JP2006024490A - プラズマディスプレイパネルとその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】前面板として、ガラス基板内面に溝を有し、バス電極をメッキ法で溝に埋め込み形成し、誘電体層を非鉛系ガラスより構成することで、誘電体層中に気泡を発生させず、かつ耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止し、かつ環境汚染を低減できるプラズマディスプレイパネルを得ることを目的とする。
【解決手段】放電空間を挟んで対向配置された前面板２と背面板３と、前面板２におけるガラス基板１０の内面に形成された、透明電極１５１、１６１とそれよりも幅狭のバス電極１９とを有する複数の表示電極４の対と、表示電極４の対を覆って形成された誘電体層１７とを少なくとも有するプラズマディスプレイパネルであって、少なくとも前面板２はガラス基板１０の内面に溝１８を有し、少なくともバス電極１９はメッキ法により形成されて溝１８に埋め込まれ、誘電体層１７は非鉛系ガラスよりなるように構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、気体放電からの放射を利用したプラズマディスプレイ（気体放電表示）パネルとその製造方法に係わり、特に環境に配慮した前面板の構成とその製造方法に関するものである。

従来の気体放電からの放射を利用した平面表示装置としてプラズマディスプレイ装置あるいはプラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと記す）の商品化が図られている。ＰＤＰには直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）があるが、大型表示装置として、現時点ではＡＣ型ＰＤＰがより高い技術的ポテンシャルを持つ。さらに、ＡＣ型の内でも特に寿命特性のすぐれた面放電型ＰＤＰが商品としての主流になりつつある。

図７は、従来の面放電型ＡＣ型ＰＤＰの放電単位である放電セル構造を示す断面概念図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）において、ｘ−ｙで示した面で切断した断面概念図である。以下に、従来のプラズマディスプレイパネルについて、図７の放電セル７１を使って説明する。前面板２のガラス基板１０の表面に、透明導電性材料からなる表示電極４としての走査（スキャン）電極５と維持（サステイン）電極６が対をなして例えばストライプ状に形成され、これらの電極対を覆うように誘電体層７および保護膜８が積層された構造となるように形成されている。上記対をなす表示電極４は、ＩＴＯ（インジュウム錫酸化膜）などによる電気抵抗が比較的高い膜厚約１０００Åの透明電極７５、７６であり、それらの上に電力を供給するために通常、細い幅で膜厚約１０μｍの金属電極であるバス電極９がＡｇペーストを印刷焼成する厚膜プロセスなどにより形成されている。前面板２において、壁電荷を蓄積するための誘電体層７は、鉛系ガラス材料による誘電率ε＝約１３を有する低融点ガラス層が膜厚約４０μｍで形成されたものであり、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を有するようにしている。また、誘電体層７、保護膜８は、放電によって発生した高エネルギーのイオンによって上記電極対の表面がスパッタリングされ劣化するのを防止する働きをする。保護膜８は、薄膜プロセス、または印刷法で形成された電気絶縁性で透明な膜厚数千ÅのＭｇＯ膜が通常使用され、上記電極面を保護する働きと共に、放電セル内に２次電子を効率よく放出し、放電開始電圧を低下させる働きをする。

背面板３のガラス基板１１上には、画像データを書き込むためのデータ電極１２がストライプ状に形成され、さらにデータ電極１２を覆うように背面側の誘電体層１３が積層される。隣接する放電セル（図示省略）との間の誘電体層１３上には、所定の高さの隔壁１４がストライプ状や井桁状（図示省略）などに形成され、さらに誘電体層１３の表面と隔壁１４の側壁には、蛍光体層１５が塗布された構造となっている。

上記のように構成した前面板２と背面板３は、加工面を対向させて、かつ走査電極５および維持電極６と、データ電極１２とが互いに直交するように配置されて封着され、パネル内の大気や不純物ガスを排気した後、放電用ガスとして、希ガスのキセノン・ネオンあるいはキセノン・ヘリウムなどの混合ガスが封入され、封止される。

ここで、表示するために直接発光させるのは、前面板２上の走査電極５と維持電極６によってであり、データ電極１２は、放電表示単位である放電セル７１を選択するための電極であり表示発光には直接寄与していない。放電単位である放電セル７１を複数個マトリックス状に配列してプラズマディスプレイパネルとし、プラズマディスプレイ装置を完成させる。プラズマディスプレイ装置には、図には省略しているが、プラズマディスプレイパネルにおける放電セルをマトリックス状に駆動する駆動回路や、これらを制御する制御回路などが備わっている。

上記ＡＣ型ＰＤＰは、３つの動作期間（図示省略）、つまり（１）全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（２）各放電セルをアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択・入力していくデータ書き込み期間、（３）表示状態にある放電セルを表示発光させる維持放電期間、とから構成されるアドレス・表示分離駆動方式により、駆動表示されている。

上記（１）の初期化期間において、走査電極５とデータ電極１２との間には、４００〜６００Ｖの高電圧が印加され、全表示セルの壁電荷の量が初期化状態のレベルになる。

上記（２）のデータ書き込み期間において、背面板３のデータ電極１２を使って書き込みデータが入力され、対向する前面板２の誘電体層７，保護膜８の表面に壁電荷が形成される。上記（３）の維持放電期間において、上記壁電荷が存在する放電セルで、対をなす表示電極４の走査電極５および維持電極６のそれぞれに電極電圧パルス約２００Ｖの矩形波電圧が互いに位相が異なるように印加される。すなわち上記電極対間に交流電圧を印加することにより、表示状態が書き込まれた放電セルに、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生せしめる。この維持放電により、表示発光は、放電空間の励起キセノン原子からは１４７ｎｍの真空紫外輝線スペクトルが、励起キセノン分子からは１７３ｎｍ主体の真空紫外線が放射され、次いで上記紫外放射を背面板３に設けた蛍光体層１５で可視放射に変換することにより得られる。誘電体層７，保護膜８に壁電荷が書き込まれていない放電セルでは、維持放電が発生せず表示状態は黒表示となる。なお、ＡＣ型ＰＤＰの表示画素単位は、それぞれに赤、緑及び青発光の蛍光体層を設けた３つの表示放電単位である放電セルから構成される。保護膜８の表面は放電空間に露出していて、誘電体層７を放電時のイオン衝撃から保護するとともに、２次電子を効率よく放出することにより、放電開始電圧を下げる働きをする。中でも、金属酸化物であるＭｇＯ（酸化マグネシウム）は２次電子放出係数γが大きな材料であるとともに、耐スパッタ性も高く光学的な透明材料であるので、保護膜８の材料として広く用いられている。

しかし、上記従来のＰＤＰにおいて、特に前面板における誘電体層の材料として、低融点ガラスである鉛系ガラス材料が使用されているため、環境に対して大きな問題となっていてその対策が求められている。また、印刷法から形成されるＡｇ電極からなるバス電極は、膜厚が約１０μｍと厚いために、その上に形成する誘電体層の厚さは、バス電極の部分のみ誘電体層に数μｍ以上の膜厚の差が生じ、特に膜厚が薄い部分において耐電圧が低下して、パネルの耐電圧を低下させるという問題があった。また、バス電極とそれを覆って形成した誘電体層との接触部分に気泡が発生することにより、誘電体層としての耐電圧が下がり、特に上記（１）の初期化期間における高電圧印加時などに絶縁破壊が発生し、また、発生した気泡によりセルの光透過率が低下するという大きな問題があった。特に、上記のような膜厚の差と気泡の発生が重なると、絶縁破壊が発生しやすくなって不良となりやすい。

従来、ＰＤＰの誘電体層が放電中にスパークして絶縁破壊することを防ぐために、前面板のガラス基板に溝を形成し、その溝の中へ表示電極を埋め込み形成して基板面を平坦にし、さらにその上に材料拡散を防止するための電極保護層を設けることが開示されている（例えば、特許文献１参照）。

図８は、従来のＰＤＰ放電セルにおける前面板の別の構成を示す断面概念図である。図８における前面板２の断面構成図は、図７（ｂ）での前面板２とは上下を逆にして示していて、図７と同じものには同じ参照番号を付与し、簡略のために一部省略している。特許文献１によれば、図８に示すように、前面板２のガラス基板１０の内面（放電空間側面）に溝８３が形成され、Ａｇ電極８９からなる表示電極４の対が溝８３の中に印刷法によって印刷されて埋め込まれ焼成形成される。そして、Ａｇ電極焼成時の拡散を防止するために、シリカなどによる電極保護層８５がガラス基板１０の表面に形成される。特許文献１によれば、表示電極における透明電極を形成するという開示はないが、上記構成により高耐電圧の誘電体層とすることができたとしている。
特開２００１−１４３６１０号公報（図２）

環境への配慮として、非鉛系ガラス材料により誘電体層を形成するとしても、通常、非鉛系ガラスの誘電率ε（＝約７）は鉛系ガラスの誘電率ε（＝約１３）より小さいため、同じ壁電荷量を蓄積するためには、誘電体層の膜厚を薄くする必要がある。誘電体層の膜厚が薄くなることにより、従来よりも誘電体層の膜厚の差が顕著になり、耐電圧がさらに低下するという大きな課題がある。

これに対して、特許文献１の構成では、溝に表示電極を埋め込むことにより、ガラス基板面が平坦となって、高耐電圧の誘電体層とすることができたとしているが、誘電体層の材料についての開示はなく、依然として環境に対して大きな問題となるという課題を有していた。また、特許文献１の製造方法では、印刷法によって、溝にＡｇ電極を印刷焼成して埋め込む方法であり、Ａｇ電極焼成物からの拡散を防止するためのシリカの電極保護層を別に必要としている。

また、従来のＰＤＰの構成では、誘電体層焼成工程においてバス電極材料中の有機バインダーやその他の物は焼成物として若干残り、不純物ガスや吸着ガスの形でそれらが拡散することにより、バス電極とそれを覆って形成された誘電体層との接触部分に気泡が発生するため、その部分で誘電体層としての耐電圧が下がり、かつ気泡によりセルの光透過率が低下するという大きな課題があった。

本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、ＰＤＰの少なくとも前面板として、そのガラス基板の内面に溝を有し、少なくともバス電極がメッキ法で形成されて溝に埋め込まれ、誘電体層が非鉛系ガラスよりなるように構成することにより、バス電極は有機バインダーを全く含まないメッキ法によるので、誘電体層中に気泡を発生させることがなく、かつ膜厚が薄い誘電体層であっても耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止し、かつ環境汚染を低減することができるプラズマディスプレイパネルとその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために、以下の手段を採用した。

すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルは、放電空間を挟んで対向配置された前面板と背面板と、前面板におけるガラス基板の内面に形成された透明電極とそれよりも幅狭のバス電極とを有する複数の表示電極対と、表示電極対を覆って形成された誘電体層とを少なくとも有するプラズマディスプレイパネルであって、少なくとも前面板はガラス基板の内面に溝を有し、少なくともバス電極はメッキ法により形成されて溝に埋め込まれ、誘電体層は非鉛系ガラスよりなるように構成することを要旨とするものである。

これにより、バス電極はメッキ法によって形成されるために有機バインダーが全く含まれないので、誘電体層中に気泡を発生させることがなく、光透過率が低下することもなく、かつ膜厚が厚いバス電極が少なくとも溝に埋め込まれて膜厚の差が低減するので、膜厚が薄い誘電体層であっても耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止する、かつ非鉛系ガラスの誘電体層により環境汚染を低減するプラズマディスプレイパネルとすることができる。

また、具体的には、透明電極は、溝に埋め込まれたバス電極およびガラス基板の表面の少なくとも一部とを覆うように配設されていることを特徴とするものである。また、別に具体的には、透明電極は、バス電極と共に溝に埋め込まれ、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とが平坦になるように配設されていることを特徴とするものである。また、別に具体的には、透明電極は、溝に一部埋め込まれたバス電極の横に配列形成されて、透明電極の放電空間側表面とバス電極の表面とが、ガラス基板の表面と平坦になるように配設されていることを特徴とするものである。また、さらに別に、透明電極は、その一部が溝の両側の側壁および底辺に設けられ、少なくともバス電極の一部が透明電極溝部に積載されて溝に埋め込まれ、透明電極の放電空間側表面とバス電極の表面とが、ガラス基板の表面と平坦になるように配設されていることを特徴とするものである。これにより、バス電極と透明電極は、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とが平坦になるように配設されるので、誘電体層の膜厚の差を低減することができ、誘電体層として耐電圧を向上させ、絶縁破壊を防止することができる。

また、詳細には、誘電体層は、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯおよびＢｉ_２Ｏ_３の内の少なくとも１種の材料を含む非鉛系ガラス材料から形成されることを特徴とするものである。また、好ましくは、誘電体層は、前記誘電体層の膜厚が、１０〜３５μｍの範囲にあることを特徴とするものである。これにより、鉛系の成分が無く環境汚染が無い薄い膜厚の誘電体層を形成することができる。

また、好ましくは、バス電極は、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＡｇ（銀）の内の少なくとも１種を含む材料より形成されることを特徴とするものである。また、さらに好ましくは、バス電極を形成する前記メッキ法は、無電解メッキ法であることを特徴とするものである。

本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、放電空間を挟んで前面板と背面板とを対向配置し、前面板のガラス基板の内面に透明電極とそれよりも幅狭のバス電極を形成して複数の表示電極対を形成し、表示電極対を覆うように誘電体層を少なくとも形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前面板を形成する工程が、ガラス基板の内面に溝を作成する工程と、少なくともバス電極をメッキ法により形成して溝に埋め込む工程と、誘電体層を非鉛系ガラス材料から形成する工程とを、少なくとも有することを特徴とするものである。

これにより、バス電極を有機バインダーを全く含まないメッキ法によって形成するので、誘電体層中に気泡を発生させることがなく、かつ、膜厚が厚いバス電極を少なくとも溝に埋め込むので、膜厚が薄い誘電体層であっても耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止する、かつ誘電体層を非鉛系ガラス材料から形成するので、誘電体層として環境汚染を無くすプラズマディスプレイパネルを製造することができる。

また、具体的には、透明電極を形成する工程は、溝に埋め込まれたバス電極およびガラス基板の表面の少なくとも一部とを覆うように形成する工程を含むことを特徴とするものである。また、別に具体的には、透明電極を形成する工程は、透明電極をバス電極と共に溝に埋め込み、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とが平坦になるように形成する工程を含むことを特徴とするものである。また、別に具体的には、透明電極を形成する工程は、溝に一部埋め込まれたバス電極の横に透明電極を配列形成してバス電極と共に溝に埋め込み、透明電極の放電空間側表面とバス電極の表面が、ガラス基板の表面と平坦になるように形成する工程を含むことを特徴とするものである。これにより、バス電極と透明電極を、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とが平坦になるように形成するので、誘電体層の膜厚分布を低減させることができ、耐電圧を向上させ、絶縁破壊を防止する誘電体層を形成することができる。

また、別に具体的には、透明電極を形成する工程は、透明電極の一部を溝の両側の側壁および底辺に形成して透明電極溝部を形成し、少なくともバス電極の一部を透明電極溝部に積載して溝に埋め込み、透明電極の放電空間側表面とバス電極の表面とを、ガラス基板の表面と平坦になるように形成する工程を含むことを特徴とするものである。これにより、バス電極と透明電極を、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とが平坦になるように形成することができ、かつ溝の底辺に設けられた透明電極をメッキの際におけるメッキ用電極として使用することが可能になり、バス電極を容易にメッキ法で形成して溝に埋め込むことができる。

また、好ましくは、メッキ法によってバス電極を形成する工程は、無電解メッキ法によって形成する工程であることを特徴とするものである。また、詳細には、ガラス基板の内面に溝を形成する工程は、サンドブラスト法、エッチング法およびレーザ加工法の内の少なくとも１種の方法を含む工程であることを特徴とするものである。

なお、以上に述べた各構成は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

以上のように、本発明のプラズマディスプレイパネルによれば、バス電極はメッキ法により形成されるので、誘電体層中に気泡を発生させることがなく、光透過率を低下させることも無く、かつバス電極が溝に埋め込まれて誘電体層の膜厚の差が低減するので、誘電体層の耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止し、非鉛系ガラスの誘電体層により環境汚染を低減するプラズマディスプレイパネルとすることができる。

本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、バス電極をメッキ法によって形成し、膜厚が厚いバス電極を溝に埋め込み、誘電体層を非鉛系ガラス材料から形成するので、耐電圧が高くて信頼性が高い、環境汚染を低減するプラズマディスプレイパネルを製造することができる。

以下、本発明の好ましい実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの放電セルの構成を示す断面概念図である。図１（ａ）は、隔壁１４に垂直な面で切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるｘ−ｙで示した面で切断した断面図である。図７と同じ構成のものは、同じ参照番号を付与している。なお、図１ではセルが１つだけ表示されているが、赤，緑，青の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰパネルが少なくとも構成される。

図１において、放電セル１における前面板２側のガラス基板１０の内面上に、少なくともバス電極１９を埋め込むことができる深さ数μｍの形状を有し、平行に配列するストライプ状の溝１８が、サンドブラスト法などの方法により少なくとも２本形成して設けられる。図示しないが詳細には以下の通り形成される。前面板２となるガラス基板１０を洗浄した後、感光性被覆層として厚さ約５０μｍのネガ型ドライフィルムレジストをガラス基板１０の内面上にラミネートして形成する。このドライフィルムにフォトマスクを用いて開口幅約１００μｍのストライプ状のレジストパターン穴を形成する。その上一面に、シリカ粒子やアルミナ粒子などを一様に吹き付けるサンドブラスト法により、レジストパターン穴下の硬いガラス基板１０表面にはストライプ状の溝１８が掘られ、柔らかいフィルムは粒子により掘られることなく残る。溝の深さや精度は使用する粒子材料やその粒径、吹き付ける条件により調節することができる。その後、基板を剥離液に浸水することにより表面のドライフィルムを剥がし、さらに洗浄して上記粒子を洗い流して、溝１８を内面に有したガラス基板１０が形成される。

次に、電気抵抗を下げるためのバス電極１９が、下述するメッキ法によりそれぞれ溝１８内に、有機バインダーを含むことなく、バス電極１９の表面がガラス基板１０の表面と平坦になるように埋め込まれて形成される。バス電極１９は、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＡｇ（銀）の内の少なくとも１種を含む材料によりメッキ法で形成される。このように、バス電極は有機バインダーを全く含まないメッキ法によって形成されるので、従来のように誘電体層の焼成時において誘電体層中に気泡を発生させることがなく、従って誘電体層において、気泡発生による光透過率の低下や耐電圧の低下や絶縁破壊を防ぐことが可能になる。また、バス電極は、メッキ法によって形成されるために有機バインダーを全く含まないので、バス電極の厚みは従来の約１０μｍよりも薄い３〜８μｍの膜厚とすることができる。あまり薄いと電気抵抗が増加し駆動パルスが歪んで正確な書き込み放電や維持放電を起こすことが困難となる。

実施の形態１では、図１のバス電極１９をメッキ法で溝１８中に埋め込み形成するのだが、その電解メッキ法による工程を図示せずに簡略に以下に説明する。フォトリソグラフィ技術によってレジストパターン穴が形成された溝１８を有するガラス基板１０の表面に金属薄膜が真空蒸着法や無電解メッキ法により成膜される。そのレジストパターンを剥離するリフトオフ法によって溝１８の中に金属薄膜が残って導体化処理され、ガラス基板１０の溝１８中にメッキ用電極が形成される。ガラス基板１０の溝１８中に形成された電極を陰極とし、他方に用意した不溶性の電極基板を陽極として、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＮｉおよびＡｇイオンの少なくとも1種のイオンを含む電解メッキ液に浸し、両極間に所定の時間、電位差を与えることにより、溝１８中の電極にＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＮｉあるいはＡｇ金属などが析出され、こうして、所定の膜厚のバス電極１９が溝１８中に電解メッキ法で埋め込み形成される。メッキされて形成されるバス電極１９は、異種のメッキ金属が複数層、例えばＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒのように積層されていても構わないし、単独の例えばＡｇからなる単層の電極でもよい。

次に、図１に示すように、表示電極４としての走査（スキャン）電極５と維持（サステイン）電極６である透明電極１５１、１６１が対をなして、ガラス基板１０の表面と平坦になるように溝１８に埋め込まれた各バス電極１９が形成された表面とガラス基板１０の表面の少なくとも一部とを覆うように配設される。このように、バス電極と透明電極は、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とがほぼ平坦になるように配設されるので、この後に形成される誘電体層の膜厚の差を低減することができ、誘電体層としての耐電圧を向上させ、絶縁破壊を防止することができるようになる。

透明電極１５１、１６１は、ＩＴＯ（インジュウム錫酸化膜）、ＳｎＯ_２（酸化錫）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）系材料などを含み、スパッタリング法や蒸着成膜技術で成膜され、フォトリソグラフィ技術により幅広の例えばストライプ状に、前面板２側のガラス基板１０の内面上で一定の間隔（放電ギャップ）を挟んで向かい合って形成されて配置される。

次に、溝１８に埋め込まれたバス電極１９と、バス電極１９とガラス基板１０の表面上の少なくとも一部に形成された透明電極１５１、１６１からなる対の表示電極４を覆うように、［Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−ＳｉＯ₂］や［Ｂｉ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２］などの材料を含む非鉛系の低融点ガラスからなる誘電率ε約７の誘電体層１７がスクリーン印刷などにより塗布焼成され、従来の誘電体層より薄い膜厚１０〜３５μｍで形成される。通常、非鉛系ガラスの誘電率ε（＝約７）は鉛系ガラスの誘電率ε（＝約１３）より小さいため、同じ壁電荷量を蓄積するためには、非鉛系ガラス材料による誘電体層の膜厚を薄くする必要がある。上記により、非鉛系ガラスの誘電体層の薄い層を形成することで、環境汚染を低減し、使用するガラス材料を減らすことができる。次に、誘電体層１７の上に、金属酸化物であるＭｇＯ（酸化マグネシウム）を含む保護膜８が形成される。保護膜８の材料やその膜厚は適切に選択され設計される。

他方の背面板３側のガラス基板１１の内表面には、各放電セル１つ当たり、上記前面板２に設けた走査電極５および維持電極６に直交して、Ｃｒ−Ｃｕ−ＣｒやＡｇなどから形成した第３の電極であるデータ（アドレス）電極１２がフォトリソグラフィ技術や印刷技術により形成配列される。なお、上記電極には、電極材料として、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（白金）や、これらの組み合わせも必要に応じて使用できる。

さらに、背面板３のガラス基板１１の内表面には、データ電極１２を覆って、望ましくは非鉛系の低融点ガラスである誘電体層１３が印刷形成され、さらにほぼ一定の高さを有する隔壁１４が形成配置される。隔壁１４は、材料として望ましくは非鉛系ガラス材料を使用して塗布焼成し、放電セルの複数個の配列を列方向にストライプ状あるいは井桁状（図示省略）などに仕切る所定のパターンで、サンドブラスト法やフォトリソグラフィ法などによりリブ形状に形成される。そして、赤、緑、青発光の各蛍光体層１５として、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ_３：Ｅｕ、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：ＭｎおよびＢａＭｇ_２Ａｌ_１４Ｏ_２４：Ｅｕなどの蛍光体が使用される。隔壁１４をパターン状に形成した背面板３に対して、上記蛍光体色毎に印刷塗布、焼成工程を通し、隔壁１４の側面、誘電体層１３の表面に、蛍光体層１５が形成される。

そして、詳細な説明は省略するが、上記各種電極などを備えた前面板２と、隔壁１４や蛍光体層１５などを備えた背面板３とを対向させ、その周囲をシールし貼り合わせて封着し、高真空に排気した後、発光板容囲器（図示省略）の内部に放電ガスとして、希ガスのキセノン・ネオンを含む混合ガスを約６０ｋＰａの圧力で封入し、封止される。上記の蛍光体材料やガス、その圧力は上記に特定するものではなく、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用できる材料、条件が適用できる。

図１の実施の形態１のＡＣ型ＰＤＰにおいて、複数個の放電セル１を形成配列し、図示しないが、マトリックス状に駆動する駆動回路やこれらを制御する制御回路を備える。上記ＰＤＰを、３つの動作期間（図示省略）、つまり（１）全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（２）各放電セル１をアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択・入力していくデータ書き込み期間、（３）表示状態にある放電セル１を表示発光させる維持放電期間、とから構成したアドレス・表示分離駆動方式により、駆動発光表示させる。上項（３）の維持放電期間において、対をなす走査電極５および維持電極６のそれぞれに電極電圧パルスの矩形波電圧を互いに位相が異なるように印加する。すなわち上記電極対間に交流電圧を印加し、表示状態データが書き込まれた放電セル１に、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生せしめる。この維持放電により、表示発光は、放電空間の励起キセノン原子からは１４７ｎｍの真空紫外輝線スペクトルが、励起キセノン分子からは１７３ｎｍ主体の真空紫外線が放射され、次いで上記紫外放射を背面板３に設けた蛍光体層１５で可視放射に変換することによりＰＤＰの表示が得られる。

以下に本発明の具体例を述べる。

実験として、上述したＰＤＰパネル作成技術を用いて、実施の形態１の放電セルによるＰＤＰパネルを作成した。放電セル１の前面板として、少なくとも、ガラス基板１０内面に深さ約７．２μｍの溝１８をサンドブラスト法で形成し、メッキ法により、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの積層からなる厚さ約７μｍのバス電極を溝１８に埋め込み形成した。そしてＩＴＯからなる膜厚約１０００Åの透明電極１５１、１６１を、溝１８に埋め込んだバス電極１９の表面の少なくとも一部とガラス基板１０の表面の少なくとも一部とを覆うように形成した。次にその上に［Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−ＳｉＯ₂］材料を含む非鉛系の低融点ガラスからなる膜厚約２０μｍの誘電体層１７を塗布焼成して形成し、次に、金属酸化物であるＭｇＯを含む保護膜８を約６０００Åの膜厚で形成した。

その結果、本発明によるＰＤＰパネルでは、誘電体層１７の焼成時において誘電体層中に気泡が発生するということがなく、従って前面板の光透過率が低下することがなかった。また、薄い膜厚の誘電体層を形成する際においても膜厚分布がほとんどなく、ＰＤＰの駆動時において絶縁破壊が発生することがなかく、耐電圧が向上した。また、本発明によるＰＤＰパネルでは、非鉛系ガラスからなる誘電体層を使用することにより環境汚染を減らすことができた。これに対して、膜厚約２０μｍの誘電体層を鉛系のガラスで形成した従来のＰＤＰにおいては、誘電体層の焼成時に誘電体層中に気泡が発生し、光透過率が低下し、ＰＤＰの駆動時に絶縁破壊が発生し、環境汚染に課題が生じた。

このように、前面板として、そのガラス基板の内面に溝を有し、バス電極がメッキ法で形成されて溝に埋め込まれ、誘電体層を非鉛系ガラスにより形成することにより、バス電極はメッキ法によって形成されるために有機バインダーを全く含まないので、誘電体層中に気泡を発生させることがなく光透過率が低下することもない。かつ透明電極は、溝に埋め込まれたバス電極およびガラス基板の表面の少なくとも一部を覆うように配設されるために、膜厚の差が低減するので、膜厚が薄い誘電体層であっても耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止できる。かつ非鉛系ガラスの誘電体層の使用により環境汚染を低減することができる。

図２は、本発明の実施の形態１における放電セルの前面板における別の構成を示す断面概念図である。図２（ａ）における前面板２の断面構成図は、図１（ｂ）の前面板と上下を逆にして示している。図１（ｂ）と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。図２（ａ）が図１と異なるのは、透明電極が、バス電極を覆ってバス電極と共に溝に埋め込まれ、透明電極の放電空間側表面とガラス基板の表面とが平坦になっていることである。図２（ａ）において、対の表示電極４である透明電極１５２、１６２は、バス電極１９２を覆ってバス電極と共に溝１８２に埋め込まれ、透明電極１５２、１６２の放電空間側表面とガラス基板１０の表面とが平坦になるように配設される。そして、平坦になるように形成された透明電極１５２、１６２とガラス基板１０の表面上に、誘電体層１７と保護膜８が順に形成される。ここで形成される誘電体層の膜厚分布はほぼ均一となり、誘電体層の膜厚はほぼ均一となる。また、図２（ｂ）が図２（ａ）と異なるのは、透明電極が、バス電極と共に溝に埋め込まれ、透明電極の放電空間側表面、バス電極の表面およびガラス基板の表面とが平坦になっていることである。図２（ｂ）において、対の表示電極４である透明電極１５２、１６２は、バス電極１９２と一緒に共に溝１８２に埋め込まれ、透明電極１５２、１６２の放電空間側表面と、バス電極１９２の表面と、ガラス基板１０の表面とが平坦になるように配設される。そして、平坦になるように形成された透明電極１５２、１６２とバス電極１９２とガラス基板１０とが並んだ表面に、誘電体層１７と保護膜８が順に形成される。これにより、形成される誘電体層の膜厚分布はほぼ無くなり、誘電体層の膜厚はほぼ均一となる。

このように、透明電極が、膜厚の厚いバス電極と共に溝に埋め込まれ、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とがほぼ平坦になるように配設されることにより、膜厚分布が無くなるので、膜厚が薄い誘電体層はほぼ平坦となって耐電圧を向上させ絶縁破壊を防止することができる。

図３は、本発明の実施の形態１における放電セルの前面板におけるさらに別の実施例の構成を示す断面概念図である。図３における前面板２の断面構成図は、図１（ｂ）の前面板と上下を逆にして示している。図１（ｂ）と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。図３が図１、２と異なるのは、透明電極が、バス電極の横に配列形成されて、透明電極の放電空間側表面とバス電極の表面が、ガラス基板の表面の少なくとも一部とほぼ平坦になるように配設されることである。図３において、対の表示電極４の透明電極１５３、１６３は、溝１８３に一部埋め込まれたバス電極１９３の埋め込まれていない電極部分の横に配列形成されて、透明電極１５３、１６３の放電空間側表面とバス電極１９３の表面が、ガラス基板１０の表面とほぼ平坦になるように配設される。そして、ほぼ平坦に形成された透明電極１５３、１６３とバス電極１９３とガラス基板１０の表面上に、誘電体層１７と保護膜８が順に形成される。ここで形成される誘電体層の膜厚分布のムラは、透明電極の膜厚差分程度の小さいものとなる。

このように、透明電極が、溝に一部埋め込まれた膜厚が厚いバス電極の横に配列形成されて、透明電極の放電空間側表面とバス電極の表面とが、ガラス基板の表面とほぼ平坦になるように配設されることにより膜厚分布がほぼ無くなるので、膜厚が薄い誘電体層はほぼ平坦となって耐電圧を向上させ絶縁破壊を防止することができる。

図４は、本発明の実施の形態１における放電セルの前面板におけるさらに別のの構成を示す断面概念図である。図４における前面板２の断面構成図は、図１（ｂ）の前面板と上下を逆にして示している。図１（ｂ）と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。図４が図１〜図３と異なるのは、透明電極の一部が、溝の両側の側壁および底辺に設けられ、バス電極の少なくとも一部が透明電極溝部に積載するように配設されていることである。図４において、対の表示電極４である透明電極１５４、１６４の一部が、溝１８４の両側の側壁および底辺に設けられ、バス電極１９４が透明電極溝部２５４、２６４に積載されるように配設される。そして、透明電極１５４、１６４とバス電極１９４とガラス基板１０の表面上に、誘電体層１７と保護膜８が順に形成される。

上記、図１〜図４に示した前面板の構成により、バス電極と透明電極は、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とが平坦またはほぼ平坦になるように配設されるので、誘電体層の膜厚分布を低減することができ、誘電体層として耐電圧を向上させ、絶縁破壊を防止することができる。

以上、本実施の形態１の構成により、つまり前面板として、そのガラス基板の内面に溝を有し、少なくともバス電極がメッキ法で形成されて溝に埋め込まれ、誘電体層が非鉛系ガラスよりなるように構成することにより、バス電極はメッキ法によって形成されることにより有機バインダーを全く含まないので、誘電体層中に気泡を発生させることがなく、光透過率も低下することがなく、かつ膜厚が厚いバス電極の少なくとも一部が溝に埋め込まれるために誘電体層の膜厚分布が低減するので、膜厚が薄い誘電体層であっても耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止する、かつ、非鉛系ガラスの誘電体層の使用により環境汚染を低減したプラズマディスプレイパネルとすることができる。

なお、上記実施例において、非鉛系の低融点ガラスからなる誘電体層の膜厚を約２０μｍとして説明したが、従来の誘電体層より薄い膜厚である１０〜３５μｍの範囲においても同様に実施可能である。１０μｍより薄いと耐電圧が低下しかつ壁電荷量の蓄積能力が低下し、３５μｍより厚いと印加電圧の上昇を招く。望ましくは１５〜３０μｍの範囲が好ましく、この範囲において耐電圧、壁電荷量、印加電圧はさらに適正な範囲として設定することができる。

また、上記実施例において、誘電体層１７を［Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−ＳｉＯ₂］材料を含む非鉛系の低融点ガラスからなるように形成するとして説明したが、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯおよびＢｉ_２Ｏ_３の内の少なくとも１種の材料を含む非鉛系ガラス材料から形成しても同様に実施可能である。また、バス電極をメッキ法により形成するので黄変するという問題が無くなるために、アルカリ含有非鉛系ガラス材料から形成しても同様に実施可能である。

また、本実施の形態１において、溝の中にバス電極を埋め込み形成する方法として電解メッキ法を用いて説明したが、後述する無電解メッキ法によってＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＮｉおよびＡｇの内の少なくとも１種の金属を埋め込み形成しても同様に実施可能である。

また、本実施の形態１において述べたように、前面板に非鉛系ガラスからなる誘電体層を形成し、さらに背面板の内表面に形成される誘電体層も、望ましくは非鉛系ガラスから形成し、また、隔壁も、材料として望ましくは非鉛系ガラス材料を使用して形成することにより、ＰＤＰの構成材料として非鉛系のガラス材料を使用するので、さらに環境汚染を低減することができる。

（実施の形態２）
実施の形態２においては、実施の形態１の図１から４の前面板を形成する製造方法を各種記述する。

図５は、本発明の実施の形態２のＰＤＰに係わる放電セルの前面板を形成する工程を示す断面概念図である。図５に示す前面板２の作成工程を示す断面概念図は、図１（ｂ）の前面板と上下を逆にして示している。図１（ｂ）と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。

図５（ａ）において、ガラス基板１０の表面上に、フォトリソグラフィ法によって所定幅のストライプ穴５１をあけたレジストパターン５０を形成する。そして、図５（ｂ）において、フッ酸を含んだ混合エッチング液（図示省略）によってガラス基板表面をエッチングし、ストライプ穴５１の部分に溝１８を形成する。エッチング時間や、エッチング液濃度などの調整により所定の溝深さを得ることができる。

次に、図５（ｃ）において、ＣｕやＮｉなどの金属薄膜５２を、図５（ｂ）で形成されたガラス基板１０の上に膜厚約０．２μｍをスパッタリング法、真空蒸着法や無電解メッキ法により成膜する。この時、溝１８の両側の側壁や底辺にも金属薄膜５２が形成される。金属薄膜の膜厚は、溝に成膜されるメッキが均一になる膜厚であればよい。そして、図５（ｄ）において、リフトオフ法によってレジストパターン５０を剥離することにより、ガラス基板１０の溝１８の中には金属薄膜５２が残り、メッキ用電極５３として導体化処理される。

次に、図５（ｅ）において、ガラス基板１０の溝１８中に形成されたメッキ用電極５３を陰極とし、他方に用意した不溶性の電極基板（図示省略）を陽極として、Ａｕ（金）、Ｃｕ、Ｃｒ、ＮｉおよびＡｇイオンの内の少なくとも１種の金属イオンを含む電解メッキ液（図示省略）に浸し、両極間に所定の時間、電位差を与えることにより、溝１８中のメッキ用電極５３の上にＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＮｉおよびＡｇ金属の内の少なくとも１種の金属を析出させるという電解メッキ法により、所定の膜厚のバス電極１９を溝１８中に埋め込み形成する。また、バス電極１９は、上記金属の複数層を積層した電極や、上記金属などの合金による電極として形成しても構わない。また、電解メッキ液としては、例えば硫酸銅水溶液、ケイフッ化銅水溶液、無水クロム酸溶液、ニッケル化合物溶液、シアン化銀溶液などのメッキ液やそれらを組み合わせたメッキ液、他の各種メッキ液などを使用することができる。

次に、図５（ｆ）において、溝１８に埋め込まれたバス電極１９の表面の少なくとも一部とガラス基板１０の表面の少なくとも一部の上にＩＴＯなどからなる透明電極１５１、１６１を約１０００Åの膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法により放電ギャップを有する対の表示電極４として形成する。そして、［Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−ＳｉＯ₂］や［Ｂｉ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２］などの材料を含む非鉛系ガラス粉末をエチルセルロースやバインダーなどとともに分散混練してガラスペーストを作成する。作成されたガラスペーストをダイコート法あるいはコータ印刷法やスクリーン印刷法で、表示電極４を覆うように一定の厚みを塗布して焼成し、従来の誘電体層より薄い所定の膜厚の誘電体層１７を形成する。次に、誘電体層１７の上に、金属酸化物であるＭｇＯを含む保護膜８を電子ビーム蒸着法やスパッタリング法で形成する。

図５において、ガラス基板の内面に溝を形成する工程としてエッチング法を使用して説明したが、実施の形態１におけるサンドブラスト法や上記エッチング法およびレーザビーム加工法などの方法やこれらを組み合わせた方法により、変形した溝形状なども形成することも同様に実施可能である。

また、上記において、透明電極を形成する工程が、溝に埋め込まれたバス電極およびガラス基板の表面の少なくとも一部とを覆うように形成する工程を含む工程であるとして説明したが、透明電極を形成する工程が、図２に示すように、バス電極１９２を透明電極１５２、１６２と共に変形した形状の溝１８２に埋め込み、透明電極１５２、１６２の放電空間側表面とガラス基板１０の表面とが平坦になるように形成する工程を含んでいても同様に実施可能である。また、図３に示すように、バス電極１９３の一部を溝１８３の中に埋め込み、バス電極１９３の埋め込まれていない電極部分の横に透明電極１５３、１６３を配列形成して、透明電極１５３、１６３の放電空間側表面とバス電極１９３の表面とがガラス基板１０の表面とほぼ平坦になるように形成する工程を含んでいても同様に実施可能である。

上記により、バス電極と透明電極を、透明電極の放電空間側表面とガラス基板表面とがほぼ平坦になるように形成するので、誘電体層の膜厚分布を低減させることができ、耐電圧を向上させ、絶縁破壊を防止する誘電体層を形成することができる。

図６は、本発明の実施の形態２のＰＤＰに係わる放電セルの前面板を形成する別の工程を示す断面概念図である。図６に示す前面板２の作成工程を示す断面概念図は、図４の前面板と同じ構成である。図４と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。図６（ａ）において、溝１８４を形成したガラス基板１０の表面にＩＴＯなどからなる透明電極を膜厚約１０００Åで成膜し、この時、斜め蒸着などの方法により、透明電極の一部を溝の両側の側壁および底辺にも形成し透明電極溝部２５４、２６４を形成する。そして透明電極１５４、１６４を、フォトリソグラフィ法により放電ギャップを有する対の表示電極４として形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、ストライプ状穴を有するレジストパターン６１を透明電極１５４、１６４とガラス基板１０の表面に作成し、透明電極の一部をマスキングする。そして、透明電極溝部２５４、２６４をメッキ用電極として使用した電解メッキ法により、少なくともバス電極１９４の一部を透明電極溝部２５４、２６４に積載し形成して溝１８４に埋め込み、透明電極１５４、１６４の放電空間側表面とバス電極１９４の表面とを、ガラス基板１０の表面と平坦になるように形成する。その後、レジストを剥離する。図６（ｂ）において、表示電極４を覆うように、［Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−ＳｉＯ₂］や［Ｂｉ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２］などの材料を含む非鉛系の低融点ガラスからなる誘電体層１７をスクリーン印刷などにより塗布焼成し、従来の誘電体層より薄い膜厚で形成する。そして、誘電体層１７の上に、金属酸化物であるＭｇＯを含む保護膜８を電子ビーム蒸着法やスパッタリング法で形成する。上記図６の工程により、バス電極と透明電極を、透明電極の放電空間側表面とバス電極の表面とガラス基板表面とがほぼ平坦になるように形成することができ、かつ溝の底辺に設けられた透明電極の一部をメッキ工程の際のメッキ用電極として使用することが可能になり、バス電極を容易にメッキ法で埋め込み形成することができる。また、図６において、溝１８４を浅く設けて透明電極１５４、１６４を形成した後、レジストパターンを設け、バス電極１９４を電解メッキ法により、透明電極溝部２５４、２６４から積み上げて透明電極やガラス基板の表面より１〜２μｍ上の高さまで形成しても、誘電体層の膜厚分布は生じるが、耐電圧が許容範囲となるので構わない。

また、上記において、ガラス基板内面に溝を形成した後に、透明電極を形成し、透明電極溝部をメッキ用電極として使用することにより、バス電極をメッキ法により埋め込み形成したが、ガラス基板表面の少なくとも一部に透明電極からなる対の表示電極を形成した後、ストライプ穴状のレジストパターンを形成して、透明電極の一部をマスキングし、透明電極をメッキ用電極として使用することにより、バス電極をメッキ法により透明電極上に積載することも同様に実施可能である。これにより、ガラス基板に設けた透明電極の一部をメッキ工程の際のメッキ用電極として使用することが可能になり、バス電極を容易にメッキ法で埋め込み形成することができる。

本実施の形態２により、前面板を形成する工程が、ガラス基板の内面に溝を作成する工程と、少なくともバス電極をメッキ法により形成し溝に埋め込む工程と、誘電体層を非鉛系ガラス材料から形成する工程とを、少なくとも有することにより、バス電極を有機バインダーを全く含まないメッキ法によって形成するので、誘電体層中に気泡を発生させることがない。また、上記により、膜厚が厚いバス電極を少なくとも溝に埋め込むので、膜厚が薄い誘電体層であっても耐電圧を向上させて絶縁破壊を防止して信頼性を向上させ、かつ、誘電体層を非鉛系ガラス材料から形成するので、環境汚染を低減したプラズマディスプレイパネルを製造することができる。

なお、上記において、バス電極を電解メッキ法で形成するとして説明したが、バス電極を形成する工程が、スパッタリング法またはＣＶＤ法あるいはディップコーティング法でガラス基板表面にＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２などの金属酸化膜を成膜する工程と、金属酸化膜上にレジストマスクを設けて無電解メッキ液中でフォトマスクを通してバス電極パターン形状に光（紫外線）を照射しながら金属を析出させる工程と酸エッチングによって金属酸化膜を除去する工程とを含む無電解メッキ工程によっても構わない。

また、別の工程として、バス電極を形成する工程が、ＺｎＯ（酸化亜鉛）をスパッタリング法またはＣＶＤ法あるいはディップコーティング法で成膜する工程と、塩化パラジウム水溶液中でフォトマスクを通して光をバス電極パターン形状に照射しながらパラジウムを析出させる工程と、パラジウム上に無電解メッキ液の中でＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｒあるいはＡｇ金属を析出させる無電解メッキ工程とを含んでいてもよい。

また、別な工程として、バス電極を形成する工程が、金属酸化物をスパッタリング法またはＣＶＤ法あるいはディップコーティング法で成膜する工程と、フォトリソグラフィ法によってストライプ形状のレジストパターンを形成する工程と、表面上にスパッタリング法でＰｄ（パラジウム）を成膜する工程と、レジストを剥離した後、金属酸化物を触媒として、その上に無電解メッキ法で金属を析出させる無電解メッキ工程とを含んでいてもよい。

また、別の工程として、バス電極を形成する工程において、ＺｎＯをスパッタリング法またはＣＶＤ法あるいはディップコーティング法で成膜する工程と、膜上にフォトリソグラフィ法によってストライプ形状のレジストパターンを形成する工程と、ＺｎＯをエッチングしてストライプ状のＺｎＯ膜を形成する工程とその膜上に無電解メッキ法にて金属を析出させる無電解メッキ工程とを含んでいても同様に実施可能である。これにより、バス電極を無電解メッキ法により均一な膜厚で形成することができる。

また、上記において、電解メッキ法によってバス電極を形成する工程として、リフトオフ法を使用するとして説明したが、溝が形成されたガラス基板内面に金属を成膜し、これを電極として所望の金属をメッキした後、フォトリソグラフィ法によって溝パターンのレジストを設けて溝パターン以外の金属をエッチングすることによる工程などの方法でも同様に実施可能である。

また、上記において、非鉛系ガラスからなる誘電体層を誘電率ε＝約７、膜厚約２０μｍとして説明したが、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯおよびＢｉ_２Ｏ_３などの非鉛系ガラス材料の成分やその他の非鉛系ガラス材料成分や成分比を変えることにより、誘電率の値や膜厚を変えることも同様に実施可能である。

また、上記において、メッキ法によって形成されるバス電極の厚みを約７μｍとして説明したが、従来よりも薄い４〜８μｍの膜厚でも同様に実施可能である。

また、上記において、形成されるバス電極の断面形状は、四角形あるいは変形した形状として説明したが、半円形や丸みを帯びた形状など導通性能を確保できる形状であればいかなる形状でもよい。

また、上記において、透明電極の膜厚を約１０００Åとして説明したが、透明電極材料の種類によっても抵抗値が変化し、ＰＤＰの表示電極として可能であればよく、１００Å〜０．５μｍの範囲でも同様に実施可能である。

また、上記において、保護膜はＭｇＯ膜を使用するとして説明したが、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＮＯおよびＺｎＯなどの金属酸化物を使用しても構わない。

本発明によるプラズマディスプレイパネルは、前面板として、ガラス基板内面に溝を有し、バス電極をメッキ法で溝に埋め込み形成し、非鉛系ガラスの誘電体層を形成して構成することにより、誘電体層中に気泡を発生させることなく、耐電圧を向上させて表示品質や信頼性を高めた、かつ環境汚染を低減したプラズマディスプレイパネルを、大型のテレビジョンや高精細テレビジョンあるいは大型表示装置など、映像機器産業、宣伝機器産業、産業機器やその他の産業分野に利用することができ、その産業上の利用可能性は非常に広く且つ大きい。

本発明の実施の形態１におけるＰＤＰの放電セルの構成を示す断面概念図 本発明の実施の形態１における放電セルの前面板における別の構成を示す断面概念図 本発明の実施の形態１における放電セルの前面板におけるさらに別の構成を示す断面概念図 本発明の実施の形態１における放電セルの前面板におけるさらに別の構成を示す断面概念図 本発明の実施の形態２のＰＤＰに係わる放電セルの前面板を形成する工程を示す断面概念図 本発明の実施の形態２のＰＤＰに係わる放電セルの前面板を形成する別の工程を示す断面概念図 従来の面放電型ＡＣ型ＰＤＰの放電単位である放電セル構造を示す断面概念図 従来のＰＤＰ放電セルにおける前面板の別の構成を示す断面概念図

符号の説明

１，７１ 放電セル
２ 前面板
３ 背面板
４ 表示電極
５ 走査電極
６ 維持電極
７，１３，１７ 誘電体層
８ 保護膜
１０，１１ ガラス基板
１２ データ電極
１４ 隔壁
１５ 蛍光体層
１８，８３，１８２，１８３，１８４ 溝
９，１９，１９２，１９３，１９４ バス電極
５０，６１ レジストパターン
５１ ストライプ穴
５２ 金属薄膜
５３ メッキ用電極
７５，７６，１５１，１５２，１５３，１５４，１６１，１６２，１６３，１６４ 透明電極
８５ 電極保護層
８９ Ａｇ電極
２５４，２６４ 透明電極溝部

Claims (16)

1. 放電空間を挟んで対向配置された前面板と背面板と、前記前面板におけるガラス基板の内面に形成された透明電極とそれよりも幅狭のバス電極とを有する複数の表示電極対と、前記表示電極対を覆って形成された誘電体層とを少なくとも有するプラズマディスプレイパネルであって、少なくとも前記前面板は前記ガラス基板の内面に溝を有し、少なくとも前記バス電極はメッキ法により形成されて前記溝に埋め込まれ、前記誘電体層は非鉛系ガラスよりなるように構成したプラズマディスプレイパネル。
2. 前記透明電極は、前記溝に埋め込まれた前記バス電極および前記ガラス基板の表面の少なくとも一部とを覆うように配設されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 前記透明電極は、前記バス電極と共に前記溝に埋め込まれ、前記透明電極の放電空間側表面と前記ガラス基板表面とが平坦になるように配設されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 前記透明電極は、前記溝に一部埋め込まれた前記バス電極の横に配列形成されて、前記透明電極の放電空間側表面と前記バス電極の表面とが平坦になるように配設されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記透明電極は、その一部が前記溝の両側の側壁および底辺に形成されて透明電極溝部が設けられ、少なくとも前記バス電極の一部が前記透明電極溝部に積載されて前記溝に埋め込まれ、前記透明電極の放電空間側表面と前記バス電極の表面とが、前記ガラス基板の表面と平坦になるように配設されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記誘電体層は、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯ系およびＢｉ_２Ｏ_３内の少なくとも１種を含む非鉛系ガラス材料から形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 前記誘電体層は、前記誘電体層の膜厚が、１０〜３５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
8. 前記バス電極は、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＡｇ（銀）の内の少なくとも１種を含む材料より形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 前記バス電極を形成する前記メッキ法は、無電解メッキ法であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
10. 放電空間を挟んで前面板と背面板とを対向配置し、前記前面板のガラス基板の内面に透明電極とそれよりも幅狭のバス電極を形成して複数の表示電極対を形成し、前記表示電極対を覆うように誘電体層を少なくとも形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面板を形成する工程が、前記ガラス基板の内面に溝を作成する工程と、少なくとも前記バス電極をメッキ法により前記溝に埋め込み形成する工程と、前記誘電体層を非鉛系ガラス材料から形成する工程とを、少なくとも有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
11. 前記透明電極を形成する工程は、前記溝に埋め込まれた前記バス電極および前記ガラス基板の表面の少なくとも一部とを覆うように形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
12. 前記透明電極を形成する工程は、前記透明電極を前記バス電極と共に前記溝に埋め込み、前記透明電極の放電空間側表面と前記ガラス基板表面とが平坦になるように形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
13. 前記透明電極を形成する工程は、前記バス電極の横に前記透明電極を配列形成して前記バス電極と共に前記溝に埋め込み、前記透明電極の放電空間側表面と前記バス電極の表面とが平坦になるように形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
14. 前記透明電極を形成する工程は、前記透明電極の一部を前記溝の両側の側壁および底辺に形成して透明電極溝部を形成し、少なくとも前記バス電極の一部を前記透明電極溝部に積載して前記溝に埋め込み、前記透明電極の放電空間側表面と前記バス電極の表面とを、前記ガラス基板の表面と平坦になるように形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
15. 前記メッキ法によって前記バス電極を形成する工程は、無電解メッキ法によって形成する工程であることを特徴とする請求項１０から１４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
16. 前記ガラス基板の内面に前記溝を形成する工程は、サンドブラスト法、エッチング法およびレーザ加工法の内の少なくとも１種の方法を含む工程であることを特徴とする請求項１０から１５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

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