CN202322985U - 在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，设备至少有一台热蒸发沉积装置，该装置有管状加热器，与管状加热器组合对管状加热器保温隔热的管状保温隔热外罩，置于管状加热器内的导电膜或半导体热材料包裹于芯棒上成为热蒸发的靶材管，靶材管与管状加热器间形成套管空间，在导管空间内靶材管被管状加热器加热蒸发，产生的蒸气经过套管空间流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同形成轴向的气体流出的狭缝开口，沉积在传动装置连续传送到狭缝开口附近的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层。本实用新型能实现连续和在大面积基片上沉积导电膜或半导体材料。

Description

在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备

技术领域：

本实用新型所属领域为新型光电子材料，特别涉及的是在玻璃或金属基片上沉积导电膜或半导体材料的设备。

背景技术：

沉积导电膜或半导体材料常用的升华法，目前公开的多是以近空间蒸发法（主要为电阻蒸发），蒸发源（常见为坩埚）以点源或条源的方式布置，采用化合物或半导体材料的蒸气由下向上沉积在基片的下表面，经结晶成膜的方式。这种走片方式必然会造成传送基片行走机构（如辊轮）与蒸发源蒸气上升沉积需要无干涉及无污染的尽量大面积的基片的矛盾。这种方式能满足实验室作样片或科研的要求，不能满足大面积基片规模化生产的要求。

美国First Solar公司公开了“一种沉积半导体材料的装置和方法”  （专利号U.S. Pat. No. 6,037,241）。其主要技术特征是：一个具有渗透性的加热器（碳化硅+石墨烧结而成），一或两套用载流气体输送半导体粉料入加热器内腔的供料系统，半导体粉料在加热器内腔中受热蒸发，形成的蒸气和载流气体向外渗过加热器，在加热器的保温隔热外罩的约束引导下，蒸气和载流气体流出外罩的狭缝开口，沉积到传送系统连续送进的基片表面上，沉积成半导体膜层。 

美国First Solar公司公开的专利，虽然用蒸气由上向下沉积法解决了蒸气由下向上沉积的上述问题，但由于载流气体和半导体粉料从加热器两端引入，致使在宽幅面基片的两边沿至中部的供料和产生的蒸气不均匀，也没能解决大面积沉积半导体材料的均匀性问题。同时，由于载流气体的存在，降低了半导体蒸气的分压，存在降低半导体膜层的成膜速率和性能的问题。 

实用新型内容：

针对已有技术存在的问题，本实用新型的目的是为了提供一种使半导体材料蒸气能实现向下沉积在基片上，能实现连续和大面积基片上半导体材料的沉积的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备。

本实用新型在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，设备至少有一台热蒸发沉积装置，该装置有管状加热器，与管状加热器组合对管状加热器保温隔热的管状保温隔热外罩，导电膜材料或半导体材料呈固体管状包覆于芯棒上成为热蒸发的靶材管，靶材管外表面与管状加热器内表面形成套管空间，在该套管空间内靶材管被管状加热器加热蒸发，产生的蒸气在套管空间引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口，沉积在传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层，热蒸发材料的靶材管可以是导电膜材料或半导体材料烧结并与芯棒装配为一体而成的管状体，也可以是导电膜材料或半导体材料经热喷涂沉积或者经等离子体热喷涂沉积或热蒸发沉积在芯棒上形成的。 

上述设备中，管状加热器具有渗透性微孔和/或微缝，管状加热器与管状保温隔热外罩之间有工艺和/或驱动气体通道，工艺和/或驱动气体从管状保温隔热外罩引入工艺和/或驱动气体通道、并能向内渗透过管状加热器与靶材管受热产生的蒸气在套管空间中产生化合反应和/或混合，驱动蒸气在套管空间引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口，蒸气沉积在经传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层。 

上述设备中，在热蒸发沉积装置之后，设有稳定热量、蒸气压或蒸气分压、对未沉积蒸气起反射功能、与基片共同形成狭缝的辅助沉积结晶板，辅助沉积结晶板可由陶瓷烧结制成，有通电加热功能，辅助沉积结晶板优选的是由碳化硅(SiC)加石墨烧结而成，有通电加热功能。 

上述的设备中辅助沉积结晶板与基片共同形成的狭缝间隙为3～15mm，辅助沉积结晶板在基片前进方向的长度为300～1500mm。 

上述设备中，管状加热器上有内外表面贯通的微缝和/或微孔，管状加热器可以是碳化硅(SiC)加石墨烧结而成，管状保温隔热外罩管状体是陶瓷烧结而成。 

上述设备中，管状保温隔热外罩外有用不锈钢金属板包覆复合保温隔热纤维或保温隔热陶瓷组成的保温隔热层，不锈钢金属板外布置有通冷却介质的管路。 

上述设备中有靶材管移出送进机构。 

上述设备中有进片室或放卷室、有加热段、沉积段、热处理段的沉积室和出片室或收卷室，热蒸发沉积装置位于沉积室中，进片室或放卷室、出片室或收卷室的两端设置密封门锁，将沉积室与大气隔绝，至少在沉积室中设置抽气系统和保护气体充气系统。 

上述设备中，靶材管中的芯棒具有通冷却液和/或加温液的通道。 

上述设备中，芯棒是SiC或SiC+石墨或氧化硅铝或石英材料制成，靶材管能旋转和/或轴向摆动。 

上述设备中，传动装置传动的基片沉积膜面距轴向气体流出的狭缝开口距离为0.3～20mm。 

上述设备中，传动装置使基片在沉积段呈水平方向运动，气体流出狭缝开口呈水平方向安装，对基片由上往下沉积或者由下向上沉积；或者传动装置使基片呈立式方向运动，气体流出狭缝开口呈立式方向安装，对基片可左边或者可右边沉积。 

本实用新型在环境气氛可控、加热温度可控、基片传送速度可控的密闭的设备内腔中： 

a. 将需沉积的导电膜材料或半导体材料预先制作包覆在芯棒上，形成热蒸发材料的靶材管；

b. 将靶材管置于管状加热器内，且与管状加热器之间形成套管空间，管状加热器对靶材管上的导电膜材料或半导体材料进行加热，加热蒸发产生导电膜材料或半导体材料蒸气，蒸气充满套管空间，导电膜材料或半导体材料蒸气在蒸气压的作用下和套管空间引导下流出管状加热器和管状保温隔热外罩共同形成的轴向的气体流出狭缝开口；

c.由狭缝开口流出的导电膜材料或半导体材料蒸气沉积在传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上，经结晶成为导电膜或半导体膜层。

本实用新型使导电膜材料或半导体材料蒸气能实现向下沉积到基片上，能实现连续和大面积基片上导电膜材料或半导体材料的沉积，沉积质量佳，效率高。 

附图说明：

图1为在基片上沉积碲化镉的设备结构示意图。

图2 为图1 中A—A剖视图。 

图3 为图2 中B—B剖视图。 

图4为与立式传动装置的配合的热蒸发沉积装置图。 

图5为在基片上沉积铜铟镓硒的设备的结构示意图。 

图6为图5 中C—C剖视图。 

图7 为图6 中D—D剖视图。 

图8为在基片上沉积铜铟镓硒的另一设备结构示意图。 

图9为在基片上沉积二氧化锡的设备结构示意图。 

图10为图9中的E—E剖视图。 

具体实施方式：

实施例1：

图1～图3给出了本实施例1在玻璃基片上沉积碲化镉图。本实施例设备适用于在玻璃基片上的已有的透明导电膜层（TCO）和硫化镉膜层之上沉积太阳能吸收膜层——碲化镉膜层，基片规格为1200mx600mm，碲化镉膜层厚度2～4μm，生产方式为连续式生产。设备如图1所示有进片室1、沉积室2（加热段2—1、2—2沉积段、热处理段2—3）、出片室3和风冷室4。进片室和出片室的两端分别设置密封门锁1—1、1—2、3—1、3—2，将沉积室与大气隔绝。进片室、出片室和沉积室分别设置抽气系统7和保护气体充气系统9。上述的密封门锁、抽气和充气系统在现有真空设备制造中属于成熟技术，不再赘述。沉积室沉积有一台热蒸发沉积装置5。

热蒸发沉积装置5如图1、图2和图3所示，有管状加热器10，与管状加热器组合对管状加热器保温隔热的管状保温隔热外罩11，碲化镉17呈固体管状包覆于芯棒12上成为热蒸发材料的靶材管13。靶材管外表面与管状加热器内表面形成套管空间14。在该套管空间内靶材管被管状加热器加热蒸发，产生的碲化镉蒸气在蒸气压作用下和套管空间约束引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口15，沉积在传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃基片18的已有透明导电膜层（TCO）和硫化镉膜层之上，经结晶形成碲化镉膜层。 

如图1和图3所示，在热蒸发沉积装置之后，设有稳定热量、蒸气压或蒸气分压、对未沉积蒸气起反射功能、与基片共同形成狭缝的辅助沉积结晶板8。辅助沉积结晶板由陶瓷烧结制成，优选的是由碳化硅(SiC)加石墨烧结而成，有通电加热功能。 

管状加热器是碳化硅(SiC)加石墨烧结而成，其上有内外表该面贯通的微缝和/或微孔，微缝就小于20μm，微孔平均应小于20μm。保温隔热外罩管状体是氧化硅铝陶瓷烧结而成。 

碲化镉材料经等静压成型，烧结成管状，装配在陶瓷芯棒上制成靶材管，也可以是碲化镉材料经热喷涂沉积或经惰性气体保护等离子体热喷涂沉积或热蒸发沉积在芯棒上形成靶材管。 

保温隔热层16由保温隔热纤维（或保温隔热陶瓷）、包覆在保温隔热纤维（或保温隔热陶瓷）外的不锈钢金属板组成。不锈钢金属板外布置有管路，管路可通冷却介质。 

在进片室，开密封门锁1—1，基片在大气状态下被送入进片室，关密封门锁1—1，抽气至8x10^-2Pa,充保护气体使真空度至500±10Pa，开密封门锁1—2，传送基片至沉积室加热段，关密封门锁1—2，充保护气体使进片室内气压略低于或等于大气压，等待下一张基片送入。上述为一个进片循环。 

在沉积室（加热段、沉积段、热处理段），开始加热前，抽气至8x10^-2Pa,再充保护气体使真空度至500Pa,再加热；正常工作时，抽气和充保护气体维持真空度稳定在500±10Pa。 

在出片室，抽气至8x10^-2Pa,充保护气体至室内真空度至500±10Pa，开密封门锁3—1，基片被送入出片室，抽气至8x10^-2Pa,充保护气体至室内真空度等于或略低于大气压，开密封门锁3—2，基片被送出出片室，关密封门锁3—2，出片室抽气至8x10^-2Pa,充保护气体至室内真空度500±10Pa，等待下一张基片送入。上述为一个出片循环。 

在风冷室，通入大量冷却气体（如氩气）对玻璃基片强制快速冷却，使玻璃产生钢化或半钢化效果。这种技术在玻璃加工中属成熟技术，不再赘述。 

该设备采用的碲化镉靶材管中的芯棒具有通冷却液和/或加温液管道。在真空设备制造技术中，引入冷却液和/或加温液属于成熟技术，在此不作赘述。 

碲化镉靶材管中的芯棒具有电加热功能。在真空设备制造技术中，引入电源属于成熟技术，在此不作赘述。 

芯棒是SiC（或SiC+石墨或氧化硅铝或石英材料）制成。 

靶材管可旋转和/或轴向摆动。在真空设备制造技术中，引入旋转或轴向摆动属于成熟技术，在此不作赘述。 

传动装置6如图2所示使基片呈水平方向运动，气体流出狭缝开口呈水平方向安装，碲化镉蒸气由上往下沉积在以1m/min速度连续运动的玻璃基片上已有的透明导电膜层（TCO膜）和硫化镉膜层之上，经结晶形成碲化镉膜层。 

根据需要，传动装置可如图4所示的使基片呈立式方向运动。 

玻璃基片选用含铁量低于0.012%的钠钙普通超白玻璃。 

本设备可以以连续生产的方式在规格达1200mmx600mm的玻璃基片的已有透明导电膜层（TCO）和硫化镉膜层之上，制出满足碲化镉太阳能电池技术要求膜层厚度达2～4μm的碲化镉多晶膜层。 

实施例2 

图5、图6、图7给出了本实施例2在基片上沉积铜铟镓硒的设备。该设备适用于在玻璃基片的已有导电膜层（Mo膜）之上沉积太阳能吸收膜层——铜铟镓硒膜层，基片规格为1200mmx600 mm、铜铟镓硒膜层厚度2μm。

本实施例2基本与实施例1同，不同处是设备有三台热蒸发沉积装置5。如图5、图6和图7所示，采用三台热蒸发沉积装置按膜层沉积顺序分别沉积富铟的铜铟镓硒、富铜的铜铟镓硒和富铟的铜铟镓硒膜层。每套热蒸发沉积装置5有管状加热器10，与管状加热器组合对加热器保温隔热的管状保温隔热外罩11，管状加热器与管状保温隔热外罩之间有工艺和/或驱动气体通道10，铜铟镓20呈固体管状包覆于芯棒23上成为铜铟镓的靶材管13。靶材管外表面与加热器内表面形成套管空间14。在该套管空间内靶材管被加热器加热蒸发，产生铜铟镓蒸气，同时利用工艺气体通道19引入的硒蒸气或硒化氢（H₂S）作工艺气体，形成混合气体。 

该混合气体在套管空间14引导下流出加热器与保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口15，沉积在传动装置6连续传送到狭缝开口的玻璃基片16的已有导电膜层（Mo膜）之上，再经热处理段进一步硒化处理后，结晶形成太阳能吸收层——铜铟镓硒膜层。 

上述设备中如图6和图7所示，在每台热蒸发沉积装置之后，设有稳定热量、蒸气压或蒸气分压、对未沉积蒸气起反射功能、与基片共同形成狭缝的辅助沉积结晶板8。辅助沉积结构板由碳化硅(SiC)加石墨烧结而成，有通电加热功能。 

铜铟镓靶材管中的芯棒具有通冷却液和/或加温液的管道。在真空设备制造技术中，引入冷却液和/或加温液属于成熟技术，在此不作赘述。 

铜铟镓靶材管中的芯棒具有电加热功能。在真空设备制造技术中，引入电源属于成熟技术，在此不作赘述。 

芯棒是SiC（或SiC+石墨或氧化硅铝或石英材料）制成。 

靶材管可旋转和/或轴向摆动，使靶材管被均匀蒸发。在真空设备制造技术中，引入旋转和/或轴向摆动属于成熟技术，在此不作赘述。 

靶材管也可以是铜铟镓硒材料经等静压成型，烧结成管状，装配在陶瓷芯棒上制成的靶材管，也可以是铜铟镓硒材料经等离子体热喷涂沉积在芯棒上形成的，靶材管材料的化学配比与前述相同，不再赘述。同时利用工艺气体通道19，引入的硒蒸气或硒化氢（H₂S）作硒元素补充。 

传动装置6使基片呈水平方向运动，气体流出狭缝开口呈水平方向安装，铜铟镓硒蒸气在套管空间内较高温度下反应化合，使铜铟镓硒充分硒化，由上往下沉积在连续运动的玻璃基片的已有导电膜层（Mo膜）之上。 

玻璃基片紧靠气体流出狭缝开口。该狭缝开口距基片沉积面距离依基片宽度而定，其距离为：基片宽度小于300mm，距离为1～3mm；基片宽度小于630mm，距离为2～4mm。 

基片靠近狭缝开口前，基片被加热，基片温度最优在450～500℃。 

基片送到狭缝状开口附近，沉积膜层之后，对沉积膜层设有一段稳定结晶的热处理段，热处理段的基片温度在450～500℃。 

选用含铁量低于0.012%的钠钙普通超白玻璃，不使用耐高温的高硼硅或高硼硅铝玻璃，大大节约基片成本。 

该设备可以以连续生产的方式在规格1200x600 mm的玻璃基片的已有导电膜层（Mo膜层）之上，制出满足铜铟镓硒太阳能电池技术要求的膜层厚度达2μm的铜铟镓硒膜层。 

该设备可以以连续生产的方式在规格达1200mmx600mm的玻璃基片的已有透明导电膜层（TCO）和硫化镉膜层之上，制出满足碲化镉太阳能电池技术要求膜层厚度达2～4μm的碲化镉多晶膜层。 

实施例3 

图6、图7和图8给出了本实施例3设备结构示意图。本实施例3设备基本与实施例2同，不同处采用于放卷室21、收卷室22，无风冷室。该设备适用于在规格为幅宽600 mm的不锈钢基片的已有导电膜层（Mo膜）之上沉积太阳能吸收膜层——铜铟镓硒膜层，铜铟镓硒膜层厚度2μm，生产方式为卷对卷连续式生产。

该设备有三台热蒸发沉积装置5，按膜层沉积顺序分别沉积富铟的铜铟镓硒、富铜的铜铟镓硒和富铟的铜铟镓硒膜层。每台热蒸发沉积装置5的结构与实施例2的热蒸发沉积装置相似，在此不再赘述。 

上述设备中如图7、图8所示，在每个热蒸发沉积装置之后，设有辅助沉积结晶板8。辅助沉积结构板的结构与实施例2的辅助沉积结构板相似，在此不再赘述。 

该设备如图8所示按本实用新型所述分为放卷室、沉积室（加热段、沉积段、热处理段）、收卷室，放卷室和收卷室的两端分别设置密封门锁21—1、21—2、22—1、22—2，将沉积室(设备中部)与大气隔绝。放卷室、收卷室和沉积室（中部的加热段、沉积段、热处理段）分别设置抽气系统和保护气体充气系统。上述的放卷机构、收卷机构、密封门锁、抽气和充气系统在现有真空设备制造中属于成熟技术，不再赘述。 

在放卷室，开密封门锁21—1，在大气状态下装入不锈钢卷材，第一次生产需穿不锈钢基片至收卷机构，正常生产只将新换不锈钢卷材的头部与上一卷材的尾部焊接，关密封门锁21—1，抽气至8x10^-2Pa,充保护气体使真空度至500±10Pa，开密封门锁21—2，连续放送不锈钢基片至加热段，一卷不锈钢基片快放完时，停止放卷，关密封门锁21—2，充保护气体使室内气压略低于或等于大气压，更换新的一卷不锈钢卷材。上述为一卷不锈钢卷材放卷循环。 

在沉积室（中部的加热段、沉积段、热处理段），开始加热前，抽气至8x10^-2Pa,再充保护气体使真空度至500Pa,再加热；正常工作时，抽气和充保护气体维持真空度稳定在500±10Pa。 

在收卷室，当收卷的不锈钢卷材达规定卷径时，开密封门锁22—1，充保护气体至室内真空度等于或略低于大气压，开密封门锁22—2，更换收卷辊，关密封门锁22—2，抽气至8x10^-2Pa, 充保护气体至室内真空度至500±10Pa，开密封门锁22—2，继续收卷不锈钢基片。上述为一个收卷循环。 

铜铟镓硒靶材管中的芯棒与实施例2的芯棒相似，在此不再赘述。 

传动装置使不锈钢基片在沉积段呈水平方向运动，气体流出狭缝开口呈水平方向安装，铜铟镓硒蒸气和硒蒸气或硒化氢蒸气由下往上沉积在连续运动的已有导电膜层（Mo膜）的不锈钢基片上，经结晶形成铜铟镓硒膜层。 

沉积膜层之后设有一辅助沉积结晶板8如图7、图8所示，该板与实施例1的辅助沉积板相似，不再赘述。 

不锈钢基片紧靠气体流出狭缝开口与实施例2的间隙相同，在此不再赘述。 

不锈钢基片靠近狭缝开口前，被加热，加热温度最优在450～500℃。 

不锈钢基片送到狭缝状开口附近，沉积膜层之后，对沉积膜层设有一段稳定结晶的热处理段，热处理段的不锈钢基片温度最优在450～500℃。 

该设备可以以连续生产的方式，在幅宽600 mm不锈钢卷材的已有导电膜层（Mo膜）之上，制出满足铜铟镓硒太阳能电池技术要求的厚度达2μm的铜铟镓硒膜层。 

实施例4 

图9、图10给出了本实施例4二氧化锡膜层蒸发沉积设备结构示意图。本实施例4设备基本与实施例2相同，不同处在于只采用一台热蒸发沉积装置5。二氧化锡膜层蒸发沉积设备适用于在玻璃基片上沉积二氧化锡膜层作为透明导电膜层（TFO），基片规格为1200mx600mm，二氧化锡膜层厚度250nm，面电阻10Ω/□，光透过率约为80%，生产方式为连续式生产。

热蒸发沉积装置5如图10所示。有一个管状加热器10，一个与加热器组合对加热器保温隔热的管状保温隔热外罩11，管状加热器与管状保温隔热外罩之间有工艺和/或驱动气体通道19，一个二氧化锡呈固体管状包覆于芯棒12上成为热蒸发材料的靶材管13，靶材管外表面与加热器内表面形成套管空间14，在该套管空间内靶材管被加热器加热蒸发，同时利用工艺气体通道19引入的氟化氢(HF)或三氟醋酸（TFA）作工艺气体，形成混合气体。混合气体在蒸气压作用下和套管空间约束引导下流向加热器与保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口15，沉积在传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃基片16上，经结晶形成二氧化锡透明导电膜层（TFO）。 

在热蒸发沉积装置之后，设有稳定热量、蒸气压或蒸气分压、对未沉积蒸气起反射功能、与基片共同形成狭缝的辅助沉积结晶板8。辅助沉积结构板由陶瓷烧结制成，优选的是由碳化硅(SiC)加石墨烧结而成，有通电加热功能。 

管状加热器是碳化硅(SiC)加石墨烧结而成，其上有内、外表面贯通的微缝和/或微孔，微缝小于20μm，微孔平均应小于20μm。保温隔热外罩管状体是氧化硅铝陶瓷烧结而成。 

二氧化锡材料经等静压成型，烧结成管状，装配在陶瓷芯棒上制成的靶材管，也可以是二氧化锡材料经等离子体热喷涂沉积在芯棒上形成的。 

芯棒是SiC（或SiC+石墨或氧化硅铝或石英材料）制成。 

该设备采用本实用新型所述的靶材管和芯棒可旋转和/或轴向摆动。在真空设备制造技术中，引入旋转或轴向摆动属于成熟技术，在此不作赘述。 

传动装置使基片呈水平方向运动，气体流出狭缝开口呈水平方向安装，二氧化锡蒸气由上往下沉积在以1m/min速度连续运动的玻璃基片上，经结晶形成二氧化锡膜层。 

玻璃基片，选用含铁量低于0.012%的钠钙普通超白玻璃。 

该设备可以以连续生产的方式在规格达1200mmx600mm的玻璃基片的上，制备的二氧化锡膜层厚度250nm，面电阻10Ω/□，光透过率约为80%。 

上述实施例是对本实用新型的上述内容作进一步的说明，但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于上述实施例。凡基于上述内容所实现的技术均属于本实用新型的范围。 

Claims (10)

1.在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备至少有一台热蒸发沉积装置，该装置有管状加热器，与管状加热器组合对管状加热器保温隔热的管状保温隔热外罩，导电膜材料或半导体材料呈固体管状包覆于芯棒上成为热蒸发的靶材管，靶材管外表面与管状加热器内表面形成套管空间，在套管空间内靶材管被加热器加热蒸发，产生的蒸气在套管空间引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口、沉积在传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层。

2.如权利要求1所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状加热器具有渗透性微孔和/或微缝，管状加热器与管状保温隔热外罩之间有工艺和/或驱动气体通道，工艺和/或驱动气体从管状保温隔热外罩引入工艺和/或驱动气体通道、并能向内渗透过管状加热器与靶材管受热产生的蒸气在套管空间中产生化合反应和/或混合，驱动蒸气在套管空间引导下流向管状加热器与管状保温隔热外罩共同组成的轴向的气体流出的狭缝开口，蒸气沉积在经传动装置连续传送到狭缝开口的玻璃或金属基片上，经结晶形成导电膜或半导体膜层。

3.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于在热蒸发沉积装置之后，设有稳定热量、蒸气压或蒸气分压、对未沉积蒸气起反射功能、与基片共同形成狭缝的辅助沉积结晶板。

4.如权利要求3所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于辅助沉积结晶板与基片共同形成的狭缝间隙为3～15mm，辅助沉积结晶板在基片前进方向的长度为300～1500mm。

5.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状加热器上有内、外表面贯通的微缝和/或微孔。

6.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于管状保温隔热外罩外有用不锈钢金属板包覆复合保温隔热纤维或保温隔热陶瓷组成的保温隔热层，不锈钢金属板外布置有通冷却介质管路。

7.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备有靶材管移出送进机构。

8.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于设备中有进片室或放卷室、有加热段、沉积段、热处理段的沉积室和出片室或收卷室，热蒸发沉积装置位于沉积室中，进片室或放卷室、出片室或收卷室的两端设置密封门锁，将沉积室与大气隔绝，至少在沉积室中设置抽气系统和保护气体充气系统。

9.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于靶材管中的芯棒有通冷却液和/或加温液的通道。

10.如权利要求1或2所述的在基片上沉积导电膜或半导体材料的设备，其特征在于传动装置的基片沉积膜面距轴向气体流出的狭缝开口距离为0.3～20mm。

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