JP3532557B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＣ型のプラズマ
ディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法に関する。
ディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法に関する。
【０００２】ＰＤＰは、表示輝度の上で有利な自己発光
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。特に蛍光体によるカラー表示に適し
た面放電型ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビジョン
映像の分野にその用途が拡大されつつある。
型の表示デバイスであり、画面の大型化及び高速表示が
可能であることから、ＣＲＴに代わる表示デバイスとし
て注目されている。特に蛍光体によるカラー表示に適し
た面放電型ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビジョン
映像の分野にその用途が拡大されつつある。
【０００３】
【従来の技術】図４は一般的な面放電型ＰＤＰの分解斜
視図であり、１つの画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示している。
視図であり、１つの画素ＥＧに対応する部分の基本的な
構造を示している。
【０００４】図４に例示したＰＤＰ１０は、蛍光体の配
置形態による分類の上で反射型と呼称される３電極構造
のＰＤＰであり、一対のガラス基板１１，２１、横方向
に互いに平行に隣接して延びた一対の表示電極Ｘ，Ｙ、
放電に壁電荷を利用するＡＣ駆動のための誘電体層１
７、ＭｇＯからなる保護膜１８、表示電極Ｘ，Ｙと直交
するアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａと平行な平面視直
線状の隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光体層
２８などから構成されている。
置形態による分類の上で反射型と呼称される３電極構造
のＰＤＰであり、一対のガラス基板１１，２１、横方向
に互いに平行に隣接して延びた一対の表示電極Ｘ，Ｙ、
放電に壁電荷を利用するＡＣ駆動のための誘電体層１
７、ＭｇＯからなる保護膜１８、表示電極Ｘ，Ｙと直交
するアドレス電極Ａ、アドレス電極Ａと平行な平面視直
線状の隔壁２９、及びフルカラー表示のための蛍光体層
２８などから構成されている。
【０００５】内部の放電空間３０は、隔壁２９によって
表示電極Ｘ，Ｙの延長方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画
され、且つその間隙寸法が規定されている。蛍光体層２
８は、面放電によるイオン衝撃を避けるために、表示電
極Ｘ，Ｙと反対側のガラス基板２１上の各隔壁２９の間
に設けられており、面放電で生じる紫外線によって励起
されて発光する。蛍光体層２８の表層面（放電空間と接
する面）で発光した光は、誘電体層１７及びガラス基板
１１などを透過して外部へ射出する。
表示電極Ｘ，Ｙの延長方向に単位発光領域ＥＵ毎に区画
され、且つその間隙寸法が規定されている。蛍光体層２
８は、面放電によるイオン衝撃を避けるために、表示電
極Ｘ，Ｙと反対側のガラス基板２１上の各隔壁２９の間
に設けられており、面放電で生じる紫外線によって励起
されて発光する。蛍光体層２８の表層面（放電空間と接
する面）で発光した光は、誘電体層１７及びガラス基板
１１などを透過して外部へ射出する。
【０００６】表示電極Ｘ，Ｙは、蛍光体層２８に対して
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とし
且つ表示光の遮光を最小限とするため、幅の広い透明導
電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）４２とから構成されている。透明導電膜４１
は、ＩＴＯ（酸化インジウム）やネサ（酸化錫）などの
酸化金属からなる。
表示面Ｈ側に配置されることから、面放電を広範囲とし
且つ表示光の遮光を最小限とするため、幅の広い透明導
電膜４１とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）４２とから構成されている。透明導電膜４１
は、ＩＴＯ（酸化インジウム）やネサ（酸化錫）などの
酸化金属からなる。
【０００７】このような構造のＰＤＰにおいて、誘電体
層１７の表層面は、放電特性の均一化及び透明性の確保
の上で、より平滑であることが望ましい。一般に、誘電
体層１７は単層構造のガラス層とされ、例えば軟化点が
４７０℃程度の低融点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が７５
％程度）を、軟化点より十分に高い６００℃程度の温度
で焼成することによって形成されていた。軟化点より十
分に高い温度で焼成すれば、焼成に際してガラス材料が
流動することから、表層面の平坦なガラス層を得ること
ができる。
層１７の表層面は、放電特性の均一化及び透明性の確保
の上で、より平滑であることが望ましい。一般に、誘電
体層１７は単層構造のガラス層とされ、例えば軟化点が
４７０℃程度の低融点鉛ガラス（ＰｂＯの組成比が７５
％程度）を、軟化点より十分に高い６００℃程度の温度
で焼成することによって形成されていた。軟化点より十
分に高い温度で焼成すれば、焼成に際してガラス材料が
流動することから、表層面の平坦なガラス層を得ること
ができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、一対
の表示電極Ｘ，Ｙに対して印加する駆動パルスのパルス
幅に微妙な偏りがあったり、定常的に一方の表示電極に
対する印加パルス数が他方に比べて多い駆動シーケンス
を適用したりしたときに、表示電極Ｘ，Ｙ間の電位状態
の均等性が損なわれる。つまり、表示電極Ｘ，Ｙ間に同
一極性のＤＣ電圧が繰り返し加わることになる。
の表示電極Ｘ，Ｙに対して印加する駆動パルスのパルス
幅に微妙な偏りがあったり、定常的に一方の表示電極に
対する印加パルス数が他方に比べて多い駆動シーケンス
を適用したりしたときに、表示電極Ｘ，Ｙ間の電位状態
の均等性が損なわれる。つまり、表示電極Ｘ，Ｙ間に同
一極性のＤＣ電圧が繰り返し加わることになる。
【０００９】このような条件で長期にわたって使用する
と、表示電極Ｘ，Ｙのエレクトロマイグレーションが進
行し、誘電体層１７の内部で一方の表示電極の透明導電
膜４１から他方の表示電極の透明導電膜４１に向かって
樹枝状の突起が成長する。このため、部分的に絶縁抵抗
が低下し、非表示の単位発光領域ＥＵが発光する誤点灯
が生じてしまうという問題があった。なお、エレクトロ
マイグレーションの誘因である印加電圧の偏りを完全に
無くすことは不可能である。
と、表示電極Ｘ，Ｙのエレクトロマイグレーションが進
行し、誘電体層１７の内部で一方の表示電極の透明導電
膜４１から他方の表示電極の透明導電膜４１に向かって
樹枝状の突起が成長する。このため、部分的に絶縁抵抗
が低下し、非表示の単位発光領域ＥＵが発光する誤点灯
が生じてしまうという問題があった。なお、エレクトロ
マイグレーションの誘因である印加電圧の偏りを完全に
無くすことは不可能である。
【００１０】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、表示電極Ｘ，Ｙを構成する透明導電膜の劣化
を防止し、表示の信頼性を高めることを目的としてい
る。
たもので、表示電極Ｘ，Ｙを構成する透明導電膜の劣化
を防止し、表示の信頼性を高めることを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】透明導電膜の被覆に適す
る誘電体材料を探究した。その結果、ＺｎＯ系ガラス材
料を用いることにより、透明導電膜の劣化を大幅に低減
できることを見い出した。
る誘電体材料を探究した。その結果、ＺｎＯ系ガラス材
料を用いることにより、透明導電膜の劣化を大幅に低減
できることを見い出した。
【００１２】請求項１の発明に係る製造方法は、放電空
間を形成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板
上に、透明導電膜と金属膜とからなる複数の表示電極
と、前記表示電極を放電空間に対して被覆する誘電体層
とを有したＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの製造
方法であって、前記基板上に前記表示電極をその端部が
前記金属膜のみの単層構造となるように形成する工程
と、実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料で前記表
示電極を全長にわたって被覆するように前記誘電体層を
形成する工程と、前記基板と別の基板とを、これらのう
ちの少なくとも一方に前記放電空間を封止するための封
止材を設けた後に、対向配置した状態で前記封止材を加
熱融着させて接合する工程と、前記誘電体層の基板接合
領域よりパネル外側に張り出した部分を化学エッチング
によって除去して前記表示電極の端部を露出させる工程
とを含むものである。
間を形成する一対の基板のうちの少なくとも一方の基板
上に、透明導電膜と金属膜とからなる複数の表示電極
と、前記表示電極を放電空間に対して被覆する誘電体層
とを有したＡＣ型のプラズマディスプレイパネルの製造
方法であって、前記基板上に前記表示電極をその端部が
前記金属膜のみの単層構造となるように形成する工程
と、実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料で前記表
示電極を全長にわたって被覆するように前記誘電体層を
形成する工程と、前記基板と別の基板とを、これらのう
ちの少なくとも一方に前記放電空間を封止するための封
止材を設けた後に、対向配置した状態で前記封止材を加
熱融着させて接合する工程と、前記誘電体層の基板接合
領域よりパネル外側に張り出した部分を化学エッチング
によって除去して前記表示電極の端部を露出させる工程
とを含むものである。
【００１３】請求項２の発明に係る製造方法は、前記実
質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料からなる誘電体
層がＺｎＯを３０〜４０重量％の割合で含み、Ｂｉ２Ｏ
３を２０〜３０重量％の割合で含むものである。
質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料からなる誘電体
層がＺｎＯを３０〜４０重量％の割合で含み、Ｂｉ２Ｏ
３を２０〜３０重量％の割合で含むものである。
【００１４】請求項３の発明に係る製造方法は、前記誘
電体層が、前記表示電極と接する下層と、前記表示電極
と接しない上層とを有した複層構造のガラス層であるＡ
Ｃ型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
て、前記基板上に前記表示電極をその端部が前記金属膜
のみの単層構造となるように形成する工程と、実質的に
鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料で前記表示電極を全長
にわたって被覆するように前記下層を形成する工程と、
前記下層よりも軟化点の低いガラス材料で前記表示電極
の端部の上方を除く範囲に前記下層に重ねて前記上層を
形成する工程と、前記基板と別の基板とを、これらのう
ちの少なくとも一方に前記放電空間を封止するための封
止材を設けた後に、対向配置した状態で前記封止材を加
熱融着させて接合する工程と、前記下層の基板接合領域
よりパネル外側に張り出した部分を化学エッチングによ
って除去して前記表示電極の端部を露出させる工程とを
含むものである。
電体層が、前記表示電極と接する下層と、前記表示電極
と接しない上層とを有した複層構造のガラス層であるＡ
Ｃ型のプラズマディスプレイパネルの製造方法であっ
て、前記基板上に前記表示電極をその端部が前記金属膜
のみの単層構造となるように形成する工程と、実質的に
鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料で前記表示電極を全長
にわたって被覆するように前記下層を形成する工程と、
前記下層よりも軟化点の低いガラス材料で前記表示電極
の端部の上方を除く範囲に前記下層に重ねて前記上層を
形成する工程と、前記基板と別の基板とを、これらのう
ちの少なくとも一方に前記放電空間を封止するための封
止材を設けた後に、対向配置した状態で前記封止材を加
熱融着させて接合する工程と、前記下層の基板接合領域
よりパネル外側に張り出した部分を化学エッチングによ
って除去して前記表示電極の端部を露出させる工程とを
含むものである。
【００１５】請求項４の発明に係る製造方法は、前記下
層の材料の軟化点が５５０乃至６００℃であり、且つ前
記上層の材料の軟化点が４５０乃至５００℃である。請
求項５の発明に係る製造方法は、前記ＺｎＯ系ガラス材
料をその軟化点より低い温度で焼成して前記下層を形成
した後に、前記軟化点の低いガラス材料を前記下層の焼
成温度より低い温度で焼成して前記上層を形成するもの
である。
層の材料の軟化点が５５０乃至６００℃であり、且つ前
記上層の材料の軟化点が４５０乃至５００℃である。請
求項５の発明に係る製造方法は、前記ＺｎＯ系ガラス材
料をその軟化点より低い温度で焼成して前記下層を形成
した後に、前記軟化点の低いガラス材料を前記下層の焼
成温度より低い温度で焼成して前記上層を形成するもの
である。
【００１６】透明導電膜と接する誘電体がＺｎＯ系ガラ
ス材料からなる場合には、ＰＤＰを長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極間
の絶縁性の低下がほとんど起こらない。また、ＺｎＯ系
ガラス材料は化学エッチングが容易であるので、表示電
極の外部回路接続用端子となる電極端部を製造途中にお
いて保護（酸化防止）する被覆層（電極端子保護層）と
して利用することができる。すなわち、ＺｎＯ系ガラス
材料を用いることによって誘電体層と電極端子保護層と
の一括形成が可能になり、製造工数の低減を図ることが
できる。
ス材料からなる場合には、ＰＤＰを長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極間
の絶縁性の低下がほとんど起こらない。また、ＺｎＯ系
ガラス材料は化学エッチングが容易であるので、表示電
極の外部回路接続用端子となる電極端部を製造途中にお
いて保護（酸化防止）する被覆層（電極端子保護層）と
して利用することができる。すなわち、ＺｎＯ系ガラス
材料を用いることによって誘電体層と電極端子保護層と
の一括形成が可能になり、製造工数の低減を図ることが
できる。
【００１７】誘電体層を複層構造として上層の軟化点を
下層よりも低くすれば、誘電体層の形成に際して上層の
みについて流動性を高めることができ、表示電極との化
学反応が抑制されるので、大きな気泡が無く且つ表層面
が平坦で透明性の良好な誘電体層を得ることができる。
下層よりも低くすれば、誘電体層の形成に際して上層の
みについて流動性を高めることができ、表示電極との化
学反応が抑制されるので、大きな気泡が無く且つ表層面
が平坦で透明性の良好な誘電体層を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係るＰＤＰ１の要
部の構成を示す断面図である。ＰＤＰ１は、マトリクス
表示の単位発光領域に一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス
電極Ａとが対応する３電極構造の面放電型ＰＤＰであ
る。
部の構成を示す断面図である。ＰＤＰ１は、マトリクス
表示の単位発光領域に一対の表示電極Ｘ，Ｙとアドレス
電極Ａとが対応する３電極構造の面放電型ＰＤＰであ
る。
【００１９】面放電のための表示電極Ｘ，Ｙは、前面側
のガラス基板１１上に設けられ、ＡＣ駆動用の誘電体層
１７によって放電空間３０に対して被覆されている。誘
電体層１７の厚さは２０〜３０μｍ程度である。誘電体
層１７の表面には、保護膜として数千Å程度の厚さのＭ
ｇＯ膜１８が設けられている。
のガラス基板１１上に設けられ、ＡＣ駆動用の誘電体層
１７によって放電空間３０に対して被覆されている。誘
電体層１７の厚さは２０〜３０μｍ程度である。誘電体
層１７の表面には、保護膜として数千Å程度の厚さのＭ
ｇＯ膜１８が設けられている。
【００２０】表示電極Ｘ，Ｙは、広い帯状の透明導電膜
４１と、その導電性を補うために外端側に重ねられた幅
の狭いバス金属膜４２とから構成されている。透明導電
膜４１は数千Å〜１μｍ程度の厚さのＩＴＯ膜（酸化イ
ンジウム膜）からなり、バス金属膜４２は例えばＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の薄膜からなる。
４１と、その導電性を補うために外端側に重ねられた幅
の狭いバス金属膜４２とから構成されている。透明導電
膜４１は数千Å〜１μｍ程度の厚さのＩＴＯ膜（酸化イ
ンジウム膜）からなり、バス金属膜４２は例えばＣｒ／
Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の薄膜からなる。
【００２１】背面側のガラス基板２１には、単位発光領
域を選択的に発光させるためのアドレス電極Ａが、表示
電極Ｘ，Ｙと直交するように配列されている。アドレス
電極Ａの上面を含めて背面側の内面を被覆するように、
所定発光色の蛍光体２８が設けられている。
域を選択的に発光させるためのアドレス電極Ａが、表示
電極Ｘ，Ｙと直交するように配列されている。アドレス
電極Ａの上面を含めて背面側の内面を被覆するように、
所定発光色の蛍光体２８が設けられている。
【００２２】ＰＤＰ１では、図４のＰＤＰ１０との比較
の上で、誘電体層１７の層構造及び材質に特徴がある。
すなわち、誘電体層１７は、透明導電膜４１及びバス金
属膜４２と接する下層１７Ａと、下層１７Ａの上に積層
された上層１７Ｂとから構成されている。そして、下層
１７Ａは軟化点が５５０〜６００℃のＺｎＯ系ガラス材
料からなり、上層１７Ｂは軟化点が下層１７Ａより低い
４５０〜５００℃のＰｂＯ系ガラス材料からなる。下層
１７Ａ及び上層１７Ｂの厚さは同程度である。なお、軟
化点とは、ガラス材料の粘度が４．５×１０7 程度にな
る温度である。
の上で、誘電体層１７の層構造及び材質に特徴がある。
すなわち、誘電体層１７は、透明導電膜４１及びバス金
属膜４２と接する下層１７Ａと、下層１７Ａの上に積層
された上層１７Ｂとから構成されている。そして、下層
１７Ａは軟化点が５５０〜６００℃のＺｎＯ系ガラス材
料からなり、上層１７Ｂは軟化点が下層１７Ａより低い
４５０〜５００℃のＰｂＯ系ガラス材料からなる。下層
１７Ａ及び上層１７Ｂの厚さは同程度である。なお、軟
化点とは、ガラス材料の粘度が４．５×１０7 程度にな
る温度である。
【００２３】以下、誘電体層１７の形成工程を中心にＰ
ＤＰ１の製造方法を説明する。図２は製造段階のＰＤＰ
の模式図である。ＰＤＰ１は、各ガラス基板１１，２１
について別個に所定の構成要素を設けて前面側の電極基
板（片面パネル）１０及び背面側の電極基板２０を作製
し、その後に電極基板１０，２０を重ね合わせて封止を
行い、内部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程
によって製造される。
ＤＰ１の製造方法を説明する。図２は製造段階のＰＤＰ
の模式図である。ＰＤＰ１は、各ガラス基板１１，２１
について別個に所定の構成要素を設けて前面側の電極基
板（片面パネル）１０及び背面側の電極基板２０を作製
し、その後に電極基板１０，２０を重ね合わせて封止を
行い、内部の排気及び放電ガスの充填を行う一連の工程
によって製造される。
【００２４】ガラス基板１１側の製造に際しては、ま
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。なお、ガラス基板１１は、表
面に二酸化珪素膜を設けた３ｍｍ程度の厚さのソーダ石
灰ガラス板からなる。次に、ガラス基板１１の表面に表
示電極Ｘ，Ｙをそれらの全長にわたって被覆するよう
に、表１の組成のガラス材料（軟化点は５８５℃）又は
表２の組成のガラス材料（軟化点は５８０℃）、すなわ
ち実質的にＰｂを含まないＺｎＯ系ガラス材料を主成分
とするガラスペーストをスクリーン印刷によって一様に
塗布する。
ず、蒸着やスパッタなどによる成膜、及びフォトリソグ
ラフィ法によるパターニングによって、ガラス基板１１
上に透明導電膜４１とバス金属膜４２とを順に形成して
表示電極Ｘ，Ｙを設ける。なお、ガラス基板１１は、表
面に二酸化珪素膜を設けた３ｍｍ程度の厚さのソーダ石
灰ガラス板からなる。次に、ガラス基板１１の表面に表
示電極Ｘ，Ｙをそれらの全長にわたって被覆するよう
に、表１の組成のガラス材料（軟化点は５８５℃）又は
表２の組成のガラス材料（軟化点は５８０℃）、すなわ
ち実質的にＰｂを含まないＺｎＯ系ガラス材料を主成分
とするガラスペーストをスクリーン印刷によって一様に
塗布する。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】そして、乾燥させたペースト層を、軟化点
よりも低くガラス材料が若干軟化する程度の温度（例え
ば５５０〜５６０℃）で焼成し、下層１７Ａ及び電極端
子保護層１７ａを形成する。具体的には焼成で得られた
ＺｎＯ系ガラス層１７１における放電空間と対向する部
分が下層１７Ａであり、表示電極の端部に対応する部分
が電極端子保護層１７ａである。電極端子保護層１７ａ
は、以降の熱処理における湿気との反応による表示電極
Ｘ，Ｙの酸化を防止する役割をもつ。下層１７Ａの焼成
温度が軟化点より低い場合には、焼成中におけるガラス
材料の流動が緩慢になる。そのため、ガラス材料とバス
金属膜４２のＣｕとの接触によって発泡を伴う化学反応
が生じたとしても、その反応が長くは続かないので、絶
縁破壊の原因となる大きな気泡は生じない。ただし、下
層１７Ａの表層面（上面）は、ガラス粒界の大きさを反
映した凹凸面（表面粗さが５〜６μｍの粗い面）にな
る。凹凸面は光の散乱による透明性の低下を招く。
よりも低くガラス材料が若干軟化する程度の温度（例え
ば５５０〜５６０℃）で焼成し、下層１７Ａ及び電極端
子保護層１７ａを形成する。具体的には焼成で得られた
ＺｎＯ系ガラス層１７１における放電空間と対向する部
分が下層１７Ａであり、表示電極の端部に対応する部分
が電極端子保護層１７ａである。電極端子保護層１７ａ
は、以降の熱処理における湿気との反応による表示電極
Ｘ，Ｙの酸化を防止する役割をもつ。下層１７Ａの焼成
温度が軟化点より低い場合には、焼成中におけるガラス
材料の流動が緩慢になる。そのため、ガラス材料とバス
金属膜４２のＣｕとの接触によって発泡を伴う化学反応
が生じたとしても、その反応が長くは続かないので、絶
縁破壊の原因となる大きな気泡は生じない。ただし、下
層１７Ａの表層面（上面）は、ガラス粒界の大きさを反
映した凹凸面（表面粗さが５〜６μｍの粗い面）にな
る。凹凸面は光の散乱による透明性の低下を招く。
【００２８】そこで、下層１７Ａの上に、誘電体層１７
を平坦化するための上層１７Ｂを形成する。上層１７Ｂ
の形成に際しては、上述のように軟化点が下層１７Ａの
材料より低い表３の組成のＰｂＯ系ガラス材料（軟化点
は４７５℃）を主成分とするペーストを塗布する。この
とき、塗布の範囲を表示電極Ｘ，Ｙの端部（端子となる
部分）の上部を除く範囲とする。これは、製造の最終段
階での表示電極Ｘ，Ｙの端部を露出させる処理を容易に
するための配慮である。
を平坦化するための上層１７Ｂを形成する。上層１７Ｂ
の形成に際しては、上述のように軟化点が下層１７Ａの
材料より低い表３の組成のＰｂＯ系ガラス材料（軟化点
は４７５℃）を主成分とするペーストを塗布する。この
とき、塗布の範囲を表示電極Ｘ，Ｙの端部（端子となる
部分）の上部を除く範囲とする。これは、製造の最終段
階での表示電極Ｘ，Ｙの端部を露出させる処理を容易に
するための配慮である。
【００２９】
【表３】
【００３０】そして、乾燥させたペースト層を、ＰｂＯ
系ガラス材料の軟化点より高く且つ下層１７Ａの焼成温
度より低い温度（例えば５３０℃）で焼成し、上層１７
Ｂを形成する〔図２（Ａ）〕。焼成温度を軟化点より高
く設定することにより、焼成中にガラス材料が流動する
ことから、表面粗さが１〜２μｍ程度の平坦な上層１７
Ｂ（すなわち誘電体層１７）を得ることができる。ま
た、上層１７Ｂの焼成温度を下層１７Ａの焼成温度より
低く設定することにより、下層１７Ａの変質を防ぐこと
ができる。こうして作製された電極基板１０は、上述の
ように誘電体層１７と電極端子保護層１７ａとが一括に
形成されることから層構造が簡単で歩留りの点で優れ、
しかも電極端子の露出させる加工が容易であることから
ＰＤＰ１の製造に好適な組み立て部品である。
系ガラス材料の軟化点より高く且つ下層１７Ａの焼成温
度より低い温度（例えば５３０℃）で焼成し、上層１７
Ｂを形成する〔図２（Ａ）〕。焼成温度を軟化点より高
く設定することにより、焼成中にガラス材料が流動する
ことから、表面粗さが１〜２μｍ程度の平坦な上層１７
Ｂ（すなわち誘電体層１７）を得ることができる。ま
た、上層１７Ｂの焼成温度を下層１７Ａの焼成温度より
低く設定することにより、下層１７Ａの変質を防ぐこと
ができる。こうして作製された電極基板１０は、上述の
ように誘電体層１７と電極端子保護層１７ａとが一括に
形成されることから層構造が簡単で歩留りの点で優れ、
しかも電極端子の露出させる加工が容易であることから
ＰＤＰ１の製造に好適な組み立て部品である。
【００３１】なお、上層１７Ｂを下層１７Ａと同様にＺ
ｎＯ系ガラス材料によって形成することが可能である。
ただし、ガラス基板１１の変形を防ぐ上で焼成温度とし
ては５９０℃以下が望ましいので、上層１７Ｂの軟化点
を５９０℃より十分に低く設定する必要がある。ＺｎＯ
系ガラス材料では、ＰｂＯ系と比べると軟化点を低くす
ることが難しいが、Ｎａ2 Ｏに代表されるアルカリ系金
属酸化物を添加することにより、軟化点を低くすること
ができる。表４の組成のＺｎＯ系ガラス材料の軟化点は
５５０℃である。
ｎＯ系ガラス材料によって形成することが可能である。
ただし、ガラス基板１１の変形を防ぐ上で焼成温度とし
ては５９０℃以下が望ましいので、上層１７Ｂの軟化点
を５９０℃より十分に低く設定する必要がある。ＺｎＯ
系ガラス材料では、ＰｂＯ系と比べると軟化点を低くす
ることが難しいが、Ｎａ2 Ｏに代表されるアルカリ系金
属酸化物を添加することにより、軟化点を低くすること
ができる。表４の組成のＺｎＯ系ガラス材料の軟化点は
５５０℃である。
【００３２】
【表４】
【００３３】以上のようにして下層１７Ａと上層１７Ｂ
とを順に形成して誘電体層１７を設けた後、電子ビーム
蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設けてガラス基板１１
側の製造を終える。
とを順に形成して誘電体層１７を設けた後、電子ビーム
蒸着などによってＭｇＯ膜１８を設けてガラス基板１１
側の製造を終える。
【００３４】次に、別途に作製された背面側の電極基板
２０と、電極基板１０とを重ね合わせ、接着材料を兼ね
る封止ガラス３１の融着によって両者を接合する〔図２
（Ｂ）〕。具体的には、封止ガラス３１は、２枚の基板
を重ね合わる前に、片方又は両方の電極基板上にスクリ
ーン印刷によってに枠状に設けておき、基板重ね合わせ
後に加熱されて融着する。このとき、融着温度は隔壁２
９が変形しない温度に設定される。この封止ガラス３１
の融着時においても電極端子保護層１７ａは表示電極の
端部の酸化を防止する。
２０と、電極基板１０とを重ね合わせ、接着材料を兼ね
る封止ガラス３１の融着によって両者を接合する〔図２
（Ｂ）〕。具体的には、封止ガラス３１は、２枚の基板
を重ね合わる前に、片方又は両方の電極基板上にスクリ
ーン印刷によってに枠状に設けておき、基板重ね合わせ
後に加熱されて融着する。このとき、融着温度は隔壁２
９が変形しない温度に設定される。この封止ガラス３１
の融着時においても電極端子保護層１７ａは表示電極の
端部の酸化を防止する。
【００３５】その後、パネル外に露出している電極端子
保護層１７ａを化学エッチングによって除去し、表示電
極Ｘ，Ｙの端部４１ａを露出させる〔図２（Ｃ）〕。エ
ッチャントは例えば硝酸溶液である。なお、表示電極
Ｘ，Ｙの端部は、金属膜４２のみの単層構造であり、こ
の部分が異方性導電フィルムとフレキシブルケーブルを
介して外部の駆動回路に接続される。電極端子保護層１
７ａのエッチングは、パネル内部を排気する工程で放電
を生じさせる場合には排気工程の前に行われる。
保護層１７ａを化学エッチングによって除去し、表示電
極Ｘ，Ｙの端部４１ａを露出させる〔図２（Ｃ）〕。エ
ッチャントは例えば硝酸溶液である。なお、表示電極
Ｘ，Ｙの端部は、金属膜４２のみの単層構造であり、こ
の部分が異方性導電フィルムとフレキシブルケーブルを
介して外部の駆動回路に接続される。電極端子保護層１
７ａのエッチングは、パネル内部を排気する工程で放電
を生じさせる場合には排気工程の前に行われる。
【００３６】このようにして製造されたＰＤＰ１におい
ては、透明導電膜（ＩＴＯ）４１と接する下層１７Ａが
ＺｎＯ系ガラス材料からなるので、長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極
Ｘ，Ｙ間の絶縁性の低下がほとんど起こらない。
ては、透明導電膜（ＩＴＯ）４１と接する下層１７Ａが
ＺｎＯ系ガラス材料からなるので、長期にわたって使用
しても、エレクトロマイグレーションによる表示電極
Ｘ，Ｙ間の絶縁性の低下がほとんど起こらない。
【００３７】図３はＩＴＯ膜の劣化と誘電体材料との関
係を表すグラフである。すなわち、表示電極Ｘ，Ｙを表
１の組成のＺｎＯ系ガラス材料で被覆した試料と、表５
の組成のＰｂＯ系ガラス材料で被覆した試料とを作製
し、それら試料に対して駆動パルス電圧の加速係数倍の
ＤＣ電圧を一定時間（例えば１００時間）にわたって印
加する加速試験を行い、樹枝状突起の長さ顕微鏡観察に
より測定した。その結果を図３が示している。なお、縦
軸の樹枝状突起の長さは、ＰｂＯ系ガラス材料における
３倍加速の場合の長さを基準に規格化されている。ま
た、ＰｂＯ系ガラス材料の軟化点はＺｎＯ系ガラス材料
と同程度に選定されている。
係を表すグラフである。すなわち、表示電極Ｘ，Ｙを表
１の組成のＺｎＯ系ガラス材料で被覆した試料と、表５
の組成のＰｂＯ系ガラス材料で被覆した試料とを作製
し、それら試料に対して駆動パルス電圧の加速係数倍の
ＤＣ電圧を一定時間（例えば１００時間）にわたって印
加する加速試験を行い、樹枝状突起の長さ顕微鏡観察に
より測定した。その結果を図３が示している。なお、縦
軸の樹枝状突起の長さは、ＰｂＯ系ガラス材料における
３倍加速の場合の長さを基準に規格化されている。ま
た、ＰｂＯ系ガラス材料の軟化点はＺｎＯ系ガラス材料
と同程度に選定されている。
【００３８】
【表５】
【００３９】図３から明らかなように、ＩＴＯ膜（透明
導電膜）と接する誘電体がＺｎＯ系ガラス材料からなる
場合には、１．５〜２倍の加速試験において樹枝状の突
起が認められず、２．５〜３倍の加速試験において突起
が生じたものの、ＰｂＯ系ガラス材料からなる場合に比
べて突起の長さは極めて短い。
導電膜）と接する誘電体がＺｎＯ系ガラス材料からなる
場合には、１．５〜２倍の加速試験において樹枝状の突
起が認められず、２．５〜３倍の加速試験において突起
が生じたものの、ＰｂＯ系ガラス材料からなる場合に比
べて突起の長さは極めて短い。
【００４０】ＩＴＯ膜に代えてネサ（ＮＥＳＡ）膜で表
示電極Ｘ，Ｙを形成した場合にも、図３と同様の結果が
得られた。つまり、ネサ膜からなる表示電極Ｘ，Ｙを有
したＰＤＰにおいてもＺｎＯ系ガラス材料が誘電体材料
として好適であることを確認できた。
示電極Ｘ，Ｙを形成した場合にも、図３と同様の結果が
得られた。つまり、ネサ膜からなる表示電極Ｘ，Ｙを有
したＰＤＰにおいてもＺｎＯ系ガラス材料が誘電体材料
として好適であることを確認できた。
【００４１】上述の実施形態によれば、上層１７Ｂの材
料として、軟化点が下層１７Ａの軟化点よりも低いガラ
ス材料を用いたので、上層１７Ｂの焼成時に下層１７Ａ
内でガスが発生したとしても、そのガスが上層１７Ｂを
通って外部へ発散し、上層１７Ｂによるガスの封じ込め
が起こらない。なお、上層１７Ｂの材料として、軟化速
度が下層１７Ａよりも大きいガラス材料を用いた場合に
も、上層１７Ｂの焼成に際して、上層１７Ｂを下層１７
Ａに比べて柔らかい状態とすることができるので、同様
に上層１７Ｂによるガスの封じ込めを防止できる。
料として、軟化点が下層１７Ａの軟化点よりも低いガラ
ス材料を用いたので、上層１７Ｂの焼成時に下層１７Ａ
内でガスが発生したとしても、そのガスが上層１７Ｂを
通って外部へ発散し、上層１７Ｂによるガスの封じ込め
が起こらない。なお、上層１７Ｂの材料として、軟化速
度が下層１７Ａよりも大きいガラス材料を用いた場合に
も、上層１７Ｂの焼成に際して、上層１７Ｂを下層１７
Ａに比べて柔らかい状態とすることができるので、同様
に上層１７Ｂによるガスの封じ込めを防止できる。
【００４２】上述の実施形態において、各ガラス層１７
Ａ，１７Ｂの材料、互いの厚さの比率、及び焼成条件
（温度プロファイル）などは、ガラス基板材料、基板表
面コート材料、透明導電膜４１の材料、バス金属膜の材
料に応じて、均質且つ上面の平坦な誘電体層１７が得ら
れるように適宜変更することができる。
Ａ，１７Ｂの材料、互いの厚さの比率、及び焼成条件
（温度プロファイル）などは、ガラス基板材料、基板表
面コート材料、透明導電膜４１の材料、バス金属膜の材
料に応じて、均質且つ上面の平坦な誘電体層１７が得ら
れるように適宜変更することができる。
【００４３】上述の実施形態においては、２層構造の誘
電体層１７を例示したが、必ずしも複層構造である必要
はない。すなわち誘電体層１７としてＺｎＯ系ガラス材
料からなる単層のガラス層を設けてもよい。粒径の小さ
いガラス粉末を選択的に用いて表面の平坦性を高めるこ
とができる。
電体層１７を例示したが、必ずしも複層構造である必要
はない。すなわち誘電体層１７としてＺｎＯ系ガラス材
料からなる単層のガラス層を設けてもよい。粒径の小さ
いガラス粉末を選択的に用いて表面の平坦性を高めるこ
とができる。
【００４４】
【発明の効果】請求項１乃至請求項５の発明によれば、
表示電極の内で外部との接続に際して端子となる端部を
製造途中において保護するための特別の工程を省略する
ことができる。
表示電極の内で外部との接続に際して端子となる端部を
製造途中において保護するための特別の工程を省略する
ことができる。
【００４５】請求項３の発明によれば、容易に誘電体層
の透明性を確保することができる。請求項４の発明によ
れば、表示電極及び誘電体層の支持体がガラス板である
場合に、容易に誘電体層の透明性を確保することができ
る。
の透明性を確保することができる。請求項４の発明によ
れば、表示電極及び誘電体層の支持体がガラス板である
場合に、容易に誘電体層の透明性を確保することができ
る。
【００４６】請求項５の発明によれば、上層形成時にお
ける下層の変質を防止することができる。
ける下層の変質を防止することができる。
【図１】本発明に係るＰＤＰの要部の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】製造段階のＰＤＰの模式図である。
【図３】ＩＴＯ膜の劣化と誘電体材料との関係を表すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】一般的な面放電型ＰＤＰの分解斜視図である。
１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
１０ 電極基板
１１ ガラス基板（基板）
１７ 誘電体層
１７Ａ 下層
１７ａ 電極端子保護層
１７Ｂ 上層
２１ ガラス基板（別の基板）
３０ 放電空間
３１ 封止材
４１ 透明導電膜
４１ａ 端部（表示電極の端部）
４２ 金属膜
１７１ ＺｎＯ系ガラス層（絶縁層）
Ｘ，Ｙ 表示電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 淡路 則之
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１
番１号 富士通株式会社内
(72)発明者 蛯原 一美
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１
番１号 富士通株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−267424（ＪＰ，Ａ）)
特開 平６−333503（ＪＰ，Ａ）)
特開 平７−105855（ＪＰ，Ａ）)
特開 昭47−43007（ＪＰ，Ａ）)
特開 昭60−11246（ＪＰ，Ａ）)
特表 昭60−501653（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 9/02
H01J 9/26
H01J 11/02
Claims (5)
- 【請求項１】放電空間を形成する一対の基板のうちの少
なくとも一方の基板上に、透明導電膜と金属膜とからな
る複数の表示電極と、前記表示電極を放電空間に対して
被覆する誘電体層とを有したＡＣ型のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法であって、 前記基板上に前記表示電極をその端部が前記金属膜のみ
の単層構造となるように形成する工程と、 実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料で前記表示電
極を全長にわたって被覆するように前記誘電体層を形成
する工程と、 前記基板と別の基板とを、これらのうちの少なくとも一
方に前記放電空間を封止するための封止材を設けた後
に、対向配置した状態で前記封止材を加熱融着させて接
合する工程と、 前記誘電体層の基板接合領域よりパネル外側に張り出し
た部分を化学エッチングによって除去して前記表示電極
の端部を露出させる工程と、を含むことを特徴とするプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項２】前記実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス
材料からなる誘電体層がＺｎＯを３０〜４０重量％の割
合で含み、Ｂｉ２Ｏ３を２０〜３０重量％の割合で含む
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項３】放電空間を形成する一対の基板のうちの少
なくとも一方の基板上に、透明導電膜と金属膜とからな
る複数の表示電極と、前記表示電極を放電空間に対して
被覆する誘電体層とを有し、前記誘電体層が、前記表示
電極と接する下層と、前記表示電極と接しない上層とを
有した複層構造のガラス層であるＡＣ型のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法であって、 前記基板上に前記表示電極をその端部が前記金属膜のみ
の単層構造となるように形成する工程と、 実質的に鉛を含まないＺｎＯ系ガラス材料で前記表示電
極を全長にわたって被覆するように前記下層を形成する
工程と、 前記下層よりも軟化点の低いガラス材料で前記表示電極
の端部の上方を除く範囲に前記下層に重ねて前記上層を
形成する工程と、 前記基板と別の基板とを、これらのうちの少なくとも一
方に前記放電空間を封止するための封止材を設けた後
に、対向配置した状態で前記封止材を加熱融着させて接
合する工程と、 前記下層の基板接合領域よりパネル外側に張り出した部
分を化学エッチングによって除去して前記表示電極の端
部を露出させる工程と、を含むことを特徴とするプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４】前記下層の材料の軟化点が５５０乃至６０
０℃であり、且つ前記上層の材料の軟化点が４５０乃至
５００℃である請求項３記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。 - 【請求項５】請求項３又は請求項４記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造方法であって、 前記ＺｎＯ系ガラス材料をその軟化点より低い温度で焼
成して前記下層を形成した後に、前記軟化点の低いガラ
ス材料を前記下層の焼成温度より低い温度で焼成して前
記上層を形成することを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002382160A JP3532557B2 (ja) | 1995-05-26 | 2002-12-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-128150 | 1995-05-26 | ||
| JP12815095 | 1995-05-26 | ||
| JP2002382160A JP3532557B2 (ja) | 1995-05-26 | 2002-12-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07206996A Division JP3778223B2 (ja) | 1995-05-26 | 1996-03-27 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003217444A JP2003217444A (ja) | 2003-07-31 |
| JP3532557B2 true JP3532557B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=27666014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002382160A Expired - Fee Related JP3532557B2 (ja) | 1995-05-26 | 2002-12-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3532557B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100649563B1 (ko) | 2004-09-21 | 2006-11-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| JP4747725B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2011-08-17 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
-
2002
- 2002-12-27 JP JP2002382160A patent/JP3532557B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| 特開 平６−２６７４２４（ＪＰ，Ａ）） |
| 特開 平６−３３３５０３（ＪＰ，Ａ）） |
| 特開 平７−１０５８５５（ＪＰ，Ａ）） |
| 特開 昭４７−４３００７（ＪＰ，Ａ）） |
| 特開 昭６０−１１２４６（ＪＰ，Ａ）） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003217444A (ja) | 2003-07-31 |
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