JPH04308076A - 昇華性物質真空蒸着装置 - Google Patents
昇華性物質真空蒸着装置Info
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- JPH04308076A JPH04308076A JP3070819A JP7081991A JPH04308076A JP H04308076 A JPH04308076 A JP H04308076A JP 3070819 A JP3070819 A JP 3070819A JP 7081991 A JP7081991 A JP 7081991A JP H04308076 A JPH04308076 A JP H04308076A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ等
の昇華性物質を加熱する加熱装置を有した昇華性物質真
空蒸着装置に関する。
の昇華性物質を加熱する加熱装置を有した昇華性物質真
空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、紙、プラスチック・フィルム等の
基板にＳｉＯ２ ，ＳｉＯ等の昇華性物質を蒸着する薄
膜形成は、図２に示すような装置で行なわれている。
基板にＳｉＯ２ ，ＳｉＯ等の昇華性物質を蒸着する薄
膜形成は、図２に示すような装置で行なわれている。
【０００３】図２において、巻取りリール６によりコイ
ル状に巻かれた基板１は、蒸着室２内にデフレクタロー
ル３および冷却ロール４を介して巻取りリール５に連絡
して装填されている。基板１は、蒸着室２内が排気ポン
プユニット１２により所定の真空度に達した後、巻取り
リール６より走行し、冷却ロール４上で蒸着時の加熱に
よる温度上昇を減ずるように冷却されながら、蒸着装置
７により蒸着され、巻取りリール５に巻き取られる。
ル状に巻かれた基板１は、蒸着室２内にデフレクタロー
ル３および冷却ロール４を介して巻取りリール５に連絡
して装填されている。基板１は、蒸着室２内が排気ポン
プユニット１２により所定の真空度に達した後、巻取り
リール６より走行し、冷却ロール４上で蒸着時の加熱に
よる温度上昇を減ずるように冷却されながら、蒸着装置
７により蒸着され、巻取りリール５に巻き取られる。
【０００４】蒸着装置７は図３に示すように、蒸着材８
、基板１の巾方向に一定間隔を置いて複数個配設され且
つ蒸着材８を収納する収納容器９および、該容器９の加
熱装置１０から構成され、蒸着材８を走行基板１に向け
蒸発させる。
、基板１の巾方向に一定間隔を置いて複数個配設され且
つ蒸着材８を収納する収納容器９および、該容器９の加
熱装置１０から構成され、蒸着材８を走行基板１に向け
蒸発させる。
【０００５】例えば、アルミニウムを蒸着する場合に、
従来用いていた収納容器９の材料は、グラファイトであ
るが、ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ等の昇華性物質を蒸着する場
合の適切な収納容器９の材料は、まだ知られていなかっ
た。
従来用いていた収納容器９の材料は、グラファイトであ
るが、ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ等の昇華性物質を蒸着する場
合の適切な収納容器９の材料は、まだ知られていなかっ
た。
【０００６】この蒸着の時、蒸発した蒸発材８は、直上
のみならず、斜め方向にも広がって飛ぶため基板１から
外れた冷却ロール４自体に付着しないよう基板１の両端
部と隙間を有し、かつ、両端部とオーバラップするよう
に位置してエッジマスク１１が設置されている。
のみならず、斜め方向にも広がって飛ぶため基板１から
外れた冷却ロール４自体に付着しないよう基板１の両端
部と隙間を有し、かつ、両端部とオーバラップするよう
に位置してエッジマスク１１が設置されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は、図３の
ように収納容器９を走行基板１の巾方向に複数個配設し
ているので、巾方向に蒸着膜厚みに分布ができる。収納
容器９内で反応を伴って蒸発せしめる場合、例えばＳｉ
Ｏ２ ，Ｓｉを収納容器に入れ、高温でＳｉＯ２ ＋Ｓ
ｉ→２ＳｉＯ （気体）の反応をおこさせてＳｉＯ蒸
気を得ることとしている。 このとき、反応の発生位置である収納容器９の位置に依
存して、巾方向に蒸着膜厚みに分布ができる。
ように収納容器９を走行基板１の巾方向に複数個配設し
ているので、巾方向に蒸着膜厚みに分布ができる。収納
容器９内で反応を伴って蒸発せしめる場合、例えばＳｉ
Ｏ２ ，Ｓｉを収納容器に入れ、高温でＳｉＯ２ ＋Ｓ
ｉ→２ＳｉＯ （気体）の反応をおこさせてＳｉＯ蒸
気を得ることとしている。 このとき、反応の発生位置である収納容器９の位置に依
存して、巾方向に蒸着膜厚みに分布ができる。
【０００８】一方、蒸着材の蒸発速度は蒸着材の温度が
高い程大きい。従って、蒸着材が溶融する物質の場合は
、収納容器内で蒸着材が溶融し蒸着材の温度はほぼ均一
になるため従来の加熱装置においても問題ないが、蒸着
材が昇華性物質の場合は、溶融しないため蒸着材内部に
空隙が存在し、該空隙が熱伝導を低くして見掛け上熱伝
導率が小さくなる。蒸着材内部では、該蒸着材の見掛け
の熱伝導率に応じた温度差が発生し、従来の装置のよう
に蒸発面以外の部分から加熱すると収納容器の温度が高
くなり、該容器の耐熱性、あるいは該容器と蒸着材との
反応による容器材料の消耗等の問題があった。
高い程大きい。従って、蒸着材が溶融する物質の場合は
、収納容器内で蒸着材が溶融し蒸着材の温度はほぼ均一
になるため従来の加熱装置においても問題ないが、蒸着
材が昇華性物質の場合は、溶融しないため蒸着材内部に
空隙が存在し、該空隙が熱伝導を低くして見掛け上熱伝
導率が小さくなる。蒸着材内部では、該蒸着材の見掛け
の熱伝導率に応じた温度差が発生し、従来の装置のよう
に蒸発面以外の部分から加熱すると収納容器の温度が高
くなり、該容器の耐熱性、あるいは該容器と蒸着材との
反応による容器材料の消耗等の問題があった。
【０００９】本発明は上記技術水準に鑑み、従来技術の
有する不具合を解消し、基板に昇華性物質を均一に蒸着
させることができ、かつ昇華性物質と収納容器との反応
による該容器の消耗の問題が生じない昇華性物質真空蒸
着装置を提供しようとするものである。
有する不具合を解消し、基板に昇華性物質を均一に蒸着
させることができ、かつ昇華性物質と収納容器との反応
による該容器の消耗の問題が生じない昇華性物質真空蒸
着装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る華性物質
真空蒸着装置は、昇華性物質を蒸着する昇降性物質真空
蒸着装置において、蒸着物質を収納する溶着容器をグラ
ファイトで該蒸着物質をとり囲むように構成し、該収納
容器に蒸着物質の蒸発面積より断面積の小さいスリット
状のノズルを設けた加熱体を設置してなることを特徴と
するものである。
真空蒸着装置は、昇華性物質を蒸着する昇降性物質真空
蒸着装置において、蒸着物質を収納する溶着容器をグラ
ファイトで該蒸着物質をとり囲むように構成し、該収納
容器に蒸着物質の蒸発面積より断面積の小さいスリット
状のノズルを設けた加熱体を設置してなることを特徴と
するものである。
【００１１】請求項２に係る昇華性物質真空蒸着装置は
、収納容器の内表面に、ＳｉＣ膜を形成したことを特徴
とするものである。
、収納容器の内表面に、ＳｉＣ膜を形成したことを特徴
とするものである。
【００１２】
【作用】請求項１及び請求項２の発明においては、以下
のような作用を有する。
のような作用を有する。
【００１３】収納容器内の蒸発面積より狭い断面積のス
リット状の２次元ノズルを設置することによって、蒸発
したガスはノズル部で加速され、巾方向に均一な流速で
噴出する。
リット状の２次元ノズルを設置することによって、蒸発
したガスはノズル部で加速され、巾方向に均一な流速で
噴出する。
【００１４】蒸発面に対向して、加熱体を設置すること
によって、蒸発面は直接放射加熱され、蒸発潜熱を補わ
れる。従って、蒸着材料内で最高温度を示す部分は蒸発
面になる。
によって、蒸発面は直接放射加熱され、蒸発潜熱を補わ
れる。従って、蒸着材料内で最高温度を示す部分は蒸発
面になる。
【００１５】スリット状の２次元ノズルを構成する材料
の温度は蒸発面温度以上となるため、スリットのノズル
内表面に蒸着材が凝固することがない。
の温度は蒸発面温度以上となるため、スリットのノズル
内表面に蒸着材が凝固することがない。
【００１６】さらに、請求項２の発明においては、Ｓｉ
Ｏ膜により、ＳｉＯ及びＳｉＯ２ 等の蒸気を、他の成
分のガス発生の影響を小さくしつつ、発生させる。
Ｏ膜により、ＳｉＯ及びＳｉＯ２ 等の蒸気を、他の成
分のガス発生の影響を小さくしつつ、発生させる。
【００１７】
【実施例】本発明の第１実施例に昇華性物品真空蒸着装
置を図１に示し、この図に基づき本実施例を説明する。
置を図１に示し、この図に基づき本実施例を説明する。
【００１８】図１（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に本発明の
第１実施例として、ＳｉＯ蒸発装置の構成を示す。 （ａ）は該実施例装置の断面図、（ｂ）は被誘導加熱体
の平面図、（ｃ）は同側面図である。
第１実施例として、ＳｉＯ蒸発装置の構成を示す。 （ａ）は該実施例装置の断面図、（ｂ）は被誘導加熱体
の平面図、（ｃ）は同側面図である。
【００１９】図１において、１００は蒸着材（ＳｉＯ，
Ｓｉ，ＳｉＯ２ の混合ペレット）、１０１は走行基板
、１０２は誘導加熱コイル、１０３は被誘導加熱体、１
０４は収納容器、１０５は防熱板、１０６は断熱レンガ
、１０７はノズル部、１０８はノズル部１０７を構成す
る壁面である。
Ｓｉ，ＳｉＯ２ の混合ペレット）、１０１は走行基板
、１０２は誘導加熱コイル、１０３は被誘導加熱体、１
０４は収納容器、１０５は防熱板、１０６は断熱レンガ
、１０７はノズル部、１０８はノズル部１０７を構成す
る壁面である。
【００２０】すなわち、収納容器１０４は、蒸着材１０
０を収納し蒸発させる部材であり、被誘導加熱体１０３
には、壁面１０８にスリット状のノズル部１０７が形成
されていて、このノズル部１０７より蒸発した材料が噴
出することとなる。尚、収納容器１０４及び被誘導加熱
体１０３の材質は、グラファイトである。
０を収納し蒸発させる部材であり、被誘導加熱体１０３
には、壁面１０８にスリット状のノズル部１０７が形成
されていて、このノズル部１０７より蒸発した材料が噴
出することとなる。尚、収納容器１０４及び被誘導加熱
体１０３の材質は、グラファイトである。
【００２１】そして、蒸着材１００の蒸発面に対向して
被誘導加熱体１０３の下面が構成されるように、被誘導
加熱体１０３を収納容器１０４の上部に設置する。
被誘導加熱体１０３の下面が構成されるように、被誘導
加熱体１０３を収納容器１０４の上部に設置する。
【００２２】また、該被誘導加熱体１０３および収納容
器１０４の周囲は、防熱板１０５で覆われている。収納
容器１０４は図１（ａ）に示すように断熱レンガ１０６
の上に、被誘導加熱体１０３は図１（ｂ），（ｃ）に示
すように収納容器１０４の上に設置される。
器１０４の周囲は、防熱板１０５で覆われている。収納
容器１０４は図１（ａ）に示すように断熱レンガ１０６
の上に、被誘導加熱体１０３は図１（ｂ），（ｃ）に示
すように収納容器１０４の上に設置される。
【００２３】被誘導加熱体１０３は誘導加熱コイル１０
２によって生じる交番磁界によって誘導加熱され、さら
に収納容器１０４内の空間を介して蒸着材１００の蒸発
面を放射加熱する。蒸着材１００の蒸発面は放射加熱さ
れＳｉＯを蒸発する。蒸発したＳｉＯは、収納容器のノ
ズル部１０７で幅方向（図１（ａ）上、紙面に垂直方向
）に速度分布が均一化され、収納容器１０４の外へ噴出
し、走行基板１０１に蒸着する。
２によって生じる交番磁界によって誘導加熱され、さら
に収納容器１０４内の空間を介して蒸着材１００の蒸発
面を放射加熱する。蒸着材１００の蒸発面は放射加熱さ
れＳｉＯを蒸発する。蒸発したＳｉＯは、収納容器のノ
ズル部１０７で幅方向（図１（ａ）上、紙面に垂直方向
）に速度分布が均一化され、収納容器１０４の外へ噴出
し、走行基板１０１に蒸着する。
【００２４】次に、本発明の第２実施例を図１に基づき
説明する。
説明する。
【００２５】第２実施例としては、図１に示す収納容器
１０４及び被誘導加熱体１０３の内表面にＳｉＣ膜を形
成したものを採用した。
１０４及び被誘導加熱体１０３の内表面にＳｉＣ膜を形
成したものを採用した。
【００２６】従って、第１実施例において、蒸着開始時
に、収納容器１０４内で発生したＳｉＯガスが収納容器
１０４及び被誘導加熱体１０３と反応して、ＣＯガスを
発生し真空度が低下する虞れを有していたが、第２実施
例では、このような虞れが生じないこととなる。
に、収納容器１０４内で発生したＳｉＯガスが収納容器
１０４及び被誘導加熱体１０３と反応して、ＣＯガスを
発生し真空度が低下する虞れを有していたが、第２実施
例では、このような虞れが生じないこととなる。
【００２７】つまり、第２実施例によれば、ＣＯガス発
生による真空度低下を解決し、良質の蒸着膜を得ること
が可能となった。
生による真空度低下を解決し、良質の蒸着膜を得ること
が可能となった。
【００２８】
【発明の効果】請求項１及び請求項２の発明に係る昇華
性物質真空蒸着装置によれば、昇華性物質を品質を向上
しつつ走行基板の幅方向均一に蒸着することができる。 さらに、収納容器の温度を必要以上に高くする必要がな
くなり、収納容器の消耗も防止される。
性物質真空蒸着装置によれば、昇華性物質を品質を向上
しつつ走行基板の幅方向均一に蒸着することができる。 さらに、収納容器の温度を必要以上に高くする必要がな
くなり、収納容器の消耗も防止される。
【００２９】また、ノズルを構成する部材が加熱体で形
成されていて、ノズルの温度が蒸発面温度以上に保たれ
るため、ノズル内表面に蒸着材が凝固することがない。
成されていて、ノズルの温度が蒸発面温度以上に保たれ
るため、ノズル内表面に蒸着材が凝固することがない。
【図１】本発明の実施例に係るＳｉＯ蒸発装置を表した
ものであり、（ａ）はＳｉＯ蒸発装置の断面図、（ｂ）
は（ａ）に表わされる被誘導加熱体の平面図、（ｃ）は
（ａ）に表わされる被誘導加熱体の側面図である。
ものであり、（ａ）はＳｉＯ蒸発装置の断面図、（ｂ）
は（ａ）に表わされる被誘導加熱体の平面図、（ｃ）は
（ａ）に表わされる被誘導加熱体の側面図である。
【図２】従来の技術による昇華性物質の真空蒸発装置の
構成図である。
構成図である。
【図３】図２に示す装置における昇華性物質の収納容器
の配置を表す説明図である。
の配置を表す説明図である。
１，１０１ 走行基板
２ 蒸着室
３ デフレクタロール
４ 冷却ロール
５，６ 巻取りリール
７ 蒸着装置
８ 蒸着材
９，１０４ 収納容器
１０ 加熱装置
１０２ 誘導加熱コイル
１０３ 被誘導加熱体
１０５ 防熱板
１０６ 断熱レンガ
１０７ ノズル部
１０８ ノズル部を構成する壁面
Claims (2)
- 【請求項１】 昇華性物質を蒸着する昇華性物質真空
蒸着装置において、蒸着物質を収納する収納容器をグラ
ファイトで該蒸着物質をとり囲むように構成し、該収納
容器に蒸着物質の蒸発面積より断面積の小さいスリット
状のノズルを設けた加熱体を設置してなることを特徴と
する昇華性物質真空蒸着装置。 - 【請求項２】 収納容器の内表面に、ＳｉＣ膜を形成
したことを特徴とする請求項１記載の昇華性物質真空蒸
着装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070819A JPH04308076A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 昇華性物質真空蒸着装置 |
| EP91122029A EP0510259B1 (en) | 1991-04-03 | 1991-12-20 | Apparatus for vacuum deposition of a sublimable substance |
| DE69111593T DE69111593T2 (de) | 1991-04-03 | 1991-12-20 | Vorrichtung zum Vakuum-Aufdampfen von einer sublimierbaren Substanz. |
| US07/815,198 US5272298A (en) | 1991-04-03 | 1991-12-31 | Apparatus for vacuum deposition of sublimative substance |
| KR1019920005605A KR940011707B1 (ko) | 1991-04-03 | 1992-04-03 | 승화성물질 진공증착장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3070819A JPH04308076A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 昇華性物質真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04308076A true JPH04308076A (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=13442567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3070819A Withdrawn JPH04308076A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 昇華性物質真空蒸着装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5272298A (ja) |
| EP (1) | EP0510259B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04308076A (ja) |
| KR (1) | KR940011707B1 (ja) |
| DE (1) | DE69111593T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003502494A (ja) * | 1998-11-12 | 2003-01-21 | フレックス プロダクツ インコーポレイテッド | 直線開口蒸着装置および被覆方法 |
| JP2017186603A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社アルバック | 蒸発源、真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4310745C2 (de) * | 1993-04-01 | 1999-07-08 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von SiC-Einkristallen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| JPH08269696A (ja) * | 1995-03-28 | 1996-10-15 | Nisshin Steel Co Ltd | Ｍｇの蒸発方法 |
| CH692000A5 (de) * | 1995-11-13 | 2001-12-31 | Unaxis Balzers Ag | Beschichtungskammer, Substratträger hierfür, Verfahren zum Vakuumbedampfen sowie Beschichtungsverfahren. |
| AU2522299A (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-25 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Device for coating substrates with a vaporized material under low pressure or ina vacuum using a vaporized material source |
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