JP2004319474A

JP2004319474A - プラズマディスプレイパネルの製造方法

Info

Publication number: JP2004319474A
Application number: JP2004109816A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Shinozaki; 淳篠崎; Michihiko Takase; 道彦高瀬; Hiroyuki Furukawa; 弘之古川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-04-04
Filing date: 2004-04-02
Publication date: 2004-11-11

Abstract

【課題】プラズマディスプレイパネルの基板への成膜において、基板の非成膜面に成膜材料が付着することを抑制し、良質な画像表示が可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を実現することを目的とする。
【解決手段】プラズマディスプレイパネルの基板１３への成膜を、基板保持具１に保持して行うプラズマディスプレイパネルの製造方法において、基板保持具１は、枠体２を複数配列して構成し、この枠体２の少なくとも一つによりプラズマディスプレイパネルの基板１３をその周縁部で保持し、且つ基板１３を保持した枠体２には、保持した基板の非成膜面側１３ｂへ突出して基板１３を包囲する突出部５を設ける。
突出部５が遮蔽板として作用するので、基板保持具１の開口部４を通過した成膜材料が基板１３の非成膜面１３ｂに廻り込んで付着してしまうという課題が抑制される。
【選択図】図３

Description

本発明は、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置として知られるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用の基板への成膜を行う、ＰＤＰの製造方法、およびその際に用いるＰＤＰの基板保持具に関するものである。

ＰＤＰは、例えば画像表示面側の基板には、電極を形成し、これを覆う誘電体層を形成し、さらにこの誘電体層を覆う保護層としての酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜を形成している。

ここで、例えば保護層を形成する方法としては、成膜速度が高く比較的良好なＭｇＯ膜を形成できる、電子ビーム蒸着法が広く用いられている（例えば、非特許文献１参照）。
「２００１ＦＰＤテクノロジー大全」，株式会社電子ジャーナル，２０００年１０月２５日，ｐ５９８−ｐ６００

ＰＤＰの基板へのＭｇＯの成膜に関しては、複数の基板に対する成膜を連続して行うという目的のために、基板を基板保持具に保持させ、その状態で基板保持具を搬送ローラー、ワイヤー、チェーン等の搬送手段に、接触、または接続させ、成膜装置内を搬送させることで、連続的に成膜するということが行われる。

しかしながらこのような場合には、基板は、基板保持具に保持された状態のままで成膜されるので、基板保持具の、基板を保持した領域以外の領域にも膜が形成されてしまうこととなる。そしてこのような基板保持具に形成された膜は、成膜が繰り返される中で膜厚が厚くなり、その結果、成膜装置内で欠落し、成膜装置内でのダスト源となってしまう場合がある。成膜装置内にこのようなダストが存在すると、成膜中にそれを膜中に巻き込んでしまったり、膜原料中に混入してしまう場合があり、成膜される膜の膜質に悪影響を与えてしまうこととなる。

ここで、上述のような問題を解決する一つの手段として、例えば図９にその一例を示すように、基板保持具１を、枠体２を複数配列して構成し、この枠体２によりプラズマディスプレイパネルの基板３をその周縁部で保持するというものがある。すなわち、基板保持具１が図９に示すような構造であると、基板保持具１の、基板３を保持した部分以外の領域は開口部４となることから、基板保持具１の、基板３を保持した領域以外の領域には、膜は付着できなくなるというものである。ここで、図９（ａ）は基板保持具１の概略構成を示す平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。

ここで、ＭｇＯ膜を成膜する場合には、保護層としての物性を確保するために、ＭｇＯの酸素欠損を抑制することが必要であり、そのために、成膜時に、酸素、または酸素を含むガスを導入することが行われる場合がある。

このような場合、成膜時の真空度は一般的な蒸着に比べ低真空度となるため、平均自由工程が比較的短くなり、蒸着物（成膜材料）の直進性が損われてしまうことから、基板保持具１の開口部４を通過した成膜材料の一部が、保持された基板３の成膜面３ａ側とは逆の非成膜面３ｂ側に廻り込んで、非成膜面３ｂ側に部分的に付着してしまう場合がある。このような場合、基板３には成膜材料が付着する領域とそうでない領域との分布が発生し、視覚的に異なる状態となるため、画像表示に悪影響を与えてしまうという課題が発生する。

本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、ＰＤＰの基板への成膜において、基板の非成膜面に成膜材料が付着することを抑制することで、良質な画像表示が可能なＰＤＰの製造方法を実現することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明のＰＤＰの製造方法は、ＰＤＰの基板への成膜を、基板保持具に保持して行うＰＤＰの製造方法において、基板保持具は、枠体を複数配列して構成し、この枠体の少なくとも一つにより基板をその周縁部で保持し、且つ基板を保持した枠体には、保持した基板の非成膜面側へ突出して基板を包囲する突出部を設けたことを特徴とするものである。

また、上記目的を達成するために本発明のＰＤＰの基板保持具は、ＰＤＰの基板への成膜を行う際に用いるＰＤＰの基板保持具において、枠体を複数配列して構成し、この枠体の少なくとも一つにより基板をその周縁部で保持し、且つ基板を保持する枠体には、保持した基板の非成膜面側へ突出して基板を包囲する突出部を設けたことを特徴とするものである。

本発明によれば、ＰＤＰの基板への成膜において、基板の非成膜面に成膜材料が付着することを抑制することが可能であり、良質な画像表示が可能なＰＤＰの製造方法を実現することができる。

すなわち、本発明の請求項１に記載の発明は、ＰＤＰの基板への成膜を、基板保持具に保持して行うＰＤＰの製造方法において、基板保持具は、枠体を複数配列して構成し、この枠体の少なくとも一つにより基板をその周縁部で保持し、且つ基板を保持した枠体には、保持した基板の非成膜面側へ突出して基板を包囲する突出部を設けたことを特徴とするＰＤＰの製造方法である。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、突出部の高さが、基板の非成膜面から１ｍｍ〜１００ｍｍであることを特徴とするものである。

また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、枠体は、基板を下方から支持する支持手段と、基板の面方向の位置を規制する規制手段とからなる保持手段を備え、基板は、規制手段にはめ込んで支持手段上に載置することで保持することを特徴とするものである。

また、請求項４に記載の発明は、ＰＤＰの基板への成膜を行う際に用いるＰＤＰの基板保持具において、基板保持具は、枠体を複数配列して構成し、この枠体の少なくとも一つにより基板をその周縁部で保持し、且つ基板を保持する枠体には、保持した基板の非成膜面側へ突出して基板を包囲する突出部を設けたことを特徴とするＰＤＰの基板保持具である。

また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、突出部の高さが、基板の非成膜面側から１ｍｍ〜１００ｍｍであることを特徴とするものである。

また、請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、枠体は、基板を下方から支持する支持手段と、基板の面方向の位置を規制する規制手段とからなる保持手段を備え、基板は、規制手段にはめ込んで支持手段上に載置することで保持することを特徴とするものである。

（実施の形態）
以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法について、図面を用いて説明する。

まず、ＰＤＰの構造の一例について説明する。図１は、本発明の一実施の形態によるＰＤＰの製造方法により製造される、ＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図である。

ＰＤＰ１１の前面板１２は、前面側の、例えばガラスのような透明且つ絶縁性の基板１３の一主面上に形成した、走査電極１４と維持電極１５とからなる表示電極１６と、その表示電極１６を覆う誘電体層１７と、さらにその誘電体層１７を覆う、例えばＭｇＯによる保護層１８とを有する構造である。走査電極１４と維持電極１５は、電気抵抗の低減を目的として、透明電極１４ａ、１５ａに金属材料、例えばＡｇからなるバス電極１４ｂ、１５ｂを積層した構造としている。

また背面板１９は、背面側の、例えばガラスのような絶縁性の基板２０の一主面上に形成したアドレス電極２１と、そのアドレス電極２１を覆う誘電体層２２と、誘電体層２２上の、隣り合うアドレス電極２１の間に相当する場所に位置する隔壁２３と、隔壁２３間の、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）に発光する蛍光体層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂとを有する構造である。

そして、前面板１２と背面板１９とは、隔壁２３を挟んで、表示電極１６とアドレス電極２１とが直交するように対向し、画像表示領域外の周囲を封着部材により封止した構成であり、前面板１２と背面板１９との間に形成された放電空間２５には、例えばＮｅ−Ｘｅ系、Ｈｅ−Ｘｅ系の放電ガスを約６６．５ｋＰａの圧力で封入している。

そして、放電空間２５の表示電極１６とアドレス電極２１との交差部が放電セル２６（単位発光領域）として動作する。

次に、上述したＰＤＰ１１について、その製造方法を、同じく図１を参照しながら説明する。

前面板１２は、基板１３上にまず、走査電極１４および維持電極１５をストライプ状に形成する。具体的には、基板１３上に透明電極１４ａ、１５ａの材料、例えばＩＴＯによる膜を、蒸着やスパッタリング等の成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法等によってパターニングすることでストライプ状に透明電極１４ａ、１５ａを形成し、さらにその上から、バス電極１４ｂ、１５ｂの材料、例えばＡｇを、蒸着やスパッタリング等の成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法等によってパターニングすることで、ストライプ状にバス電極１４ｂ、１５ｂを形成する。以上により、ストライプ状の走査電極１４および維持電極１５からなる表示電極１６を得ることができる。

次に、以上のようにして形成した表示電極１６を、誘電体層１７で被覆する。誘電体層１７は、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えばスクリーン印刷法で塗布した後、焼成することによって、所定の層の厚み（約２０μｍ〜５０μｍ、好ましくは約４０μｍ）となるように形成する。上記Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストとしては、例えば、ＰｂＯ、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、およびＣａＯと有機バインダ（例えば、α−ターピネオールにエチルセルロースを溶解したもの）との混合物が使用される。ここで、有機バインダとは樹脂を有機溶媒に溶解したものであり、エチルセルロース以外に樹脂としてアクリル樹脂、有機溶媒としてブチルカービトール等も使用することができる。さらに、こうした有機バインダに分散剤（例えば、グリセルトリオレエート）を混入させてもよい。

次に、以上のようにして形成した誘電体層１７を、保護層１８で被覆する。保護層１８は、例えばＭｇＯからなるものであり、蒸着やスパッタリング等の成膜プロセスにより、層が所定の厚み（約０．４μｍ〜１μｍ、好ましくは約０．６μｍ）となるように形成する。

一方、背面板１９は、基板２０上に、アドレス電極２１をストライプ状に形成する。具体的には、基板２０上に、アドレス電極２１の材料、例えばＡｇによる膜を、蒸着やスパッタリング等の成膜プロセスにより形成し、その後、フォトリソ法等によってパターニングすることで、ストライプ状にアドレス電極２１を形成する。

次に、以上のようにして形成したアドレス電極２１を、誘電体層２２により被覆する。誘電体層２２は、例えば、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法で塗布した後、焼成することによって、所定の厚み（約１０μｍ〜５０μｍ、好ましくは約１０μｍ）となるように形成する。

次に、隔壁２３を、例えばストライプ状に形成する。隔壁２３は、誘電体層２２と同じく、例えば、Ｐｂ系のガラス材料を含むペーストを、例えば、スクリーン印刷法により所定のピッチで繰り返し塗布した後、焼成することによって形成する。ここで、隔壁２３の間隙の寸法は、例えば画面サイズが３２インチ〜６５インチの場合、１３０μｍ〜３６０μｍ程度となる。

そして、隔壁２３と隔壁２３との間の溝には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各蛍光体粒子により構成される蛍光体層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂを形成する。これは、各色の蛍光体粒子と有機バインダとからなるペースト状の蛍光体インキを塗布し、これを焼成して有機バインダを焼失させることによって、各蛍光体粒子が結着してなる蛍光体層２４Ｒ、２４Ｇ、２４Ｂとして形成する。

以上のようにして作製した前面板１２と背面板１９とを、前面板１２の表示電極１６と背面板１９のアドレス電極２１とが直交するように重ね合わせるとともに、周縁に封着用ガラスによる封着部材を介挿し、これを誘電体層１７の焼成温度より低い温度で焼成して気密シール層（図示せず）化することで封着する。そして、一旦、放電空間２５内を高真空に排気した後、例えば、Ｈｅ−Ｘｅ系、Ｎｅ−Ｘｅ系の放電ガスを所定の圧力で封入することによりＰＤＰ１１を作製する。

以上述べたように、ＰＤＰ１１の製造工程においては、成膜プロセスが多く用いられている。そこで、その成膜プロセスについて、ＭｇＯによる保護層１８を蒸着により形成する場合を例として、図面を用いて説明する。

まず、成膜装置の構成の一例について説明する。図２は、保護層１８を形成するための成膜装置３０の概略構成の一例を示す断面図である。

この成膜装置３０は、ＰＤＰの基板１３に対し、ＭｇＯを蒸着させてＭｇＯ薄膜である保護層１８を形成する蒸着室３１、ＭｇＯ蒸着室３１に投入する前に、基板１３を予備加熱するとともに、予備排気を行うための基板投入室３２、そして、蒸着室３１での蒸着が終了後、取り出された基板１３を冷却するための基板取出室３３から構成している。

以上の、基板投入室３２、蒸着室３１、基板取出室３３の各々は、内部を真空雰囲気にできるよう密閉構造となっており、各室ごとに独立して真空排気系３４ａ、３４ｂ、３４ｃをそれぞれ備えている。

また、基板投入室３２、蒸着室３１、基板取出室３３を貫いて、搬送ローラー、ワイヤー、チェーン等で構成される搬送手段３５を配設し、また成膜装置３０の外と基板投入室３２との間、基板投入室３２と蒸着室３１との間、蒸着室３１と基板取出室３３との間、基板取出室３３と成膜装置３０の外との間はそれぞれ、開閉可能な仕切壁３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄで仕切っている。そして、搬送手段３５の駆動と仕切壁３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄそれぞれの開閉とを連動させることによって、基板投入室３２、蒸着室３１、基板取出室３３それぞれの真空度の変動を最小限として、基板１３を成膜装置３０外から基板投入室３２、蒸着室３１、基板取出室３３の順に通過させ、それぞれの室での所定の処理を行い、その後、成膜装置３０外に搬出することが可能である。そして以上の動作により、複数枚の基板１３を連続的に投入することで、連続してＭｇＯの成膜を行うことが可能である。

また、基板投入室３２、蒸着室３１の各室には、基板１３を加熱するための加熱ランプ３７ａ、３７ｂをそれぞれ設置している。

そして蒸着室３１には、蒸着源３８ａであるＭｇＯの粒を入れたハース３８ｂ、電子銃３８ｃ、磁場を印加する偏向マグネット（図示せず）等を設けており、電子銃３８ｃから照射した電子ビーム３８ｄを、偏向マグネットにより発生する磁場によって偏向して蒸着源３８ａに照射し、蒸着源３８ａであるＭｇＯの蒸気流３８ｅを発生させる。そして、発生させた蒸気流３８ｅを、基板１３の表面に堆積させてＭｇＯの保護層１８を形成する。ここで、蒸着室３１には、蒸着されるＭｇＯが、良質なＭｇＯとなるよう、蒸着時の蒸着室３１の雰囲気を酸素雰囲気とするための、酸素、または酸素を含むガスを導入するための導入手段３９を設置しており、ここから酸素、または酸素を含むガスを導入しながら蒸着を行うので、蒸着時の蒸着室３１内の真空度は、一般的な蒸着の場合に比べ、比較的、低真空度となっている。また蒸気流３８ｅは、必要時以外はシャッタ３８ｆで遮断できるようになっている。

なお、成膜装置３０の構成としては、上述したもの以外に、例えば、基板１３の温度プロファイルの設定条件に応じて、基板投入室３２と蒸着室３１の間に基板１３を加熱するための基板加熱室が一つ以上あるものや、また、蒸着室３１と基板取出室３３の間に基板冷却室が一つ以上あるもの等でも構わない。

以上の成膜装置３０においては、基板１３の搬送は、基板保持具１に保持させた状態で、基板保持具１と成膜装置３０の搬送手段３５とを接触または接続させて行う。

そこで次に、本発明の一実施の形態による基板保持具１について、図３を用いて説明する。

図３（ａ）に、基板保持具１の概略構成を示す平面図を、そして、図３（ａ）におけるＡ−Ａ断面図を図３（ｂ）に示す。

図３に示すように、基板保持具１は、枠体２を複数配列して構成し、この枠体２の少なくとも一つによりＰＤＰの基板１３をその周縁部で保持する。そして、基板１３を保持した枠体２には、保持した基板１３の成膜面１３ａとは逆側の非成膜面１３ｂ側へ突出し、そして基板１３を包囲する突出部５を設けたことを特徴とするものである。そして、基板１３を保持しない枠体２の箇所は開口部４となる。

基板保持具１が上述のような開口部４を有する構造であることから、図２の成膜装置３０のハース３８ｂからの蒸気流３８ｅのうち、基板１３以外の領域に飛翔する分は、開口部４を通過するため、基板保持具１には付着しない。その結果、基板保持具１に成膜材料が付着、堆積し、それが欠落してしまうことで、成膜装置３０内においてダストとなるという課題の発生が抑制される。

また、基板１３を保持した枠体２は、保持した基板１３の非成膜面１３ｂ側へ突出し、基板１３を包囲する突出部５を備えることから、上述したように、一般的な蒸着に比べ低真空度であることにより平均自由工程が比較的短くなり、成膜材料の飛翔の際の直進性が損われてしまい、基板保持具１の開口部４を通過した成膜材料の一部が、保持された基板１３の非成膜面１３ｂ側に廻り込んで部分的に付着してしまうという課題の発生を抑制することができる。これは、突出部５が、廻り込んでくる成膜材料を遮蔽するように作用するためである。この遮蔽作用を効果的にするためには、突出物５の高さＨは、基板１３の非成膜面１３ｂから１ｍｍ以上であることが好ましく、実際の作業性や図２に示したような成膜装置３０において、搬送手段３５から上の空間をできる限り小さくすることで成膜工程での真空度等の条件を安定にするという観点から、１００ｍｍ以下とすることが好ましい。なお、高さＨが１ｍｍ程度の場合は、幅Ｗ（図３）は１０ｍｍ以上であることが好ましく、高さＨを高くするほど幅Ｗを小さくすることができる。

また、突出部５は、図３に示したような、直線的に突出する以外に、開口部４を通過して飛翔してきた成膜材料を遮蔽する効果を有するものであれば、図４に示すような、湾曲した形状等、特にその形状は問わない。

また、枠体２を複数配列した構造としては、枠体２を複数組み合わせたもの以外に、板状の物体を削り出して孔を設けることで一体物として構成したもの等、さまざまな構造を挙げることができる。

なお、枠体２が基板１３を保持するための保持手段６としては、例えば、図５〜図８に挙げる構成がある。図５〜図８は、基板保持具１の一部を拡大して示したものである。図５に示す保持手段６の構成は、枠体２の断面形状がＬ字状や逆Ｔ字状で、枠体２の横部が基板１３を下方から支持する支持手段６ａとして機能し、縦部が、基板１３の面方向の位置を規制する規制手段６ｂとして機能するものである。そして、基板１３は、規制手段６ｂにはめ込んで支持手段６ａ上に載置することで保持することができる。すなわち、この場合は、枠体２の縦部である規制手段６ｂが突出部５を兼ねた構造となる。

また、図６に示す基板保持具１の保持手段６の構成は、枠体２が縦部のみであり、この枠体２が基板１３の面方向の位置を規制する規制手段６ｂとして機能し、また、枠体２の下面側に、基板１３を下方から支持する支持手段６ａを設けた構成である。そして基板１３は、規制手段６ｂにはめ込んで支持手段６ａ上に載置することで保持することができる。この場合は、枠体２が規制手段６ｂおよび突出部５とを兼ねた構造となる。

また、図７に示す保持手段６の構成は、枠体２が横部のみであり、この枠体２が基板１３を下方から支持する支持手段６ａとして機能し、また、枠体２の上面側に、基板１３の面方向の位置を規制する規制手段６ｂを設けた構成である。そして基板１３は、規制手段６ｂにはめ込んで支持手段６ａ上に載置することで保持することができる。この構造の場合には、規制手段６ｂが離散的であることから、基板１３を包囲する突出部５は、規制手段６ｂとは別に設ければよい。

なお、突出部５が基板保持具１とは別部材であり、例えば図８に示すように、何らかの手段で基板保持具１の枠体２に取り付けられた構成であっても構わない。

保持手段６が以上で述べたような構成であれば、基板１３は、枠体２に設けられた保持手段６の支持手段６ａ上に載置することで保持できるため、基板１３の、基板保持具１に対する取り付け、取り外しは、枠体２の上方へ引き上げるだけで済み、その作業は非常に簡素に済む。

次に、上述のような基板保持具１に基板１３を保持させ、搬送手段３５により成膜装置３０内を搬送し、基板１３に対して成膜を行う際の工程の一例について、図１〜図３を用いて説明する。

まず、例えば図３に示すような構成の基板保持具１により保持した基板１３を、図２に示すような成膜装置３０の、基板投入室３２に投入し、真空排気系３４ａにより予備排気しながら加熱ランプ３７ａにより加熱する。ここで基板１３は、表示電極１６と誘電体層１７とが形成された状態である。

基板投入室３２内が所定の真空度に到達したら、仕切り壁３６ｂを開けるとともに、搬送手段３５を用いて、加熱された状態の基板１３を基板保持具１に保持した状態で蒸着室３１に搬送する。

蒸着室３１では、加熱ランプ３７ｂにより基板１３を加熱してこれを一定温度に保つ。この温度は、表示電極１６や誘電体層１７が熱劣化することがないように、１００℃〜４００℃程度に設定される。そして、シャッタ３８ｆを閉じた状態で、電子銃３８ｃから電子ビーム３８ｄを蒸着源３８ａに照射して予備加熱することにより、所定のガス出しを行った後、導入手段３９から、酸素、または酸素を含むガスを導入する。この導入により、真空度は一般的な蒸着に比べ低いものとなる。この状態でシャッタ３８ｆを開けると、ＭｇＯの蒸気流３８ｅが基板保持具１が保持している基板１３に向け噴射される。その結果、基板１３に飛翔した成膜材料により基板１３上にはＭｇＯ膜による保護層１８が形成される。

ここで基板保持具１が図３に示すような構造であることから、基板１３以外の領域に飛翔した成膜材料は、基板保持具１の開口部４を通過するので、基板保持具１への付着は大幅に抑制される。

また、基板１３を保持した枠体２には、保持した基板１３の成膜面１３ａとは逆側の非成膜面１３ｂ側へ突出して基板１３を包囲する突出部５を設けているので、基板保持具１の開口部４を通過した成膜材料は、突出部５が遮蔽板として作用し、したがって、成膜材料が基板１３の非成膜面１３ｂに廻り込んで付着してしまうという課題も抑制される。

そして、基板１３上に形成されたＭｇＯの蒸着膜である保護層１８の膜厚が、所定の値（約０．４μｍ〜１μｍ、好ましくは０．６μｍ）に達したら、シャッタ３８ｆを閉じ、仕切り壁３６ｃを通じて基板１３を基板取出室３３へ搬送する。ここで、搬送手段３５は、基板保持具１の両端部でのみに接触または接続して搬送する構造となっており、このことにより、蒸着室３１での蒸着の際、搬送手段３５により基板１３に影ができてしまい、蒸着膜である保護層１８の品質に問題が生じるということはない。

そして、基板取出室３３で基板１３を所定の温度以下に冷却した後、基板１３を、基板保持具１の枠体２の保持手段６から取り出す。ここで、本実施の形態では、基板１３は、枠体２に設けられた支持手段６ａ上に載置することで保持するという構成であるため、取り出しは、枠体２の上方へ引き上げるだけで済み、その作業は非常に簡素に済む。

また、蒸着を完了した基板１３を取り外した後の基板保持具１は、新たな未成膜の基板１３を保持した後、成膜装置３０に再投入される。

なお、上述の説明においては、基板１３に対する、蒸着室３１内でのＭｇＯの蒸着は、搬送を停止して静止した状態で行っても、搬送しながら行ってもどちらでも構わない。

また、成膜装置３０の構造も、上述のものに限らず、タクト調整等のために各室間にバッファー室を設けた構成や、加熱・冷却のためのチャンバー室を設けた構成、バッチ式で、チャンバー内に基板保持具３０を設置して成膜を行う構造のもの等に対してでも、本発明の実施の形態による効果を得ることができる。なお、成膜装置がバッチ式でチャンバー内に基板保持具１を設置するという構成の場合であっても、基板１３を保持する基板保持具１を上述した構成にすることで、同様の効果を得ることができる。

以上の説明では、ＭｇＯにより保護層１８を形成する場合を例として示したが、本発明の実施の形態は、この他にも、表示電極１６を形成するための、ＩＴＯや銀の材料を成膜する場合をはじめとして、基板１３を基板保持具１にて保持した状態で成膜を行う場合に対して、同様の効果を得ることができる。

また、以上の説明では、成膜方法として、電子ビーム蒸着法を例として示したが、電子ビーム蒸着法だけでなく、ホローカソード方式によるイオンプレーティング、並びにスパッタリングといった、減圧下にて行われる成膜方法においても、同様の効果を得ることができる。

本発明は、プラズマディスプレイパネルの基板の非成膜面に、成膜材料の付着を抑制することが可能であり、大画面で、薄型、軽量のディスプレイ装置として知られるＰＤＰの製造方法等として有用である。

本発明の一実施の形態によるＰＤＰの概略構成の一例を示す断面斜視図本発明の一実施の形態による成膜装置の概略構成の一例を示す断面図本発明の一実施の形態による基板保持具の概略構成を示す図本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示す断面図本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示すための一部拡大斜視図本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示すための一部拡大斜視図本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示すための一部拡大斜視図本発明の一実施の形態による他の基板保持具の概略構成を示すための一部拡大斜視図従来の基板保持具の概略構成を示す図

符号の説明

１基板保持具
２枠体
４開口部
５突出部
１３基板
１３ａ成膜面
１３ｂ非成膜面

Claims

プラズマディスプレイパネルの基板への成膜を、基板保持具に保持して行うプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記基板保持具は、枠体を複数配列して構成し、前記枠体の少なくとも一つにより前記基板をその周縁部で保持し、且つ前記基板を保持した枠体には、保持した前記基板の非成膜面側へ突出して前記基板を包囲する突出部を設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
突出部の高さが、基板の非成膜面から１ｍｍ〜１００ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
枠体は、基板を下方から支持する支持手段と、前記基板の面方向の位置を規制する規制手段とからなる保持手段を備え、前記基板は、前記規制手段にはめ込んで前記支持手段上に載置することで保持することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
プラズマディスプレイパネルの基板への成膜を行う際に用いるプラズマディスプレイパネルの基板保持具において、前記基板保持具は、枠体を複数配列して構成し、前記枠体の少なくとも一つにより前記基板をその周縁部で保持し、且つ前記基板を保持する枠体には、保持した前記基板の非成膜面側へ突出して前記基板を包囲する突出部を設けたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの基板保持具。
突出部の高さが、基板の非成膜面側から１ｍｍ〜１００ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの基板保持具。
枠体は、基板を下方から支持する支持手段と、前記基板の面方向の位置を規制する規制手段とからなる保持手段を備え、前記基板は、前記規制手段にはめ込んで前記支持手段上に載置することで保持することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの基板保持具。