JPH03170660A - 昇華性物質真空蒸着装置 - Google Patents
昇華性物質真空蒸着装置Info
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- JPH03170660A JPH03170660A JP30774689A JP30774689A JPH03170660A JP H03170660 A JPH03170660 A JP H03170660A JP 30774689 A JP30774689 A JP 30774689A JP 30774689 A JP30774689 A JP 30774689A JP H03170660 A JPH03170660 A JP H03170660A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＳＩ０２ ， ＳｉＤ等の昇華性物質を蒸着
する装置に適用される蒸着物質の加熱装置に関する。
する装置に適用される蒸着物質の加熱装置に関する。
従来、紙、プラスチック・フィルム等の基板にＳ＋０２
， ＳｔＯ等の昇華性物質を蒸着する薄膜形戊は、第２
図に示すような装置で行なわれている。
， ＳｔＯ等の昇華性物質を蒸着する薄膜形戊は、第２
図に示すような装置で行なわれている。
第２図において、コイル状に巻かれた基板１は蒸着室２
内にデフレククロール３および冷却ロール４を介して巻
取リール５に連絡して装填されている。基板１は蒸着室
２内が排気ボンブユニット１２により、所定の真空度に
達した後、巻取リリール５により走行し、冷却ロール４
上で蒸着時の加熱による温度上昇を減ずるように冷却さ
れながら、蒸着装置７により蒸着され、巻取ロール６に
巻取られる。
内にデフレククロール３および冷却ロール４を介して巻
取リール５に連絡して装填されている。基板１は蒸着室
２内が排気ボンブユニット１２により、所定の真空度に
達した後、巻取リリール５により走行し、冷却ロール４
上で蒸着時の加熱による温度上昇を減ずるように冷却さ
れながら、蒸着装置７により蒸着され、巻取ロール６に
巻取られる。
蒸着装置７は第３図に示すように蒸着材８と基板１の巾
方向に一定間隔を置いて複数個配設され、蒸着材８を収
納する収納容器９および該容器９の加熱装置１０から構
成され、蒸着材８を走行基板１に向け蒸発させる。
方向に一定間隔を置いて複数個配設され、蒸着材８を収
納する収納容器９および該容器９の加熱装置１０から構
成され、蒸着材８を走行基板１に向け蒸発させる。
この時蒸発した蒸発材８は、直上のみならず、斜め方向
にも広がって飛ぶため基板ｌから外れた冷却ロール４白
体に付着しないよう基板ｉの両端部と隙間を有し、かつ
、両端部とオーバラツプするように位置してエッジマス
ク１ｌが設置されている。
にも広がって飛ぶため基板ｌから外れた冷却ロール４白
体に付着しないよう基板ｉの両端部と隙間を有し、かつ
、両端部とオーバラツプするように位置してエッジマス
ク１ｌが設置されている。
従来の装置は、第３図のように収納容器を走行基板の巾
方向に複数個配設しているので、巾方向に蒸着膜厚みに
分布ができる。
方向に複数個配設しているので、巾方向に蒸着膜厚みに
分布ができる。
収納容器内で反応を伴って蒸発せしめる場合、例えばＳ
ｌ０２とＳｉを収納容器に入れ、高温でＳｉＯ２＋ Ｓ
ｉ → ２ＳｉＯ（気体〉の反応をおこさせてＳｉＯ
蒸気を得る場合、反応の発生位置に依存して巾方向に蒸
着膜厚みに分布ができる。
ｌ０２とＳｉを収納容器に入れ、高温でＳｉＯ２＋ Ｓ
ｉ → ２ＳｉＯ（気体〉の反応をおこさせてＳｉＯ
蒸気を得る場合、反応の発生位置に依存して巾方向に蒸
着膜厚みに分布ができる。
蒸着材の蒸発速度は蒸着材の温度が高い程大きい。蒸着
材が溶融する物質の場合は収納容器内で蒸着材が溶融し
蒸着材の温度はほぼ均一になるため従来の加熱装置にお
いても問題ないが、蒸着材が昇華性物質の場合は溶融し
ないため蒸着材内部に空隙が存在し、該空隙が熱伝導を
低くして見掛け上熱伝導率が小さくなる。蒸着材内部で
は、該蒸着材の見掛けの熱伝導率に応じた温度差が発生
し、従来の装置のように蒸発面以外の部分から加熱する
と収納容器の温度が高くなり、該容器の耐熱性、あるい
は該容器と蒸着材との反応による容器材料の消耗等の問
題があった。
材が溶融する物質の場合は収納容器内で蒸着材が溶融し
蒸着材の温度はほぼ均一になるため従来の加熱装置にお
いても問題ないが、蒸着材が昇華性物質の場合は溶融し
ないため蒸着材内部に空隙が存在し、該空隙が熱伝導を
低くして見掛け上熱伝導率が小さくなる。蒸着材内部で
は、該蒸着材の見掛けの熱伝導率に応じた温度差が発生
し、従来の装置のように蒸発面以外の部分から加熱する
と収納容器の温度が高くなり、該容器の耐熱性、あるい
は該容器と蒸着材との反応による容器材料の消耗等の問
題があった。
本発明は上記技術水準に鑑み、従来技術の有する不具合
を解消し、基板に昇華性物質を均一に蒸着させることが
でき、かつ昇華性物質と収納容器と反応による該容器の
消耗の問題が生じない昇華性物質真空蒸着装置を提供し
ようとするものである。
を解消し、基板に昇華性物質を均一に蒸着させることが
でき、かつ昇華性物質と収納容器と反応による該容器の
消耗の問題が生じない昇華性物質真空蒸着装置を提供し
ようとするものである。
本発明は昇華性物質を蒸着する装置において、蒸着物質
の収納容器を該蒸着物質と反応しない金属で該蒸着物質
をとり囲むように構成し、該収納容器に蒸着物質の蒸発
面積より断面積の小さいスリット状のノズルを設けると
ともに、蒸着物質の蒸発面に面する収納容器壁およびス
リット状ノズルを構戊する壁の外側近傍に、加熱体を設
置してなることを特徴とする昇華性物質真空蒸着装置で
ある。
の収納容器を該蒸着物質と反応しない金属で該蒸着物質
をとり囲むように構成し、該収納容器に蒸着物質の蒸発
面積より断面積の小さいスリット状のノズルを設けると
ともに、蒸着物質の蒸発面に面する収納容器壁およびス
リット状ノズルを構戊する壁の外側近傍に、加熱体を設
置してなることを特徴とする昇華性物質真空蒸着装置で
ある。
収納容器内の蒸発面積より狭い断面積のスリット状の２
次元ノズルを設置することによって、蒸発したガスはノ
ズル部でカロ速され、巾方向に均一な流速で噴出する。
次元ノズルを設置することによって、蒸発したガスはノ
ズル部でカロ速され、巾方向に均一な流速で噴出する。
蒸発面に面して、加熱体を設置することによって、蒸発
面は直接放射加熱され、蒸発潜熱を補われる。従って、
蒸着材料内で最高温度を示す部分は蒸発面になる。
面は直接放射加熱され、蒸発潜熱を補われる。従って、
蒸着材料内で最高温度を示す部分は蒸発面になる。
スリット状の２次元ノズルを構成する材料の温度は、蒸
発面温度以上となるため、スリットノズル内表面に蒸着
材が凝固することがない。
発面温度以上となるため、スリットノズル内表面に蒸着
材が凝固することがない。
第１図（ａ）．（ｂ）及び（Ｃ）に本発明の一実施例と
して、ＳｉＯ蒸発装置の構戊を示す。（ａ）は該実施例
装置の断面図、（ロ）は被誘導加熱体の平面図、（Ｃ）
は同側面図である。
して、ＳｉＯ蒸発装置の構戊を示す。（ａ）は該実施例
装置の断面図、（ロ）は被誘導加熱体の平面図、（Ｃ）
は同側面図である。
第１図において、１００は蒸着材（ＳｉＯ， Ｓｉ，Ｓ
ｉｎ２の混合ベレッ｝） １０１は走行基板、１０
２は誘導加熱コイル、１０３は被誘導加熱体、１０３ａ
は同粱材、１０４は収納容器、１０５は防熱板、１０６
は断熱レンガ、１０７はノズル部である。
ｉｎ２の混合ベレッ｝） １０１は走行基板、１０
２は誘導加熱コイル、１０３は被誘導加熱体、１０３ａ
は同粱材、１０４は収納容器、１０５は防熱板、１０６
は断熱レンガ、１０７はノズル部である。
収納容器１０４は蒸着材１００を収納し蒸発させる部分
とその蒸発蒸気を加速して噴出させるノズル部１０７か
ら構戒される。収納容器の材質は高温で蒸着材料と反応
しないＴａ ， Ｍｏ等の薄板である。
とその蒸発蒸気を加速して噴出させるノズル部１０７か
ら構戒される。収納容器の材質は高温で蒸着材料と反応
しないＴａ ， Ｍｏ等の薄板である。
蒸発面に面した収納容器の面およびノズルを構戊する部
分１０７を加熱するように被誘導加熱体１０３を設置し
、該被誘導加熱体１０３および収納容器１０４の周囲は
防熱板１０５で覆われている。収納容器１０４は第ＩＥ
Ｉ（ａ）に示すように断熱レンガ１０６の上に、被誘導
加熱体１０３は第１図（ｂ）、（Ｃ）に示すように断熱
レンガ１０６の上に設置される。
分１０７を加熱するように被誘導加熱体１０３を設置し
、該被誘導加熱体１０３および収納容器１０４の周囲は
防熱板１０５で覆われている。収納容器１０４は第ＩＥ
Ｉ（ａ）に示すように断熱レンガ１０６の上に、被誘導
加熱体１０３は第１図（ｂ）、（Ｃ）に示すように断熱
レンガ１０６の上に設置される。
被誘導加熱体１０３は誘導加熱コイル１０２によって生
じる交番磁界によって誘導加熱され、さらに収納容器１
０４を介して蒸着材１００の蒸発面を放射加熱する。蒸
着材１００の蒸発面は放射加熱されＳｉＯを蒸発する。
じる交番磁界によって誘導加熱され、さらに収納容器１
０４を介して蒸着材１００の蒸発面を放射加熱する。蒸
着材１００の蒸発面は放射加熱されＳｉＯを蒸発する。
蒸発したＳｉＯは収納容器のノズル部１０７で幅方向（
紙面に垂直方向〉に速度分布が均一化され、収納容器１
０４の外へ噴出し、走行基板１０１に蒸着する。
紙面に垂直方向〉に速度分布が均一化され、収納容器１
０４の外へ噴出し、走行基板１０１に蒸着する。
本発明により、
（１） 昇華性物質を走行基板の幅方向に均一に蒸着
することができる。
することができる。
（２） ノズルを構成する材料の温度に蒸発面温度以
上に保たれるため、ノズル内表面に蒸着材が凝固するこ
とがない。
上に保たれるため、ノズル内表面に蒸着材が凝固するこ
とがない。
（３）蒸着材の最高温度は蒸発面温度となり、従来と同
じ蒸発量に対する収納容器の最高温度が低くなる。収納
容器の耐熱温度および蒸着材と収納容器材料との反応が
生じる温度によって蒸発速度限界が決まるので、収納容
器の温度が低下することによって、蒸発速度を増大する
ことができる。
じ蒸発量に対する収納容器の最高温度が低くなる。収納
容器の耐熱温度および蒸着材と収納容器材料との反応が
生じる温度によって蒸発速度限界が決まるので、収納容
器の温度が低下することによって、蒸発速度を増大する
ことができる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例であるＳｉＯ蒸着装置
の断面図、第１図（ロ）は（ａ）の被誘導加熱体の平面
図、第１図（Ｃ）は同側面図、第２図は従来の昇華性物
質の真空蒸着装置の構成図、第３図は従来装置における
昇華性物質の収納容器の配置の説明図である。
の断面図、第１図（ロ）は（ａ）の被誘導加熱体の平面
図、第１図（Ｃ）は同側面図、第２図は従来の昇華性物
質の真空蒸着装置の構成図、第３図は従来装置における
昇華性物質の収納容器の配置の説明図である。
Claims (1)
- 昇華性物質を蒸着する装置において、蒸着物質の収納容
器を該蒸着物質と反応しない金属で該蒸着物質をとり囲
むように構成し、該収納容器に蒸着物質の蒸発面積より
断面積の小さいスリット状のノズルを設けるとともに、
蒸着物質の蒸発面に面する収納容器壁およびスリット状
ノズルを構成する壁の外側近傍に、加熱体を設置してな
ることを特徴とする昇華性物質真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30774689A JPH03170660A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 昇華性物質真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30774689A JPH03170660A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 昇華性物質真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03170660A true JPH03170660A (ja) | 1991-07-24 |
Family
ID=17972770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30774689A Pending JPH03170660A (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 昇華性物質真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03170660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291589A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-10-19 | Eastman Kodak Co | 熱物理蒸着源 |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP30774689A patent/JPH03170660A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291589A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-10-19 | Eastman Kodak Co | 熱物理蒸着源 |
| JP4520059B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2010-08-04 | イーストマン コダック カンパニー | 熱物理蒸着源 |
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