B2 (en) Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices
US20110143491A1 (en) Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8187386B2 (en) Temporally variable deposition rate of CdTe in apparatus and process for continuous deposition
CN102534509B (zh) 掺杂薄膜层在衬底上的连续沉积的气相沉积装置和方法
US20150027372A1 (en) Vapor Deposition Apparatus for Continuous Deposition of Multiple Thin Film Layers on a Substrate
CN202322985U (zh) 在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备
US9093599B2 (en) Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
US20130084668A1 (en) Temporary arc inducement of glass substrate during diffusive transport deposition
CN103132021A (zh) 在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备和方法
CN103132022A (zh) 在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备和方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140903

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication