DE4223327C2 - Waferträger - Google Patents
WaferträgerInfo
- Publication number
- DE4223327C2 DE4223327C2 DE4223327A DE4223327A DE4223327C2 DE 4223327 C2 DE4223327 C2 DE 4223327C2 DE 4223327 A DE4223327 A DE 4223327A DE 4223327 A DE4223327 A DE 4223327A DE 4223327 C2 DE4223327 C2 DE 4223327C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sections
- wafer carrier
- carrier according
- section
- pair
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67326—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67326—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls
- H01L21/6733—Horizontal carrier comprising wall type elements whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising sidewalls characterized by a material, a roughness, a coating or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
- Packaging Of Annular Or Rod-Shaped Articles, Wearing Apparel, Cassettes, Or The Like (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Waferträger nach dem Oberbe
griff des Patentanspruches 1.
Derartige Waferträger sind beispielsweise aus der US 4,687,097 A
bekannt und dienen der Aufnahme von Halbleiterwa
fern während einer chemischen Behandlung derselben. Insbe
sondere ist die Erfindung auf Träger für große Wafer bis zu
einem Durchmesser von 200 mm und größer gerichtet.
Siliziumwafer bilden die Basis der Produktion einer Vielzahl
integrierter Schaltungschips. Diese sind nur wenige Hundert
stelmillimeter dick und daher sehr zerbrechlich und entspre
chend schwierig zu handhaben.
Die Wafer werden einer chemischen Behandlung mit Hilfe von
Flüssigkeiten bis zu 180°C, manchmal sogar bei höheren Tem
peraturen, ausgesetzt. Während dieser Behandlung werden die
Wafer in herkömmlicher Weise in Waferträgern gehalten, die
wiederum von automatischen Handhabungsmechanismen bewegt und
transportiert werden. Nach der Behandlung werden die Wafer
und die Waferträger relativ schnell auf Umgebungstemperatur
abgekühlt. Bekannte Waferträger sind ferner in der US 4,135,625 A
beschrieben, die einen verbesserten Widerstand
gegen Verformung und Verwerfung bei einem anderen Aufbau
aufweisen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Wafer
träger zu schaffen, der einen verbesserten Widerstand
gegen Verformungen und Verwerfungen aufweist, hervorgerufen durch eine relativ schnelle Wärmeübertra
gung bei einer chemischen Behandlung von Flüssigkeiten mit 180°C und höher.
Diese Aufgabe wird grundsätzlich durch das Kennzeichen des
Anspruches 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen
sind Gegenstand der anschließenden Unteransprüche.
Insbesondere schafft die Erfindung also einen Waferträger
mit gegabelten Stirnwandabschnitten und Öffnungen in den
Seitenrahmenabschnitten, wodurch der strukturelle Aufbau des
Waferträgers erheblich verbessert wird.
In bevorzugter Weise schafft die Erfindung einen Waferträger
mit einem abgebogenen Stirnwandabschnitt, bei dem der abge
bogene Teil im wesentlichen rechtwinklig zu den gegabelten
Stirnwandabschnitten angeordnet ist.
Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal der Erfindung ist darin
zu sehen, daß die gegabelten Stirnwandabschnitte, die abge
bogenen Stirnwandabschnitte und andere Stirnwandabschnitte,
die gleiche Dicke aufweisen, um eine Verformung und Verwer
fung der Waferträger, bedingt durch unterschiedliche Ausdeh
nungs- und Zusammenziehungsgeschwindigkeiten, in Abhängig
keit vom Erwärmen und Kühlen während und nach der chemischen
Behandlung der Wafer auf ein Minimum herabzusetzen.
Vorteilhafterweise ist die Erfindung gerichtet auf die
Schaffung eines Waferträgers, dessen gegabelte Stirnwandab
schnitte angrenzend an und einstückig mit Flanschen versehen
sind, die dem Eingriff mit Handhabungsmechanismen während
der verschiedenen chemischen Behandlungen wie Abspülen
Trocknen und Übertragen der Wafer, dienen.
Noch ein vorteilhaftes Merkmal der Erfindung liegt in der
Schaffung eines derartigen Waferträgers, dessen einer Stirn
plattenabschnitt in seiner Länge größer ist als der entspre
chende angrenzende Stirnplattenabschnitt, um mit dem abgebo
genen Stirnwandabschnitt verbunden zu sein.
Ein Vorteil der Erfindung liegt darin, daß größere Träger
zur Aufnahme größerer Wafer geschaffen werden.
Noch ein Vorteil der Erfindung ist darin zu sehen, daß grö
ßere Waferträger eine größere strukturelle Einheitlichkeit
und Stabilität aufweisen und einen entsprechenden Widerstand
gegen Verformungen und Verwerfungen haben, die während der
relativ schnell stattfindenden Wärmeübertragung auftreten
können.
Ein Bruch oder eine Beschädigung der Wafer wird auf ein
Minimum herabgesetzt. In typischer Weise ist ein Randbereich
eines Wafers weniger wünschenswert zur Ausbildung
integrierter Schaltungschips. Durch Verwendung von Wafern
mit einem größeren Durchmesser können integrierte
Schaltungschips in größerer Anzahl aus jedem behandelten
Wafer hergestellt werden.
Im folgenden wird die Erfindung unter Hinweis auf die
Zeichnung anhand eines Ausführungsbeispieles näher
erläutert.
Es zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines Wafer
trägers nach der Erfindung;
Fig. 2 eine Stirnansicht des Waferträgers der Fig. 1;
Fig. 3 eine Teildraufsicht auf den Waferträger ent
sprechend der Linie 3-3 der Fig. 2;
Fig. 4 einen Schnitt gemäß der Linie 4-4 der Fig. 2;
Fig. 5 einen Schnitt gemäß der Linie 5-5 der Fig. 2;
und
Fig. 6 einen Schnitt gemäß der Linie 6-6 der Fig. 2.
Der in der Fig. 1 dargestellte Waferträger ist allgemein mit
10 bezeichnet. Er besteht aus einem Paar gerippter Seiten
rahmenabschnitten 11, die nebeneinander zum Eingriff mit den
Siliziumwafern 12 dazwischen angeordnet sind. Die gerippten
Seitenrahmenabschnitte 11 sind im Abstand zueinander mit
Hilfe eines Paar Stirnrahmenabschnitten 13 und 14 befestigt.
Der Stirnrahmenträger 13 ist in typischer Weise in Form
eines H's mit dem Waferträger 10 ausgebildet. Der ein
stückige Waferträger 10 enthält die Seitenrahmenabschnitte
11 und die Endrahmenabschnitte 13 und 14. Er ist in typi
scher Weise durch Spritzgießen aus PFA-Teflon (Warenzeichen
der Fa. E. I. du Pont de Nemours Co.) hergestellt. Hierbei
handelt es sich um ein perfluoralkoxy-substiutiertes Poly
tetrafluorethylen-Kunstharz. Ein weiter Bereich anderer
gießbarer Materialien kann zur Herstellung von Trägern für
die unterschiedlichsten Einsatzzwecke verwendet werden.
Jeder gerippte Seitenrahmenabschnitt 11 enthält ein Paar
senkrechter Seitenwände 20 mit einer Vielzahl von
Waschschlitzen 21 für eine Flüssigkeitsströmung von und zu
den Wafern 12. Jeder der Seitenwände 20 ist weiterhin mit
einer Vielzahl langgestreckter, nach innen gerichteter Zähne
22 zur Anlage an den Wafern 12 und zum Anordnen dieser im
Abstand zueinander versehen.
Ein Paar Flansche 30 sind einstückig an den Seitenwänden 20
ausgebildet. Sie verlaufen nach außen von diesen und sie
sind vorgesehen, um der Handhabung durch einen automatischen
Robotermechanismus zu dienen. Jeder Flansch 30 weist einen
Bolzen 31 oder eine Öffnung 32 zum Eingriff mit einem
anderen Bolzen oder einer anderen Öffnung eines anderen
Waferträgers 10 während eines Depottransports der Wafer
träger 12 von einem Waferträger zu einem anderen auf. Die
Flansche 30 und die Zähne 32 bilden einen oben offenen
Bereich oder eine Zugangsöffnung 33, durch die die Wafer 12
eingeschoben und aus dem Waferträger 10 entfernt werden
können und durch die die Strömungsmittelströmung zu und von
den Wafern 12 stattfindet.
Ein Paar abgeschrägter Fußstützen 40 sind einstückig mit den
Seitenwänden 20 den Flanschen 30 gegenüberliegend ausge
bildet. Jede Fußstütze 40 weist einen Oberflächenabschnitt
41 zum Eingriff mit den Wafern 12 auf. Der Abstand zwischen
den Oberflächenabschnitten 41 ist geringer als der Durch
messer eines der Wafer 12, um diese Wafer 12 in dem Wafer
träger 10 zu halten. Die Fußstützen 40 bilden einen offenen
Roden oder eine Strömungsmittelöffnung 42, durch die das
Strömungsmittel zu den Wafern 12 und von diesen ab strömt.
Jede Fußstütze 40 enthält weiterhin eine Indexkerbe 43, die
eine Ausrichtung des Waferträgers auf einem bestimmten
Handhabungsmechanismus erlaubt.
Jeder der Seitenrahmenabschnitte 11 enthält weiterhin Seiten
platten 50, die nach innen und rechtwinklig zu der ent
sprechenden Seitenwand verlaufen und einen Abschnitt der
entsprechenden geneigten Fußstütze 40 bilden. Jeder Seiten
rahmenabschnitt 11 weist weiterhin eine Flanschabstützplatte
41 auf, die nach außen und rechtwinklig zu der entsprechen
den Seitenplatte 50 verläuft. Jeder Seitenrahmenabschnitt 11
ist mit einem Flansch 52 versehen, der nach außen und recht
winklig zu der Flanschabstützplatte 51 und parallel zu der
Seitenplatte 50 verläuft. Der Flansch 52 verläuft ungefähr
über die halbe Länge der Flanschabstützplatte 51. Der
Flansch 52 enthält eine Lippe 53, die mit einem Handhabungs
mechanismus ein Eingriff gelangen kann. Jeder der Flansch
abstützplatten 51 enthält eine Indexkerbe 54 zum Eingriff
beispielsweise mit einem automatischen Handhabungs
mechanismus.
Der H-förmige Stirnrahmenabschnitt 13, die abgeschrägten
Fußstützen 40, die Oberflächenabschnitte 41, die
Strömungsmittelöffnungen 42, die Indexkerben 43 und die
Indexkerben 53, sind in dem US-Patent 4,949,848 erwähnt, auf
dessen Offenbarung hier ausdrücklich hingewiesen wird.
Der Stirnrahmenabschnitt 14 weist ein Paar gabelförmiger
Stirnwandabschnitte 60 auf, die einstückig mit der
Flanschabstützplatte 51 der Seitenrahmenabschnitte 11
ausgebildet ist. Jeder gabelförmige Stirnwandabschnitt 60
ist mit einem Paar Stirnplattenabschnitten 61, 62 versehen,
die im Winkel relativ zu der Flanschabstützplatte 51
verlaufen und mit dieser Platte 51 zur Bildung einer
dreieckigen Stützsäule 60.1 an jedem der Verbindungspunkte
zwischen dem Stirnrahmenabschnitt 14 und den zwei
Seitenrahmenabschnitten 11 zusammen arbeiten. Jeder der
Stirnplattenabschnitte 61 weist eine größere Länge auf als
jeder der Endplattenabschnitte 62 und die Plattenabschnitte
verlaufen über die gesamte Länge des Stirnrahmenabschnittes
14.
Der Stirnrahmenabschnitt 14 enthält außerdem einen ersten
Zwischenplattenabschnitt 70, der zwischen den gabelförmigen
Stirnwandabschnitten 60 grundsätzlich rechtwinklig zu den
Seitenwänden 20 verläuft. Ein zweiter Zwischenplattenab
schnitt 71 verläuft zwischen den Stirnplattenabschnitten 61,
parallel aber versetzt zu dem ersten Zwischenplattenab
schnitt 70. Der zweite Zwischenplattenabschnitt 71 verläuft
außerdem zwischen den Fußabstützabschnitten 40. Die
parallelen Zwischenplattenabschnitte 70, 71 sind über einen
schrägen Zwischenplattenabschnitt 72 verbunden, der außer
dem zwischen den Stirnplattenabschnitten 61 in einem rechten
Winkel verläuft. Per schräge Zwischenplattenabschnitt 72 ist
in Bezug auf die parallelen Plattenabschnitte 70, 71 schräg
angeordnet und außerdem schräg relativ zu jedem der Stirn
plattenabschnitte 61, 62 und den Seitenplattenabschnitten 50.
Die Plattenabschnitte 70, 71, 72 sind einstückig miteinander
und einstückig mit den Plattenabschnitten 61, 62, wie dar
gestellt, ausgebildet.
Im Betrieb, wenn eine Wärmeübertragung bis zu 180°C oder
eine Kühlung nach Behandlung der Wafer 12 stattfindet, wirkt
die relative Orientierung der Abschnitte der Stirnrahmen
teile 40 zusammen, um die Form und den strukturellen Aufbau
des Waferträgers 10 aufrechtzuerhalten. Beispielsweise die
gabelförmigen Stirnwandabschnitte 16, die versetzten Zwischenplattenabschnitte
70, 71 und der schräge Zwischenplatten
abschnitt 72, sind Teile, die zusammenarbeiten, um die Form
des Waferträgers 10 während der Ausdehnung und des Zusammen
ziehens, bedingt durch Wärmeübertragung, aufrechtzuerhalten.
Darüberhinaus erlaubt die im wesentlichen gleiche Dicke der
gabelförmigen Stirnwandabschnitte 16, der Zwischenplatten
abschnitte 70, 71, 72 und der Platten 50, 51 und 52, eine
konstante Erwärmungs- oder Kühlgeschwindigkeit für jeden
dieser Abschnitte, so daß das Zusammenziehen oder die Aus
dehnung jedes dieser Abschnitte in gleicher Weise statt
findet, so daß eine Verwerfung oder Verschiebung des Wafer
trägers auf ein Minimum herabgesetzt wird. Dementsprechend
wird die Möglichkeit der Beschädigung der Wafer 12, an
geordnet in einem Waferträger 10, auf ein Minimum herab
gesetzt.
Claims (12)
1. Waferträger aus gießbarem Kunststoff mit
einem Paar gerippter Seitenrahmenabschnitte (11) zum Eingriff und zum beabstandeten Halten der Wafer (12), und
einem Paar Stirnwandabschnitte (13, 14) zwischen den Sei tenrahmenabschnitten (11) zum Halten derselben im Ab stand voneinander, wobei
einer der Stirnwandabschnitte (13, 14) ein Paar Stirnrahmenabschnitte (60) und einen Zwischenplattenabschnitt (70) zwischen den Stirnrahmenabschnitten (60) aufweist, wobei jeder Stirn wandabschnitt (13, 14) über die Stirnrahmenabschnitte (60) mit den Seitenrahmenabschnitten (11) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnrahmenabschnitte (60) durch Plattenabschnitte (61, 62) unter Ausbildung einer dreieckigen Stützsäule (60.1), die sich jeweils zwischen den Zwischenplattenabschnitten (70) und den Seitenrahmenabschnitten (11) erstreckt, gegabelt sind.
einem Paar gerippter Seitenrahmenabschnitte (11) zum Eingriff und zum beabstandeten Halten der Wafer (12), und
einem Paar Stirnwandabschnitte (13, 14) zwischen den Sei tenrahmenabschnitten (11) zum Halten derselben im Ab stand voneinander, wobei
einer der Stirnwandabschnitte (13, 14) ein Paar Stirnrahmenabschnitte (60) und einen Zwischenplattenabschnitt (70) zwischen den Stirnrahmenabschnitten (60) aufweist, wobei jeder Stirn wandabschnitt (13, 14) über die Stirnrahmenabschnitte (60) mit den Seitenrahmenabschnitten (11) verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die Stirnrahmenabschnitte (60) durch Plattenabschnitte (61, 62) unter Ausbildung einer dreieckigen Stützsäule (60.1), die sich jeweils zwischen den Zwischenplattenabschnitten (70) und den Seitenrahmenabschnitten (11) erstreckt, gegabelt sind.
2. Waferträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dicke jedes der gegabelten Stirnrahmenabschnitte
(60) ungefähr gleich ist.
3. Waferträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Paar Flansche (30) einstückig von den Seitenrahmen
abschnitten (11) nach außen verlaufen, um mit einem
Handhabungsmechanismus in Eingriff zu gelangen, wobei
jeder der gegabelten Stirnrahmenabschnitte (60) angren
zend an einen der Flansche vorgesehen ist.
4. Waferträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
jeder Seitenrahmenabschnitt (11) Öffnungen (21) für eine
Fluidströmung zu und von den Wafern aufweist.
5. Waferträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
jeder der gegabelten Stirnrahmenabschnitte (60) ein Paar
von Stirnplattenabschnitten (61, 62) aufweist, von denen
ein Stirnplattenabschnitt (61) eine größere Länge auf
weist als der andere Stirnplattenabschnitt (62).
6. Waferträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Paar senkrechter Abstützplatten (51) einstückig mit
den gegabelten Stirnrahmenabschnitten (60) vorgesehen
sind, um eine dreieckige Stützsäule (60.1) angrenzend an
die Seitenrahmenabschnitte zu bilden.
7. Waferträger nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeich
net, daß ein Paar paralleler Zwischenplattenabschnitte
(70, 71), übereinander, parallel zueinander und gegenein
ander versetzt vorgesehen sind, wobei der eine der pa
rallelen Zwischenplattenabschnitte (70) zumindest teil
weise zwischen und im Eingriff mit den gegabelten Stirn
wandabschnitten angeordnet ist; und wobei ein Zwischen
plattenabschnitt (72) zwischen und verbunden mit den
versetzten Zwischenplattenabschnitten (70, 71) angeordnet
ist und schräg relativ zu den parallelen Zwischenplat
tenabschnitten verläuft.
8. Waferträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dicke jedes gabelförmigen Stirnrahmenabschnittes
(60) ungefähr gleich ist.
9. Waferträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
jeder gabelförmige Stirnrahmenabschnitt (60) ein Paar
Stirnplattenabschnitte (61, 62) aufweist, von denen der
eine (61) eine größere Länge aufweist als der andere
(62).
10. Waferträger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
der längere Stirnplattenabschnitt (61) mit den gerippten
Seitenrahmenabschnitten (11) und jeder der Zwischenplat
tenabschnitte (70, 71) verbunden und zwischen diesen an
geordnet ist.
11. Waferträger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
der längere Stirnplattenabschnitt (61) schräg verlaufend
zu jedem der Zwischenplattenabschnitte (70, 71) angeord
net ist.
12. Waferträger nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
daß die gabelförmigen Stirnrahmenabschnitte (60) und der
schräg verlaufende Zwischenplattenabschnitt (72) wieder
um schräg zueinander verlaufend angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/758,604 US5154301A (en) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | Wafer carrier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4223327A1 DE4223327A1 (de) | 1993-03-18 |
DE4223327C2 true DE4223327C2 (de) | 2001-12-06 |
Family
ID=25052373
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4223327A Expired - Fee Related DE4223327C2 (de) | 1991-09-12 | 1992-07-16 | Waferträger |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5154301A (de) |
JP (1) | JP2574608B2 (de) |
KR (1) | KR0175681B1 (de) |
DE (1) | DE4223327C2 (de) |
FR (1) | FR2681473A1 (de) |
GB (1) | GB2259607B (de) |
IT (1) | IT1257076B (de) |
MY (1) | MY119191A (de) |
Families Citing this family (320)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE147045T1 (de) * | 1992-07-08 | 1997-01-15 | Daifuku Kk | Behälter für scheibenähnliche gegenstände |
US5472086A (en) * | 1994-03-11 | 1995-12-05 | Holliday; James E. | Enclosed sealable purgible semiconductor wafer holder |
US5476176A (en) * | 1994-05-23 | 1995-12-19 | Empak, Inc. | Reinforced semiconductor wafer holder |
JP2791971B2 (ja) * | 1994-06-17 | 1998-08-27 | 信越ポリマー株式会社 | ウェーハ収納容器におけるウェーハバスケット |
JP3145252B2 (ja) * | 1994-07-29 | 2001-03-12 | 淀川化成株式会社 | 基板支承用側板およびそれを用いたカセット |
JPH10509747A (ja) * | 1994-09-26 | 1998-09-22 | エムパック インコーポレイテッド | ミルド炭素繊維強化されたポリマー組成物 |
US5725101A (en) * | 1995-06-26 | 1998-03-10 | Kakizaki Manufacturing Co., Ltd. | Thin-plate supporting container |
TW296361B (de) * | 1995-06-26 | 1997-01-21 | Kakizaki Seisakusho Kk | |
USD383898S (en) * | 1995-10-13 | 1997-09-23 | Empak, Inc. | Combination shipping and transport cassette |
USD378873S (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Empak, Inc. | 300 mm microenvironment pod with door on side |
USD387903S (en) * | 1995-10-13 | 1997-12-23 | Empak, Inc. | Shipping container |
JP3423512B2 (ja) * | 1995-11-27 | 2003-07-07 | 信越ポリマー株式会社 | 精密基板用カセットの製造方法および精密基板用カセット |
DE19644255C1 (de) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Verwendung der Vorrichtung |
US6520191B1 (en) | 1998-10-19 | 2003-02-18 | Memc Electronic Materials, Inc. | Carrier for cleaning silicon wafers |
CN1227666C (zh) | 1999-01-29 | 2005-11-16 | 高超明智公司 | 小型盘支架和夹持器 |
US7175026B2 (en) | 2002-05-03 | 2007-02-13 | Maxtor Corporation | Memory disk shipping container with improved contaminant control |
US6955267B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-10-18 | Sharper Image Corporation | Storage and display rack for DVDs |
US20030226813A1 (en) * | 2002-06-05 | 2003-12-11 | Taylor Charles E. | Storage and display rack for DVDs |
US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
WO2016046985A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | ミライアル株式会社 | 基板収納容器 |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
USD793352S1 (en) * | 2016-07-11 | 2017-08-01 | Asm Ip Holding B.V. | Getter plate |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102613349B1 (ko) | 2016-08-25 | 2023-12-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법 |
US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
JP6995027B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2022-02-04 | 三菱電機株式会社 | ウエハカセット |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
WO2024090139A1 (ja) * | 2022-10-25 | 2024-05-02 | ヒューグル開発株式会社 | 処理システム及び処理用ケージ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4135625A (en) * | 1976-07-12 | 1979-01-23 | Merrill Kenneth V | Multi-compartment container for fragile disks |
US4619371A (en) * | 1984-05-14 | 1986-10-28 | Rehrig James B | Three-sided, stackable material handling crate |
US4687097A (en) * | 1984-12-11 | 1987-08-18 | Empak, Inc. | Wafer processing cassette |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4724963A (en) * | 1985-02-20 | 1988-02-16 | Empak, Inc. | Wafer processing cassette |
US4949848A (en) * | 1988-04-29 | 1990-08-21 | Fluoroware, Inc. | Wafer carrier |
US5042671A (en) * | 1989-09-20 | 1991-08-27 | International Business Machines Corporation | Versatile product carrier |
-
1991
- 1991-09-12 US US07/758,604 patent/US5154301A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-07-16 DE DE4223327A patent/DE4223327C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-20 FR FR9208928A patent/FR2681473A1/fr active Granted
- 1992-07-22 GB GB9215590A patent/GB2259607B/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-10 MY MYPI92001422A patent/MY119191A/en unknown
- 1992-08-18 JP JP24267992A patent/JP2574608B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-20 IT ITTO920706A patent/IT1257076B/it active IP Right Grant
- 1992-08-26 KR KR1019920015366A patent/KR0175681B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4135625A (en) * | 1976-07-12 | 1979-01-23 | Merrill Kenneth V | Multi-compartment container for fragile disks |
US4619371A (en) * | 1984-05-14 | 1986-10-28 | Rehrig James B | Three-sided, stackable material handling crate |
US4687097A (en) * | 1984-12-11 | 1987-08-18 | Empak, Inc. | Wafer processing cassette |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9215590D0 (en) | 1992-09-02 |
MY119191A (en) | 2005-04-30 |
ITTO920706A1 (it) | 1994-02-20 |
US5154301A (en) | 1992-10-13 |
GB2259607B (en) | 1995-05-03 |
JP2574608B2 (ja) | 1997-01-22 |
JPH05211229A (ja) | 1993-08-20 |
KR930006878A (ko) | 1993-04-22 |
FR2681473B1 (de) | 1994-08-19 |
IT1257076B (it) | 1996-01-05 |
FR2681473A1 (fr) | 1993-03-19 |
KR0175681B1 (ko) | 1999-04-15 |
DE4223327A1 (de) | 1993-03-18 |
GB2259607A (en) | 1993-03-17 |
ITTO920706A0 (it) | 1992-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4223327C2 (de) | Waferträger | |
DE3930056C2 (de) | Behandlungskorb zur Aufnahme dünner Platten, insbesondere von Halbleiterwafern | |
DE69727455T3 (de) | Linearführungvorrichtung mit mehreren kugelkettenreihen | |
CH459062A (de) | Rollenfördereinrichtung | |
CH687985A5 (de) | Vorrichtung zum Halten von flachen, kreisscheibenformigen Substraten in der Vakuumkammer einer Beschichtungs- oder Aetzanlage. | |
DE10335814A1 (de) | Gerät zur Herstellung einer integrierten Schaltungsvorrichtung | |
DE10159945A1 (de) | Einstückig geformte Oberflächenbefestigungseinrichtung aus Kunststoff | |
CH697146A5 (de) | Greifvorrichtung zur Handhabung von Wafern. | |
DE10023325A1 (de) | Vorrichtung zum Abdichten von Seitenrandbereichen eines endlos umlaufenden Förderbandes | |
DE69912519T2 (de) | Ofen zur kontinuierlichen Wärmebehandlung von Glascontainern | |
DE3635716C2 (de) | ||
DE4103084A1 (de) | Magazin zur halterung von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, bei der nasschemischen oberflaechenbehandlung in fluessigkeitsbaedern | |
DE19637875A1 (de) | Anlage zur Naßbehandlung von Substraten | |
DE2256018C3 (de) | Anordnung zum Behandeln, insbesondere zum Ätzen von Gegenständen | |
DE4038587A1 (de) | Transportvorrichtung fuer substrate | |
WO2020048833A1 (de) | Waferboot | |
DE102012111078A1 (de) | Substratträger | |
EP0441743A1 (de) | Transportvorrichtung für Platten mit empfindlicher Oberfläche, insbesondere für nassbeschichtete Leiterplatten | |
EP0976146B1 (de) | Vorrichtung zum bewegen von substraten durch eine substrat-behandlungseinrichtung | |
DE102004005703B4 (de) | Verfahren und Apparatur zur kontinuierlichen Formung eines Streifens aus Kunststoff mit einem gewellten Profil | |
DE3510534A1 (de) | Vorrichtung zum ausrichten und festhalten von zu verzinnenden werkstuecken | |
DE3027896A1 (de) | Vorrichtung zum transportieren von werkstuecken durch eine bearbeitungsanlage | |
DE3151480A1 (de) | "traeger fuer zu verarbeitende siliciumscheiben" | |
DE19532587A1 (de) | Transportvorrichtung | |
EP0364473B1 (de) | Halterung für plattenförmige gegenstände, insbesondere elektrische leiterplatten |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: B65D 85/30 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ENTEGRIS, INC., CHASKA, MINN., US |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |