WO2004090928A1 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

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WO2004090928A1
WO2004090928A1 PCT/JP2004/004901 JP2004004901W WO2004090928A1 WO 2004090928 A1 WO2004090928 A1 WO 2004090928A1 JP 2004004901 W JP2004004901 W JP 2004004901W WO 2004090928 A1 WO2004090928 A1 WO 2004090928A1
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substrate
film
display panel
plasma display
substrate holder
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PCT/JP2004/004901
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Inventor
Jun Shinozaki
Michihiko Takase
Hiroyuki Furukawa
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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    • Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel, which forms a film on a substrate for a plasma display panel (PDP) known as a thin, lightweight display device with a large screen, and a plasma display panel used in the method.
  • a plasma display panel PDP
  • a plasma display panel PDP
  • Background art
  • an electrode is formed on a substrate on the image display surface side, a dielectric layer is formed over the electrode, and a magnesium oxide (MgO) film is further formed as a protective layer covering the dielectric layer.
  • MgO magnesium oxide
  • an electron beam evaporation method capable of forming a relatively good MgO film with a high film forming rate is widely used (“2001 FPD Technology One-to-One”, Electronic Journal Co., Ltd., October 25, 2000, p. 598-p. 600).
  • the substrate is held by the substrate holder for the purpose of performing film formation on multiple substrates continuously, and the substrate holder is then transferred to the transfer port.
  • a continuous film is formed by contacting or connecting to a transport means such as a roller, a wire, a chain, or the like, and transporting the film in a film forming apparatus.
  • the substrate holder since the substrate is deposited while being held by the substrate holder, the substrate holder is located in a region other than the region holding the substrate. A film is also formed in the region of FIG. The film formed on such a substrate holder becomes thicker as the film formation is repeated. As a result, the film is lost in the film formation device and becomes a dust source in the film formation device. It may happen. If such dust is present in the film forming apparatus, it may be entangled in the film during film formation or mixed into the film raw material, adversely affecting the film quality of the film to be formed. Will be.
  • a substrate holder 1 is configured by arranging a plurality of frames 2, and plasma is generated by the frames 2.
  • the substrate 3 of the display panel is held at the periphery. That is, if the substrate holder 1 has a structure as shown in FIG. 9, the area other than the portion holding the substrate 3 of the substrate holder 1 becomes the opening 4, so that the substrate holder 1 In areas other than the area where 3 was held, the film could not be attached.
  • FIG. 9 (a) is a plan view showing a schematic configuration of the substrate holder 1
  • FIG. 9 (b) is a sectional view taken along line AA in FIG. 9 (a).
  • a gas containing oxygen or oxygen may be introduced.
  • the degree of vacuum during film formation is lower than that of general vapor deposition, so that the mean free path is relatively short, and the straightness of the deposited material (film forming material) is impaired. Therefore, a part of the film-forming material passing through the opening 4 of the substrate holder 1 wraps around the non-film-forming surface 3 b opposite to the film-forming surface 3 a of the held substrate 3.
  • the substrate 3 has an area where the film-forming material adheres and an area where the film-forming material does not adhere. This causes a problem that the image display is adversely affected because the distribution of the image is visually different.
  • the present invention has been made in view of such a problem, and in forming a film on a substrate of a plasma display panel, suppressing deposition of a film forming material on a non-film forming surface of the substrate provides high quality.
  • An object of the present invention is to realize a method of manufacturing a plasma display panel capable of displaying an image. Disclosure of the invention
  • a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention is directed to a method of manufacturing a plasma display panel in which a film of a plasma display panel is formed on a substrate by holding the substrate with a substrate holder.
  • a plurality of frames are arranged, and at least one of the frames holds the substrate at its peripheral edge, and the frame holding the substrate protrudes toward the non-film-forming surface side of the held substrate. It is characterized in that a protruding portion surrounding the substrate is provided.
  • a plasma display panel substrate holder of the present invention is a plasma display panel substrate holder used for forming a film on a plasma display panel substrate, wherein a plurality of frames are arranged.
  • the frame is configured to hold the substrate at its peripheral edge by at least one of the frames, and the frame that holds the substrate includes a protruding portion that protrudes toward the non-deposition surface side of the held substrate and surrounds the substrate.
  • FIG. 1 is a sectional perspective view showing an example of a schematic configuration of a plasma display panel according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of a schematic configuration of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate holder according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of another substrate holder according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a partially enlarged perspective view showing a schematic configuration of another substrate holder according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a partially enlarged perspective view showing a schematic configuration of another substrate holder according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a partially enlarged perspective view showing a schematic configuration of another substrate holder according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a partially enlarged perspective view showing a schematic configuration of another substrate holder according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional substrate holder. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a cross-sectional perspective view showing an example of a schematic configuration of a PDP manufactured by a method of manufacturing a PDP according to an embodiment of the present invention.
  • the front panel 12 of the PDP 11 has a display composed of a scanning electrode 14 and a sustaining electrode 15 formed on one main surface of a transparent and insulating substrate 13 such as glass on the front side.
  • the scanning electrode 14 and the sustaining electrode 15 are laminated with metal electrodes, for example, Ag bus electrodes 14b and 15b on the transparent electrodes 14a and 15a for the purpose of reducing air resistance. It has a structured structure.
  • the back plate 19 includes an address electrode 21 formed on one main surface of an insulating substrate 20 such as glass on the back side, a dielectric layer 22 covering the address electrode 21,
  • the partition 23 located between the adjacent address electrodes 21 on the dielectric layer 22 and the red (R), green (G), and blue (B) between the partitions 23 This is a structure having phosphor layers 24 R, 24 G, and 24 B that emit light.
  • the front plate 12 and the rear plate 19 are opposed to each other so that the display electrode 16 and the address electrode 21 are orthogonal to each other with the partition wall 23 interposed therebetween, and the periphery outside the image display area is sealed by a sealing member.
  • the discharge space 25 formed between the front plate 12 and the back plate 19 is filled with, for example, approximately 6 Ne—Xe or He—Xe discharge gas. 6. Sealed at a pressure of 5 kPa.
  • the intersection of the display electrode 16 and the address electrode 21 in the discharge space 25 operates as a discharge cell 26 (unit light emitting area).
  • the front plate 12 first forms scan electrodes 14 and sustain electrodes 15 on the substrate 13 in a stripe shape. Specifically, a film of the material of the transparent electrodes 14a and 15a, for example, ITO, is formed on the substrate 13 by a deposition process such as vapor deposition or sputtering, and then patterned by a photolithography method or the like. Thus, the transparent electrodes 14a and 15a are formed in a stripe shape, and the material of the bus electrodes 14b and 15b, for example, Ag, is deposited on the transparent electrodes 14a and 15a.
  • a film of the material of the transparent electrodes 14a and 15a for example, ITO
  • the transparent electrodes 14a and 15a are formed in a stripe shape
  • the material of the bus electrodes 14b and 15b for example, Ag
  • the bus electrodes 14b and 15b are formed in a stripe shape by forming the film by a film forming process such as a photolithography method and then patterning by a photolithography method or the like. As described above, it is possible to obtain the display electrode 16 composed of the scanning electrodes 14 and the sustain electrodes 15 in the form of stripes.
  • the dielectric layer 17 is formed by applying a paste containing a lead-based glass material by, for example, screen printing and then baking to obtain a predetermined layer thickness (about 20 zm to 50 m, preferably about 40 m). ).
  • the paste containing a glass material of the lead-based for example, P b O, B 2 0 3, S i ⁇ 2, and C a O and an organic binder (e.g., alpha - dissolving E chill cellulose Le - Tapine old And mixtures thereof.
  • the organic binder is obtained by dissolving a resin in an organic solvent.
  • acryl resin can be used as a resin
  • butyl carbitol can be used as an organic solvent.
  • a dispersant for example, darisel trioleate
  • the dielectric layer 17 formed as described above is covered with the protective layer 18.
  • the protective layer 18 is made of, for example, Mg, and has a predetermined thickness (about 0.4 m to 1, preferably about 0.6 am) by a film forming process such as evaporation or sputtering. It is formed so that
  • the back plate 19 has seven dress electrodes 21 formed on the substrate 20 in a stripe shape.
  • a film of the material of the address electrode 21, for example, Ag is formed on the substrate 20 by a film forming process such as vapor deposition and sputtering, and then patterned by a photolithography method or the like.
  • An address electrode 21 is formed in a stripe shape.
  • the dielectric layer 22 has a predetermined thickness (about 10 m to 50 ⁇ ), for example, by applying a paste containing a lead-based glass material, for example, by screen printing, and then firing. m, preferably about 10 m).
  • the partition walls 23 are formed, for example, in a stripe shape. Similar to the dielectric layer 22, the barrier ribs 23 are formed by repeatedly applying a paste containing a lead-based glass material at a predetermined pitch by, for example, a screen printing method, and then sintering the paste.
  • the dimension of the gap between the partition walls 23 is, for example, about 130 m to 360 m when the screen size is 32 to 65 inches.
  • the grooves between the partition walls 23 and 23 are provided with phosphor layers 24 R and 24 G made of phosphor particles of red (R), green (G), and blue (B), respectively. , Forming 24B.
  • This is achieved by applying a paste-like phosphor ink composed of phosphor particles of each color and an organic binder, and baking this to burn off the organic binder, thereby forming a phosphor formed by binding the phosphor particles. Formed as layers 24 R, 24 G, 24 B.
  • the front plate 12 and the rear plate 19 produced as described above are overlapped so that the display electrode 16 of the front plate 12 and the address electrode 21 of the rear plate 19 are orthogonal to each other.
  • a sealing member made of sealing glass is interposed, and this is fired at a temperature lower than the firing temperature of the dielectric layer 17 to form a hermetic seal layer (not shown) for sealing.
  • the discharge space 25 is evacuated to a high vacuum, for example, the PDP 11 is filled with a discharge gas of, for example, ⁇ [6- € system, Ne-Xe system at a predetermined pressure. Make it.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of a film forming apparatus 30 for forming a protective layer 18.
  • the film forming apparatus 30 includes a vapor deposition chamber 31 for depositing Mg ⁇ on a substrate 13 of a plasma display panel to form a protective layer 18 which is a MgO thin film, and an Mg ⁇ vapor deposition chamber 31.
  • a vapor deposition chamber 31 for depositing Mg ⁇ on a substrate 13 of a plasma display panel to form a protective layer 18 which is a MgO thin film
  • Mg ⁇ vapor deposition chamber 31 In order to pre-heat the substrate 13 before loading into the substrate, to cool the removed substrate 13 after the deposition in the substrate loading chamber 32 and the vapor deposition chamber 31 for pre-evacuation It consists of a substrate unloading chamber 33.
  • Each of the substrate loading chamber 32, the vapor deposition chamber 31 and the substrate unloading chamber 33 has a hermetically sealed structure so that the inside can be evacuated to a vacuum atmosphere. a, .34.34c respectively.
  • a transport roller 1 In addition, through the substrate loading chamber 3 2, the vapor deposition chamber 31, and the substrate unloading chamber 3 3, a transport roller 1.
  • a transport means 35 composed of a wire and a chain is provided. 0, between the substrate input chamber 3 2, between the substrate input chamber 3 2 and the vapor deposition chamber 3 1, between the vapor deposition chamber 3 1 and the substrate unload chamber 33, and between the substrate unload chamber 33 and the film forming apparatus
  • the outside of 30 is partitioned by a partition wall 36a, 36b, 36c, 36d which can be opened and closed, respectively.
  • the drive of the transport means 35 and the opening and closing of the partition walls 36a, 36b, 36c, and 36d are linked with each other, so that the substrate loading chamber 32, the vapor deposition chamber 31, and the substrate removal
  • the fluctuation of the degree of vacuum in each of the chambers 3 3 is minimized, and the substrate 13 is passed from the outside of the film forming apparatus 30 to the substrate input chamber 32, the vapor deposition chamber 31 and the substrate unloading chamber 33 in this order. It is possible to carry out the predetermined processing described above and then to carry it out of the film forming apparatus 30.
  • a plurality of substrates 13 are continuously fed, It is possible to form a film of Mg ⁇ continuously.
  • Heating lamps 37a and 37b for heating the substrate 13 are installed in each of the substrate loading chamber 32 and the vapor deposition chamber 31.
  • the evaporation chamber 31 is provided with a hearth 38b containing Mg ⁇ grains, which is an evaporation source 38a, an electron gun 38c, and a deflection magnet (not shown) for applying a magnetic field.
  • the electron beam 38d emitted from the electron gun 38c is deflected by the magnetic field generated by the deflecting magnet and irradiates the deposition source 38a.
  • Generate 8 e the generated vapor stream 38 e is deposited on the surface of the substrate 13 to form a protective layer 18 of Mg ⁇ .
  • oxygen or oxygen is added to the vapor deposition chamber 31 so that the atmosphere of the vapor deposition chamber 31 at the time of vapor deposition is changed to an oxygen atmosphere so that the deposited MgO becomes a high-quality Mg ⁇ .
  • Introducing means 39 for introducing a gas containing gas is installed, and vapor deposition is performed while introducing oxygen or a gas containing oxygen.
  • the degree of vacuum in the vapor deposition chamber 31 during vapor deposition is generally Vacuum is relatively low compared to conventional evaporation.
  • the steam stream 38e can be shut off by the shirt 38f except when necessary.
  • the film forming apparatus 30 may be configured, for example, between the substrate loading chamber 32 and the vapor deposition chamber 31 according to the setting conditions of the temperature profile of the substrate 13. There may be one having at least one substrate heating chamber for heating the substrate, or one having at least one substrate cooling chamber between the vapor deposition chamber 31 and the substrate unloading chamber 33.
  • the substrate 13 is transferred by contacting or connecting the substrate holder 1 with the transfer means 35 of the film forming apparatus 30 while holding the substrate 13. Do it.
  • FIG. 3 (a) shows a plan view of a schematic configuration of the substrate holder 1
  • FIG. 3 (b) shows a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3 (a).
  • the substrate holder 1 is configured by arranging a plurality of frames 2, and at least one of the frames 2 holds the substrate 13 of the plasma display panel at a peripheral edge thereof. Then, the frame body 2 holding the substrate 13 protrudes toward the non-film-forming surface 13 b opposite to the film-forming surface 13 a of the held substrate 13, and projects around the substrate 13. It is characterized in that a part 5 is provided. The portion of the frame 2 that does not hold the substrate 13 becomes the opening 4. Since the substrate holder 1 has the structure having the opening 4 as described above, the substrate holder 1 has an area other than the substrate 13 in the vapor stream 38 e from the hearth 38 b of the film forming apparatus 30 shown in FIG.
  • the flying amount passes through the opening 4 and does not adhere to the substrate holder 1.
  • the frame body 2 holding the substrate 13 protrudes toward the non-film-forming surface 13 b side of the held substrate 13 and includes the protruding portion 5 surrounding the substrate 13, as described above.
  • the average degree of freedom is relatively short due to the lower degree of vacuum compared to conventional vacuum deposition, and the straightness of the film-forming material during flight is impaired. It is possible to suppress the problem that a part of the film material goes around the non-film-formed surface 13 b of the held substrate 13 and partially adheres. This is because the projecting portion 5 acts so as to shield the film-forming material flowing around.
  • the height H of the protrusion 5 is preferably at least l mm from the non-deposition surface 13 b of the substrate 13.
  • the width W (FIG. 3) is preferably at least 10 mm, and the higher the height H, the smaller the width W.
  • the protrusion 5 has an effect of shielding the film-forming material that has flown through the opening 4 in addition to the linear protrusion as shown in FIG.
  • the shape is not particularly limited, such as a curved shape as shown.
  • Examples of a structure in which a plurality of frame bodies 2 are arranged include various structures such as a structure in which a plurality of frame bodies 2 are combined and a structure in which a plate-like object is cut out and holes are provided to form an integral body. be able to.
  • FIGS. 5 to 8 are enlarged views of a part of the substrate holder 1.
  • the structure of the holding means 6 shown in FIG. 5 is such that the cross-sectional shape of the frame 2 is L-shaped or inverted T-shaped, and the lateral portion of the frame 2 functions as a supporting means 6a for supporting the substrate 13 from below.
  • the vertical portion functions as a regulating means 6b for regulating the position of the substrate 13 in the surface direction.
  • the substrate 13 can be held by being fitted into the regulating means 6b and placed on the supporting means 6a. That is, in this case, the regulating means 6 b that is the vertical portion of the frame 2 has a structure that also serves as the protruding portion 5.
  • the structure of the holding means 6 of the substrate holder 1 shown in FIG. 6 is such that the frame 2 has only a vertical portion, and the frame 2 functions as a regulating means 6 b for regulating the position of the substrate 13 in the surface direction.
  • a supporting means 6 a for supporting the substrate 13 from below is provided on the lower surface side of the frame 2.
  • the board 13 is the regulation means 6 It can be held by mounting it on the supporting means 6a by fitting it into the b.
  • the frame 2 has a structure that also serves as the restricting means 6 b and the protruding portion 5.
  • the configuration of the holding means 6 shown in FIG. 7 is such that the frame 2 is only a horizontal portion, and this frame 2 functions as a support means 6 a for supporting the substrate 13 from below.
  • a regulating means 6b for regulating the position of the substrate 13 in the plane direction is provided on the upper surface side of 2, a regulating means 6b for regulating the position of the substrate 13 in the plane direction is provided. Then, the substrate 13 can be held by being fitted into the regulating means 6b and placed on the supporting means 6a.
  • the regulating means 6b is discrete, the protrusion 5 surrounding the substrate 13 may be provided separately from the regulating means 6b.
  • the protruding portion 5 is a separate member from the substrate holder 1, and may be configured to be attached to the frame 2 of the substrate holder 1 by some means, for example, as shown in FIG.
  • the substrate 13 can be held by being placed on the supporting means 6a of the holding means 6 provided on the frame 2, so that the substrate 13
  • the mounting and dismounting of the board holder 1 is only required to be lifted above the frame 2, and the operation is very simple.
  • a substrate 13 held by a substrate holder 1 having a configuration as shown in FIG. 3 is loaded into a substrate loading chamber 32 of a film forming apparatus 30 as shown in FIG. Heat by heating lamp 37a while pre-evacuating by 4a.
  • the substrate 13 is in a state where the display electrode 16 and the dielectric layer 17 are formed.
  • the partition wall 36 b was opened, and the substrate 13 in a heated state was held on the substrate holder 1 using the transporting means 35. It is transferred to the vapor deposition chamber 31 in this state.
  • the substrate 13 is heated by a heating lamp 37b to keep it at a constant temperature. This temperature is set to about 100 ° C. to 400 ° C. so that the display electrode 16 and the dielectric layer 17 do not deteriorate due to heat. Then, with the shirt 38 f closed, the electron beam 38 d is irradiated from the electron gun 38 c onto the vapor deposition source 38 a and preheated to perform predetermined gas discharge. From 39, oxygen or a gas containing oxygen is introduced. With this introduction, the degree of vacuum is lower than that of general vapor deposition. When the shirt 38 f is opened in this state, the vapor flow 38 e of MgO is jetted toward the substrate 13 held by the substrate holder 1. As a result, a protective layer 18 made of a MgO film is formed on the substrate 13 by the film-forming material flying on the substrate 13.
  • the substrate holder 1 has a structure as shown in FIG. 3, the film-forming material that has flown to an area other than the substrate 13 passes through the opening 4 of the substrate holder 1, so that the substrate holder Adhesion to 1 is greatly suppressed.
  • the frame 2 holding the substrate 13 has a protruding portion that surrounds the substrate 13 by protruding toward the non-deposition surface 13 b opposite to the deposition surface 13 a of the held substrate 13.
  • the film-forming material that has passed through the opening 4 of the substrate holder 1 has the protruding portion 5 acting as a shielding plate, and therefore, the film-forming material is non-film-forming surface 13 b of the substrate 13. The problem of sneaking around and adhering is also suppressed.
  • the transfer means 35 has a structure for transferring by contacting or connecting only at both ends of the substrate holder 1, whereby the transfer means 3 is used for the evaporation in the evaporation chamber 31. 5 does not cast a shadow on the substrate 13 and does not cause a problem in the quality of the protective layer 18 which is a deposited film.
  • the substrate 13 is removed from the holding means 6 of the frame 2 of the substrate holder 1.
  • the substrate 13 is configured to be held by being placed on the support means 6 a provided on the frame 2, the substrate 13 is taken out above the frame 2. All that is needed and the task is very simple.
  • the substrate holder 1 from which the substrate 13 on which the vapor deposition has been completed is removed is held in the film formation device 30 again after holding a new undeposited substrate 13.
  • the deposition of MgO on the substrate 13 in the deposition chamber 31 may be performed in a state where the transport is stopped and stopped, or may be performed while the transport is performed. I do not care.
  • the structure of the film forming apparatus 30 is not limited to the above-described one, and a structure in which a buffer chamber is provided between each chamber for tact adjustment and the like, and a structure in which a chamber for heating and cooling is provided.
  • the effects of the present invention can be obtained for a batch-type structure in which the substrate holder 30 is installed in the chamber to form a film. Even in the case where the film forming apparatus has a batch-type configuration in which the substrate holder 1 is installed in the chamber 1, the same structure can be obtained by configuring the substrate holder 1 for holding the substrate 13 as described above. The effect can be obtained.
  • the protective layer 18 is formed by Mg ⁇ has been described as an example.
  • the present invention also includes other materials such as ITO and silver for forming the display electrode 16. Starting with the film, the substrate 13 Similar effects can be obtained when the film is formed while holding at 1.
  • an electron beam evaporation method is shown as an example of a film forming method.
  • the electron beam evaporation method not only the electron beam evaporation method, but also a method of ion plating using a hollow sword method and sputtering under reduced pressure. The same effect can be obtained in the film forming method performed.
  • the present invention is capable of suppressing the deposition of a film-forming material on the non-film-forming surface of a plasma display panel substrate, and is a method for manufacturing a plasma display panel known as a large-screen, thin, and lightweight display device.
  • a plasma display panel known as a large-screen, thin, and lightweight display device.

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Abstract

プラズマディスプレイパネルの基板（１３）への成膜を、基板保持具（１）に保持して行うプラズマディスプレイパネルの製造方法において、基板保持具（１）は、枠体（２）を複数配列して構成し、この枠体（２）の少なくとも一つによりプラズマディスプレイパネルの基板（１３）をその周縁部で保持し、且つ基板（１３）を保持した枠体（２）には、保持した基板の非成膜面側（１３ｂ）へ突出して基板（１３）を包囲する突出部（５）を設ける。突出部（５）が遮蔽板として作用するので、基板保持具（１）の開口部（４）を通過した成膜材料が基板（１３）の非成膜面（１３ｂ）に廻り込んで付着してしまうという課題が抑制される。

Description

明 細 書 プラズマディスプレイパネルの製造方法 技術分野
本発明は、 大画面で、 薄型、 軽量のディスプレイ装置として知られる プラズマディスプレイパネル （PD P) 用の基板への成膜を行う、 ブラ ズマディスプレイパネルの製造方法、 およびその際に用いるプラズマデ ィスプレイパネルの基板保持具に関するものである。 背景技術
PD Pは、 例えば画像表示面側の基板には、 電極を形成し、 これを覆 う誘電体層を形成し、 更にこの誘電体層を覆う保護層としての酸化マグ ネシゥム （Mg O) 膜を形成している。
ここで、 例えば保護層を形成する方法としては 成膜速度が高く比較 的良好な Mg O膜を形成できる、 電子ビーム蒸着法が広く用いられてい る （「 2 0 0 1 F P Dテクノロジ一大全」、株式会社電子ジャーナル、 2 0 0 0年 1 0月 2 5日、 p 5 9 8 - p 6 0 0参照) 。
PD Pの基板への Mg Oの成膜に関しては、 複数の基板に対する成膜 を連続して行うという目的のために、 基板を基板保持具に保持させ、 そ の状態で基板保持具を搬送口一ラー、 ワイヤー、 チェーン等の搬送手段 に、 接触、 または接続させ、 成膜装置内を搬送させることで、 連続的に 成膜するということが行われる。
しかしながらこのような場合には、 基板は、 基板保持具に保持された 状態のままで成膜されるので、 基板保持具の、 基板を保持した領域以外 の領域にも膜が形成されてしまうこととなる。 そしてこのような基板保 持具に形成された膜は、 成膜が繰り返される中で膜厚が厚くなり、 その 結果、 成膜装置内で欠落し、 成膜装置内でのダスト源となってしまう場 合がある。 成膜装置内にこのようなダストが存在すると、 成膜中にそれ を膜中に巻き込んでしまったり、膜原料中に混入してしまう場合があり、 成膜される膜の膜質に悪影響を与えてしまうこととなる。
ここで、 上述のような問題を解決する一つの手段として、 例えば図 9 にその一例を示すように、 基板保持具 1を、 枠体 2を複数配列して構成 し、 この枠体 2によりプラズマディスプレイパネルの基板 3をその周縁 部で保持するというものがある。 すなわち、 基板保持具 1が図 9に示す ような構造であると、 基板保持具 1の、 基板 3を保持した部分以外の領 域は開口部 4となることから、 基板保持具 1の、 基板 3を保持した領域 以外の領域には.. 膜は付着できなくなるというものである。 ここで、 図 9 ( a ) は基板保持具 1の概略構成を示す平面図であり、 図 9 ( b ) は、 図 9 ( a ) における A— A断面図である。
ここで、 M g〇膜を成膜する場合には、 保護層としての物性を確保す るために、 M g 0の酸素欠損を抑制することが必要であり、そのために、 成膜時に、 酸素、 または酸素を含むガスを導入することが行われる場合 がある。
このような場合、 成膜時の真空度は一般的な蒸着に比べ低真空度とな るため、 平均自由工程が比較的短くなり、 蒸着物 （成膜材料） の直進性 が損われてしまうことから、 基板保持具 1の開口部 4を通過した成膜材 料の一部が、 保持された基板 3の成膜面 3 a側とは逆の非成膜面 3 b側 に廻り込んで、 非成膜面 3 b側に部分的に付着してしまう場合がある。 このような場合、 基板 3には成膜材料が付着する領域とそうでない領域 との分布が発生し、 視覚的に異なる状態となるため、 画像表示に悪影響 を与えてしまうという課題が発生する。
本発明は、 このような課題に鑑みなされたものであり、 プラズマディ スプレイパネルの基板への成膜において、 基板の非成膜面に成膜材料が 付着することを抑制することで、 良質な画像表示が可能なプラズマディ スプレイパネルの製造方法を実現することを目的とする。 発明の開示
上記目的を達成するために本発明のプラズマディスプレイパネルの 製造方法は、 プラズマディスプレイパネルの基板への成膜を、 基板保持 具に保持して行うプラズマディスプレイパネルの製造方法において、 基 板保持具は、 枠体を複数配列して構成し、 この枠体の少なくとも一つに より基板をその周縁部で保持し、 且つ基板を保持した枠体には 保持し た基板の非成膜面側へ突出して基板を包囲する突出部を設けたことを特 徵とするものである。
また、 上記目的を達成するために本発明のプラズマディスプレイパネ ルの基板保持具は、 プラズマディスプレイパネルの基板への成膜を行う 際に用いるプラズマディスプレイパネルの基板保持具において、 枠体を 複数配列して構成し、 この枠体の少なくとも一つにより基板をその周縁 部で保持し、 且つ基板を保持する枠体には、 保持した基板の非成膜面側 へ突出して基板を包囲する突出部を設けたことを特徴とするものである 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の一実施の形態によるプラズマディスプレイパネルの 概略構成の一例を示す断面斜視図である。 図 2は、 本発明の一実施の形態による成膜装置の概略構成の一例を示 す断面図である。
図 3は、 本発明の一実施の形態による基板保持具の概略構成を示す図 である。
図 4は、 本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示 す断面図である。
図 5は、 本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示 すための一部拡大斜視図である。
図 6は、 本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示 すための一部拡大斜視図である。
図 7は、 本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示 すための一部拡大斜視図である。
図 8は、 本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示 すための一部拡大斜視図である。
図 9は 従来の基板保持具の概略構成を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の一実施の形態による P D Pの製造方法について、 図面 を用いて説明する。
まず、 P D Pの構造の一例について説明する。 図 1は、 本発明の一実 施の形態による P D Pの製造方法により製造される、 P D Pの概略構成 の一例を示す断面斜視図である。
P D P 1 1の前面板 1 2は、 前面側の、 例えばガラスのような透明且 つ絶縁性の基板 1 3の一主面上に形成した、 走査電極 1 4と維持電極 1 5とからなる表示電極 1 6と、その表示電極 1 6を覆う誘電体層 1 7と、 さらにその誘電体層 1 7を覆う、 例えば Mg Oによる保護層 1 8とを有 する構造である。 走査電極 1 4と維持電極 1 5は、 霉気抵抗の低減を目 的として、 透明電極 1 4 a、 1 5 aに金属材料、 例えば A gからなるバ ス電極 14 b、 1 5 bを積層した構造としている。
また背面板 1 9は、 背面側の、 例えばガラスのような絶縁性の基板 2 0の一主面上に形成したァドレス電極 2 1と、 そのアドレス電極 2 1を 覆う誘電体層 2 2と、 誘電体層 2 2上の、 隣り合うアドレス電極 2 1の 間に相当する場所に位置する隔壁 2 3と、 隔壁 2 3間の、 赤色 （R)、 緑 色 （G)、 青色 （B) に発光する蛍光体層 24 R、 24 G、 24 Bとを有 する構造である。
そして、 前面板 1 2と背面板 1 9とは、 隔壁 2 3を挟んで、 表示電極 1 6とアドレス電極 2 1とが直交するように対向し、 画像表示領域外の 周囲を封着部材により封止した構成であり、 前面板 1 2と背面板 1 9と の間に形成された放電空間 2 5には、 例えば N e— X e系、 H e—X e 系の放電ガスを約 6 6. 5 k P aの圧力で封入している。
そして、 放電空間 2 5の表示電極 1 6とアドレス電極 2 1との交差部 が放電セル 2 6 (単位発光領域) として動作する。
次に、 上述した P D P 1 1について、 その製造方法を、 同じく図 1を 参照しながら説明する。
前面板 1 2は、 基板 1 3上にまず、 走査電極 1 4および維持電極 1 5 をストライプ状に形成する。 具体的には、基板 1 3上に透明電極 14 a、 1 5 aの材料、 例えば I TOによる膜を、 蒸着やスパッ夕などの成膜プ ロセスにより形成し、 その後、 フォトリソ法などによってパターニング することでストライプ状に透明電極 14 a、 1 5 aを形成し、 さらにそ の上から、 バス電極 1 4 b、 1 5 bの材料、 例えば A gを、 蒸着ゃスパ ッ夕などの成膜プロセスにより形成し、 その後、 フォトリソ法などによ つてパターニングすることで、 ストライプ状にバス電極 1 4 b、 1 5 b を形成する。 以上により、 ストライプ状の走査電極 1 4および維持電極 1 5からなる表示電極 1 6を得ることができる。
次に、 以上のようにして形成した表示電極 1 6を、 誘電体層 1 7で被 覆する。 誘電体層 1 7は、 鉛系のガラス材料を含むペーストを例えばス クリーン印刷で塗布した後焼成することによって、 所定の層の厚み （約 2 0 z m〜 5 0 m、 好ましくは約 4 0 m) となるように形成する。 上記鉛系のガラス材料を含むペーストとしては、 例えば、 P b O、 B 2 0 3、 S i 〇2、 および C a Oと有機バインダ （例えば、 α —ターピネ才 —ルにェチルセルロースを溶解したもの) との混合物が使用される。 こ こで、 有機バインダとは樹脂を有機溶媒に溶解したものであり、 ェチル セルロース以外に樹脂としてァクリル樹脂、 有機溶媒としてプチルカ一 ビトールなども使用することができる。 さらに、 こうした有機バインダ に分散剤 (例えば、 ダリセルトリオレエート） を混入させてもよい。 次に、 以上のようにして形成した誘電体層 1 7を、 保護層 1 8で被覆 する。 保護層 1 8は、 例えば M g Οからなるものであり、 蒸着やスパッ タなどの成膜プロセスにより、層が所定の厚み (約 0 . 4 し m〜 1 、 好ましくは約 0 . 6 a m) となるように形成する。
一方、 背面板 1 9は、 基板 2 0上に、 7ドレス電極 2 1をストライプ 状に形成する。 具体的には、 基板 2 0上に、 アドレス電極 2 1の材料、 例えば A gによる膜を、 蒸着ゃスパッタなどの成膜プロセスにより形成 し、 その後、 フォトリソ法などによってパタ一ニングすることで、 スト ライプ状にァドレス電極 2 1を形成する。
次に、 以上のようにして形成したアドレス電極 2 1を、 誘電体層 2 2 により被覆する。 誘電体層 2 2は、 例えば、 鉛系のガラス材料を含むぺ 一ストを、 例えば、 スクリーン印刷で塗布した後、 焼成することによつ て、 所定の厚み （約 1 0 m〜 5 0 ^ m、 好ましくは約 1 0 m) とな るように形成する。
次に、 隔壁 2 3を、 例えばストライプ状に形成する。 隔壁 2 3は、 誘 電体層 2 2と同じく、 例えば、 鉛系のガラス材料を含むペーストを、 例 えば、 スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後、 焼 成することによって形成する。 ここで、 隔壁 2 3の間隙の寸法は、 例え ば画面サイズが 3 2ィンチ〜 6 5ィンチの場合、 1 3 0 m〜 3 6 0 m程度となる。
そして、 隔壁 2 3と隔壁 2 3との間の溝には、 赤色 （R )、 緑色 （G )、 青色 （B ) の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層 2 4 R、 2 4 G、 2 4 Bを形成する。 これは、 各色の蛍光体粒子と有機バインダとからな るペースト状の蛍光体ィンキを塗布し、 これを焼成して有機バインダを 焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層 2 4 R、 2 4 G、 2 4 Bとして形成する。
以上のようにして作製した前面板 1 2と背面板 1 9とを、 前面板 1 2 の表示電極 1 6と背面板 1 9のァドレス電極 2 1とが直交するように重 ね合わせるとともに、 周縁に封着用ガラスによる封着部材を介挿し、 こ れを誘電体層 1 7の焼成温度より低い温度で焼成して気密シール層 （図 示せず） 化することで封着する。 そして、 一旦、 放電空間 2 5内を高真 空に排気した後、 例えば、 《[ 6— €系、 N e— X e系の放電ガスを所 定の圧力で封入することにより P D P 1 1を作製する。
以上述べたように、 P D P 1 1の製造工程においては、 成膜プロセス が多く用いられている。 そこで、 その成膜プロセスについて、 M g Oに よる保護層 1 8を蒸着により形成する場合を例として、 図を用いて説明 する。
まず、 成膜装置の構成の一例について説明する。 図 2は、 保護層 1 8 を形成するための成膜装置 3 0の概略構成の一例を示す断面図である。 この成膜装置 3 0は、プラズマディスプレイパネルの基板 1 3に対し、 M g〇を蒸着させて M g O薄膜である保護層 1 8を形成する蒸着室 3 1 、 M g〇蒸着室 3 1に投入する前に、 基板 1 3を予備加熱するとともに、 予備排気を行うための基板投入室 3 2、 そして、 蒸着室 3 1での蒸着が 終了後、 取り出された基板 1 3を冷却するための基板取出室 3 3から構 成している。
以上の、 基板投入室 3 2、 蒸着室 3 1、 基板取出室 3 3の各々は、 内 部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、 各室ごとに独立し て真空排気系 3 4 a 、. 3 4 . 3 4 cをそれぞれ備えている。
また、 基板投入室 3 2、 蒸着室 3 1、 基板取出室 3 3を貫いて、 搬送 ローラ一. ワイヤー-. チェーン等で構成される搬送手段 3 5を配設し-. また成膜装置 3 0の外と基板投入室 3 2との間、 基板投入室 3 2と蒸着 室 3 1との間、 蒸着室 3 1と基板取出室 3 3との間、 基板取出室 3 3と 成膜装置 3 0の外との間はそれぞれ、開閉可能な仕切壁 3 6 a、 3 6 b、 3 6 c 、 3 6 dで仕切っている。 そして、 搬送手段 3 5の駆動と仕切壁 3 6 a , 3 6 b , 3 6 c , 3 6 dそれぞれの開閉とを連動させることに よって、 基板投入室 3 2、 蒸着室 3 1、 基板取出室 3 3それぞれの真空 度の変動を最小限として、 基板 1 3を成膜装置 3 0外から基板投入室 3 2、 蒸着室 3 1、 基板取出室 3 3の順に通過させ、 それぞれの室での所 定の処理を行い、その後、成膜装置 3 0外に搬出することが可能である。 そして以上の動作により、複数枚の基板 1 3を連続的に投入することで、 連続して M g〇の成膜を行うことが可能である。
また、 基板投入室 3 2、 蒸着室 3 1の各室には、 基板 1 3を加熱する ための加熱ランプ 3 7 a、 3 7 bをそれぞれ設置している。
そして蒸着室 3 1には、 蒸着源 3 8 aである M g〇の粒を入れたハー ス 3 8 b、 電子銃 3 8 c、 磁場を印加する偏向マグネット （不図示） な どを設けており、 電子銃 3 8 cから照射した電子ビーム 3 8 dを、 偏向 マグネットにより発生する磁場によって偏向して蒸着源 3 8 aに照射し， 蒸着源 3 8 aである M g◦の蒸気流 3 8 eを発生させる。 そして、 発生 させた蒸気流 3 8 eを、 基板 1 3の表面に堆積させて M g〇の保護層 1 8を形成する。 ここで、 蒸着室 3 1には、 蒸着される M g Oが、 良質な M g〇となるよう、 蒸着時の蒸着室 3 1の雰囲気を酸素雰囲気とするた めの、 酸素、 または酸素を含むガスを導入するための導入手段 3 9を設 置しており、 ここから酸素、 または酸素を含むガスを導入しながら蒸着 を行うので、 蒸着時の蒸着室 3 1内の真空度は、 一般的な蒸着の場合に 比べ、 比較的、 低真空度となっている。 また蒸気流 3 8 eは、 必要時以 外はシャツタ 3 8 f で遮断できるようになつている。
なお、 成膜装置 3 0の構成としては、 上述したもの以外に、 例えば、 基板 1 3の温度プロファイルの設定条件に応じて、 基板投入室 3 2と蒸 着室 3 1の間に基板 1 3を加熱するための基板加熱室が一つ以上あるも のや、 また、 蒸着室 3 1と基板取出室 3 3の間に基板冷却室が一つ以上 あるもの等でも構わない。
以上の成膜装置 3 0においては、 基板 1 3の搬送は、 基板保持具 1に 保持させた状態で、 基板保持具 1と成膜装置 3 0の搬送手段 3 5とを接 触または接続させて行う。
そこで次に、 本発明の一実施の形態による基板保持具 1について、 図 3を用いて説明する。
図 3 ( a ) に、基板保持具 1の概略構成の平面図を、 そして、 図 3 ( a ) における A— A断面図を図 3 ( b ) に示す。
図 3に示すように、 基板保持具 1は、 枠体 2を複数配列して構成し、 この枠体 2の少なくとも一つによりプラズマディスプレイパネルの基板 1 3をその周縁部で保持する。そして、 基板 1 3を保持した枠体 2には、 保持した基板 1 3の成膜面 1 3 aとは逆側の非成膜面 1 3 b側へ突出し、 そして基板 1 3を包囲する突出部 5を設けたことを特徴とするものであ る。 そして、 基板 1 3を保持しない枠体 2の箇所は開口部 4となる。 基板保持具 1が上述のような開口部 4を有する構造であることから、 図 2の成膜装置 3 0のハース 3 8 bからの蒸気流 3 8 eのうち、 基板 1 3以外の領域に飛翔する分は、 開口部 4を通過するため、 基板保持具 1 には付着しない。 その結果、 基板保持具 1に成膜材料が付着、 堆積し、 それが欠落してしまうことで、 成膜装置 3 0内においてダストとなると いう課題の発生が抑制される。
また、 基板 1 3を保持した枠体 2は、 保持した基板 1 3の非成膜面 1 3 b側へ突出し、 基板 1 3を包囲する突出部 5を備えることから、 上述 したように、 一般的な蒸着に比べ低真空度であることにより平均自由ェ 程が比較的短くなり、 成膜材料の飛翔の際の直進性が損われてしまい、 基板保持具 1の開口部 4を通過した成膜材料の一部が、 保持された基板 1 3の非成膜面 1 3 b側に廻り込んで部分的に付着してしまうという課 題の発生を抑制することができる。 これは、 突出部 5が、 廻り込んでく る成膜材料を遮蔽するように作用するためである。 この遮蔽作用を効果 的にするためには、 突出物 5の高さ Hは、 基板 1 3の非成膜面 1 3 bか ら l mm以上であることが好ましく、 実際の作業性や図 2に示したよう な成膜装置 3 0において、 搬送手段 3 5から上の空間をできる限り小さ くすることで成膜工程での真空度などの条件を安定にするという観点か ら、 1 0 0 mm以下とすることが好ましい。 なお、 高さ Hが l mm程度 の場合は、 幅 W (図 3 ) は 1 0 mm以上であることが好ましく、 高さ H を高くするほど幅 Wを小さくすることができる。
また、 突出部 5は、 図 3に示したような、 直線的に突出する以外に、 開口部 4を通過して飛翔してきた成膜材料を遮蔽する効果を有するもの であれば、 図 4に示すような、 湾曲した形状など、 特にその形状は問わ ない。
また、 枠体 2を複数配列した構造としては、 枠体 2を複数組み合わせ たもの以外に、 板状の物体を削り出して孔を設けることで一体物として 構成したものなど、 さまざまな構造を挙げることができる。
なお、 枠体 2が基板 1 3を保持するための保持手段 6としては、 例え ば、 図 5〜図 8に挙げる構成がある。 図 5〜図 8は、 基板保持具 1の一 部を拡大して示したものである。 図 5に示す保持手段 6の構成は、 枠体 2の断面形状が L字状や逆 T字状で、 枠体 2の横部が基板 1 3を下方か ら支持する支持手段 6 aとして機能し、 縦部が、 基板 1 3の面方向の位 置を規制する規制手段 6 bとして機能するものである。 そして、 基板 1 3は、 規制手段 6 bにはめ込んで支持手段 6 a上に載置することで保持 することができる。 すなわち、 この場合は、 枠体 2の縦部である規制手 段 6 bが突出部 5を兼ねた構造となる。
また、 図 6に示す基板保持具 1の保持手段 6の構成は、 枠体 2が縦部 のみであり、 この枠体 2が基板 1 3の面方向の位置を規制する規制手段 6 bとして機能し、 また、 枠体 2の下面側に、 基板 1 3を下方から支持 する支持手段 6 aを設けた構成である。 そして基板 1 3は、 規制手段 6 bにはめ込んで支持手段 6 a上に載置することで保持することができる。 この場合は、 枠体 2が規制手段 6 bおよび突出部 5とを兼ねた構造とな る。
また、 図 7に示す保持手段 6の構成は、 枠体 2が横部のみであり、 こ の枠体 2が基板 1 3を下方から支持する支持手段 6 aとして機能し、 ま た、 枠体 2の上面側に、 基板 1 3の面方向の位置を規制する規制手段 6 bを設けた構成である。 そして基板 1 3は、 規制手段 6 bにはめ込んで 支持手段 6 a上に載置することで保持することができる。 この構造の場 合には、 規制手段 6 bが離散的であることから、 基板 1 3を包囲する突 出部 5は、 規制手段 6 bとは別に設ければ良い。
なお、 突出部 5が基板保持具 1とは別部材であり、 例えば図 8に示す ように、 何らかの手段で基板保持具 1の枠体 2に取り付けられた構成で あっても構わない。
保持手段 6が以上で述べたような構成であれば、 基板 1 3は、 枠体 2 に設けられた保持手段 6の支持手段 6 a上に載置することで保持できる ため、 基板 1 3の、 基板保持具 1に対する取り付け、 取り外しは、 枠体 2の上方へ引き上げるだけで済み、 その作業は非常に簡素に済む。
次に、 上述のような基板保持具 1に基板 1 3を保持させ、 搬送手段 3 5により成膜装置 3 0内を搬送し、 基板 1 3に対して成膜を行う際のェ 程の一例について、 図 1〜図 3を用いて説明する。
まず、 例えば図 3に示すような構成の基板保持具 1により保持した基 板 1 3を、図 2に示すような成膜装置 3 0の、基板投入室 3 2に投入し、 真空排気系 3 4 aにより予備排気しながら加熱ランプ 3 7 aにより加熱 する。 ここで基板 1 3は、 表示電極 1 6と誘電体層 1 7とが形成された 状態である。 基板投入室 3 2内が所定の真空度に到達したら、 仕切り壁 3 6 bを開 けるとともに、 搬送手段 3 5を用いて、 加熱された状態の基板 1 3を基 板保持具 1に保持した状態で蒸着室 3 1に搬送する。
蒸着室 3 1では、 加熱ランプ 3 7 bにより基板 1 3を加熱してこれを 一定温度に保つ。 この温度は、 表示電極 1 6や誘電体層 1 7が熱劣化す ることがないように、 1 0 0 °C〜4 0 0 °C程度に設定される。 そして、 シャツタ 3 8 f を閉じた状態で、 電子銃 3 8 cから電子ビーム 3 8 dを 蒸着源 3 8 aに照射して予備加熱することにより、 所定のガス出しを行 つた後、 導入手段 3 9から、 酸素、 または酸素を含むガスを導入する。 この導入により、 真空度は一般的な蒸着に比べ低いものとなる。 この状 態でシャツ夕 3 8 f を開けると、 M g Oの蒸気流 3 8 eが基板保持具 1 が保持している基板 1 3に向け噴射される。 その結果、 基板 1 3に飛翔 した成膜材料により基板 1 3上には M g O膜による保護層 1 8が形成さ れる。
ここで基板保持具 1が図 3に示すような構造であることから、 基板 1 3以外の領域に飛翔した成膜材料は、 基板保持具 1の開口部 4を通過す るので、 基板保持具 1への付着は大幅に抑制される。
また、 基板 1 3を保持した枠体 2には、 保持した基板 1 3の成膜面 1 3 aとは逆側の非成膜面 1 3 b側へ突出して基板 1 3を包囲する突出部 5を設けているので、 基板保持具 1の開口部 4を通過した成膜材料は、 突出部 5が遮蔽板として作用し、 したがって、 成膜材料が基板 1 3の非 成膜面 1 3 bに廻り込んで付着してしまうという課題も抑制される。 そして、 基板 1 3上に形成された M g Oの蒸着膜である保護層 1 8の 膜厚が、 所定の値 （約 0 . 4 m ~ l m、 好ましくは 0 . 6 i m) に 達したら、 シャツ夕 3 8 f を閉じ、 仕切り壁 3 6 cを通じて基板 1 3を 基板取出室 3 3へ搬送する。 ここで、 搬送手段 3 5は、 基板保持具 1の 両端部でのみに接触または接続して搬送する構造となっており、 このこ とにより、 蒸着室 3 1での蒸着の際、 搬送手段 3 5により基板 1 3に影 ができてしまい、 蒸着膜である保護層 1 8の品質に問題が生じるという ことはない。
そして、 基板取出室 3 3で基板 1 3を所定の温度以下に冷却した後、 基板 1 3を、基板保持具 1の枠体 2の保持手段 6から取り出す。ここで、 本実施の形態では、 基板 1 3は、 枠体 2に設けられた支持手段 6 a上に 載置することで保持するという構成であるため、 取り出しは、 枠体 2の 上方へ引き上げるだけで済み、 その作業は非常に簡素に済む。
また、 蒸着を完了した基板 1 3を取り外した後の基板保持具 1は、 新 たな未成膜の基板 1 3を保持した後、 成膜装置 3 0に再投入される。 なお、 上述の説明においては、 基板 1 3に対する、 蒸着室 3 1内での M g Oの蒸着は、 搬送を停止して静止した状態で行っても、 搬送しなが ら行ってもどちらでも構わない。
また、 成膜装置 3 0の構造も、 上述のものに限らず、 タクト調整等の ために各室間にバッファー室を設けた構成や、 加熱 ·冷却のためのチヤ ンバ一室を設けた構成、 バッチ式で、 チャンバ一内に基板保持具 3 0を 設置して成膜を行う構造のもの等に対してでも、 本発明による効果を得 ることができる。 なお、 成膜装置がバッチ式でチャンバ一内に基板保持 具 1を設置するという構成の場合であっても、 基板 1 3を保持する基板 保持具 1を上述した構成にすることで、同様の効果を得ることができる。 以上の説明では、 M g〇により保護層 1 8を形成する場合を例として 示したが、 本発明は、 この他にも、 表示電極 1 6を形成するための、 I T Oや銀の材料を成膜する場合をはじめとして、 基板 1 3を基板保持具 1にて保持した状態で成膜を行う場合に対して、 同様の効果を得ること ができる。
また、 以上の説明では、 成膜方法として、 電子ビーム蒸着法を例とし て示したが、 電子ビーム蒸着法だけでなく、 ホロ一力ソード方式による イオンプレーティング、 並びにスパッタリングといった、 減圧下にて行 われる成膜方法においても、 同様の効果を得ることができる。 産業上の利用可能性
本発明は、 プラズマディスプレイパネル基板の非成膜面に、 成膜材料 の付着を抑制することが可能であり、 大画面で、 薄型、 軽量のディスプ レイ装置として知られるプラズマディスプレイパネルの製造方法等とし て有用である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . プラズマディスプレイパネルの基板への成膜を、基板保持具に保 持して行うプラズマディスプレイパネルの製造方法において、 前記基板 保持具は、 枠体を複数配列して構成し、 前記枠体の少なくとも一つによ り前記基板をその周縁部で保持し、 且つ前記基板を保持した枠体には、 保持した前記基板の非成膜面側へ突出して前記基板を包囲する突出部を 設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
2 . 突出部の高さが、 基板の非成膜面から 1 mm〜 1 0 0 mmである ことを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造 方法。
3 . 枠体は、 基板を下方から支持する支持手段と、 前記基板の面方向 の位置を規制する規制手段とからなる保持手段を備え、 前記基板は、 前 記規制手段にはめ込んで前記支持手段上に載置することで保持すること を特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法 (
4 . プラズマディスプレイパネルの基板への成膜を行う際に用いるプ ラズマディスプレイパネルの基板保持具において、 前記基板保持具は、 枠体を複数配列して構成し、 前記枠体の少なくとも一つにより前記基板 をその周縁部で保持し、 且つ前記基板を保持する枠体には、 保持した前 記基板の非成膜面側へ突出して前記基板を包囲する突出部を設けたこと を特徴とするプラズマディスプレイパネルの基板保持具。
5 . 突出部の高さが、 基板の非成膜面側から l mm〜 1 0 0 mmであ ることを特徴とする請求項 4に記載のプラズマディスプレイパネルの基 板保持具。
6 . 枠体は、 基板を下方から支持する支持手段と、 前記基板の面方向 の位置を規制する規制手段とからなる保持手段を備え、 前記基板は、 前 記規制手段にはめ込んで前記支持手段上に載置することで保持すること を特徴とする請求項 4に記載のプラズマディスプレイパネルの基板保持
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