JP4520059B2 - 熱物理蒸着源 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光層の熱物理蒸着法に関する。
【0002】
【従来の技術】
熱物理蒸着法は、蒸着源の容器又はハウジングに入れられた材料を気化温度まで加熱し、その蒸気が蒸着源から移動して被覆されるべき基板の上で凝縮することにより基板を被覆する周知の技法である。この方法は、気化されるべき材料を保持している蒸着源と被覆されるべき支持体との両方を、1.33×10-5〜1.33 Pa(10-7〜10-2 Torr)の範囲の圧力レベルにまで排気される容器に入れて実施される場合が多い。このような減圧は、蒸着源の温度は蒸着材料が気化する温度まで上昇するので、蒸着源を構成している材料又は蒸着源に含まれている蒸着材料と容器内部の雰囲気との望ましくない反応を回避する上で有用である。
【0003】
典型的に、蒸着源は電気抵抗材料でできており、その容器の壁部に電流を流すと当該材料の温度が上昇する。すると、壁部との接触による伝導及び壁部からの輻射線により、内部の蒸着材料が加熱される。典型的には、容器は箱のような形をしており、その開口部から蒸気が基板の方向へ漏れる(流出する)ようになっている。しかしながら、壁部の加熱方法には、容器を包囲するコイルからの輻射、適当なコイルによる容器の誘導加熱、電子衝撃、及び光源からの照射、をはじめとする他の方法も採用されている。
【0004】
もし、容器又はハウジングが、液漏れがないように材料から製作されるならば、気化が、固体からの昇華によるか、又は固体がまず溶融してできた液体からの蒸発によるかは、何ら問題にはならない。いずれにしても、容器が、石英、セラミック、付形カーボン材料、等のような耐熱性の液漏れしない材料でライニングされ得ること、そしてこのようなライナーが周囲の抵抗加熱装置により加熱されることは、よく知られている。
【0005】
熱物理蒸着源は、多種多様な材料、例えば、低温有機物、金属又は相当高温の無機化合物からなる層を、気化して基板上に付着させるのに用いられている。有機層を付着させる場合、出発材料は粉末状であることが典型的である。このような有機粉末は、この種の熱気化被覆法に問題をいくつか提起する。第一に、有機物の多くは、比較的複雑な化合物(高分子量)であって結合が比較的弱いため、気化過程中に分解しないように注意しなければならない。次に、粉末形態は、蒸気と共に蒸着源から出てきて基板上に望ましくない塊として付着する未気化電界発光材料の粒子を生ぜしめる可能性がある。このような塊は、基板上に形成された層に含まれる粒状物又は粒子包含物とも一般に呼ばれている。この現象は、粉末形態の表面積が非常に大きいため、水分や揮発性有機物を吸収保持又は吸着保持し、これが加熱時に放出されて、気体や粒状物が蒸着源から基板に向けて噴出する可能性がある点で、さらに一層悪化する。同様の事柄は、気化(蒸発)の前に溶融し、基板表面に向けて液滴を噴出し得る材料にも当てはまる。
【0006】
これらの望ましくない粒状物又は液滴が、製品、特に、暗い斑点が画像もしくはショートをもたらし、又は開口部が電子装置の破損となり得る、電子用途又は光学用途において許容できない欠陥となる。
【0007】
このような有機粉末装填物をより均一に加熱し、さらに粒状物や液滴が破裂して基板に到達することがないようにも設計された有機蒸着源の開発に、多大な努力が払われている。蒸気だけが出て行くことを確実にしようと、蒸着源材料と出口との間に、いろいろな設計の複雑なバフリング構造体を設けることが提案されている。例えば、米国特許第3,466,424号及び同第4,401,052号を参照されたい。また、有機蒸着材料と容器の高温部材との接触面積を最大化するために、手の込んだ様々な特徴が蒸着源材料容器の内部に付加されてもいる。例えば、米国特許第2,447,789号及び同第3,271,562号を参照されたい。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上述した従来技術の蒸着源にまつわる問題を解決する有機電界発光材料用の熱物理蒸着源を提供することにある。
本発明の別の目的は、電界発光材料粒状物が直接出ていかないようにすると同時に蒸気通過量を最大限に高めることができる簡略化されたバフル構造を有する熱物理蒸着源を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、熱慣性が小さい、すなわち蒸着源へのパワー入力の変動に対する温度応答速度が高い、熱物理蒸着源を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
これら及びその他の目的は、表示装置の形成において固体有機電界発光材料を気化させ且つ気化した電界発光材料を層として基板表面上に適用するための熱物理蒸着源であって、
a)気化され得る固体有機電界発光材料を受容する、底壁と複数の側壁とを有する囲いを画定するハウジングであって、その幅がwhであるものを含み;
b)前記ハウジングは、気化した電界発光材料を基板表面に向けて通過せしめるための幅wsの蒸気流出口スリットを画定し且つ導電性部分を有する上板によってさらに画定されており;
c)前記スリットに中心を置き、また前記複数の側壁との間に間隔をあけ、さらに前記上板との間に距離mを置いた幅bの導電性バフル部材であって、気化した電界発光材料が前記スリットに直接接近しないように且つ電界発光材料粒状物が前記スリットを通過しないように前記スリットを覆う透視線を実質的に提供するバフル部材を含み;
d)前記スリットの縁部から前記バフル部材の縁部を経て側壁に到達する直線投影が、上板との間の間隔が寸法Lとなるような位置を当該側壁上で画定し;
e)寸法比wh対wsは1.5〜6.0の範囲内、寸法比L対wsは2〜6の範囲内、そして寸法比m対Lは0.15〜0.40の範囲内にあり;そして
f)前記囲い内の固体有機電界発光材料を気化させるために当該材料に加えるべき熱を発生させるための電位差を前記ハウジングの各種部分に印加することにより、気化した電界発光材料が前記ハウジングの複数の側壁及び上板並びに前記バフル部材の上面で跳ね返り前記スリットを通って前記基板に達する一方、前記電界発光材料粒状物が前記スリットを通過するのを前記バフル部材によって妨げるようにした手段を含む、ことを特徴とする熱物理蒸着源によって達成される。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1、図2及び図3に、長方形の熱物理蒸着源1の透視図と断面図を示す。長方形の熱物理蒸着源1は、側壁12及び14、端壁16及び18並びに底壁15によって画定される長方形のハウジング10からなる。ハウジング10は固体の有機電界発光用蒸着材料40を初期レベル42まで含有する。ハウジングは、興味ある固体有機電界発光用蒸着材料を気化させるのに必要な高温に耐えられ且つ付形可能なものであれば、どのような材料でも構築することができる。壁に電流を流した時に、壁に続いてハウジング10に含まれる有機電界発光用蒸着材料40が輻射及び伝導により加熱されるに十分な温度にまで壁を抵抗加熱するように、電気抵抗率の比較的高い耐熱金属で壁を製作することができる。このようなハウジング材料は、当業者であれば周知であるが、多くの場合、機械的付形及び溶接がしやすいこと、機械的に丈夫な容器が得られる厚さthにおいて電気抵抗率が有用な範囲をとること、そして、気化に必要な温度において興味ある有機電界発光材料のほとんどに対する化学反応性が限られていることから、タンタルが特に魅力的な材料である。また、これらの壁を、高温誘電体材料、例えば、石英、パイレックスガラス、アルミナ、その他当業者に公知の数あるセラミック材料の1つ、で製作することもできる。特に、固体の有機電界発光用蒸着材料が溶融してから気化する場合には、溶融材料を含有するため、溶接された金属ハウジングよりも、上記の誘電体材料の方が有用であり得る。
【0011】
長方形熱物理蒸着源1の最後の六番目の壁は、蒸気流出口22を有する長方形の上板20である。蒸気流出口22は、長方形上板20の平面内においてハウジング10に関して中心に位置することが典型的である。蒸気流出口の機能は、気化した有機電界発光用蒸着材料をハウジング10から基板(例えば、図4中の基板102)の方向へ漏れされることである。
【0012】
蒸着材料40の粒状物又は液滴が流出口を通して基板の方向へ直接出ていくのを遮断するように、長方形の流出口22の下方に長方形のバフル部材30の中心を置く。本発明の特徴は、粒状物又は液滴が出ていく危険性が極力抑えられると同時に蒸気が出ていく確率が最大限に引き上げられるように、長方形熱物理蒸着源1と、長方形ハウジング10と、長方形上板20と、長方形流出口22と、長方形バフル部材30と、そしてバフル部材30の長方形上板20からの間隔との相対寸法の大きさを最適化するために、適切な寸法の組合せを選択したことにある。興味ある寸法を図5に示す。
【0013】
上板20は電気接続用フランジ21及び23を有し、これらを接続用クランプにより電源に接続することができる(図4参照)。図1及び図2に略示したように、上板20は、少なくともハウジング10の長辺側壁12、14に沿って延びるシールリップ25、27を有する。他のシール手段を構築し得ることは理解できよう。例えば、予め成形したセラミックシール(図示なし)をハウジング10の側壁12、14及び端壁16、18の各々の上に配置することができ、このようなシールにより上板20を封止するように係合することができる。
【0014】
ハウジング10は幅寸法whを有し、上板20の蒸気流出口22は幅寸法wsを有する。図2中の垂直中心線24で略示したように、蒸気流出口スリット22はハウジング10に関して中心に位置している。
【0015】
長方形バフル部材30は、バフル支持体32、34によって、上板20から間隔を置かれている。バフル支持体はバフル部材と上板とに対して、スポット溶接、リベット締め、その他の締結手段によって固定することができる。バフル部材30はバフル端末36、38を有し(図3参照)、また、バフル部材30の構造安定性を確保する特徴、例えば、リブその他の構造設計の形態で構築されたバフルスタビライザー31、を有することもできる。
【0016】
バフル部材30と蒸気流出口22との位置関係は、バフル部材30が、有機電界発光用蒸着材料40の粒状物又は液滴を蒸気流出口22から噴出させないようにすると同時に、気化する有機電界発光用材料40の分子がハウジング10内部のバフル部材30の周囲を経て最終的に蒸気流出口22から基板に向けて出ていくことを許容するような関係にある(図4参照)。
【0017】
上板の電気接続用フランジ21、23で電源と電気接続して電流を流すことにより、上板20とバフル部材30はどちらも抵抗加熱される。ハウジング10の少なくとも一部分を加熱したい場合には、ハウジングの壁厚thを、上板20からの輻射熱に加えて、ハウジング10の側壁、端壁及び底壁からの電流熱が固体の有機電界発光用蒸着材料40に付加され得る抵抗加熱通路を提供するように選定する。
熱物理蒸着源1は、その設計が長方形であるため線形蒸着源とも呼ばれる。
【0018】
本発明の熱物理蒸着源の、特に有機電界発光用蒸着材料40について使用する場合の重要な特徴は、長方形上板20と長方形バフル部材30とからの輻射熱が最上層、例えば、固体有機電界発光材料40の最上部に位置する初期層42、を輻射のみによって加熱するため、最上層が固体相から蒸気相へ変化する機会を最多化すると共に、最上位よりも下方に位置する固体有機電界発光材料40が、固体有機電界発光材料(通常は粉末状である)から発生する吸着気体又は吸収気体が粒状物又は液滴を蒸気流出口22の方へ上向きに噴出させることになるであろう温度にまで加熱される危険性を極力抑える、ということにある。
【0019】
図4に、真空容器又は真空室の内部で基板102の上に有機電界発光被膜を形成するように作動する熱物理蒸着源を含む物理蒸着装置200を示す。当該容器又は室は、一般的に、ベース板202と、上部板204と、真空シール210により当該ベース板202に係合封止され且つ真空シール208により当該上部板204に係合封止される室壁206とから形成されている。真空ポンプ220が、真空弁222及びベース板202内の吸入排出口224を介して1.33×10-5〜1.33 Pa(10-7〜10-2 Torr)の範囲の圧力にまで室内排気を行う。当該圧力は、上部板204を貫通して室内に延びている圧力モニター口260を有する圧力モニター262によって指示される。
【0020】
熱物理蒸着源1の電気接続フランジ21及び23は、それぞれ接続クランプ248及び258を介して導線244及び254に、またそれぞれ電力フィードスルー246及び256並びにそれぞれ導線244及び254を介して電源240に接続されている。導線241の途中に電流計242を挿入し、電源240により供給される調整可能な電圧の関数として熱物理蒸着源1を流れる電流を表示させる。
【0021】
熱物理蒸着源1は、一般に金属製のベース板202に対して、断熱構造体230により支持される。この断熱構造体230は、真空容器又は真空室の効率的排気を可能ならしめるような構造を有する。
【0022】
熱物理蒸着源1の上板20及びバフル部材30(図1〜3の説明参照)をそこを流れる電流Iにより十分に加熱すると、有機電界発光材料の蒸気44が、ハウジング10の側壁12及び14、上板20の下側並びにバフル部材30から屈折した後、蒸気流出口22を通って出ていく。図中破線で示した有機電界発光材料の蒸気44は、上板104の方向へほぼ上方に向かい、したがって、基板取り付け用ブラケット104及び106により上部板204に保持されている基板102の方向へ向かう。特定の特性、例えば、接着性や結晶学的特性、を有する有機電界発光層を形成させるため、基板102を、上部板204に対してではなく、温度制御できる表面に取り付けることができる、ということも認識される。
【0023】
有機電界発光材料の蒸気44は、導線272により速度モニター274に接続されている蒸着速度モニター要素270にも入射する。一般に実施されているように、速度モニター274が一定の蒸着速度を示すようになる時間まで基板102を覆うため、シャッター(図示なし)を使用することができる。このようなシャッターを開くことにより、基板102の上に有機電界発光層が蒸着される。
【0024】
熱物理蒸着装置200は、後に図10を参照して詳述するように、基板上に有機電界発光層を形成し、合わせて有機電界発光装置を提供する上で特に有効であることが判明した。
【0025】
図5に示した長方形蒸着源の略断面図は、本発明による蒸着源の最適設計を達成する上で重要な各種寸法を説明するものである。第一の近似に対し、熱物理蒸着源の最適設計は、Donald J. Santeler, Donald W. Jones, David H. Holkeboer及びFrank RaganoのVacuum Technology and Space Simulationの第5章「Gas Flow in Components and Systems」(NASA SP-105: Washington, 1966)の第83-121頁に記載されているブロックされた「パイプ」を通る流体の流れ理論の態様を利用して提供され、長方形上板20、長方形流出口22、長方形バフル部材30及び、蒸気流出確率を最大化するための当該バフル部材の長方形上板20下方での配置、が設計される。第一の近似に対し、上記刊行物の図5.9、第102頁により作業することにより、蒸着源の設計を改良することができる。表1に、ウェブ被覆工程における不安定有機材料の熱物理蒸着に関し、設計変数の異なる複数の熱物理蒸着源による変化の影響を示す。ここで、量「α」は、材料が蒸着源から出ていく確率を表し、この確率が高いほど温度一定では被覆速度が高くなる、すなわち一定の速度を得る場合には蒸着源温度が低くなるため、蒸着源の有機材料が熱分解する危険性も小さくなる。
【0026】
Figure 0004520059
【0027】
結果は、基板上の被膜が、被膜蒸着速度が低い場合でさえも蒸着源内の固体有機電界発光材料の消耗と共に非常に急速に劣化したものから、被膜蒸着速度が高く固体有機電界発光材料のほぼ全部が消耗した後でさえもまったく劣化しないものまでがあった。円形パイプ形状から長方形蒸着源形状まで適当に外挿した場合に上記理論の有用性を認める際には、上記刊行物が作成された元である最初の文献に戻り、興味ある形状について最適な設計点を画定するために変数のすべてについて変化させてMonte Carlo計算を行うことができる。図5に示した長方形形状から図7及び図8に示した円形形状へ設計変更しても、ほとんど変化はない。
【0028】
蒸着源のハウジング10の高さをH、当該ハウジングの側壁12及び14の間の幅をwh、上板20の蒸気流出スリット口22の幅をws、長方形バフル部材30の幅をb、そしてバフル部材30と上板20との間の間隔をmとした場合に、流出口22の縁部の一方からバフル部材30の垂直中心線24に対して同じ側の縁部への直線投影P(破線で図示)が、上板20から側壁12に沿って投影距離Lを提供するならば、長方形蒸着源の設計が最適化される。本発明によると、寸法比wh対wsは1.5〜6.0の範囲内、寸法比L対wsは2〜6の範囲内、そして寸法比m対Lは0.15〜0.40の範囲内にすべきであることが定められた。この寸法比wh対wsが2.0〜3.0の範囲内、寸法比L対wsが3.5〜5の範囲内、そして寸法比m対Lが0.25〜0.30の範囲内にあると、一層有効となる。これらの定義の下、長方形蒸着源の好適な寸法は、m/L=0.25;wh/ws=2.4;L/ws=4である。
【0029】
図6に、図1の蒸着源とは異なる長方形熱物理蒸着源の略透視図を示す。相違点は、ハウジング10が、破線と矢印で略示したように、上板がハウジングと接触配置された時に上板20の対応する電気接続用フランジ21および23と合致する電気接続用フランジ11及び13を有している点である。抵抗加熱可能な上板20の厚さtt並びにハウジング側壁12、14及び端壁16、18、及びハウジング底壁15の各厚さth(図2及び図3参照)を適当に選定することにより、上板20及びバフル部材30は、なおも固体有機電界発光材料40を加熱してその気化を制御することができると同時に、ハウジング10の加熱度が低下することにより、固体有機電界発光材料40の内部に捕捉されている気体のガス発生を遅らせるべくレベルの偏った(bias-level)加熱を提供することができる。
【0030】
図7及び図8に、熱物理蒸着源のシリンダー形態様の、それぞれ略透視図及び略断面図を示す。シリンダー形ハウジング70は、直径D、高さHc並びにハウジング側壁及び底壁の厚さthを有する。垂直中心線84上のハウジング70に関して中心に、円形上板80から間隔mcを置いて寸法bcを有する円形バフル部材90が配置されている。円形上板80は、直径d、厚さttの円形蒸気流出口82並びに電気接続用フランジ81及び83を有する。バフル部材90は、バフル支持体94によって上板80に取り付けられている。
【0031】
図5を参照して説明した蒸着源の最適設計と同様に、円形蒸気流出口82の縁部と円形バフル部材90の縁部との間のシリンダー形ハウジング70の側壁上への直線投影p(垂直中心線84に対して同一側にあるもの)が、上板80からの距離Lcを提供する場合に、最適なシリンダー形蒸着源が構成され得る。シリンダー形蒸着源の場合、実施可能な寸法比D対dは1.5〜6.0、Lc対dは2〜6、及びmc対Lcは0.15〜0.40の範囲内である。好適な寸法比D対dは2.0〜3.0、Lc対dは3.5〜5、そしてmc対Lcは0.25〜0.30の範囲内である。シリンダー形蒸着源の好適な寸法は、mc/Lc=0.25;D/d=2.4;Lc/d=4である。
【0032】
図9に、長方形の蒸着源であって、固体有機電界発光材料(図示なし)の加熱を抵抗加熱された上板20と取り付けられたバフル部材30とからの輻射により行い、ハウジング50の側壁56、58(並びに52及び54、図示なし)並びに底壁55の外部表面を、上板とバフル部材とからの輻射の大部分がハウジング50の内部に保持されるように耐熱性金属鏡材料60で被覆したものの略断面図を示す。当該蒸着源のハウジングは、吸熱又は伝熱による側壁の加熱を抑えるため、石英で構築されることが好ましい。耐熱性鏡は、輻射線が非導電性ハウジングを透過することによる熱損を抑えるため、ニッケル、タンタル、チタン又はモリブデンの薄層であることができる。当該耐熱性金属鏡材料はハウジング50の外部表面の層として図示されているが、このような鏡層をハウジング50の内部表面に沿って適用することも可能である。
【0033】
同様に、図7及び図8を参照して説明したシリンダー形蒸着源の構成を、石英でできたハウジング70を有し、そのシリンダー形ハウジングの外部又は内部の表面上に耐熱性鏡材料の薄層を形成させたものにすることも可能である。
【0034】
図10に、図4に示した装置200に類似する物理蒸着装置において本発明により構築された熱物理蒸着源を使用して形成された有機電界発光層を有する有機電界発光装置100の略断面図を示す。
【0035】
透光性基板102の上に、順に、透光性アノード110、有機正孔輸送層112、有機発光層114、有機電子輸送層116及びカソード118が形成されている。
【0036】
有機電界発光(EL)装置の製造に有用な有機電界発光材料は、Tangの米国特許第4,356,423号、VanSlykeらの米国特許第4,539,507号、VanSlykeらの米国特許第4,720,432号、Tangらの米国特許第4,885,211号、Tangらの米国特許第4,769,292号、VanSlykeらの米国特許第5,047,687号、VanSlykeらの米国特許第5,059,862号及びVanSlykeらの米国特許第5,061,617号に記載されているもののような従来の有機EL装置の材料及び好適な層構造の中から選択することができ、本明細書では、これらの開示事項を参照することにより援用する。
【0037】
基板102はガラスか石英であることが好ましい。アノード110は、インジウム錫酸化物(ITO)でできた導電性且つ透光性の層であることが好ましい。有機正孔輸送層112、有機発光層114及び有機電子輸送層116は、本発明の長方形又はシリンダー形のいずれかの蒸着源から熱物理蒸着することにより形成される。カソード118は、適当な金属、同時蒸着金属、又はマグネシウムと銀(Mg:Ag)、LiF:Alその他のような増強型電極構造体の従来の蒸着法により形成される。
【0038】
装置動作用電源120を、導線122を介してアノード110に、また導線124を介してカソード118に、それぞれ接続すると、アノード110の電位(電圧)がカソード118よりも正になる時に有機発光層114が発光する。発した光130は、破線で示したように、有機発光層114を発端とし、透光性アノード110と透光性基板102を介して外部観察者まで透過する。別の代わりとなるEL装置構造体の有機電界発光層を付着させるために本発明の蒸着源による蒸着法を利用できることは、当業者であれば認識できよう。
【0039】
【発明の効果】
本発明の特徴は、蒸着源から蒸気が流出口を通して出ていく所望の速度を達成すべく固体有機電界発光材料に適用する加熱レベルを低下させることができ、気化した電界発光材料を、分解の危険性が最も小さい最高速度で、層として基板に適用する有効な方法を提供することである。
本発明の別の特徴は、スリットに対するバフル部材の配置により、電界発光材料の粒状物がスリットを通過することを実質的に防止することである。
本発明のさらに別の特徴は、迅速な熱応答が望まれる場合に、ハウジングの上板とバフル部材とだけに電流を通過させ、実質的に上方からの輻射のみで気化させることにより実現できることである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一態様によるスリット形状の流出口を有する蒸着材料用のハウジングを示す熱物理蒸着源の略透視図である。(この場合、一寸法が長くなっていることから線形蒸着源と呼ばれる。)
【図2】図1中の切断線2−2に沿った蒸着源の横断面図である。
【図3】図1中の切断線3−3に沿った蒸着源の横断面図である。
【図4】図1に示したような蒸着源を、被覆すべき基板を含有する真空容器の中に設置した状態の代表的な概略図である。
【図5】本発明により最適な蒸着源設計において用いられる各種寸法を示した長方形蒸着源の略断面図である。
【図6】蒸着源のすべての壁部を抵抗加熱するための電気接続用フランジを具備する、図1の蒸着源の代わりとなる形状の透視図である。
【図7】本発明の別の態様による、シリンダー形状を有する熱物理蒸着源の略透視図である。
【図8】図7中の切断線8−8に沿ったシリンダー形蒸着源の略断面図であって、本発明により最適な蒸着源設計において用いられる各種寸法を示したものである。
【図9】長方形の蒸着源であって、実質的に加熱を抵抗加熱された上板とバフル部材とからの輻射により行い、側壁及び底壁を非導電性材料で製作し、上板からの輻射の大部分がハウジングの内部に保持されるようにこれらの壁部の外部表面を鏡層で被覆したものの略断面図である。
【図10】本発明により構築された熱物理蒸着源を使用して形成された有機電界発光層を有する有機電界発光装置の略断面図である。
【符号の説明】
1…長方形熱物理蒸着源
10…長方形ハウジング
11…電気接続用フランジ
12…側壁
13…電気接続用フランジ
14…側壁
15…底壁
16…端壁
18…端壁
20…長方形上板
21…電気接続用フランジ
22…蒸気流出口
23…電気接続用フランジ
24…垂直中心線
25…シールリップ
27…シールリップ
30…長方形バフル部材
31…バフルスタビライザー
32…バフル支持体
34…バフル支持体
36…バフル端末
38…バフル端末
40…固体有機電界発光蒸着材料
42…固体有機電界発光蒸着材料の初期レベル
44…有機電界発光蒸着材料の蒸気
50…非導電性ハウジング
55…非導電性ハウジングの底壁
56…非導電性ハウジングの側壁
58…非導電性ハウジングの側壁
60…耐熱性金属鏡材料の被膜
70…シリンダー形ハウジング
80…円形上板
81…電気接続用フランジ
82…円形蒸気流出口
83…電気接続用フランジ
84…垂直中心線
90…円形バフル部材
94…バフル支持体
100…有機電界発光(EL)装置
102…基板
104…基板取り付け用ブラケット
106…基板取り付け用ブラケット
110…アノード
112…有機正孔輸送層
114…有機発光層
116…有機電子輸送層
118…カソード
120…装置動作電源
122…導線
124…導線
130…放出光
200…物理蒸着装置
202…ベース板
204…上部板
206…室壁
208…真空シール
210…真空シール
220…真空ポンプ
222…真空弁
224…吸入排出口
230…断熱構造体
240…電源
241…導線
242…電流計
244…導線
246…電力フィードスルー
248…接続用クランプ
254…導線
256…電力フィードスルー
258…接続用クランプ
260…圧力モニター口
262…圧力モニター
270…蒸着速度モニター要素
272…導線
274…速度モニター
b…長方形バフル部材の幅
H…長方形ハウジングの高さ
L…側壁に沿った上板からの距離
m…バフル部材と上板との間の間隔
p…直線投影
wh…ハウジングの側壁間の幅
ws…蒸気流出口の幅
bc…円形バフル部材の直径
Hc…シリンダー形ハウジングの高さ
Lc…側壁に沿った上板からの距離
mc…円形バフルと円形上板との間の間隔
D…シリンダー形ハウジングの直径
d…円形蒸気流出口の直径
th…ハウジング側壁の厚さ
tt…上板の厚さ

Claims (4)

  1. 表示装置の形成において固体有機電界発光材料を気化させ且つ気化した電界発光材料を層として基板表面上に適用するための熱物理蒸着源であって、
    a)気化され得る固体有機電界発光材料を受容する、底壁と複数の側壁とを有する囲いを画定するハウジングであって、その幅がwhであるものを含み;
    b)前記ハウジングは、気化した電界発光材料を基板表面に向けて通過せしめるための幅wsの蒸気流出口スリットを画定し且つ導電性部分を有する上板によってさらに画定されており;
    c)前記スリットに中心を置き、また前記複数の側壁との間に間隔をあけ、さらに前記上板との間に距離mを置いた幅bの導電性バフル部材であって、気化した電界発光材料が前記スリットに直接接近しないように且つ電界発光材料粒状物が前記スリットを通過しないように前記スリットを覆う透視線を実質的に提供するバフル部材を含み;
    d)前記スリットの縁部から前記バフル部材の縁部を経て側壁に到達する直線投影が、上板との間の間隔が寸法Lとなるような位置を当該側壁上で画定し;
    e)寸法比wh対wsは1.5〜6.0の範囲内、寸法比L対wsは2〜6の範囲内、そして寸法比m対Lは0.15〜0.40の範囲内にあり;そして
    f)前記囲い内の固体有機電界発光材料を気化させるために当該材料に加えるべき熱を発生させるための電位差を前記ハウジングの各種部分に印加することにより、気化した電界発光材料が前記ハウジングの複数の側壁及び上板並びに前記バフル部材の上面で跳ね返り前記スリットを通って前記基板に達する一方、前記電界発光材料粒状物が前記スリットを通過するのを前記バフル部材によって妨げるようにした手段を含む、ことを特徴とする熱物理蒸着源。
  2. 表示装置の形成において固体有機電界発光材料を気化させ且つ気化した電界発光材料を層として基板表面上に適用するための熱物理蒸着源であって、
    a)気化され得る固体有機電界発光材料を受容する、底壁と複数の側壁とを有する囲いを画定するハウジングであって、その幅がwhであるものを含み;
    b)前記ハウジングは、気化した電界発光材料を基板表面に向けて通過せしめるための幅wsの蒸気流出口スリットを画定し且つ導電性部分を有する上板によってさらに画定されており;
    c)前記スリットに中心を置き、また前記複数の側壁との間に間隔をあけ、さらに前記上板との間に距離mを置いた幅bの導電性バフル部材であって、気化した電界発光材料が前記スリットに直接接近しないように且つ電界発光材料粒状物が前記スリットを通過しないように前記スリットを覆う透視線を実質的に提供するバフル部材を含み;
    d)前記スリットの縁部から前記バフル部材の縁部を経て側壁に到達する直線投影が、上板との間の間隔が寸法Lとなるような位置を当該側壁上で画定し;
    e)寸法比wh対wsは1.5〜6.0の範囲内、寸法比L対wsは2〜6の範囲内、そして寸法比m対Lは0.15〜0.40の範囲内にあり;そして
    f)前記上板の導電性部分と前記バフル部材とに電位差を印加して、当該上板とバフル部材が前記囲い内の固体有機電界発光材料に熱を加えて当該材料を気化させることにより、気化した電界発光材料が前記ハウジングの複数の側壁及び上板並びに前記バフル部材の上面で跳ね返り前記スリットを通って前記基板に達する一方、前記電界発光材料粒状物が前記スリットを通過するのを前記バフル部材によって妨げるようにした手段を含む、ことを特徴とする熱物理蒸着源。
  3. 固体の有機正孔輸送性材料、有機電子輸送性材料又は有機発光材料を気化させ且つ気化した電界発光材料を層として基板表面上に適用することにより有機電界発光装置を提供するための熱物理蒸着源であって、
    a)気化され得る固体有機電界発光材料を受容する、底壁と複数の側壁とを有する囲いを画定するハウジングであって、その幅がwhであるものを含み;
    b)前記ハウジングは、気化した電界発光材料を基板表面に向けて通過せしめるための幅wsの蒸気流出口スリットを画定し且つ導電性部分を有する上板によってさらに画定されており;
    c)前記スリットに中心を置き、また前記複数の側壁との間に間隔をあけ、さらに前記上板の導電性部分に電気接続され、その上前記上板との間に距離mを置いた幅bの導電性バフル部材であって、気化した電界発光材料が前記スリットに直接接近しないように且つ電界発光材料粒状物が前記スリットを通過しないように前記スリットを覆う透視線を実質的に提供するバフル部材を含み;
    d)前記スリットの縁部から前記バフル部材の各辺の縁部を経て複数の側壁に到達する直線投影が、上板との間の間隔が寸法Lとなるような位置を当該側壁上で画定し;
    e)寸法比wh対wsは1.5〜6.0の範囲内、寸法比L対wsは2〜6の範囲内、そして寸法比m対Lは0.15〜0.40の範囲内にあり;そして
    f)前記バフル部材に接続されている前記上板の導電性部分に電位差を印加して、当該上板とバフル部材が前記囲い内の固体有機電界発光材料に熱を加えて当該材料を気化させることにより、気化した電界発光材料が前記ハウジングの複数の側壁及び上板並びに前記バフル部材の上面で跳ね返り前記スリットを通って前記基板に達する一方、前記電界発光材料粒状物が前記スリットを通過するのを前記バフル部材によって妨げるようにした手段を含む、ことを特徴とする熱物理蒸着源。
  4. 固体有機電界発光材料を気化させ且つ気化した電界発光材料を層として基板表面上に適用するための熱物理蒸着源であって、
    a)気化され得る固体有機電界発光材料を受容する、底壁と複数の側壁とを有する囲いを画定するシリンダー形ハウジングであって、その幅が直径Dであるものを含み;
    b)前記シリンダー形ハウジングは、気化した電界発光材料を基板表面に向けて通過せしめるための直径dの円形蒸気流出口を画定し且つ導電性部分を有する円形上板によってさらに画定されており;
    c)前記流出口に中心を置き且つ前記上板との間に距離mcを置いた直径bcの導電性円形バフル部材であって、気化した電界発光材料が前記流出口に直接接近しないように且つ電界発光材料粒状物が前記流出口を通過しないように前記流出口を覆う透視線を実質的に提供するバフル部材を含み;
    d)前記流出口の縁部から前記バフル部材の縁部を経て側壁に到達する直線投影が、上板との間の間隔が寸法Lcとなるような位置を当該側壁上で画定し;
    e)寸法比D対dは1.5〜6.0の範囲内、寸法比Lc対dは2〜6の範囲内、そして寸法比mc対Lcは0.15〜0.40の範囲内にあり;そして
    f)前記円形上板の導電性部分と前記円形バフル部材とに電位差を印加して、当該円形上板と円形バフル部材が前記囲い内の固体有機電界発光材料に熱を加えて当該材料を気化させることにより、気化した電界発光材料が前記ハウジングの複数の側壁及び円形上板並びに前記円形バフル部材の上面で跳ね返り前記円形流出口を通って前記基板に達する一方、前記電界発光材料粒状物が前記円形流出口を通過するのを前記円形バフル部材によって妨げるようにした手段を含む、ことを特徴とする熱物理蒸着源。
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Families Citing this family (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100721656B1 (ko) * 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
JP2002146516A (ja) * 2000-11-07 2002-05-22 Sony Corp 有機薄膜の蒸着方法
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG115435A1 (en) * 2000-12-28 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) * 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
TWI225312B (en) 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
US7432116B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
US20020160620A1 (en) * 2001-02-26 2002-10-31 Rudolf Wagner Method for producing coated workpieces, uses and installation for the method
US6513451B2 (en) * 2001-04-20 2003-02-04 Eastman Kodak Company Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emiting device
DE10128091C1 (de) 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
US20030026601A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Vapor deposition and in-situ purification of organic molecules
US6641730B2 (en) * 2001-10-03 2003-11-04 B. J. Services Company, Integrated debris management system
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US20030111014A1 (en) * 2001-12-18 2003-06-19 Donatucci Matthew B. Vaporizer/delivery vessel for volatile/thermally sensitive solid and liquid compounds
US6872472B2 (en) 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
FR2836601A1 (fr) * 2002-02-22 2003-08-29 Thales Sa Antenne monopolaire ou dipolaire a large bande
US6787185B2 (en) * 2002-02-25 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Deposition methods for improved delivery of metastable species
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
US20050211172A1 (en) * 2002-03-08 2005-09-29 Freeman Dennis R Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures
US20030168013A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
WO2003079420A1 (en) * 2002-03-19 2003-09-25 Innovex. Inc. Evaporation source for deposition process and insulation fixing plate, and heating wire winding plate and method for fixing heating wire
KR100473485B1 (ko) * 2002-03-19 2005-03-09 주식회사 이노벡스 유기 반도체 소자 박막 제작을 위한 선형 증발원
US6770502B2 (en) * 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
US7309269B2 (en) * 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US6861094B2 (en) * 2002-04-25 2005-03-01 Micron Technology, Inc. Methods for forming thin layers of materials on micro-device workpieces
US6931132B2 (en) * 2002-05-10 2005-08-16 Harris Corporation Secure wireless local or metropolitan area network and related methods
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US7118783B2 (en) * 2002-06-26 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for vapor processing of micro-device workpieces
US20040000379A1 (en) * 2002-06-27 2004-01-01 Ulvac, Inc. Evaporation container and evaporation source
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
EP1560467B1 (en) * 2002-07-19 2014-02-26 LG Display Co., Ltd. Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
KR100490537B1 (ko) 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치
US6921062B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
TW200402012A (en) * 2002-07-23 2004-02-01 Eastman Kodak Co OLED displays with fiber-optic faceplates
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6887521B2 (en) * 2002-08-15 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Gas delivery system for pulsed-type deposition processes used in the manufacturing of micro-devices
US6747618B2 (en) 2002-08-20 2004-06-08 Eastman Kodak Company Color organic light emitting diode display with improved lifetime
US20040043138A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
US20040043140A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
US6719936B2 (en) 2002-08-23 2004-04-13 Eastman Kodak Company Method of making a solid compacted pellet of organic material for vacuum deposition of OLED displays
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US6831407B2 (en) * 2002-10-15 2004-12-14 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
KR20020089288A (ko) * 2002-11-07 2002-11-29 정세영 유기물 증착용 소스
US7230594B2 (en) 2002-12-16 2007-06-12 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
US20040144321A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US7238383B2 (en) * 2003-03-07 2007-07-03 Eastman Kodak Company Making and using compacted pellets for OLED displays
WO2004090928A1 (ja) * 2003-04-04 2004-10-21 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP4493926B2 (ja) * 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2004353083A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP2004353085A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP2004353084A (ja) * 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
US7092206B2 (en) * 2003-06-25 2006-08-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head with magnetic layers of differing widths and third pole with reduced thickness
JP2005029895A (ja) * 2003-07-04 2005-02-03 Agfa Gevaert Nv 蒸着装置
EP1496133A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-12 Agfa-Gevaert Assembly for crucible used for evaporation of raw materials.
JP2005029896A (ja) * 2003-07-04 2005-02-03 Agfa Gevaert Nv 原材料の蒸発のために使用されるるつぼのための改良されたアセンブリ
JP2005029839A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Ulvac Japan Ltd 蒸発容器、蒸発源および真空蒸着方法
US6837939B1 (en) 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US8123862B2 (en) * 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
US20050051097A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Jan Koninckx Covering assembly for crucible used for evaporation of raw materials
JP4312555B2 (ja) * 2003-09-18 2009-08-12 富士フイルム株式会社 真空蒸着用ルツボおよび蛍光体シート製造装置
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
KR20050060345A (ko) * 2003-12-16 2005-06-22 삼성전자주식회사 패터닝된 증착원 및 이를 이용한 증착방법
US7221332B2 (en) * 2003-12-19 2007-05-22 Eastman Kodak Company 3D stereo OLED display
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US6893939B1 (en) * 2004-02-25 2005-05-17 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source with minimized internal condensation effects
US7364772B2 (en) * 2004-03-22 2008-04-29 Eastman Kodak Company Method for coating an organic layer onto a substrate in a vacuum chamber
US20050244580A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
US20060017055A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Eastman Kodak Company Method for manufacturing a display device with low temperature diamond coatings
US7316756B2 (en) 2004-07-27 2008-01-08 Eastman Kodak Company Desiccant for top-emitting OLED
US9040170B2 (en) * 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
JP2006089816A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 蒸着装置及び放射線画像変換パネル
US20060099344A1 (en) * 2004-11-09 2006-05-11 Eastman Kodak Company Controlling the vaporization of organic material
US7465475B2 (en) * 2004-11-09 2008-12-16 Eastman Kodak Company Method for controlling the deposition of vaporized organic material
US7252859B2 (en) * 2004-11-19 2007-08-07 Eastman Kodak Company Organic materials for an evaporation source
US7166169B2 (en) * 2005-01-11 2007-01-23 Eastman Kodak Company Vaporization source with baffle
US7649197B2 (en) * 2005-03-23 2010-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, and light emitting element and light emitting device using the composite material
US8057916B2 (en) * 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
US20060240281A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Eastman Kodak Company Contaminant-scavenging layer on OLED anodes
US7989021B2 (en) * 2005-07-27 2011-08-02 Global Oled Technology Llc Vaporizing material at a uniform rate
US20070048545A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Eastman Kodak Company Electron-transporting layer for white OLED device
US8956738B2 (en) * 2005-10-26 2015-02-17 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070122657A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Eastman Kodak Company Electroluminescent device containing a phenanthroline derivative
US9666826B2 (en) * 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US8454748B2 (en) * 2005-12-27 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of calculating carrier mobility
KR100729097B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법
CN101371619B (zh) * 2006-01-18 2013-11-13 Lg化学株式会社 具有堆叠式有机发光单元的oled
US20070207345A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including gallium complexes
US9118020B2 (en) * 2006-04-27 2015-08-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent devices including organic eil layer
EP2355198B1 (en) 2006-05-08 2015-09-09 Global OLED Technology LLC OLED electron-injecting layer
US20080241805A1 (en) * 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
JP5063969B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
KR101263005B1 (ko) * 2006-12-19 2013-05-08 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 증착 장치 및 방법
JP2008174816A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Sony Corp 蒸着装置、蒸着方法および有機電界発光素子ならびに表示装置
US8795855B2 (en) * 2007-01-30 2014-08-05 Global Oled Technology Llc OLEDs having high efficiency and excellent lifetime
US20080284318A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds
JP2008285719A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Fujifilm Corp 真空蒸着方法
US20080284317A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Liang-Sheng Liao Hybrid oled having improved efficiency
US8034465B2 (en) * 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
US20090004485A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Shiying Zheng 6-member ring structure used in electroluminescent devices
US20090091242A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Liang-Sheng Liao Hole-injecting layer in oleds
US20090110956A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Begley William J Oled device with electron transport material combination
US8431242B2 (en) * 2007-10-26 2013-04-30 Global Oled Technology, Llc. OLED device with certain fluoranthene host
US8129039B2 (en) 2007-10-26 2012-03-06 Global Oled Technology, Llc Phosphorescent OLED device with certain fluoranthene host
US8420229B2 (en) 2007-10-26 2013-04-16 Global OLED Technologies LLC OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants
US8076009B2 (en) * 2007-10-26 2011-12-13 Global Oled Technology, Llc. OLED device with fluoranthene electron transport materials
KR100928136B1 (ko) 2007-11-09 2009-11-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기물 선형 증착 장치
US8900722B2 (en) 2007-11-29 2014-12-02 Global Oled Technology Llc OLED device employing alkali metal cluster compounds
US20090162612A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Hatwar Tukaram K Oled device having two electron-transport layers
US20090191427A1 (en) * 2008-01-30 2009-07-30 Liang-Sheng Liao Phosphorescent oled having double hole-blocking layers
US7947974B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Global Oled Technology Llc OLED device with hole-transport and electron-transport materials
US8324800B2 (en) * 2008-06-12 2012-12-04 Global Oled Technology Llc Phosphorescent OLED device with mixed hosts
US8247088B2 (en) * 2008-08-28 2012-08-21 Global Oled Technology Llc Emitting complex for electroluminescent devices
US7931975B2 (en) * 2008-11-07 2011-04-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device containing a flouranthene compound
US8088500B2 (en) * 2008-11-12 2012-01-03 Global Oled Technology Llc OLED device with fluoranthene electron injection materials
US7968215B2 (en) * 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
KR20110110187A (ko) * 2008-12-18 2011-10-06 비코 인스트루먼트 아이엔씨. 열확산 오리피스를 갖는 진공 증착원
US20100282167A1 (en) * 2008-12-18 2010-11-11 Veeco Instruments Inc. Linear Deposition Source
US20100159132A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-24 Veeco Instruments, Inc. Linear Deposition Source
KR100994118B1 (ko) 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
US8216697B2 (en) * 2009-02-13 2012-07-10 Global Oled Technology Llc OLED with fluoranthene-macrocyclic materials
US8147989B2 (en) * 2009-02-27 2012-04-03 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized green light-emitting layer
WO2010110871A2 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Veeco Instruments Inc. Deposition of high vapor pressure materials
US20100244677A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Begley William J Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative
US8206842B2 (en) 2009-04-06 2012-06-26 Global Oled Technology Llc Organic element for electroluminescent devices
JP4782219B2 (ja) * 2009-07-02 2011-09-28 三菱重工業株式会社 真空蒸着装置
WO2011016223A1 (ja) * 2009-08-04 2011-02-10 キヤノンアネルバ株式会社 加熱処理装置および半導体デバイスの製造方法
US20110104398A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 General Electric Company Method and system for depositing multiple materials on a substrate
TW201200614A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Coating device
TW201202454A (en) * 2010-07-07 2012-01-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Processing apparatus for smoothing film material and evaporation deposition device with same
TW201204845A (en) * 2010-07-16 2012-02-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Processing apparatus for smoothing film material and evaporation deposition device with same
CN102337502A (zh) * 2010-07-19 2012-02-01 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 膜料加工装置及具有该膜料加工装置的蒸镀设备
US9449858B2 (en) * 2010-08-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber
US8673082B2 (en) 2011-01-20 2014-03-18 Sharp Kabushiki Kaisha Crucible and deposition apparatus
DE102011016814B4 (de) * 2011-04-12 2017-03-23 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verdampferzellen-Verschlusseinrichtung für eine Beschichtungsanlage
CN109972119A (zh) 2012-05-31 2019-07-05 恩特格里斯公司 基于源试剂的用于批量沉积的高物质通量流体的输送
KR101480141B1 (ko) 2013-04-26 2015-01-08 지제이엠 주식회사 유기재료 사용효율 증대를 위한 증발원
JP5798171B2 (ja) * 2013-04-26 2015-10-21 ジージェイエム カンパニー リミテッド 量産用蒸発装置および方法
JP6241903B2 (ja) * 2014-03-11 2017-12-06 株式会社Joled 蒸着装置及び蒸着装置を用いた蒸着方法、及びデバイスの製造方法
WO2016046939A1 (ja) * 2014-09-25 2016-03-31 三菱電機株式会社 イオン注入装置
CN106191785B (zh) * 2016-09-27 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 坩埚、蒸镀装置及蒸镀系统
JP7011521B2 (ja) * 2018-04-17 2022-01-26 株式会社アルバック 真空蒸着装置用の蒸着源
CN109321883B (zh) * 2018-10-15 2020-10-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸镀机
JP7409799B2 (ja) 2019-07-29 2024-01-09 キヤノントッキ株式会社 ノズルユニット,坩堝,蒸発源及び蒸着装置
US20220033958A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 Applied Materials, Inc. Evaporation source, vapor deposition apparatus, and method for coating a substrate in a vacuum chamber

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB766119A (en) * 1953-01-26 1957-01-16 British Dielectric Res Ltd Improved means for coating of surfaces by vapour deposition
JPS5825473A (ja) * 1981-08-05 1983-02-15 Hitachi Ltd ガス膜の蒸着方法
JPS62142759A (ja) * 1985-12-16 1987-06-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 円筒長尺体への真空蒸着方法及び装置
JPS63171866A (ja) * 1987-01-09 1988-07-15 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体製造装置
JPH03170660A (ja) * 1989-11-29 1991-07-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 昇華性物質真空蒸着装置
JPH04341564A (ja) * 1991-05-19 1992-11-27 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2447789A (en) 1945-03-23 1948-08-24 Polaroid Corp Evaporating crucible for coating apparatus
GB1052595A (ja) 1964-06-30
DE1521504B1 (de) * 1966-07-13 1969-12-04 Siemens Ag Verdampfer
US3466424A (en) 1967-08-31 1969-09-09 Nasa Evaporant source for vapor deposition
US4401052A (en) 1979-05-29 1983-08-30 The University Of Delaware Apparatus for continuous deposition by vacuum evaporation
JPS5967368A (ja) * 1982-10-09 1984-04-17 Fuji Electric Co Ltd 蒸発源構造
US4842893A (en) * 1983-12-19 1989-06-27 Spectrum Control, Inc. High speed process for coating substrates
US4849606A (en) * 1987-12-23 1989-07-18 S. C. Johnson & Son, Inc. Tamper-resistant container utilizing a flexible seal
US5377429A (en) * 1993-04-19 1995-01-03 Micron Semiconductor, Inc. Method and appartus for subliming precursors
US5803976A (en) * 1993-11-09 1998-09-08 Imperial Chemical Industries Plc Vacuum web coating
US5596673A (en) * 1994-11-18 1997-01-21 Xerox Corporation Evaporation crucible assembly

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB766119A (en) * 1953-01-26 1957-01-16 British Dielectric Res Ltd Improved means for coating of surfaces by vapour deposition
JPS5825473A (ja) * 1981-08-05 1983-02-15 Hitachi Ltd ガス膜の蒸着方法
JPS62142759A (ja) * 1985-12-16 1987-06-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 円筒長尺体への真空蒸着方法及び装置
JPS63171866A (ja) * 1987-01-09 1988-07-15 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体製造装置
JPH03170660A (ja) * 1989-11-29 1991-07-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 昇華性物質真空蒸着装置
JPH04341564A (ja) * 1991-05-19 1992-11-27 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置

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