JP2013008643A - プラズマディスプレイパネルとその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＰＤＰの放電電圧が高くならずに、放電遅れ時間を短くする技術を提供する。
【解決手段】
真空槽１０内部を真空雰囲気にし、処理対象物２７のＳｒＣａＯ膜から成る保護膜の表面に、転写部材５のＭｇＯ微粒子３を接触させて付着させ、離間させた後、処理対象物２７を真空槽１０の外部に搬出する。転写部材５は、微粒子用基板４上に、ＭｇＯ微粒子３が蒸発性溶液や蒸発性ペーストに分散された分散液や分散ペーストを、噴霧や塗布によって微粒子用基板４に付着させ、加熱し、蒸発性溶液や蒸発性ペーストを蒸発させて除去した後、真空槽１０内に配置しておく。一枚の転写部材５によって所定枚数の処理対象物２７にＭｇＯ微粒子３を付着させると、転写部材５を交換する。
【選択図】 図７

Description

本発明は、プラズマディスプレイとその製造方法の技術分野に関する。

従来より、ＰＤＰは表示装置の分野で広く用いられており、近年では、大画面で高品質、かつ、低価格のＰＤＰが要求されている。
一般にＰＤＰはガラス基板上に維持電極および走査電極が形成されたフロントパネル(前面板)と、ガラス基板上にアドレス電極が形成されたリアパネル(背面板)とが貼り合わされて構成された３電極面放電型が主流となっている。

フロントパネルとリアパネルの間には放電ガスが封入されており、走査電極とアドレス電極との間に電圧を印加して放電を発生させ、走査電極と維持電極の間に維持電圧を印加して封入された放電ガスをプラズマ化させると、プラズマから紫外線が放射される。紫外線が蛍光体に照射されると、蛍光体は励起し可視光を放出する。

維持電極上と走査電極上とには、誘電体膜が形成され、さらにその上には、誘電体を保護するために保護膜が形成されている。従来、この保護膜にはＭｇＯが用いられている。

放電を維持するために、走査電極と維持電極に交流電圧を印加すると、放電ガスのプラズマ化により発生した陽イオンが走査電極側および維持電極側に入射するが、走査電極および維持電極とそれら電極上の誘電体膜は保護膜によって陽イオンから保護されている。

ＰＤＰの放電時の電圧（放電電圧）は、保護膜の二次電子放出係数に依存することが知られており、保護膜の２次電子放出係数が大きいほど（仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど）、放電電圧が低電圧化することが知られている。

仕事関数がＭｇＯよりも小さいアルカリ土類金属の酸化物を保護膜として用い、放電電圧を低電圧化することが提案されている(特開2002-231129)。
しかしこれらの材料はＨ₂Ｏ、ＣＯ、ＣＯ₂等の不純物ガスに対して極めて活性であり、これらの不純物ガスと容易に反応し、水酸化物、炭酸塩が形成されてしまう。
このためエージング工程が非常に長くなってしまい、もしくはエージングしても放電電圧が低下しないといった問題が知られている(IEEE Trans. Electron Dev. 26, 1163, 1979)。

特開2000-156160号には、大気に曝さず、一貫して真空雰囲気中にパネルを置いて、ＰＤＰを製造する真空一貫装置が提案されており、この装置によってＰＤＰを製造すれば、アルカリ土類金属酸化物保護膜を大気に曝す必要がないため、保護膜表面へのＨ₂Ｏ、ＣＯ₂等の吸着を最小限に抑えることができ、活性化工程を行わなくても、エージング時間を非常に短く出来ることが報告されている(IDW09、PDP5-3)。

また、真空一貫装置を用いて作製したＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯといった材料を保護膜として用いたＰＤＰの特性としては、ＭｇＯよりも放電電圧が低下し、Ｘｅ分圧を高くすることで高発光効率が得られることが報告されている。さらに放電遅れもＭｇＯ保護膜を用いた場合と同程度であることもあわせて報告されている。

しかし、近年ではＰＤＰの高精細化や高速駆動化が必要とされており、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯやこれらの混合膜だけを用いた場合では十分ではない。
ＰＤＰの画像表示には、１フィールドの映像を複数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）に分割する階調表現方式（例えばフィールド内時分割表示方式）が用いられている。

時分割表示方式の重要な研究課題には「放電遅れ」の防止・抑制が挙げられる。ここで、「放電遅れ」とは駆動パルスの幅を狭くして高速駆動を行う際に、パルスの立ち上がりから遅れて放電が行われる現象を指す。「放電遅れ」が顕著になると、印加されたパルス幅内で放電が終了する確率が低くなり、本来点灯すべきセルに書き込み等ができずに点灯不良が生じてしまう。

高精細なセル構造において、「放電遅れ」の問題は高速駆動を行う場合に特に顕在化するおそれがあり、早急な対策が望まれている。
「放電遅れ」の原因は、主に保護層の特性に起因すると考えられている。従って現在では、誘電体層の上に直接、或いは薄膜法で作製したＭｇＯ膜を介して、気相酸化法で作製したＭｇＯの単結晶微粒子を層状に配置し、保護層表面の放電特性を改善する試みも行われている（特許文献１、２参照）。この特許文献１、２の方法によれば、低温時における放電遅れ低減については一定の改善が図られるとされている。

この単結晶微粒子を塗布する方法は、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯやその混合物を保護膜としたプラズマディスプレイパネルにおいては、塗布雰囲気が露点の低い不活性ガス中もしくは、真空中に限られ、通常用いられる印刷による散布はそのまま適用することはできない。

真空一貫装置を用いることで、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯといった非常に反応性が高い材料を保護膜として用いたＰＤＰを作製することが可能であり、それらのＰＤＰでは、放電電圧が低電圧化し、Ｘｅ分圧を高くすることで発光効率が向上することが報告されている。また、放電遅れもＭｇＯ保護膜を用いた場合と同程度であることも併せて報告されている。

しかし、現在のＰＤＰは、ＭｇＯ保護膜の上にＭｇＯの単結晶微粒子を塗布(散布)し、放電遅れ時間(統計遅れ時間)を劇的に低減することで、駆動パルスの幅を狭くすることが出来、高速駆動を達成していることが知られている。

つまりＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯやその混合物だけでは、放電遅れが大きく、従来のＰＤＰ同様、ＭｇＯの単結晶微粒子を保護膜表面に散布する必要がある。
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯといった非常に反応性が高い保護膜表面に微粒子を散布するには、真空中若しくは露点の低い不活性ガス中で、尚且つ、溶媒などを使用しないで分布よく散布する必要がある。
しかしながら、そのような方法で効率の良いものは見出されていない。

特開２００６−０５９７７９号公報 特開２００６−１７３０１８号公報 特開平８−２３６０２８号公報 特開平１０−３３４８０９号公報 特許公開２００６−２０７０１３号公報 特開２００８−０９８１３９号公報

本発明は、保護膜を液体やペーストに接触させずに高い材料使用効率で微粒子を配置してＰＤＰを生産できる技術を提供するものである。

上記課題を解決するために、本発明は、リアパネルとフロントパネルとが対面して固定され、前記リアパネルの前記フロントパネルに向く面には複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面下にはアドレス電極が設けられ、前記フロントパネルの前記リアパネルに向く面には、前記アドレス電極が伸びる方向とは垂直な方向に伸び、互いに離間して配置された走査電極と維持電極とが設けられ、前記凹部のうち、所望の凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極の間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、形成されたプラズマから放出された紫外線を、前記リアパネルのリブ間の凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルを製造するＰＤＰ製造方法であって、前記リアパネルと前記フロントパネルを固定する前に、前記走査電極と前記維持電極上に、前記プラズマから前記走査電極と前記維持電極を保護する保護膜を設け、転写基板上に複数の微粒子が付着されて成る転写部材と前記フロントパネルとを相対的に移動させ、前記転写基板上の前記微粒子と前記保護膜表面とを接触させ、前記転写基板上の前記微粒子の少なくとも一部を前記保護膜表面に付着させるＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、加熱により蒸発する蒸発性液体に前記微粒子を分散させて分散液を形成し、前記分散液によって前記転写基板を濡らした後、前記蒸発性液体を昇温させて蒸発させ、前記蒸発性液体を除去して前記分散液中の前記微粒子を前記転写基板上に付着させるＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、加熱により蒸発する蒸発性ペーストに前記微粒子を分散させて分散ペーストを形成し、前記分散ペーストを前記転写基板に塗布した後、昇温して蒸発させ、前記蒸発性ペーストを除去し、前記分散性ペースト中の前記微粒子を前記転写部材上に付着させるＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、前記保護膜は表面に露出するＳｒＣａＯ膜を有し、前記微粒子は前記ＳｒＣａＯ膜に付着させるＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、前記フロントパネルと、前記転写部材とを真空雰囲気中に配置し、真空雰囲気中で前記保護膜表面に前記微粒子を接触させるＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、前記フロントパネルは、真空雰囲気中で前記保護膜が形成された後、前記リアパネルと対面して固定され、前記リアパネルと前記フロントパネルの間の空間が外部空間から遮断されるまでの間、真空雰囲気中に置かれるＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、前記微粒子には、ＭｇＯ微粒子を用いるＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、前記ＭｇＯ微粒子には、ＳｃがドープされたＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、前記ＭｇＯ微粒子には、ＦがドープされたＰＤＰ製造方法である。
また、本発明は、真空排気装置が接続された真空槽と、前記真空槽内に配置され、表面に微粒子が配置された転写部材と、処理対象物が配置され、前記処理対象物の表面と、前記転写部材の前記微粒子が配置された表面とを対面させる保持装置と、真空雰囲気中で前記転写部材と前記処理対象物とを相対的に移動させ、前記処理対象物の表面と前記微粒子とを接触させる微粒子付着室である。
また、本発明は、前記真空槽の内部に配置された前記転写部材を、前記真空槽の外部に配置された別の転写部材に交換可能に構成された微粒子付着室である。
また、本発明は、リアパネルとフロントパネルとが対面して固定され、前記リアパネルの前記フロントパネルに向く面には複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面下にはアドレス電極が設けられ、前記フロントパネルの前記リアパネルに向く面には、前記アドレス電極が伸びる方向とは垂直な方向に伸び、互いに離間して配置された走査電極と維持電極とが設けられ、前記凹部のうち、所望の凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極の間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、形成されたプラズマから放出された紫外線を、前記リアパネルのリブ間の凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルを形成するＰＤＰ製造装置であって、本発明の微粒子付着室と、前記リアパネルと前記フロントパネルとを対面して固定させる封着室とを有し、前記真空槽内には、微粒子が付着された前記転写部材が配置され、ガラス基板上に前記走査電極と前記維持電極とが設けられ、前記走査電極と前記維持電極表面に形成された保護膜を有する処理対象物を、前記保護膜を前記転写部材に向けて基板ホルダに配置し、前記保護膜に前記微粒子を付着させて前記フロントパネルを形成した後、前記フロントパネルを前記封着室に移動させるＰＤＰ製造装置である。
また、本発明は、転写部材加熱室を有し、前記真空槽の外部から前記真空槽の内部に搬入される前記転写部材は、前記転写部材加熱室内で加熱した後、前記真空槽内に搬入できるように構成されたＰＤＰ製造装置である。
また、本発明は、成膜室を有し、前記処理対象物の前記保護膜は、前記成膜室で成膜される本発明のＰＤＰ製造装置であって、前記成膜室内で前記保護膜の形成が開始された後、前記封着室内で前記リアパネルと前記フロントパネルが固定されて、前記リアパネルと前記フロントパネルの間の空間が外部空間から遮断されるまでの間、前記フロントパネルは真空雰囲気中に置かれるように構成されたＰＤＰ製造装置である。
また、本発明は、前記微粒子には、ＭｇＯ微粒子を用いるＰＤＰ製造装置である。
また、本発明は、前記ＭｇＯ微粒子には、ＳｃがドープされたＰＤＰ製造装置である。
また、本発明は、前記ＭｇＯ微粒子には、ＦがドープされたＰＤＰ製造装置である。

本発明によれば、転写法を用いることで、非常に反応性の高いＳｒＣａＯ保護膜の表面に、保護膜を液体やペーストに接触させずに、初期電子放出特性に優れる微粒子を付着させることができ、微粒子の付着により、放電電圧が上昇することなく放電遅れを短縮させることができる。

ＳｒＣａＯの保護膜にＭｇＯ微粒子を配置したときと配置しなかったときの放電電圧特性の測定結果（の材料と放電特性の関係）を示すグラフ 放電遅れの測定方法を説明するためのグラフ ＳｒＣａＯの保護膜にＭｇＯ微粒子を配置したときと配置しなかったときの放電電圧と放電遅れの関係を示すグラフ 本発明のＰＤＰ製造装置の一例 転写部材の平面図 (ａ)〜(ｃ)：本発明のＰＤＰ製造方法を説明するための工程図の一部 (ｄ)、(ｅ)：その続きを説明するための工程図 (ａ)：基板ホルダの平面図 (ｂ)：基板ホルダ上の処理対象物の平面図 (ｃ)：基板ホルダ上のフロントパネルの平面図 (ａ)、(ｂ)：処理対象物の側面図 (ｃ)、(ｄ)：フロントパネルの側面図 リアパネルの側面図 (ａ)：封止室内のフロントパネルとリアパネルを説明するための側面図 (ｂ)：ＰＤＰの側面図 ＰＤＰの動作を説明するためのＰＤＰの斜視図

＜ＰＤＰ＞
先ず、プラズマディスプレイパネル(ＰＤＰ)の構造について説明する。
図１２の符号１は、ＰＤＰを示しており、このＰＤＰ１は、フロントパネル２０とリアパネル３０とを有している。フロントパネル２０とリアパネル３０は、フロント側ガラス基板２１、リア側ガラス基板３１をそれぞれ有している。

リアパネル３０側では、リア側ガラス基板３１上に、線状のアドレス電極３２が互いに平行に離間して配置されており、アドレス電極３２上とその間の部分は、誘電体膜３７によって覆われている。

アドレス電極３２とアドレス電極３２との間の位置の誘電体膜３７上には、アドレス電極３２と平行に一本ずつ細長い絶縁性材料の凸条であるリブ３４が配置されており、リブ３４間に形成された直線状の凹部３６には、蛍光体３５が配置されている。

フロントパネル２０側では、フロント側ガラス基板２１の表面に、線状の走査電極２２と線状の維持電極２３とが交互に平行に離間して配置されている。
フロントパネル２０とリアパネル３０とは、走査電極２２と維持電極２３とが、アドレス電極３２とそれぞれ垂直な方向に向くようにして、走査電極２２と維持電極２３が形成された面と、アドレス電極３２が形成された面とが互いに平行に対面して配置されている。

フロントパネル２０とリアパネル３０の間には放電ガスが封入されており、アドレス電極３２と走査電極２２の間に初期電圧を印加し、アドレス電極３２と走査電極２２とで挟まれた部分に初期放電を発生させ、次いで、一本の走査電極２２に対して点灯すべき箇所を通るアドレス電極３２にアドレス電圧を印加し、リブ３４間の凹部３６の点灯すべき場所にアドレス放電を発生させることで、アドレス電極３２と走査電極２２により、アドレス放電が発生した位置に近い凹部３６内の位置を、放電領域として選択する。

次に、放電領域の片側を通る走査電極２２と、その反対側を通る維持電極２３の間に維持電圧を印加し、凹部３６内のアドレス電極３２で選択された場所、即ち、点灯すべき場所に放電を発生させてプラズマを形成する。プラズマから紫外線が放射され、蛍光体３５に入射すると、選択された場所の蛍光体３５が可視光で発光する。赤色、緑色、又は青色のうちの一色で発光する蛍光体３５を、別々の凹部３６に一色ずつ配置してカラー表示を行うことができる。

維持電極２３と走査電極２２の表面には誘電体膜２４と保護膜２５とが、フロント側ガラス基板２１側からこの順序で形成されており、維持電極２３と走査電極２２は、プラズマによって惹起されるスパッタリング現象から保護されている。

保護膜を形成する方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレート法、ＣＶＤ法等、いろいろあるが、一例として、真空蒸着法では、保護膜２５は、保護膜２５と同じ材料で形成された蒸発材料を真空雰囲気中で蒸発させ、蒸気を誘電体膜２４表面に到達させて形成している。

走査電極２２と維持電極２３の間に放電を発生させるための維持電圧の大きさや、維持電圧の印加から放電発生までの時間等の放電特性は、保護膜２５の材料によって変わるが、本発明では、保護膜はＳｒＣａＯ膜であり、Ｈ₂ＯやＣＯ₂といったガスと反応性が高いため、後述する工程によって、保護膜２５の表面に、ＭｇＯ微粒子が付着されて放電遅れが改善されている。

＜ＰＤＰ製造方法＞
図４の符号２は、本発明のＰＤＰ製造装置であり、フロントパネル搬入室８１と、フロントパネル加熱室８２と、成膜室８３と、冷却室８４とがこの順序で接続され、冷却室８４は、第一搬送室８５を介して微粒子転写室８６に接続されて各室８１〜８６を用いてＭｇＯ微粒子の付着によってフロントパネル２０を形成できるようになっている。

これら各室８１〜８６と、後述する各室８７〜９５には、それぞれ真空排気装置が接続されており、各室８１〜９５の間に設けられた真空バルブを閉じて真空排気装置を動作させると、各室８１〜９５は、それぞれ独立に真空排気され、それぞれ真空雰囲気に置けるようになっている。ここでは、フロントパネル搬入室８１と、後述するリアパネル搬入室９１、転写部材搬入室９３以外の各室８２〜９０、９２〜９５の内部は、真空雰囲気にされ、真空排気装置が動作して継続して真空排気されている。
なお、各室８１〜９５の間で、基板等を移動させる場合は、真空バルブは開けられ、移動後は閉じられる。

図９(ａ)は、フロントパネル搬入室８１の内部に搬入される処理対象物２６を示している。走査電極２２と、維持電極２３とは、透明導電膜で形成され、フロント側ガラス基板２１上に設けられた透明配線５１と、透明配線５１上の一部領域上に、透明配線５１と平行に設けられたバス電極５２とで構成されている。

走査電極２２と維持電極２３の表面と、その間には、誘電体膜２４が形成されており、フロントパネル搬入室８１の内部に搬入される処理対象物２６は、誘電体膜２４の表面が露出されている。
フロントパネル搬入室８１の扉(不図示)を開け、処理対象物２６をフロントパネル搬入室８１の内部に搬入し、扉を閉じ、フロントパネル搬入室８１の内部を真空排気する。

次に、真空バルブを開けて処理対象物２６をフロントパネル加熱室８２内に移動させ、フロントパネル加熱室８２内を真空排気しながら処理対象物２６を加熱する。
以下、真空バルブの操作は省略すると、処理対象物２６がフロントパネル加熱室８２内で所定温度に昇温され、ある一定時間温度が保持され処理対象物２６の脱ガスが行われると、成膜室８３に移動される。成膜室８３の内部には、ＳｒＣａＯ材料が充填されたリングハースが配置されており、ピアスガン等でＥＢ照射され、誘電体膜２４表面にＳｒＣａＯ膜が真空蒸着される。

図９(ｂ)に示すように、ＳｒＣａＯ膜を所定膜厚に形成することで、誘電体膜２４の表面にＳｒＣａＯ膜から成る保護膜２５を形成し、ＭｇＯ微粒子を配置する処理対象物２７を構成させる。

保護膜２５を形成する処理対象物２６は、周辺部分で走査電極２２と維持電極２３とが露出されており、保護膜２５を形成する際に、走査電極２２と維持電極２３の露出部分が覆われ、保護膜２５が露出部分に形成されずに、走査電極２２と維持電極２３の一部の露出が維持されるようになっている。

次に、保護膜２５が形成された処理対象物２７を冷却室８４に移動させ、冷却室８４内で冷却する。
第一搬送室８５内には基板搬送ロボットが配置されており、基板搬送ロボットの腕部を伸ばして先端を冷却室８４の内部に挿入し、冷却室８４内に位置する処理対象物２７を腕部の先端上に乗せ、腕部を縮めて処理対象物２７を第一搬送室８５内に搬入し、処理対象物２７を微粒子転写室８６に移動させるようにする。

微粒子転写室８６の内部を図６(ａ)〜(ｅ)に示し、説明すると、先ず図６(ａ)を参照し、微粒子転写室８６は、真空槽１０を有しており、真空槽１０の内部には転写台１２が配置され、転写台１２の上には転写部材５が配置されている。この転写台１２は真空槽１０に固定されている。

転写台１２の上方の真空槽１０の天井には、昇降軸１７が気密に挿通されており、昇降軸１７の下端には、絶縁部材１６を介して取付板１５が設けられている。取付板１５には、取付部材１９によって、基板ホルダ６が固定されている。
基板ホルダ６は、転写台１２上に配置された転写部材５の真上位置に、転写台１２表面と対面して配置されている。

基板ホルダ６の平面形状を図８(ａ)に示す。
基板ホルダ６は枠形状であり、枠形状の一部は、切り欠かれ、切り欠かれた部分である切欠部９が設けられている。基板ホルダ６の枠形状の内周に沿った部分には、厚みが薄く、表面高さが外周部分よりも低くなっている基板配置部８が形成されている。

転写台１２の表面は平坦であり、転写台１２の表面と基板ホルダ６の基板配置部８の表面とは水平に配置されている。
第一搬送室８５内部の基板搬送ロボットは、腕部の方向を変えて腕部を伸ばし、図６(ｂ)に示すように、微粒子転写室８６の内部に腕部先端を挿入すると、処理対象物２７は、冷却室８４から、第一搬送室８５を通過して、微粒子転写室８６の内部に移動される。

腕部先端上の処理対象物２７は、取付部材１９の間を通過して、取付板１５と基板ホルダ６との間に挿入する。処理対象物２７は、切欠部９の真上を通って挿入されるため、切欠部９上には腕部５５が位置している。

真空槽１０の外部には、軸昇降装置(モータ)１８が配置されており、昇降軸１７は、軸昇降装置１８を動作させると、真空槽１０の内部の真空雰囲気を維持しながら上下に移動でき、昇降軸１７の上下の移動に伴って、基板ホルダ６が、転写台１２上で上下に移動することができるようになっている。
微粒子転写室８６には、真空排気装置２９が接続され、真空排気装置２９によって継続して真空排気されている。

基板配置部８の外周は、処理対象物２７の外周よりも外側に位置し、基板配置部８の内周は、処理対象物２７の外周よりも内側に位置するようにされており、処理対象物２７の外周部分が基板配置部８の上方に位置する状態で、基板ホルダ６を上方に移動させると(又は、腕部５５を下方に移動させると)、腕部５５に切欠部９を通過させて、基板ホルダ６が腕部５５よりも上方に移動し、処理対象物２７は、腕部５５上から基板ホルダ６の基板配置部８上へ移載され、基板ホルダ６上に乗る。

基板搬送ロボットの腕部５５先端上では、処理対象物２７は、保護膜２５が露出する面を下方に向けて配置されており、その状態の処理対象物２７が基板ホルダ６上に乗せられると、処理対象物２７は、周囲が基板配置部８上に乗り、基板ホルダ６で囲まれた開口７内に、保護膜２５が鉛直下方を向けて露出して基板ホルダ６に配置される。
図８(ｂ)は、基板ホルダ６上の処理対象物２７を処理対象物２７よりも上方位置から見たときの図である。

処理対象物２７が基板ホルダ６の上に乗った後、腕部５５を第一搬送室８５に戻し、真空バルブを閉じ、基板ホルダ６を下方に移動させる。
図６(ｃ)は、その状態を示している。
転写部材５は、ガラス板から成る微粒子用基板４と、微粒子用基板４の上方を向いた表面に、後述する工程によって配置されたＭｇＯ微小粒子３によって構成されており、その平面図は図５に示す。
本発明で用いるＭｇＯ微小粒子３は、粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下のＭｇＯ単結晶粒子である。

転写部材５を静止させた状態で昇降軸１７を降下させ、処理対象物２７を下方に移動させると、図７(ｄ)のように、保護膜２５と微粒子用基板４上のＭｇＯ微小粒子３とが接触する。
ここでは、処理対象物２７を移動させたが、処理対象物２７を静止させておき、後述するピン１３を上昇させ、ピン１３の上端上に転写部材５を乗せて、転写部材５を上方に移動させて接触させてもよい。

いずれにしろ、処理対象物２７と転写部材５のうちのいずれか一方又は両方を移動させて、離間していた処理対象物２７と転写部材５との間の距離を縮め、保護膜２５とＭｇＯ微粒子３とを接触させればよい。
なお、微粒子用基板４上では、ＭｇＯ微粒子３は、処理対象物２７の外周部分に接触しないように配置されている。

転写台１２の表面は平坦に形成され、転写部材５の裏面である微粒子用基板４の裏面は広い面積で転写台１２の表面に接触して支持されており、多くのＭｇＯ微粒子３が転写部材５の微粒子用基板４の表面と、処理対象物２７の保護膜２５の表面の両方に接触する。

微粒子用基板４の表面と保護膜２５の表面の両方に接触するＭｇＯ微粒子３については、ＭｇＯ粒子３と微粒子用基板４の表面が接触する部分と、保護膜２５の表面と接触する部分の両方に、接触を維持する付着力が発生している。

多くのＭｇＯ微粒子３が微粒子用基板４の表面と保護膜２５の表面に接触している状態から、処理対象物２７と転写部材５とを相対的に移動させて処理対象物２７と転写部材５との間の距離を大きくすると、ＭｇＯ微粒子３は、微粒子用基板４の表面と保護膜２５の表面のうち、付着力が弱い方の表面から脱離し、強い方の表面に付着して一緒に移動する。図７(ｅ)は、処理対象物２７と転写部材５を離間させた状態である。

付着力の強弱は、ＭｇＯ微粒子３毎に異なっており、微粒子用基板４の表面と保護膜２５の表面の両方に接触するＭｇＯ微粒子３は、一部分が保護膜２５に付着し、他の部分は微粒子用基板４に付着したままで転写部材５の一部として残る。

保護膜２５へのＭｇＯ微粒子３の付着量の制御方法を説明すると、本発明の取付板１５と、取付部材１９と、基板ホルダ６とは導電性であり、取付板１５は、真空槽１０の外部に配置された付着用電源２８に接続されている。

基板ホルダ６上の処理対象物２７は、走査電極２２の露出部分と、維持電極２３の露出部分とが基板ホルダ６に接触しており、基板ホルダ６と走査電極２２及び維持電極２３とは、電気的に接続されている。

従って、付着用電源２８を動作させて電圧を出力すると、取付板１５と取付部材１９と基板ホルダ６とを介して、処理対象物２７の走査電極２２及び維持電極２３に電圧が印加され、処理対象物２７に静電気力が発生し、ＭｇＯ微粒子３が静電吸着される。

この場合、処理対象物２７への印加電圧の大きさを変化させることで、処理対象物２７とＭｇＯ微粒子３との間に形成される静電引力の大きさを変化させることができるから、処理対象物２７への印加電圧の大きさによって、処理対象物２７へのＭｇＯ粒子３の付着量を制御することができる。

実験によると、微粒子用基板４表面に残るＭｇＯ微粒子３の方が多数であるようにすることができた。従って、ＭｇＯ微粒子３が付着された一枚の転写部材５に対して、２０枚程度の処理対象物２７の保護膜２５を接触させてＭｇＯ微粒子３を転着させても、各処理対象物２７の保護膜２５に付着したＭｇＯ微粒子３の数を、大きすぎず且つ小さすぎない密度にすることができた。

また、回収室を設け、ＭｇＯ微粒子３を付着させた処理対象物２７を回収室内に搬入し、ＭｇＯ微粒子３の付着量が多すぎる処理対象物２７に対して、ガスを吹き付けて余分なＭｇＯ微粒子３を剥離させ、処理対象物２７のＭｇＯ微粒子３を規定の密度するとともに、剥離したＭｇＯ微粒子３を回収して他の微粒子用基板４に付着させて再利用することもできる。

ＭｇＯ微粒子３が保護膜２５の表面に付着されると、フロントパネル２０が得られる。
図８(ｃ)は、得られたフロントパネル２０が基板ホルダ６上に配置された状態の平面図であり、図９(ｃ)は、そのフロントパネル２０の一方向から見た側面図であり、同図(ｄ)は、同じフロントパネル２０を図９(ｃ)とは９０度異なる方向から見た側面図である。

微粒子転写室８６の壁面のうち、第一搬送室８５に接続された壁面とは異なる壁面に第二搬送室８７が接続されており、基板ホルダ６を回転させ、切欠部９を第二搬送室８７に向け、第二搬送室８７内の基板搬送ロボットの腕部を、ＭｇＯ微粒子３が付着された処理対象物２７の下方に移動させ、腕部に切欠部９を通過させて上昇させ、腕部上に得られたフロントパネル２０を乗せる。

第二搬送室８７にはアラインメント室８８が接続されており、フロントパネル２０を、微粒子転写室８６内からアラインメント室８８内に、第二搬送室８７を通過させて移動させる。

微粒子転写室８６内では、フロントパネル２０がアラインメント室８８に移動された後、ＭｇＯ微粒子３が配置されていない処理対象物を第一搬送室８５を通過させて微粒子転写室８６内に搬入し、上記と同じ手順によって処理対象物の保護膜表面にＭｇＯ微粒子３を付着させる。

次に、アラインメント室８８内の工程を説明すると、まず、ＰＤＰ製造装置２は、リアパネル搬入室９１を有しており、このリアパネル搬入室９１は、リアパネル加熱室９２を介して第二搬送室８７に接続されている。

リアパネル搬入室９１には、図１０に示したような、ガラス基板３１上にリング状の接着材料３８が配置されたリアパネル３０が搬入される。このリアパネル３０は、接着材料３８によって、リブ３４が取り囲まれている。

リアパネル搬入室９１の内部にリアパネル３０を搬入して真空排気し、内部が所定圧力に低下した後、真空バルブを開けてリアパネル搬入室９１内とリアパネル加熱室９２内とを接続し、リアパネル搬入室９１内からリアパネル加熱室９２内にリアパネル３０を移動させる。

リアパネル加熱室９２内では、真空排気をしながらリアパネル３０を加熱して接着材料３８の脱ガスを行い、次いで、第二の搬送室８７内の基板搬送ロボットによって、リアパネル加熱室９２内で脱ガスをされたリアパネル３０を、第二の搬送室８７を通過させてアラインメント室８８に搬入する。

アラインメント室８８には、位置合わせ装置が設けられており、図１１(ａ)に示すようにフロントパネル２０のＭｇＯ微粒子３が配置された保護膜２５の表面と、リアパネル３０のリブ３４や接着材料３８が配置された面とを対面させた状態で、フロントパネル２０とリアパネル３０との位置合わせを行った後、近接させ、接着材料３８の上端をフロントパネル２０に押しつけて密着させる。

このとき、ＭｇＯ微粒子３は、接着材料３８が形成するリング形状の内側に配置されており、接着材料３８の上端は、フロントパネル２０の微粒子３以外の部材に接触する。ここでは、保護膜２５に接触する。

第二搬送室８７には封着室８９が接続されており、第二搬送室８７内の基板搬送ロボットにより、封着室８９内に位置し、密着されたフロントパネル２０とリアパネル３０とを、密着して互いに固定された状態を維持しながら、第二搬送室８７を通過させて、アラインメント室８８から封着室８９に移動させる。

封着室８９内には接着材料３８を加熱する加熱装置が設けられており、フロントパネル２０とリアパネル３０とを密着させる方向に押圧しながら接着材料３８を加熱して軟化させた後、固化させ、接着材料３８の接着力によって、フロントパネル２０とリアパネル３０とを接着する。

封着室８９内は継続して真空排気されており、接着材料３８でフロントパネル２０とリアパネル３０とを接続した後、フロントパネル２０とリアパネル３０との間の空間が所定圧力まで真空排気されたと判断すると、フロントパネル２０とリアパネル３０との間の空間に、ＸｅやＮｅを含有する放電ガスを所定圧力まで導入する。

導入後、フロントパネル２０とリアパネル３０の間の空間への放電ガス導入口を閉塞すると、図１１(ｂ)の側面図と、図１２の斜視図に示すＰＤＰ１が得られる。
ＰＤＰ１は、封着室８９からＰＤＰ搬出室９０に移動させ、ＰＤＰ搬出室９０と封着室８９との間の真空バルブを閉じた後、ＰＤＰ搬出室９０内を大気圧力にして、ＰＤＰ１を大気中に取り出す。

＜転写部材交換＞
一枚の転写部材５に対して、所定枚数の処理対象物２７が接触され、転写部材５上のＭｇＯ微粒子３が処理対象物２７の保護膜２５上に付着されると、転写部材５を交換する。

ここで、転写部材５が配置された転写台１２には、複数の穴が形成されており、図６(ａ)〜(ｃ)、図７(ｄ)、(ｅ)に示されているように、各穴内には、ピン１３が挿通されている。各ピン１３の下部は、ピン昇降装置１４に取り付けられており、ピン昇降装置１４を動作させ、微粒子転写室８６内の真空雰囲気を維持しながら、ピン１３の上端を、転写台１２の表面以上の位置と、表面以下の位置との間で上下移動できるようにされている。

転写部材５と処理対象物２７とが接触する際には、ピン１３の上端は、転写台１２の表面以下の位置に配置されている。
その状態からピン昇降装置１４を動作させ、ピン１３の上端を転写台１２の表面よりも上方に移動させ、転写部材５をピン１３上に乗せて持ち上げる。

本発明のＰＤＰ製造装置２は、転写部材搬入室９３と転写部材搬出室９５とを有している。
転写部材搬出室９５は、第一搬送室８５に接続されており、微粒子転写室８６内で、ピン１３によって持ち上げられた転写部材５と転写台１２との間に、第一搬送室８５内の基板搬送ロボットの腕部５５の先端を挿入し、次いで、ピン１３を転写部材５と共に下方へ移動させて転写部材５を腕部５５の先端に乗せる。

腕部５５先端を移動させ、転写部材５に第一搬送室８５の内部を通過させて、微粒子転写室８６内から転写部材搬出室９５内に移動させる。
転写部材搬出室９５と第一搬送室８５との間の真空バルブを閉じ、転写部材搬出室９５内を大気圧にした後、転写部材搬出室９５内の転写部材５を大気中に取り出す。

次に、新しい転写部材５を微粒子転写室８６内に搬入する工程を説明する。
転写部材搬入室９３は、転写部材加熱室９４を介して、第一搬送室８５に接続されており、新しい転写部材５は、転写部材搬入室９３内に搬入し、転写部材搬入室９３内を真空排気して真空雰囲気にした後、転写部材搬入室９３と転写部材加熱室９４との間の真空バルブを開け、転写部材５を転写部材搬入室９３から転写部材加熱室９４内に移動させる。

転写部材加熱室９４内を真空排気しながら搬入した転写部材を加熱して昇温させ、脱ガスさせる。
脱ガス後、第一搬送室８５内の基板搬送ロボットの腕部５５の先端を転写部材加熱室９４内に挿入し、脱ガスが終了した転写部材加熱室９４内の転写部材５を腕部５５の先端に乗せ、転写部材５に第一搬送室８５を通過させて、転写部材５を転写部材加熱室９４から微粒子転写室８６に移動させる。

微粒子転写室８６内に移動させた転写部材５は、ピン１３上で静止させ、ピン１３を上昇させて、腕部５５の先端上の転写部材５をピン１３の上端上に移載する。腕部５５を縮めて第一搬送室８５内に戻した後、ピン１３を降下させ、転写部材５をピン１３の上端から載置台１２上に移載し、処理対象物２７に対してＭｇＯ微粒子３を配置できる状態にする。

＜転写部材の製造＞
次に、微粒子用基板４表面へのＭｇＯ微粒子３の付着工程を説明する。
予め、有機溶剤や純水などの液体であって、常温又は加熱によって蒸発可能な蒸発性液体に、ＭｇＯ微粒子を所定密度で分散して分散液を形成しておく。

また、予め、微粒子用基板４の表面を洗浄して清浄にし、乾燥しておき、その状態の微粒子用基板４の表面に、分散液を噴霧又は塗布し、分散液で濡らす。
次に、分散液で濡れた微粒子用基板４を、分散液をこぼさないようにして加熱乾燥炉内に搬入し、加熱して乾燥すると、微粒子用基板４表面にＭｇＯ微粒子３が配置された転写部材が得られる。

分散液を加熱によって蒸発除去しても、乾燥による蒸発性液体の残渣物は微粒子用基板４の表面に残らず、得られた転写部材の微粒子用基板４の表面やＭｇＯ微粒子３の表面には、ＰＤＰを汚染する物質は付着していることは無く、また、微粒子用基板４表面やＭｇＯ微粒子３の表面も変質していることもない。

そのように加熱・乾燥された転写部材は転写部材搬入室９３の内部に搬入する。
なお、上記転写部材５の微粒子用基板４はガラス基板であったが、金属基板や、金属基板の表面に無機の薄膜を形成した基板など、種々の基板を用いることができる。

蒸発性液体には、微粒子用基板４に分散液を噴霧したり、微粒子用基板４を分散液に浸漬できる液体を用ることができるが、常温又は加熱によって蒸発することができれば、液体ではなくペースト状の材料でもよい。このような蒸発性ペーストにＭｇＯ微粒子３を均一に含有するように混合し、微粒子用基板４表面に塗布し、加熱し、蒸発性ペーストを蒸発させて除去して微粒子用基板４表面にＭｇＯ微粒子３を配置してもよい。

上記例では、初期電子放出特性に優れたＭｇＯ微粒子３を、保護膜２５に付着させる微粒子に用いたが、本発明は、ＭｇＯ微粒子３に限定されるものではなく、初期電子放出特性に優れた物質の微粒子を、保護膜に付着させてＰＤＰを構成させることもできる。

また、保護膜についても、ＳｒＣａＯ膜に限定されるものではなく、たとえば、複数の材料の積層膜で構成されていても、表面にＳｒＣａＯ膜が露出して、ＭｇＯ微粒子のような二次電子放出係数が高い微粒子が付着される場合も含まれ、さらに、保護膜表面がＳｒＣａＯ膜の場合だけではなく、スパッタリング耐性があり、放電電圧が低ければ、ＳｒＣａＯ膜以外の材料が保護膜表面に露出していてもよい。

上記実施例では、真空槽１０内において、転写部材５よりも処理対象物２７が上方に位置していたが、その逆に、処理対象物２７よりも転写部材５が上方に位置していても、転写部材５から処理対象物２７へのＭｇＯ微粒子３の転着ができればよい。

また、上記実施例では、転写部材５のＭｇＯ微粒子３が配置された表面と処理対象物２７の保護膜２５の表面は水平にされていたが、互いの表面が平行にされてＭｇＯ微粒子３と保護膜とが接触されれば、水平でなくてもよい。

（１）放電電圧
ＳｒＣａＯ膜から成る保護膜だけの状態と、ＳｒＣａＯ膜から成る保護膜の表面に、上記本発明の製造方法によってＭｇＯ微粒子を配置したときの放電電圧特性を測定した。
測定結果は、図１に示す。

「放電開始電圧」は、電極間に印加する電圧を上昇したときに、放電が一カ所の放電領域で開始された電圧であり、「全面点灯電圧」は、更に電圧を上昇させたときに、パネル中全部の放電領域が点灯した電圧である。

また、「消灯開始電圧」は、全部の表示領域が点灯している状態から電極間に印加する電圧を低下させたときに、一カ所の表示領域で放電が停止したときの電圧であり、「全面消灯電圧」は更に電圧を低下させたときに、パネル中全部の表示領域が消灯した電圧である。

ＭｇＯ微粒子の保護膜への配置は真空中で行われており、図１の測定結果を見ると、保護膜だけの場合と、保護膜上にＭｇＯ微粒子を配置した場合とでは、放電電圧の大きさに差はなく、ＭｇＯ微粒子の配置による放電電圧の上昇はなかった。

（２）放電遅れ
はじめに、放電遅れ測定には、“JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105, 113304, 2009”を参考にし、図２の波形を用いた。

測定を簡単に説明すると、まず走査電極２２と維持電極２３に矩形波形を２５０回印加して放電を繰り返し起こし、電極に電荷をためる。その後、アドレス期間を想定して２ｍｓの休止期間を置き、その後、維持パルスＶ_Lを印加して放電を起こす。そしてこの放電のときに発生するＸｅの発光（赤外線）をフォトダイオードで検出した。ここまでの流れを１０００回繰り返し、１０００回の発光のバラつきから、放電遅れを測定した。図２の符号Ｌは、フォトダイオードの出力を示しており、同じ波形を繰り返しても、通常、維持パルスＶ_Lを印加してから放電が起こるまでの時間は一定ではなく、バラつきが生じていることが分かる。

一般に電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから放電が形成されるまでには、ある一定の時間がかかり、この時間を放電遅れという。
遅れの機構から放電遅れは形成遅れと統計遅れの２成分に分類され、形成遅れは、初電子が発生してから放電が形成されるまでの時間、統計遅れは電極間に放電開始電圧を超過する電位差を印加してから電子が発生するまでの時間と定義されている。

具体的には、維持パルスＶ_Lを印加してから最も早く放電が起こったときの放電が起こるまでの時間が形成遅れ(ｔｆ)であり、最も早く放電が起こってから、もっとも遅く放電が起こるまでの時間が統計遅れ(ｔｓ)である。

通常、放電遅れは休止時間が長いほど大きくなることが知られている。実際のＰＤＰの駆動では、走査電極２２とアドレス電極３２間で放電を起こすアドレス期間の間は、維持電極２３と走査電極２２では放電が起こらず、休止期間となる。走査電極２２とアドレス電極３２との間の放電は、走査電極２２ごとに順次行っていくので、走査電極２２が７６８本ある場合（ＸＧＡ）には、ＰＤＰ全体では、１本の走査電極２２にかかる時間の７６８倍の時間がかかることになる。

１本の走査電極２２に電圧を印加する時間は、目的のセルがすべて点灯するまでの時間が必要なので、放電遅れ以上の時間、電圧を印加する必要がある。これまでのＸＧＡ規格のＰＤＰでは、走査電極２２の１本あたり２μｓ程度必要であり、ＰＤＰ全体では１．５ｍｓ（２μｓ×７６８）程度であったことが知られている。このことから、今回の測定では休止期間を少し長めに２ｍｓとした。

また、同様に１本の走査電極２２ごとに２μｓずつかけると、ＦＨＤシングルスキャンでは、１サブフィールドあたり２．２ｍｓ（１０８０×２μｓ）必要となる。アドレスに要する時間が長くなると、表示にかける時間が減ることになるので、十分な階調が取れなくなってしまう。このため、より高精細なパネルでは、より短時間で確実にアドレス放電を起こす必要があり、すなわち放電遅れが小さくなければならない。

ＸＧＡシングルスキャンと同じ１．５ｍｓでＦＨＤにシングルスキャンでアドレス行うためには、１本の走査電極２２に印加できる時間は１．４μｓ（１．５ｍｓ／１０８０）以下でなければならない。つまり放電遅れは１．４μｓ以下でなければならない。以上のことから、今回の評価では、放電遅れが１．４μｓをＦＨＤシングルスキャンのための一つの基準とする。

図３は、ＳｒＣａＯ膜のみとＳｒＣａＯ保護膜にＭｇＯ微粒子を転写したときの静特性マージン内で印加電圧に対する放電遅れ（形成遅れ＋統計遅れ）の測定結果である。ＳｒＣａＯ保護膜のみでは放電遅れ１．４μｓを達成するには、１９０Ｖ程度を要するのに対し、ＳｒＣａＯ保護膜にＭｇＯ微粒子を転写した場合、１３５Ｖと、ＭｇＯ微粒子なしの時よりも５５Ｖも低い電圧で放電遅れ（形成遅れ＋統計遅れ）１．４μｓを達成できた。

＜その他＞
なお、本発明は、転写する粉はＭｇＯ微粒子に限らない。粉材料としては、初期電子放出特性が高い材料、たとえばＳｃドープＭｇＯ、ＦドープＭｇＯ等が好ましい。
保護膜は、ＳｒＣａＯに限らず、二次電子放出係数が高い材料、たとえばＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、もしくはこれらを１つ以上含む材料であれば良い。また従来用いられているＭｇＯでもよい。

本発明は、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置に関している。

１……ＰＤＰ(プラズマディスプレイパネル)
２……ＰＤＰ製造装置
３……ＭｇＯ微粒子
４……微粒子用基板
５……転写部材
１０……真空槽
２０……フロントパネル
２１……フロント側ガラス基板
２２……走査電極
２３……維持電極
３０……リアパネル
３１……リア側ガラス基板
３２……アドレス電極
３４……リブ
３５……蛍光体
３６……凹部

Claims (17)

1. リアパネルとフロントパネルとが対面して固定され、
   前記リアパネルの前記フロントパネルに向く面には複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面下にはアドレス電極が設けられ、
   前記フロントパネルの前記リアパネルに向く面には、前記アドレス電極が伸びる方向とは垂直な方向に伸び、互いに離間して配置された走査電極と維持電極とが設けられ、
   前記凹部のうち、所望の凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極の間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、
   前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、形成されたプラズマから放出された紫外線を、前記リアパネルのリブ間の凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルを製造するＰＤＰ製造方法であって、
   前記リアパネルと前記フロントパネルを固定する前に、
   前記走査電極と前記維持電極上に、前記プラズマから前記走査電極と前記維持電極を保護する保護膜を設け、
   転写基板上に複数の微粒子が付着されて成る転写部材と前記フロントパネルとを相対的に移動させ、前記転写基板上の前記微粒子と前記保護膜表面とを接触させ、前記転写基板上の前記微粒子の少なくとも一部を前記保護膜表面に付着させるＰＤＰ製造方法。
2. 加熱により蒸発する蒸発性液体に前記微粒子を分散させて分散液を形成し、前記分散液によって前記転写基板を濡らした後、前記蒸発性液体を昇温させて蒸発させ、前記蒸発性液体を除去して前記分散液中の前記微粒子を前記転写基板上に付着させる請求項１記載のＰＤＰ製造方法。
3. 加熱により蒸発する蒸発性ペーストに前記微粒子を分散させて分散ペーストを形成し、
   前記分散ペーストを前記転写基板に塗布した後、昇温して蒸発させ、前記蒸発性ペーストを除去し、前記分散性ペースト中の前記微粒子を前記転写部材上に付着させる請求項１記載のＰＤＰ製造方法。
4. 前記保護膜は表面に露出するＳｒＣａＯ膜を有し、前記微粒子は前記ＳｒＣａＯ膜に付着させる請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のＰＤＰ製造方法。
5. 前記フロントパネルと
   前記転写部材とを真空雰囲気中に配置し、真空雰囲気中で前記保護膜表面に前記微粒子を接触させる請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のＰＤＰ製造方法。
6. 前記フロントパネルは、真空雰囲気中で前記保護膜が形成された後、前記リアパネルと対面して固定され、前記リアパネルと前記フロントパネルの間の空間が外部空間から遮断されるまでの間、真空雰囲気中に置かれる請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のＰＤＰ製造方法。
7. 前記微粒子には、ＭｇＯ微粒子を用いる請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のＰＤＰ製造方法。
8. 前記ＭｇＯ微粒子には、Ｓｃがドープされた請求項７記載のＰＤＰ製造方法。
9. 前記ＭｇＯ微粒子には、Ｆがドープされた請求項７記載のＰＤＰ製造方法。
10. 真空排気装置が接続された真空槽と、
    前記真空槽内に配置され、表面に微粒子が配置された転写部材と、
    処理対象物が配置され、前記処理対象物の表面と、前記転写部材の前記微粒子が配置された表面とを対面させる保持装置と、
    真空雰囲気中で前記転写部材と前記処理対象物とを相対的に移動させ、前記処理対象物の表面と前記微粒子とを接触させる微粒子付着室。
11. 前記真空槽の内部に配置された前記転写部材を、前記真空槽の外部に配置された別の転写部材に交換可能に構成された請求項１０記載の微粒子付着室。
12. リアパネルとフロントパネルとが対面して固定され、
    前記リアパネルの前記フロントパネルに向く面には複数のリブが設けられ、前記リブ間の凹部の底面下にはアドレス電極が設けられ、
    前記フロントパネルの前記リアパネルに向く面には、前記アドレス電極が伸びる方向とは垂直な方向に伸び、互いに離間して配置された走査電極と維持電極とが設けられ、
    前記凹部のうち、所望の凹部を、前記アドレス電極と前記走査電極の間に印加するアドレス電圧によって放電領域として選択し、
    前記走査電極と前記維持電極との間に維持電圧を印加して前記放電領域に放電を発生させ、形成されたプラズマから放出された紫外線を、前記リアパネルのリブ間の凹部に配置された蛍光体に入射させて、前記蛍光体を発光させるプラズマディスプレイパネルを形成するＰＤＰ製造装置であって、
    請求項１０又は請求項１１記載の微粒子付着室と、
    前記リアパネルと前記フロントパネルとを対面して固定させる封着室とを有し、
    前記真空槽内には、微粒子が付着された前記転写部材が配置され、
    ガラス基板上に前記走査電極と前記維持電極とが設けられ、前記走査電極と前記維持電極表面に形成された保護膜を有する処理対象物を、前記保護膜を前記転写部材に向けて基板ホルダに配置し、
    前記保護膜に前記微粒子を付着させて前記フロントパネルを形成した後、前記フロントパネルを前記封着室に移動させるＰＤＰ製造装置。
13. 転写部材加熱室を有し、前記真空槽の外部から前記真空槽の内部に搬入される前記転写部材は、前記転写部材加熱室内で加熱した後、前記真空槽内に搬入できるように構成された請求項１２記載のＰＤＰ製造装置。
14. 成膜室を有し、
    前記処理対象物の前記保護膜は、前記成膜室で成膜される請求項１２又は請求項１３のいずれか１項記載のＰＤＰ製造装置であって、
    前記成膜室内で前記保護膜の形成が開始された後、前記封着室内で前記リアパネルと前記フロントパネルが固定されて、前記リアパネルと前記フロントパネルの間の空間が外部空間から遮断されるまでの間、前記フロントパネルは真空雰囲気中に置かれるように構成されたＰＤＰ製造装置。
15. 前記微粒子には、ＭｇＯ微粒子を用いる請求項１２乃至請求項１４のいずれか１項記載のＰＤＰ製造装置。
16. 前記ＭｇＯ微粒子には、Ｓｃがドープされた請求項１５記載のＰＤＰ製造装置。
17. 前記ＭｇＯ微粒子には、Ｆがドープされた請求項１５記載のＰＤＰ製造装置。
    

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