JP2004273364A

JP2004273364A - プラズマディスプレイパネルの製造方法

Info

Publication number: JP2004273364A
Application number: JP2003065270A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Ogura; 健小倉
Original assignee: NEC Plasma Display Corp
Current assignee: Pioneer Plasma Display Corp
Priority date: 2003-03-11
Filing date: 2003-03-11
Publication date: 2004-09-30

Abstract

【課題】プラズマディスプレイパネルの製造時に発生する透明電極の変色を防止する。
【解決手段】真空蒸着法により基板上に保護膜を形成する成膜装置１０は、チャンバ１１と、チャンバを真空にする排気ポンプ１２と、チャンバにプロセスガス１４を導入するプロセスガス導入手段１５と、保護層の原料からなる蒸発源１３と、基板をチャンバの内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリア１６と、基板上に配設された電極群を構成する個々の電極同士をプラズマディスプレイパネルの表示区域外において電気的に接続し、電極間電位差を０に維持する電位制御装置１７と、を備える。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特に、プラズマディスプレイパネルにおける保護膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６は、プラズマディスプレイ表示装置の一構成要素であるプラズマディスプレイパネルにおける一つの表示セルの斜視図である。
【０００３】
表示セルは、ガラスからなる絶縁基板をそれぞれベースとする前面基板１０１及び背面基板１０２とから形成されている。絶縁基板は、例えば、０．５乃至５ｍｍ程度の厚さを有している。
【０００４】
前面基板１０１が背面基板１０２と対向している面上には透明電極１０３及び１０４が設けられている。透明電極１０３及び１０４は本プラズマディスプレイパネルの水平方向（横方向）に並んで配置されている。透明電極１０３及び１０４は、例えば、酸化スズまたはインジウムティンオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＯｘｉｄｅ：ＩＴＯ）を主成分とし、約１００乃至５００ｎｍの膜厚を有している。
【０００５】
また、透明電極１０３及び１０４に重なるようにバス電極１０５及び１０６が形成されている。バス電極１０５及び１０６は、例えば、銀などの金属厚膜、クロム／銅／クロムなどの多層薄膜またはアルミニウム薄膜からなり、厚さが約１乃至１０μｍ、幅が約３０乃至８０μｍの電極であり、透明電極１０３及び１０４と外部の駆動装置（図示せず）との間の電極抵抗値を小さくするために設けられている。
【０００６】
動作上の役割の相違に応じて、透明電極１０３及びバス電極１０５で構成される電極を走査電極１１５と呼び、透明電極１０４及びバス電極１０６で構成される電極を維持電極１１６と呼ぶ。
【０００７】
さらに、前面基板１０１には、走査電極１１５及び維持電極１１６を覆う誘電体層１１０が形成されている。誘電体層１１０は、例えば、低融点鉛ガラスペーストからなり、約１０乃至４０μｍの膜厚を有している。
【０００８】
さらに、誘電体層１１０上には、誘電体層１１０を放電から保護する保護層１１２が蒸着やスパッタなどにより約０．５乃至２μｍの膜厚で形成されている。
【０００９】
背面基板１０２が前面基板１０１と対向している面上には、走査電極１１５及び維持電極１１６と直交する複数個のデータ電極１０７が設けられている。データ電極１０７は、例えば、銀からなり、約２乃至４μｍの膜厚を有している。
【００１０】
データ電極１０７は低融点鉛ガラスに白色顔料を混ぜ合わせた厚膜ペーストからなる誘電体層１１３で覆われている。
【００１１】
さらに、誘電体層１１３上において、データ電極１０７と平行に延び、表示セルを区切る隔壁１０９が設けられている。
【００１２】
隔壁１０９の側面及び誘電体層１１３の表面上には、放電ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する蛍光体層１１１が形成されている。蛍光体層１１１は、表示セル毎に、例えば、光の３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）に塗り分けられている。
【００１３】
そして、前面基板１０１及び背面基板１０２により形成される空間は放電ガス空間１０８を規定しており、この放電ガス空間１０８内に、ヘリウム、ネオンもしくはキセノンまたはこれらの混合ガスからなる放電ガスが充填されている。
【００１４】
保護層１１２は、誘電体層１１０を放電から保護する役目があり、また、放電ガス空間１０８に直接的に接するため、その材質及び膜質は放電特性に大きな影響を与える。
【００１５】
このため、保護層１１２の材料としては、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が一般的に使用されている。これは、酸化マグネシウムが耐スパッタリング性に優れ、かつ、２次電子放出係数の大きい絶縁物であるためである。酸化マグネシウムを使用することにより、放電開始電圧を下げ、プラズマディスプレイパネルの駆動を可能にしている。
【００１６】
保護層１１２の形成方法としては、一般に、真空蒸着法という成膜方法が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【００１７】
図７は、保護層１１２を成膜する従来の真空蒸着装置２００の概略的な構成を示す断面図であり、図８は、真空蒸着装置内に装着された前面基板１０１を矢印Ａの方向から見た場合の平面図である。
【００１８】
真空蒸着装置２００は、真空チャンバ２０１と、真空チャンバ２０１の内部を排気し、真空状態にする排気ポンプ２０２と、真空チャンバ２０１の底面上に配置され、保護層１１２の原料としての酸化マグネシウムからなる蒸発源２０３と、酸素その他のプロセスガス２０４を真空チャンバ２０１の内部に導入するプロセスガス導入機構２０５と、前面基板１０１を真空チャンバ２０１の内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリア２０６と、前面基板１０１を加熱するためのヒーター（図示せず）と、を備えている。
【００１９】
前面基板１０１には、絶縁基板上に走査電極１１５、維持電極１１６及び誘電体層１１０が既に形成されているものとする。
【００２０】
真空蒸着装置２００を使用して保護層１１２を製造する場合、先ず、真空チャンバ２０１の上部に配置されたマスク兼用のキャリア２０６に前面基板１０１を設置する。キャリア２０６は、一般的には、金属製であり、前面基板１０１の走査電極１１５及び維持電極１１６上に保護層１１２が成膜されないように、成膜エリアを制限する。
【００２１】
次いで、排気ポンプ２０２により、真空チャンバ２０１を排気するとともに、前面基板１０１をヒーターにより摂氏１００乃至３００度に加熱する。
【００２２】
次に、酸化マグネシウムの結晶配向性を揃えるために、プロセスガス導入機構２０５により、酸素ガスを真空チャンバ２０１の内部に導入し、成膜圧力を１×１０^−３乃至１×１０^−１Ｐａに制御しつつ、電子ビームを蒸発源２０３に照射することにより、前面基板１０１の蒸発源２０３に対向する面上に保護層１１２としての酸化マグネシウム膜を形成する。この場合の成膜レートは１０乃至１００オングストローム／秒であり、保護層１１２の膜厚は５０００乃至１００００オングストロームである。
【００２３】
また、特開２００２−３５８８７８号公報（特許文献２）には、保護層１１２の形成の際に、保護層１１２の膜厚を一定にするために、前面基板１０１に外部から電圧を印加する方法が提案されている。具体的には、前面基板１０１の絶縁基板の裏面に電極板を密着させた状態で電圧を印加する。
【００２４】
【特許文献１】
特開平１１−１６１５９号公報
【００２５】
【特許文献２】
特開２００２−３５８８７８号公報
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
プラズマディスプレイパネルにおいては、パネル面内の発光特性を均一にすることが重要な要素となっている。この目的のために、通常、保護層１１２の成膜においては、前面基板１０１の絶縁基板の温度分布や保護層１１２の膜厚、成膜圧力、レートなどのファクターで保護層１１２の膜質を制御するという手法が採用されている。
【００２７】
近年では、プラズマディスプレイパネルの駆動電圧の低電圧化やアドレスの高速化に対する要求が強くなっている。このため、保護層１１２の膜質としては、より低電圧での放電開始を可能に膜、あるいは、放電の応答性が高速な膜が求められている。しかしながら、上記の手法では、所望されている膜質を有する保護層１１２の提供は極めて困難であるか、あるいは、ほとんど不可能である。
【００２８】
また、保護層１１２の成膜中に透明電極１０３、１０４が変色を起こすことがある。この変色は、パネル表示面に黒い横すじを発生させ、表示品質を著しく悪化させ、歩留まり低下の一因になっていたが、従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、透明電極１０３、１０４の変色を防止することは不可能であった。
【００２９】
上述の特開２００２−３５８８７８号公報に記載されている方法によっても、上記の問題は解決されていない。
【００３０】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、より低電圧化及び高速応答性に対応した膜質制御を可能にするとともに、パネル面内において均一な放電特性を実現し、透明電極の変色を防止することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明は、真空蒸着装置を用いて基板上に保護膜を形成する過程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、保護膜形成過程は、基板上に配設された電極群を構成する電極の電極間電位差を０に維持した状態の下で実施されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【００３２】
本発明においては、例えば、基板上に配設された走査電極群と維持電極群とを同電位にして電極間電位差を０にし、この状態の下において、保護層を形成する。走査電極群と維持電極群とを同電位にすることにより、蒸着時に起こる成膜基板の帯電に伴って発生する電極間の電位の不均一を防止し、電極間で電位差を生じたときに発生する透明電極の変色（透明電極材料の還元現象やデンドライトの発生）を防止する。また、走査電極群と維持電極群とを同電位にすることにより成膜基板の電位を均一化し、ひいては、保護層の膜質を均一化することを可能にする。さらには、成膜基板の電位制御による保護層の膜質制御を可能にする。この結果、高い歩留まりを有し、表示部面内の放電特性が良好で均一のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【００３３】
基板上に配設された電極群を構成する電極の電極間電位差を０にするためには、例えば、電極群を構成する個々の電極同士をプラズマディスプレイパネルの表示区域外において電気的に接続する
あるいは、電極群を真空蒸着装置から電気的に絶縁することにより、電極間電位差を０にすることができる。
【００３４】
電極群と真空蒸着装置との間の電気的絶縁は、例えば、電極群と真空蒸着装置の一構成要素であって、基板を保持するマスク兼用キャリアとの間に絶縁体を配置することにより、実現することができる。キャリアは一般的に金属製であるが、従来、金属製のキャリアと電極群との接触が基板の反りやマスク変形の要因になっていた。電極群を真空蒸着装置から電気的に絶縁することにより、マスクと電極とが電気的に接続されている部分と接続されていない部分との間において発生する電極間の電位差を防止することが可能になる。
【００３５】
また、本発明は、真空蒸着装置を用いて基板上に保護膜を形成する過程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、保護膜形成過程は、基板上に配設された電極群を真空蒸着装置内に設置された蒸発源の電位と同電位または蒸発源の電位に対して負電位に保持した状態の下で実施されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。
【００３６】
この場合、電極群を構成する電極（例えば、走査電極と維持電極）は相互に同電位に保持しておくこともできる。負電位は０乃至５ｋＶの範囲内であることが好ましい。
【００３７】
このように、電極群と蒸発源との間の電位を制御することによって、成膜基板の近傍に電界を発生させ、保護層の膜質（マグネシウムと酸素との組成比、酸素欠損量、密度等）を制御することが可能になる。
【００３８】
さらに、前述のように、電極群の電位を蒸発源の電位に対して所定の電位に制御することにより、電極群相互間の電位を０または所定の値以下にすることができるため、上述の透明電極の変色防止その他の効果を奏することができる。
【００３９】
さらに、本発明は、真空蒸着法により基板上に保護膜を形成する成膜装置であって、チャンバと、チャンバを真空にする排気ポンプと、チャンバにプロセスガスを導入するプロセスガス導入手段と、保護層の原料からなる蒸発源と、基板をチャンバの内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリアと、基板上に配設された電極群を構成する電極の電極間電位差を０に維持する電位制御装置と、を備える成膜装置を提供する。
【００４０】
電位制御装置は、例えば、電極群を構成する個々の電極同士をプラズマディスプレイパネルの表示区域外において電気的に接続するものとして構成される。
【００４１】
さらに、本発明は、真空蒸着法により基板上に保護膜を形成する成膜装置であって、チャンバと、チャンバを真空にする排気ポンプと、チャンバにプロセスガスを導入するプロセスガス導入手段と、保護層の原料からなる蒸発源と、基板上に配設された電極群を成膜装置から電気的に絶縁した状態で基板をチャンバの内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリアと、を備える成膜装置を提供する。
【００４２】
さらに、本発明は、真空蒸着法により基板上に保護膜を形成する成膜装置であって、チャンバと、チャンバを真空にする排気ポンプと、チャンバにプロセスガスを導入するプロセスガス導入手段と、保護層の原料からなる蒸発源と、基板をチャンバの内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリアと、基板上に配設された電極群を真空蒸着装置内に設置された蒸発源の電位と同電位または蒸発源の電位に対して負電位にする電位制御装置と、を備える成膜装置を提供する。
【００４３】
電位制御装置は、電極群を構成する電極を相互に同電位に保持するものとして構成することができる。
【００４４】
さらに、電位制御装置は、電極群の電位を蒸発源の電位に対して０乃至５ｋＶの範囲内の負電圧にするものとして構成することができる。
【００４５】
上記の成膜装置によっても、上述のプラズマディスプレイパネルの製造方法と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】
（第一の実施形態）
図１は、本発明の第一の実施形態に係る成膜装置１０の概略的な構成を示す断面図であり、図２は、成膜装置１０内に装着された前面基板１０１を図１の矢印Ａの方向から見た場合の平面図である。
【００４７】
本実施形態に係る成膜装置１０は、真空チャンバ１１と、真空チャンバ１１の内部を排気し、真空状態にする排気ポンプ１２と、真空チャンバ１１の底面上に配置され、保護層１１２の原料としての酸化マグネシウムからなる蒸発源１３と、酸素その他のプロセスガス１４を真空チャンバ１１の内部に導入するプロセスガス導入機構１５と、前面基板１０１を真空チャンバ１１の内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリア１６と、前面基板１０１を加熱するためのヒーター（図示せず）と、前面基板１０１に配設された走査電極１１５と維持電極１１６との間の電極間電位差を０に維持する電位制御装置１７と、を備えている。
【００４８】
電位制御装置１７は、図２に示すように、走査電極１１５と維持電極１１６とをプラズマディスプレイパネルの表示区域外において電気的に接続する。電位制御装置１７は、例えば、キャリア１６に形成された端子として構成することができる。この端子を介して、走査電極１１５と維持電極１１６とが電気的に接続される。
【００４９】
また、電位制御装置１７を設ける代わりに、走査電極１１５及び維持電極１１６の電極パターンを、走査電極１１５及び維持電極１１６が接続するように予め形成することも可能である。ただし、この場合には、保護層１１２の成膜後において、走査電極１１５及び維持電極１１６を相互に切り離す工程（基板切断やレーザー等による電極切断）が必要になる。
【００５０】
次いで、本実施形態に係る成膜装置１０を用いて保護層１１２を形成する方法を以下に説明する。
【００５１】
先ず、真空チャンバ１１の上部に配置されたマスク兼用のキャリア１６に前面基板１０１を設置する。キャリア１６は金属製であり、前面基板１０１の走査電極１１５及び維持電極１１６上に保護層１１２が成膜されないように、成膜エリアを制限する。
【００５２】
次いで、排気ポンプ１２により、真空チャンバ１１を排気するとともに、前面基板１０１をヒーターにより摂氏１００乃至３００度に加熱する。
【００５３】
次に、酸化マグネシウムの結晶配向性を揃えるために、プロセスガス導入機構１５により、酸素ガスを真空チャンバ１１の内部に導入し、成膜圧力を１×１０^−３乃至１×１０^−１Ｐａに制御しつつ、電子ビームを蒸発源１３に照射することにより、前面基板１０１の蒸発源１３に対向する面上に保護層１１２としての酸化マグネシウム膜を形成する。この場合の成膜レートは１０乃至１００オングストローム／秒であり、保護層１１２の膜厚は５０００乃至１００００オングストロームである。
【００５４】
走査電極１１５と維持電極１１６とは電位制御装置１７を介して相互に電気的に接続されているため、走査電極１１５と維持電極１１６との間の電位差は０になっている。このように、保護層１１２の成膜の間において走査電極１１５と維持電極１１６とを同電位に維持することにより、成膜時における前面基板１０１へのチャージの影響をなくすことができる。
【００５５】
この結果、膜質の面内均一性及び透明電極１０３、１０４の変色抑制を実現することができる。具体的には、表示セルが面内均一な電位となり、電界の偏りがなくなると、電界強度差に起因する膜質の不均一を解消することができる。この結果として、膜質の面内均一性を実現することができる。また、相互に近接している走査電極１１５と維持電極１１６との間に電位差の発生及び電流の発生がない。この結果、デンドライトや還元反応を防止することができ、ひいては、透明電極１０３、１０４の変色を抑制することができる。
【００５６】
一般的に、前面基板１０１のベースとなる基板は絶縁物であるため、基板に電圧を印加することは難しい。これに対して、本実施形態においては、前面基板１０１の電極（具体的には、走査電極１１５及び維持電極１１６）を利用し、電圧を均一に印加することを可能とした。
【００５７】
また、電位（電界）は電極部に集中するため、プラズマディスプレイパネルの放電部分に選択的に、かつ、効率的に蒸発粒子を堆積させることができる。よって、印加する電圧値により、膜質制御が可能となり、プラズマディスプレイパネルの駆動との整合を取ることが比較的容易に行える。従って、走査電極１１５と維持電極１１６との間で発生する電位差を防止することにより、それらの電極間で電位差を生じたときに発生する透明電極の変色（透明電極材料還元現象やデンドライト発生）の防止、成膜基板の電位の均一化による保護層１１２の膜質面内均一化、成膜基板の電位制御による保護層１１２の膜質制御という効果を得ることができ、その結果として、高い歩留まりを有し、表示部面内の放電特性が良好で均一のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
（第二の実施形態）
図３は、本発明の第二の実施形態に係る成膜装置２０の概略的な構成を示す断面図であり、図４は、成膜装置２０内に装着された前面基板１０１を図３の矢印Ａの方向から見た場合の平面図である。
【００５８】
本実施形態に係る成膜装置２０は、第一の実施形態における電位制御装置１７に代えて、電位制御装置２１を有している。この点を除き、本実施形態に係る成膜装置２０は第一の実施形態に係る成膜装置１０と同一の構成を有している。従って、第一の実施形態に係る成膜装置１０と同一の構成要素については同一の符号をもって表す。
【００５９】
本実施形態における電位制御装置２１は、前面基板１０１に配設された走査電極１１５と維持電極１１６とを電気的に接続し、同電位に維持するとともに、走査電極１１５及び維持電極１１６の電位を蒸発源１３の電位と同電位または蒸発源の電位１３に対して負電位に維持する。具体的には、走査電極１１５及び維持電極１１６の電位は、本実施形態における電位制御装置２１によって、蒸発源の電位１３に対して０ｋＶ乃至−５ｋＶの範囲内に維持される。
【００６０】
本実施形態に係る成膜装置２０によれば、前述の第一の実施形態に係る成膜装置１０と同一の効果を得ることができるとともに、走査電極１１５及び維持電極１１６と蒸発源１３との間の電位差を制御することにより、保護層１１２の膜質（マグネシウムと酸素との組成比、酸素欠損量、密度等）を制御することが可能になる。走査電極１１５及び維持電極１１６と蒸発源１３との間の電位差は、保護層１１２の膜質に応じて選択される。例えば、電位差を０Ｖ（ＧＮＤ）に設定すると、前面基板１０１へのチャージを防止する効果があり、電圧差を０から−５ｋＶの間に設定すると、その電位差に応じて、走査電極１１５及び維持電極１１６の近傍に電界が生じ、蒸着時に発生する蒸発粒子のイオンを加速させ、高エネルギー化させる。このような高エネルギー化したイオンが誘電体層１１０上に堆積することにより、高密度で配向性の良い保護層１１２を得ることができる。
【００６１】
なお、本実施形態に係る成膜装置２０においては、電位制御装置２１は、走査電極１１５及び維持電極１１６を相互に電気的に接続し、同電位に保持しているが、これは必ずしも必要ではない。走査電極１１５及び維持電極１１６をそれぞれ独立に蒸発源１３の電位に対して所定の負電位に保持するようにすることも可能である。
（第三の実施形態）
図５は、本発明の第三の実施形態に係る成膜装置３０の概略的な構成を示す断面図である。
【００６２】
本実施形態に係る成膜装置３０においては、前面基板１０１は、走査電極１１５及び維持電極１１６を成膜装置３０から電気的に絶縁した状態の下に、チャンバ１１の内部の所定の位置に保持される。具体的には、本実施形態におけるキャリア１６においては、査電極１１５及び維持電極１１６に接するマスクの領域は電気的な絶縁体３１で覆われている。このため、前面基板１０１は成膜装置３０から電気的に絶縁される。この点を除き、本実施形態に係る成膜装置３０は第一の実施形態に係る成膜装置１０と同一の構成を有している。従って、第一の実施形態に係る成膜装置１０と同一の構成要素については同一の符号をもって表す。
【００６３】
本実施形態に係る成膜装置３０のように、走査電極１１５及び維持電極１１６と成膜装置３０とを絶縁体３１を介して電気的に絶縁することによっても、簡易的に走査電極１１５と維持電極１１６との間の電位差を減少させることができ、透明電極１１３、１１４のデンドライトや還元現象による変色を防止することができる。
【００６４】
マスク兼用キャリア１６は、耐熱性及び洗浄に対する耐久性により、金属製のものが使用されている。マスク兼用キャリア１６上に前面基板１０１を設置する場合、マスク兼用キャリア１６や前面基板１０１の反りまたはたわみによって、走査電極１１５及び維持電極１１６とマスク兼用キャリア１６とが接触している箇所と非接触の箇所とが存在する。また、保護層１１２の成膜中の前面基板１０１は高温に加熱されるため、前面基板１０１の反りは大きくなり、マスク兼用キャリア１６と走査電極１１５及び維持電極１１６とを均一に接触させることは一層困難となる。
【００６５】
その結果として、マスク兼用キャリア１６と走査電極１１５及び維持電極１１６とが接触している箇所の電極と、マスク兼用キャリア１６と走査電極１１５及び維持電極１１６とが接触していない箇所の電極との間には、成膜中の前面基板１０１へのチャージにより、電位差を生じる。そのため、透明電極１０３、１０４のデンドライトや還元現象による変色を生じる。
【００６６】
本実施形態に係る成膜装置３０によれば、マスク兼用キャリア１６上の絶縁体３１により、マスク兼用キャリア１６と走査電極１１５及び維持電極１１６とは均一に絶縁状態を得ることができ、チャージの影響を走査電極１１５及び維持電極１１６間で均一にすることができ、走査電極１１５及び維持電極１１６間ではわずかな電位差のみが生じ、透明電極１０３、１０４の変色を防止することができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、基板上に配設された電極群を構成する電極（例えば、走査電極と維持電極）の電極間電位差を同電位にして電極間電位差を０にし、この状態の下において、保護層を形成する。これにより、蒸着時に起こる成膜基板の帯電に伴って発生する電極間の電位の不均一を防止し、電極間で電位差を生じたときに発生する透明電極の変色（透明電極材料の還元現象やデンドライトの発生）を防止することができる。また、電極間電位差を０にすることにより、成膜基板の電位を均一化し、ひいては、保護層の膜質を均一化することを可能にする。さらには、成膜基板の電位制御による保護層の膜質制御を可能にする。この結果、高い歩留まりを有し、表示部面内の放電特性が良好で均一のプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【００６８】
また、本発明によれば、電極群と蒸発源との間の電位差を制御することにより、保護層の膜質（マグネシウムと酸素との組成比、酸素欠損量、密度等）を制御することが可能になる。電極群と蒸発源との間の電位差は、保護層の膜質に応じて選択される。例えば、電位差を０Ｖ（ＧＮＤ）に設定すると、成膜基板へのチャージを防止する効果があり、電圧差を０から−５ｋＶの間に設定すると、その電位差に応じて、電極群の近傍に電界が生じ、蒸着時に発生する蒸発粒子のイオンを加速させ、高エネルギー化させる。このような高エネルギー化したイオンが誘電体層上に堆積することにより、高密度で配向性の良い保護層を得ることができる。
【００６９】
キャリアは一般的に金属製であるが、従来、金属製のキャリアと電極群との接触が基板の反りやマスク変形の要因になっていた。これに対して、本発明によれば、電極群を真空蒸着装置から電気的に絶縁することにより、マスクと電極とが電気的に接続されている部分と接続されていない部分との間において発生する電極間の電位差を防止することが可能になる。これにより、チャージの影響を各電極間で均一にすることができ、透明電極の変色を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態に係る成膜装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第一の実施形態に係る成膜装置内に装着された前面基板を図１の矢印Ａの方向から見た場合の平面図である。
【図３】本発明の第二の実施形態に係る成膜装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第二の実施形態に係る成膜装置内に装着された前面基板を図３の矢印Ａの方向から見た場合の平面図である。
【図５】本発明の第三の実施形態に係る成膜装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図６】プラズマディスプレイ表示装置の一構成要素であるプラズマディスプレイパネルにおける一つの表示セルの斜視図である。
【図７】従来の成膜装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図８】従来の成膜装置内に装着された前面基板を図７の矢印Ａの方向から見た場合の平面図である。
【符号の説明】
１０第一の実施形態に係る成膜装置
１１真空チャンバ
１２排気ポンプ
１３蒸発源
１４プロセスガス
１５プロセスガス導入機構
１６マスク兼用のキャリア
１７電位制御装置
２０第二の実施形態に係る成膜装置
２１電位制御装置
３０第三の実施形態に係る成膜装置
３１絶縁体
１０１前面基板
１１２保護層
１１５走査電極
１１６維持電極

Claims

真空蒸着装置を用いて基板上に保護膜を形成する過程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記過程は、前記基板上に配設された電極群を構成する電極の電極間電位差を０に維持した状態の下で実施されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記電極群を構成する個々の電極同士をプラズマディスプレイパネルの表示区域外において電気的に接続することにより、前記電極間電位差を０にすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記電極群を前記真空蒸着装置から電気的に絶縁することにより、前記電極間電位差を０にすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
真空蒸着装置を用いて基板上に保護膜を形成する過程を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記過程は、前記基板上に配設された電極群を前記真空蒸着装置内に設置された蒸発源の電位と同電位または前記蒸発源の電位に対して負電位に保持した状態の下で実施されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記電極群を構成する電極は相互に同電位に保持されていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記負電位は０乃至５ｋＶの範囲内であることを特徴とする請求項４または５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
前記電極群を構成する電極は走査電極及び維持電極からなるものであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
真空蒸着法により基板上に保護膜を形成する成膜装置であって、
チャンバと、
前記チャンバを真空にする排気ポンプと、
前記チャンバにプロセスガスを導入するプロセスガス導入手段と、
前記保護層の原料からなる蒸発源と、
前記基板を前記チャンバの内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリアと、
前記基板上に配設された電極群を構成する電極の電極間電位差を０に維持する電位制御装置と、
を備える成膜装置。
前記電位制御装置は、前記電極群を構成する個々の電極同士をプラズマディスプレイパネルの表示区域外において電気的に接続するものであることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。
真空蒸着法により基板上に保護膜を形成する成膜装置であって、
チャンバと、
前記チャンバを真空にする排気ポンプと、
前記チャンバにプロセスガスを導入するプロセスガス導入手段と、
前記保護層の原料からなる蒸発源と、
前記基板上に配設された電極群を前記成膜装置から電気的に絶縁した状態で前記基板を前記チャンバの内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリアと、
を備える成膜装置。
真空蒸着法により基板上に保護膜を形成する成膜装置であって、
チャンバと、
前記チャンバを真空にする排気ポンプと、
前記チャンバにプロセスガスを導入するプロセスガス導入手段と、
前記保護層の原料からなる蒸発源と、
前記基板を前記チャンバの内部の所定の位置に保持するとともに、所定の領域を覆うマスク兼用のキャリアと、
前記基板上に配設された電極群を前記真空蒸着装置内に設置された蒸発源の電位と同電位または前記蒸発源の電位に対して負電位にする電位制御装置と、
を備える成膜装置。
前記電位制御装置は、前記電極群を構成する電極を相互に同電位に保持することを特徴とする請求項１１に記載の成膜装置。
前記負電位は０乃至５ｋＶの範囲内であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の成膜装置。