DE102012111078A1 - Substratträger - Google Patents

Substratträger Download PDF

Info

Publication number
DE102012111078A1
DE102012111078A1 DE201210111078 DE102012111078A DE102012111078A1 DE 102012111078 A1 DE102012111078 A1 DE 102012111078A1 DE 201210111078 DE201210111078 DE 201210111078 DE 102012111078 A DE102012111078 A DE 102012111078A DE 102012111078 A1 DE102012111078 A1 DE 102012111078A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
substrates
treatment
substrate carrier
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE201210111078
Other languages
English (en)
Inventor
Ekkehart Reinhold
Jörg Faber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Von Ardenne GmbH
Original Assignee
Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Von Ardenne Anlagentechnik GmbH filed Critical Von Ardenne Anlagentechnik GmbH
Priority to DE201210111078 priority Critical patent/DE102012111078A1/de
Publication of DE102012111078A1 publication Critical patent/DE102012111078A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Substratträger zur Beschichtung von Substraten, umfassend einen plattenförmigen Grundkörper (2) mit einer Vorderseite und einer Rückseite sowie mit einer Mehrzahl von Substrataufnahmen (4) für je ein plattenförmiges Substrat (1), wobei die Substrataufnahmen (4) auf der Vorderseite des Grundkörpers (2) angeordnet und als wannenförmige Vertiefungen ausgebildet sind, und weiter umfassend eine mit der Vorderseite des Grundkörpers (2) verbindbare plattenförmige Abdeckmaske (3) mit einer der Anzahl und Anordnung der Substrataufnahmen (4) entsprechenden Anzahl und Anordnung von Maskenöffnungen (6), wobei der Grundkörper (2) und die Abdeckmaske (3) miteinander zusammenwirkende Verbindungsmittel (7, 8) aufweisen, die zum lösbaren Verbinden der Abdeckmaske (3) mit dem Grundkörper (2) ausgebildet sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Substratträger zur Behandlung von Substraten, vorzugsweise flächigen Elementen, beispielsweise die Behandlung zum Zwecke der Oberflächenreinigung durch Sputterätzen oder andere Reinigungsverfahren oder/und durch die Beschichtung der Substrate, in an sich bekannten Behandlungsanlagen, mit welchem Substrate durch die Behandlungsanlage geführt werden. Ein Einsatzbeispiel ist die Rückseitenmetallisierung von Wafern.
  • Bekannt sind Transportsysteme für kontinuierliche Substratbehandlungsanlagen, in denen die Substrate auf Träger aufgelegt werden, um mit Hilfe dieser Träger durch die Behandlungsanlage hindurch bewegt zu werden und während des Durchlaufs dynamisch beschichtet zu werden. Erfolgt die Beschichtung horizontal von oben nach unten, so werden die Substrate mit der zu beschichtenden Seite nach oben eingelegt und mit geeigneten Fixierelementen des Substratträgers auf Position gehalten.
  • In vielen Fällen ist eine horizontale Beschichtung von oben nach unten entweder aus Gründen der Prozessführung, aus substratbezogenen Gründen oder aus anderen Gründen nicht möglich oder nicht vorteilhaft durchführbar. Es muss eine Beschichtung in einer anderen Orientierung durch ein an das jeweilige Substrat angepasstes Beschichtungsfenster erfolgen. Zu diesem Zweck sind im Boden des Trägers Ausbrüche entsprechend der Substratkontur vorhanden, die eine möglichst dichte Substratbelegung bei gleichzeitig gewährleisteter Stabilität des Substratträgers erlauben.
  • Ein Nachteil dieser Lösung ist, dass die Substratträger durch thermische Beanspruchung mechanisch deformiert werden. Eine ausreichende Stabilität wird durch ein kompliziertes Design erzielt, welches nach einer bestimmten Anzahl von Beschichtungsdurchläufen eine Reinigung erschwert.
  • Ein weiterer Nachteil der bekannten Lösung stellt die Gefahr der Hinterdampfung, also der ungewollten rückseitigen Beschichtung der Substrate dar. Diese Hinterdampfung tritt auf, wenn ein Substrat auf dem Substratträger fehlt oder nicht dicht auf dem Träger aufliegt. Beschichtungspartikel können so auf die Rückseite der Substrate gelangen.
  • Es besteht daher der Bedarf nach einem verbesserten Substratträger, welcher die oben genannten Nachteile vermeidet.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch einen Substratträger mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Es wird ein Substratträger für mehrere Substrate vorgeschlagen, der einen plattenförmigen Grundkörper mit einer Vorderseite und einer Rückseite sowie mit einer Mehrzahl von Substrataufnahmen für je ein plattenförmiges Substrat umfasst, wobei die Substrataufnahmen auf der Vorderseite des Grundkörpers angeordnet und als wannenförmige Vertiefungen ausgebildet sind, und weiter umfassend eine mit der Vorderseite des Grundkörpers verbindbare plattenförmige Abdeckmaske mit einer der Anzahl und Anordnung der Substrataufnahmen entsprechenden Anzahl und Anordnung von Maskenöffnungen, wobei der Grundkörper und die Abdeckmaske miteinander zusammenwirkende Verbindungsmittel aufweisen, die zum lösbaren Verbinden der Abdeckmaske mit dem Grundkörper ausgebildet sind.
  • Mit anderen Worten soll der Grundkörper des Substratträgers mit Vertiefungen, die den Grundkörper nicht durchbrechen und die als Substrataufnahmen dienen, versehen sein. Es ist des Weiteren eine Abdeckmaske vorgesehen, welche mit der Vorderseite des Grundkörpers abschließt und Öffnungen für die Beschichtung der Substrate enthält. Dadurch wird eine unbeabsichtigte Behandlung der dem Grundkörper zugewandten Substratseite ausgeschlossen.
  • Es ist außerdem eine lösbare Verbindung zwischen Abdeckmaske und Grundkörper vorgesehen. Die Verbindungsmittel zur lösbaren Verbindung von Grundkörper und Abdeckmaske erlauben es, dass der Substratträger beispielsweise durch Wende- und/oder Kippeinrichtungen in eine beabsichtigte Beschichtungsposition gebracht, durch eine Substratbehandlungsanlage transportiert und vor der Entladung der Substrate wieder in seine Ausgangsorientierung zurückgebracht werden kann.
  • Dabei kann vorgesehen sein, dass die Substrate und die Abdeckmaske die Vorderseite des Grundkörpers komplett bedecken, so dass die Vorderseite des Grundkörpers durch die Substratbehandlungsprozesse keine Behandlung erfährt und weder Abtrag noch Beschichtung erfährt, folglich auch nicht zyklisch gereinigt werden muss.
  • Der Substratträger kann weiter vorteilhaft so gestaltet sein, dass die Substrate mit Hilfe des Substratträgers zum Zwecke der Behandlung der Substrate in einen Vakuumbereich einer Substratbehandlungsanlage einschleusbar und wieder ausschleusbar sind.
  • Beispielsweise kann der Substratträger ein Transportcarrier sein, der von Transportrollen getrieben durch eine Inline-Substratbehandlungsanlage geführt wird und die Substrate in einem einmaligen Durchlauf Vakuumvorbehandlungsprozessen und/oder Vakuumbeschichtungsprozessen ausgesetzt werden. Dazu ist der vorgeschlagene Substratträger vorzugsweise vakuumtauglich, d.h. mit sehr geringer Ausgasungsrate von beispielsweise weniger als 50 sccm/min. ausgeführt, die aus dem Materialvolumen, von der Oberfläche oder konstruktiv bedingten Hohlräumen gespeist werden.
  • Dabei ist der Substratträger vorzugsweise so gestaltet, dass er dafür geeignet ist, durch eine Wendeeinrichtung um 180° gewendet werden, so dass nach dem Wenden der Substrattransport mit der Abdeckmaske auf der Unterseite des Substratträgers erfolgt, so dass eine Substratbehandlung der freien Substratoberflächenteile von unten nach oben erfolgen kann.
  • Eine mögliche Ausgestaltung umfasst einen Substratträger mit den oben genannten Merkmalen und ist dadurch gekennzeichnet, dass die wannenförmigen Vertiefungen der Substrataufnahmen geneigte Seitenflächen aufweisen, so dass sich die Substrataufnahme mit zunehmender Tiefe verjüngt.
  • Diese Substrataufnahmen haben zwei Vorteile. Zum einen lässt sich der Grundkörper mit einem einfachen Fertigungsverfahren, beispielsweise im Tiefziehverfahren aus einem Blech oder dergleichen herstellen. Die geneigten Seitenflächen dienen dabei als Entformungsschrägen. Zum anderen dienen die geneigten Seitenflächen der Zentrierung der Substrate im Grundkörper, sodass eine Zentrierung des Substrates im Grundkörper gewährleistet werden kann. Dies ist nicht nur bei einem durch Umformen hergestellten Grundkörper der Fall, sondern auch dann, wenn der Grundkörper beispielsweise aus einer dickeren Platte hergestellt wird und die Substrataufnahmen durch ein spanendes Umformverfahren wie Fräsen oder dergleichen erzeugt werden.
  • In einer weiteren Ausgestaltung wird eine Zentrierung zwischen Grundkörper und Abdeckmaske durch Zentrierbolzen und zusammenwirkende Zentrieröffnungen als Verbindungsmittel gewährleistet.
  • Diese Zentrierbolzen können in einer weiteren Ausführung in den Zentrieröffnungen verriegelbar sein.
  • Vorteilhaft ist dabei die Verwendung von mindestens zwei Zentrierbolzen und dazugehörigen Zentrieröffnungen, eine größere Anzahl verbessert die Zentrierung und den dichten Abschluss zwischen Grundkörper und Abdeckmaske. Dabei können entweder die Zentrierbolzen am Grundkörper und die Zentrieröffnungen an der Abdeckmaske angeordnet sein oder umgekehrt.
  • Um die Wärmeableitung vom Substrat zu verbessern und die thermische Belastung des Substrates zu verringern, kann in einer weiteren Ausgestaltung in den Substrataufnahmen je ein Wärmeleitelement angeordnet sein.
  • Dieses Wärmeleitelement kann des Weiteren gasdurchlässig ausgeführt sein, eine Ausführung des Wärmeleitelementes welche bei Erwärmung Gas abgibt ist ebenfalls möglich.
  • Eine weitere Ausgestaltung kann Gaseinleitungskanäle, die in die Substrataufnahmen zwischen Substrat und Grundkörper führen, enthalten. Durch diese kann der Wärmeübergang zwischen Substratträger und Substrat verbessert werden.
  • Weiter kann vorgesehen sein, dass der Grundkörper ein hohes Absorptionsvermögen für Strahlung, vorzugsweise von über 80% bezogen auf 100% Absorption beim idealen schwarzen Körper, aufweist, was sowohl mit der Materialauswahl wie auch mit einer geeigneten Oberflächenbehandlung erreicht werden kann.
  • Vorteilhaft weist der Grundkörper eine hohe mechanische Stabilität auf. Dazu kann beispielsweise vorgesehen sein, dass der Grundkörper aus CFC, einer Titanlegierung, Borax, Keramik oder Basalt gefertigt ist.
  • Durch den beschriebenen Substratträger kann eine Hinterdampfung und eine Kantenbeschichtung der Substrate zuverlässig vermieden werden.
  • Ebenfalls ist die Reinigung des Substratträgers wesentlich vereinfacht. Die Abdeckmaske kann für vorgesehene Reinigungen abgenommen werden und bei Bedarf günstig ersetzt werden. Der Grundkörper muss nicht mehr gereinigt werden, da die Beschichtung allein auf der Substratoberfläche und den nicht ausgesparten Bereichen der Abdeckmaske stattfindet.
  • Der Grundkörper kann vorteilhaft aus einem Material gefertigt sein, welches mechanisch stabil ist und eine hohe Warmfestigkeit aufweist, eine Möglichkeit wäre eine Verwendung von Kohlenstofffaserverstärktem Kohlenstoff (CFC).
  • Bei geringerer Wärmebelastung ist für den Grundkörper die Verwendung eines Werkstoffes mit hoher Wärmekapazität, beispielsweise Aluminium vorteilhaft.
  • Ein hohes Wärmeabsorptionsvermögen der dem Substrat zugewandten Oberfläche des Grundkörpers kann durch eine Oberflächenbehandlung erreicht werden.
  • Weiter kann vorgesehen sein, dass die Abdeckmaske ein geringes Absorptionsvermögen für Strahlung aufweist und vorzugsweise aus metallisch glänzendem Material besteht. Die Abdeckmaske kann aus widerstandsfähigem, aber trotzdem günstigem Material wie beispielsweise Edelstahl bestehen.
  • Weiterhin wird ein Verfahren zur Behandlung von Substraten vorgeschlagen, bei dem die Substrate an mindestens einer Behandlungseinrichtung vorbei bewegt werden, die auf den der Behandlungseinrichtung zugewandten, nicht abgedeckten Teil der Substratoberfläche einwirkt, wobei die Substrate in einem Substratträger mit den oben benannten Merkmalen gehalten werden.
  • Dadurch wird die Behandlung der Substrate auf einen gewünschten Substratoberflächenbereich eingegrenzt, wodurch ein Substrattransport mit beliebigen Orientierungen der Oberflächennormale der zu beschichtenden Substratoberflächenanteile ermöglicht wird, und keine Einschränkungen für die Einwirkrichtung der Behandlungen erforderlich ist. Mit anderen Worten wird durch das vorgeschlagene Verfahren zur Behandlung von Substraten durch die Substrate und die Abdeckmaske eine Behandlung des Grundkörpers des Substratträgers verhindert.
  • Für die Verwendung des beschriebenen Substratträgers in einem derartigen Verfahren ist es vorteilhaft, dass die Substrate mit Hilfe des Substratträgers zum Zwecke der Behandlung der Substrate in einen Vakuumbereich einer Substratbehandlungsanlage einschleusbar und wieder ausschleusbar sind.
  • Dabei kann weiter vorgesehen sein, dass der Substratträger von Transportrollen getrieben durch eine Inline-Substratbehandlungsanlage geführt wird und die Substrate in einem einmaligen Durchlauf Vakuumvorbehandlungsprozessen und/oder Vakuumbeschichtungsprozessen ausgesetzt werden.
  • Die Verbindungsmittel zur wieder lösbaren Verbindung von Grundkörper und Abdeckmaske können vorteilhaft so ausgestaltet sein, dass sie es erlauben, dass der Substratträger durch Wende- und/oder Kippeinrichtungen in eine beabsichtigte Beschichtungsposition gebracht, durch die Substratbehandlungseinrichtung bewegt und vor der Entladung wieder in seine Ausgangsorientierung zurückgebracht wird. Mit anderen Worten sind die lösbaren Verbindungsmittel so gestaltet, dass sie ein ungewolltes Lösen verhindern, selbst wenn der Substratträger geneigt oder umgedreht wird.
  • In der Substratbehandlungseinrichtung kann eine Transporteinrichtung zum Transport der Substratträger so ausgestaltet sein, dass der Substratträger an einer Stelle des Transportpfads um 180° gewendet wird und der weitere Transport des Substratträgers mit der Abdeckmaske auf der Unterseite des Substratträgers erfolgt, so dass eine Substratbehandlung der freien Substratoberflächenteile von unten nach oben erfolgen kann.
  • Das beschriebene Verfahren zur Behandlung von Substraten und der beschriebene Substratträger können besonders vorteilhaft bei der Behandlung von Substraten im Vakuum verwendet werden.
  • Ein solches Verfahren zur Behandlung von Substraten kann insbesondere die Behandlung von Substraten umfassen, die einen Oberflächenaktivierungs- und Reinigungsprozess und/oder einen Vakuumbeschichtungsprozess und/oder einen auf den Vakuumbeschichtungsprozess folgenden Nachbehandlungsprozess beinhaltet.
  • Dabei kann weiter vorgesehen sein, dass das Verfahren ein Inlineverfahren ist und die Substrate im einmaligen Durchlauf durch eine Substratbehandlungsanlage eine dynamische Behandlung erfahren.
  • Bei dem Verfahren zur Behandlung von Substraten kann weiter vorgesehen sein, dass die Behandlung der Substrate von unten nach oben erfolgt, wofür der Substratträger vor der Behandlung der Substrate aus seiner Beladeposition um 180° gewendet wird und nach der Behandlung für die Entladung wieder zurück gewendet wird.
  • Schließlich kann bei dem beschriebenen Verfahren zur Behandlung von Substraten weiterhin vorgesehen sein, dass bei der Substratbehandlung zumindest ein Teil der in die Substrate eingetragenen Wärme durch geeignete zusätzliche Mittel, wie zum Beispiel Wärmeleitfolie, gasabgebende Polster und/oder Gaseinlass in den Raum zwischen den Substraten und dem Grundkörper des Substratträgers, von den Substraten an den Grundkörper des Substratträgers durch Wärmeleitung übertragen wird.
  • Nachfolgend wird der Substratträger anhand von Ausführungsbeispielen und zugehörigen Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen
  • 1 ein erstes Ausführungsbeispiel eines Substratträgers im Querschnitt,
  • 2 ein zweites Ausführungsbeispiel eines Substratträgers im Querschnitt, und
  • 3 eine Draufsicht auf einen Substratträger gemäß 1.
  • In 1 ist im Querschnitt ein Ausführungsbeispiel mit Zentrierbolzen 7 an der Abdeckmaske 3 dargestellt, bei dem der Grundkörper 2 eine matrixartige Anordnung von Substrataufnahmen 4 aufweist, die jeweils geneigte Seitenflächen 5 aufweisen und in die jeweils ein Substrat 1 eingelegt ist. In den Substrataufnahmen 4 ist jeweils zwischen der Bodenfläche der Substrataufnahme 4 und dem Substrat 1 ein Wärmeleitelement 10 zur Wärmeableitung vom Substrat 1 zum Grundkörper 2 eingelegt.
  • Die Abdeckmaske 3 weist an denselben Stellen Maskenöffnungen 6 auf, an denen am Grundkörper 2 die Substrataufnahmen 4 angeordnet sind.
  • Die Zentriereinrichtung zur lösbaren Verbindung von Grundkörper 1 und Abdeckmaske 3 umfasst in Reihen und Spalten angeordnete Zentrierbolzen 7, die an der Abdeckmaske 3 angeordnet sind, sowie Zentrieröffnungen 8, die am Grundkörper 2 angeordnet sind. Eine Arretierung 9 in Form eines Sperrriegels steht mit je einer Reihe oder Spalte von Zentrierbolzen 7 in Eingriff. Dazu weist der Sperrriegel 9 schlüssellochförmige Verriegelungsöffnungen 11 auf, die durch Eingriff in umlaufende Nuten der Zentrierbolzen 7 auf der Rückseite des Grundkörpers 2 den Grundkörper 2 und die Abdeckmaske 3 relativ zueinander fixieren.
  • In 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel dargestellt, das sich von dem in 1 gezeigten nur dadurch unterscheidet, dass die Zentrierbolzen 7 am Grundkörper 2 angeordnet sind und die Zentrieröffnungen 8 an der Abdeckmaske 3 angeordnet sind. Die Verriegelung erfolgt in gleicher Weise wie im Ausführungsbeispiel gemäß 1, mit dem einzigen Unterschied, dass der Sperrriegel 9 an der Vorderseite der Abdeckmaske 3 angeordnet ist und dort mit schlüssellochförmigen Verriegelungsöffnungen 11 in umlaufende Nuten der Zentrierbolzen 7 eingreift.
  • 3 zeigt eine Ansicht der Rückseite des Substratträgers gemäß 1, der zwischen zwei oben und unten angeordneten Reihen von Transportrollen 12 geführt wird. Die gestrichelten Linien bezeichnen die an der Vorderseite des Grundkörpers 2 angeordnete Abdeckmaske 3. An der Rückseite sind die Sperrriegel 9 mit den Verriegelungsöffnungen 11 erkennbar, die jeweils eine Reihe von Zentrierbolzen 7 verriegeln.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    Substrat
    2
    Grundkörper
    3
    Abdeckmaske
    4
    Substrataufnahme
    5
    Seitenfläche
    6
    Maskenöffnung
    7
    Verbindungsmittel, Zentrierbolzen
    8
    Verbindungsmittel, Zentrieröffnung
    9
    Arretierung, Sperrriegel
    10
    Wärmeleitelement
    11
    Verriegelungsöffnung
    12
    Transportrolle

Claims (20)

  1. Substratträger zur Führung von Substraten durch eine Substratbehandlungseinrichtung, umfassend einen plattenförmigen Grundkörper (2) mit einer Vorderseite und einer Rückseite sowie mit einer Mehrzahl von Substrataufnahmen (4) für je ein plattenförmiges Substrat (1), wobei die Substrataufnahmen (4) auf der Vorderseite des Grundkörpers (2) angeordnet und als wannenförmige Vertiefungen ausgebildet sind, und weiter umfassend eine mit der Vorderseite des Grundkörpers (2) verbindbare ein- oder mehrteilige plattenförmige Abdeckmaske (3) mit einer der Anzahl und Anordnung der Substrataufnahmen (4) entsprechenden Anzahl und Anordnung von Maskenöffnungen (6), wobei der Grundkörper (2) und die Abdeckmaske (3) miteinander zusammenwirkende Verbindungsmittel (7, 8) aufweisen, die zum lösbaren Verbinden der Abdeckmaske (3) mit dem Grundkörper (2) ausgebildet sind.
  2. Substratträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate (1) und die Abdeckmaske (3) die Vorderseite des Grundkörpers (2) komplett bedecken.
  3. Substratträger nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die wannenförmigen Vertiefungen der Substrataufnahmen (4) geneigte Seitenflächen (5) aufweisen, so dass sich die Substrataufnahme (4) mit zunehmender Tiefe verjüngt.
  4. Substratträger nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zusammenwirkenden Verbindungsmittel Zentrierbolzen (7) und Zentrieröffnungen (8) umfassen.
  5. Substratträger nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet dass die Abdeckmaske (3) mindestens zwei Zentrierbolzen (7) aufweist und der Grundkörper (2) mindestens zwei mit den Zentrierbolzen (7) zusammenwirkende Zentrieröffnungen (8) aufweist.
  6. Substratträger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet dass der Grundkörper (2) mindestens zwei Zentrierbolzen (7) aufweist und die Abdeckmaske (3) mindestens zwei mit den Zentrierbolzen (7) zusammenwirkende Zentrieröffnungen (8) aufweist.
  7. Substratträger nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Zentrierbolzen (7) in den Zentrieröffnungen (8) verriegelbar sind.
  8. Substratträger nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet dass mindestens ein Sperrriegel (9) vorgesehen ist, der mindestens zwei Verriegelungsöffnungen (11) aufweist, welche mit mindestens zwei Zentrierbolzen (7) in Eingriff bringbar sind.
  9. Substratträger nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in den Substrataufnahmen (4) je ein Wärmeleitelement (10) angeordnet ist.
  10. Substratträger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet dass das Wärmeleitelement (10) aus einem Material besteht, das bei Erwärmung Gas abgibt.
  11. Substratträger nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in die Substrataufnahmen (4) mindestens je ein Gaseinleitungskanal mündet.
  12. Substratträger nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (2) ein hohes Absorptionsvermögen für Strahlung, vorzugsweise über 80%, aufweist.
  13. Substratträger nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Grundkörper (2) eine hohe mechanische Stabilität aufweist.
  14. Substratträger nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckmaske (3) ein geringes Absorptionsvermögen für Strahlung aufweist und vorzugsweise aus metallisch glänzendem Material besteht.
  15. Verfahren zur Behandlung von Substraten, bei dem die Substrate an mindestens einer Behandlungseinrichtung vorbei bewegt werden, die auf den der Behandlungseinrichtung zugewandten, nicht abgedeckten Teil der Substratoberfläche einwirkt, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate in einem Substratträger nach einem der Ansprüche 1 bis 14 gehalten werden.
  16. Verfahren zur Behandlung von Substraten nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung der Substrate im Vakuum stattfindet.
  17. Verfahren zur Behandlung von Substraten nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung der Substrate einen Oberflächenaktivierungs- und Reinigungsprozess und/oder einen Vakuumbeschichtungsprozess und/oder einen auf den Vakuumbeschichtungsprozess folgenden Nachbehandlungsprozess umfasst.
  18. Verfahren zur Behandlung von Substraten nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ein Inlineverfahren ist und die Substrate im einmaligen Überlauf eine dynamische Behandlung erfahren.
  19. Verfahren zur Behandlung von Substraten nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlung der Substrate von unten nach oben erfolgt, wofür der Substratträger vor der Behandlung der Substrate (1) aus seiner Beladeposition um 180° gewendet wird und nach der Behandlung für die Entladung wieder zurück gewendet wird.
  20. Verfahren zur Behandlung von Substraten nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Substratbehandlung zumindest ein Teil des erfahrenen Wärmeeintrags in die Substrate durch geeignete zusätzliche Mittel wie zum Beispiel Wärmeleitfolie, gasabgebende Polster, und/oder Gaseinlass von den Substraten an den Grundkörper des Substratträgers durch Wärmeleitung übertragen wird.
DE201210111078 2012-11-16 2012-11-16 Substratträger Withdrawn DE102012111078A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201210111078 DE102012111078A1 (de) 2012-11-16 2012-11-16 Substratträger

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201210111078 DE102012111078A1 (de) 2012-11-16 2012-11-16 Substratträger

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102012111078A1 true DE102012111078A1 (de) 2014-05-22

Family

ID=50625446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201210111078 Withdrawn DE102012111078A1 (de) 2012-11-16 2012-11-16 Substratträger

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102012111078A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106219053A (zh) * 2016-10-10 2016-12-14 浙江舜宇光学有限公司 镜片托盘
WO2017146574A1 (en) * 2016-02-25 2017-08-31 Xycarb Ceramics B.V. A substrate carrier assembly, a substrate carrier as well as a shielding segment for use in such substrate carrier assembly
WO2019061572A1 (zh) * 2017-09-30 2019-04-04 深圳市裕展精密科技有限公司 装料装置
CN110527965A (zh) * 2019-09-05 2019-12-03 中国航空制造技术研究院 一种用于回转体表面涂层制备的加工装置及方法
DE102018123523A1 (de) * 2018-09-25 2020-03-26 Meyer Burger (Germany) Gmbh Prozessmodul und Anlage mit wenigstens einem solchen Prozessmodul

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH417272A (de) * 1961-12-14 1966-07-15 Siemens Ag Verfahren zum Bedampfen eines Werkstücks, insbesondere eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers, mit einem Belag
DE3918439A1 (de) * 1988-06-07 1989-12-14 Murata Manufacturing Co Werkstueckbehaelter mit maskierungsfunktion
DE9306789U1 (de) * 1993-05-05 1993-07-08 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De
US20060068084A1 (en) * 2003-04-04 2006-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing plasma display panels
US20090173446A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-09 Yang Dong-Ju Substrate support, substrate processing apparatus including substrate support, and method of aligning substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH417272A (de) * 1961-12-14 1966-07-15 Siemens Ag Verfahren zum Bedampfen eines Werkstücks, insbesondere eines scheibenförmigen Halbleiterkörpers, mit einem Belag
DE3918439A1 (de) * 1988-06-07 1989-12-14 Murata Manufacturing Co Werkstueckbehaelter mit maskierungsfunktion
DE9306789U1 (de) * 1993-05-05 1993-07-08 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De
US20060068084A1 (en) * 2003-04-04 2006-03-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing plasma display panels
US20090173446A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-09 Yang Dong-Ju Substrate support, substrate processing apparatus including substrate support, and method of aligning substrate

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017146574A1 (en) * 2016-02-25 2017-08-31 Xycarb Ceramics B.V. A substrate carrier assembly, a substrate carrier as well as a shielding segment for use in such substrate carrier assembly
NL2016318B1 (en) * 2016-02-25 2017-09-11 Xycarb Ceram B V A substrate carrier assembly, a substrate carrier as well as a shielding segment for use in such substrate carrier assembly.
CN109072434A (zh) * 2016-02-25 2018-12-21 齐卡博制陶业有限公司 基板载体组件、基板载体以及用于这种基板载体组件的屏蔽段
CN106219053A (zh) * 2016-10-10 2016-12-14 浙江舜宇光学有限公司 镜片托盘
WO2019061572A1 (zh) * 2017-09-30 2019-04-04 深圳市裕展精密科技有限公司 装料装置
DE102018123523A1 (de) * 2018-09-25 2020-03-26 Meyer Burger (Germany) Gmbh Prozessmodul und Anlage mit wenigstens einem solchen Prozessmodul
WO2020065425A1 (de) 2018-09-25 2020-04-02 Meyer Burger (Germany) Gmbh Prozessmodul und anlage mit wenigstens einem solchen prozessmodul
CN110527965A (zh) * 2019-09-05 2019-12-03 中国航空制造技术研究院 一种用于回转体表面涂层制备的加工装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69629297T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur thermischen konditionierung von substraten mit passivem gas
DE4223327C2 (de) Waferträger
DE112006001996B4 (de) Vakuumbearbeitungsvorrichtung
DE102012111078A1 (de) Substratträger
DE102006054846C5 (de) Produktionsanlage zur Herstellung von Solarzellen im Inline-Verfahren, sowie Verfahren zur Integration eines Batch-Prozesses in eine mehrspurige Inline-Produktionsanlage für Solarzellen
DE202008003610U1 (de) Transportbandsystem mit mindestens einem Transportband zum Transportieren von flachem Transportgut, insbesondere von Substraten wie Siliziumwafer und Solarzellen
DE2242916C3 (de) Einrichtung zum Transportieren von zu beschichtenden Substraten durch eine Vakuumanlage
DE102006029593A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Lotverbindung
DE60032324T2 (de) Wafer-Behandlungsvorrichtung
EP2992122A1 (de) Vielseitige haltevorrichtung zur oberflächenbehandlung von stangenförmigen substraten
DE112008001620B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Schleusen überlanger Substrate in einer Vakuumbeschichtungsanlage, Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb
EP3387670A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum thermischen behandeln von substraten sowie aufnahmeeinheit für substrate
WO2020048833A1 (de) Waferboot
EP1673488B1 (de) Modulare vorrichtung zur beschichtung von oberflächen
DE102014116342B4 (de) Substrathaltevorrichtung und Verfahren zum Prozessieren eines Substrats
EP3129524B1 (de) Vorrichtung zum abscheiden von nanotubes
DE3027896A1 (de) Vorrichtung zum transportieren von werkstuecken durch eine bearbeitungsanlage
DE102009021563B4 (de) Einrichtung zum Transport von Substraten in und aus Vakuumanlagen
EP1979930B1 (de) Vorrichtung zur entgasung eines scheibenförmigen substrates
DE102012111338B4 (de) Beschichtungsverfahren, Substratträger und Beschichtungsvorrichtung für scheibenförmige Substrate
WO2019210907A1 (de) Vakuumdurchlaufanlage mit hohem durchsatz
DE102015116738A1 (de) Substratträger, Transportsystemanordnung und Substratbehandlungsanlage
DE102016111236A1 (de) Substrat-Trägerelement für eine Trägerhorde, sowie Trägerhorde und Vorrichtung mit dem Substrat-Trägerelement
AT16645U1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Bonden von Substraten
DE102013105818B4 (de) Gehäuse zum Aufnehmen einer Mehrzahl von plattenförmigen Substraten

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VON ARDENNE GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH, 01324 DRESDEN, DE

Effective date: 20140702

R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE LIPPERT, STACHOW & PARTNER, DE

Effective date: 20140702

R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee