CN102337502A - 膜料加工装置及具有该膜料加工装置的蒸镀设备 - Google Patents

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Abstract

一种膜料加工装置,其用于平整蒸镀膜料,所述膜料加工装置包括一个坩埚,及一个旋转轴。所述坩埚具有一个收容膜料的容置孔。所述旋转轴与所述坩埚相连接,所述坩埚可以绕所述旋转轴旋转。所述膜料加工装置进一步包括一个平整盖,及一个驱动器。所述平整盖与所述坩埚的容置孔相配合以平整容置孔内的膜料,所述平整盖具有一个形状与所述容置孔的形状相对应的平整面。所述驱动器具有一个驱动轴,所述驱动轴与所述平整盖相耦合,所述驱动器驱动所述平整盖绕所述驱动轴旋转以闭合或开启所述坩埚的容置孔。所述平整盖闭合所述容置孔时,所述平整面朝向所述容置孔的底部。本发明另外提供一种具有所述膜料加工装置的蒸镀设备。

Description

膜料加工装置及具有该膜料加工装置的蒸镀设备
技术领域
本发明涉及一种膜料加工装置,尤其涉及一种设置于离子辅助蒸镀系统内用于平整膜料的膜料加工装置及具有该膜料加工装置的蒸镀设备。
背景技术
光学薄膜一般采用蒸镀法(Evaporation Deposition)、离子辅助蒸镀法(IonAssisted deposition,IAD)或离子溅镀法(Ion Beam Sputtering Deposition,IBSD)进行镀制。
离子辅助蒸镀具有独立的离子源,安装简单,对原系统的影响低,且离子束的范围大,分布均匀,拥有良好的动能,可以较轻易地将膜层压紧,得到附着力良好的膜层等优点,其采用程度较高。离子辅助蒸镀中,要求膜料(即蒸镀靶材)表面平整、内部结构致密,具有较好的洁净度,并避免存在颗粒状或纤维状的杂质,以确保蒸镀加工过程蒸镀速率稳定,在镀膜件上形成质量较佳的膜层。因此,通常需要先制取供离子辅助蒸镀加工使用的表面平整、内部结构致密的膜料。目前,制取膜料一般是先将颗粒状的膜料原料放入蒸镀腔中的金属坩埚内,并采用人工的方式进行平整,然后在真空环境里利用高能电子束进行加热,使坩埚内的膜料原料受热完全熔化,最后冷却完全熔化的膜料原料,即获得膜料。
但是,采用人工方式对坩埚内的膜料颗粒进行平整时,易受颗粒大小差异性及颗粒间孔隙的影响,而使得膜料原料在后续熔化时受热不均,造成最终获得的膜料出现表面凹凸不平、内部结构不致密等现象。对此,现有技术通常是对膜料进行再次的人工平整,由此,在人工平整过程中易出现人为污染膜料的现象,且人工平整需要反复地对蒸镀腔进行破真空与抽真空的操作,直接造成加工工时的浪费;此外,频繁地破真空与抽真空,较易影响真空泵的寿命及工作效率。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种易于实现的、可有效解决现有技术中存在的问题的膜料加工装置及具有该膜料加工装置的蒸镀设备。
一种膜料加工装置,其用于平整蒸镀膜料,所述膜料加工装置包括一个坩埚,及一个旋转轴。所束坩埚具有一个收容膜料的容置孔。所述旋转轴与所述坩埚相连接,所述坩埚可以绕所述旋转轴旋转。所述膜料加工装置进一步包括一个平整盖,及一个驱动器。所述平整盖与所述坩埚的容置孔相配合以平整容置孔内的膜料,所述平整盖具有一个形状与所述容置孔的形状相对应的平整面。所述驱动器具有一个驱动轴,所述驱动轴与所述平整盖相耦合,所述驱动器驱动所述平整盖绕所述驱动轴旋转以闭合或开启所述坩埚的容置孔。所述平整盖闭合所述容置孔时,所述平整面朝向所述容置孔的底部。
一种蒸镀设备,其包括一个膜料加工装置,所述膜料加工装置包括一个坩埚,及一个旋转轴。所束坩埚具有一个收容膜料的容置孔。所述旋转轴与所述坩埚相连接,所述坩埚可以绕所述旋转轴旋转。所述膜料加工装置进一步包括一个平整盖,及一个驱动器。所述平整盖与所述坩埚的容置孔相配合以平整容置孔内的膜料,所述平整盖具有一个形状与所述容置孔的形状相对应的平整面。所述驱动器具有一个驱动轴,所述驱动轴与所述平整盖相耦合,所述驱动器驱动所述平整盖绕所述驱动轴旋转以闭合或开启所述坩埚的容置孔。所述平整盖闭合所述容置孔时,所述平整面朝向所述容置孔的底部。
相对于现有技术,本发明的膜料加工装置具有如下优点:其一,利用驱动器与平整盖,可以在制取膜料的过程中实现自动平整坩埚内的膜料,使膜料均匀受热,确保最终获得表面平整、内部结构致密的膜料,便于后续获得速率稳定的蒸镀加工过程。其二,无需反复地对蒸镀腔进行破真空与抽真空的操作,既减少了不必要的工时浪费,也可以避免因频繁地破真空与抽真空而影响真空泵的寿命及工作效率。其三,实现自动平整坩埚内的膜料可以避免人工平整过程中,出现人为污染膜料的现象。其四,采用具有所述膜料加工装置的蒸镀设备进行蒸镀加工时,可以在制取膜料至蒸镀加工的整个过程实现自动化操作,有利于提高蒸镀效率。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的膜料加工装置的示意图。
图2是图1所示的膜料加工装置平整膜料时的工作状态示意图。
图3是本发明第二实施例提供的具有图1所示的膜料加工装置的蒸镀设备的示意图。
主要元件符号说明
坩埚              10
容置孔            11
旋转轴            20
平整盖            30
平整面            31
驱动器            40
驱动轴            41
连接臂            50
连接端            51
耦合端            53
传送机构          60
膜料加工装置      100
蒸镀设备          200
腔体              210
伞架              220
离子源            230
加热系统          240
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本技术方案作进一步详细说明。
请参阅图1,本发明第一实施例提供一种膜料加工装置100,其用于平整蒸镀膜料,所述膜料加工装置100包括一个坩埚10,一个旋转轴20,一个平整盖30,及一个驱动器40。
所述坩埚10用于盛放膜料原料、膜料(即蒸镀靶材,图未示),其具有一个收容膜料原料或膜料的容置孔11,颗粒状的膜料原料置于所述容置孔11内,经过真空加热即可形成蒸镀所需的膜料。本实施例中,所述坩埚10为圆形坩埚,所述容置孔11为圆形孔。当然,所述坩埚10及所述容置孔11也可以为其他形状,如正方形孔、椭圆形孔等。
优选地,所述坩埚10由热传导性较好的材料制成,如钽(Ta),钼(Mo)等,由此,可确保所述坩埚10能耐住高温而不会被蒸发,避免污染蒸镀腔体及镀膜膜层。
所述旋转轴20与所述坩埚10相连接,使所述坩埚10可以绕所述旋转轴20旋转,由此,通过旋转所述坩埚10,即可使容置于所述容置孔11内的膜料原料或膜料均匀地受热,有利于膜料的制取或膜料的蒸发。本实施例中,所述旋转轴20设置于所述坩埚10的底部的中央区域,且所述旋转轴20与所述容置孔11的中心轴同轴。
可以理解的是,所述旋转轴20可以与一个驱动机构(图未示)相连接,如与一个马达相连接,由此,所述坩埚10可以根据实际使用的需要实现自动旋转。
所述平整盖30与所述坩埚10的容置孔11相配合以平整容置孔11内的膜料。所述平整盖30具有一个平整面31,其用于接触所述容置孔11内的膜料原料并压实平整膜料,以获得表面平整、内部结构致密的膜料。所述平整面31的形状与所述坩埚10的容置孔11的形状相对应,以与所述容置孔11相配合。本实施例中,所述平整盖30为圆盘结构,所述平整面31为圆形平面,所述平整面31的外径等于所述平整盖30的外径,且略小于所述容置孔11的内径,由此,当所述容置孔11内盛放的膜料较少时,所述平整盖30可以压入所述容置孔11内使所述平整面31接触膜料并压实平整膜料。
可以理解的是,所述平整盖30的结构并不局限于本实施例,对应所述坩埚10及所述容置孔11的具体形状,所述平整盖30可以设计为不同的形状结构,如正方形、椭圆形等;所述平整面31的外径也可以小于所述平整盖30的外径,如可以使所述平整面31突出于所述平整盖30形成一个凸台,通过凸台与所述坩埚10的容置孔11的配合,使所述平整面31(即凸台面)接触膜料并压实平整膜料。
优选地,所述平整盖30也由热传导性金属材料制成,如同所述坩埚10的制成材料,如钽(Ta),钼(Mo)等,由此,可确保所述平整盖30能耐住高温而不会被蒸发,避免污染蒸镀腔体及镀膜膜层。
所述驱动器40用于驱动所述平整盖30闭合或开启所述坩埚10的容置孔11,所述平整盖30闭合所述容置孔11时,所述平整盖30的平整面31朝向所述容置孔11的底部,由此,可使所述平整面31接触所述容置孔11内的膜料原料并压实平整膜料。所述驱动器40具有一个驱动轴41,其用于与所述平整盖30相耦合,使所述平整盖30在所述驱动器40的驱动下可以绕所述驱动轴41旋转。
优选地,所述驱动器40的驱动轴41与所述容置孔11的中心轴相垂直,所述驱动轴41的中心与所述容置孔11的中心轴的距离等于所述平整盖30的中心与所述驱动轴41的中心的距离,且所述容置孔11的中心轴位于所述平整盖30的中心绕所述驱动轴41旋转的路径的切线方向上,由此,可以确保所述平整盖30的中心沿所述容置孔11的中心轴的方向闭合所述容置孔11,即当所述容置孔11的中心轴处于竖直位置时,所述平整面31可垂直地接触所述容置孔11内的膜料原料并压实平整膜料。
本实施例中,所述膜料加工装置100进一步包括一个连接臂50,所述连接臂50具有一个连接端51,及一个与所述连接端51相对的耦合端53。所述连接端51与所述平整盖30的外缘相连接,所述耦合端53与所述驱动器40的驱动轴41相耦合。由此,通过所述连接臂50,即可实现所述平整盖30与所述驱动器40的连接。
本实施例中,所述连接臂50沿所述平整盖30的径向设置于所述平整盖30的边缘,即所述连接臂50位于所述平整盖30的半径的延伸线方向上。
可以理解的是,所述连接臂50的结构并不局限于本实施例,所述连接臂50的连接端51也可以连接于所述平整盖30的中心且与所述平整面31相背离。
可以理解的是,所述平整盖30与所述驱动器40的连接方式并不局限于本实施例,所述平整盖30与所述驱动器40之间也可以设置传动机构,如齿轮传动机构,通过设置于所述平整盖30与所述驱动器40之间的传动机构,即可将所述驱动器40的动力传递至所述平整盖30,驱动实现所述平整盖30闭合或开启所述坩埚10的容置孔11。
进一步地,所述旋转轴20为伸缩轴结构,其可使所述坩埚10相对于蒸镀腔体(图未示)的底部升降,由此,便于调节所述坩埚10与所述平整盖30的高度差,使所述平整盖30与所述坩埚10准确地配合,确保所述驱动器40驱动所述平整盖30绕所述驱动轴41旋转时,可以正确地闭合或开启所述坩埚10的容置孔11。
本实施例中,所述膜料加工装置100进一步包括一个传送机构60,所述驱动器40连同所述平整盖30一起设置于所述传送机构60上,所述传送机构60可以带动所述驱动器40及所述平整盖30相对于所述坩埚10相对或背离运动,由此,可以调节所述坩埚10与所述驱动轴41之间的距离,确保所述驱动轴41的中心与所述容置孔11的中心轴的距离等于所述平整盖30的中心绕所述驱动轴41旋转的半径。
将所述膜料加工装置100设置于蒸镀腔内,即可进行相应的膜料制取或蒸镀加工。使用所述膜料加工装置100时,调节好所述坩埚10与所述驱动轴41之间的距离及所述坩埚10与所述平整盖30的高度差;将膜料原料放置于所述坩埚10的容置孔11内,启动所述驱动器40,控制所述平整盖30闭合所述容置孔11,使所述平整面31接触所述容置孔11内的膜料原料并压实平整膜料原料,如图2所示。
可以理解的是,在对蒸镀腔进行抽真空前,可先驱动所述平整盖30对盛放于所述坩埚10内的膜料原料进行粗平整;而在对蒸镀腔进行抽真空后,进行高能电子束加热时,可以驱动所述平整盖30间断地或不间断地对所述坩埚10内的半熔化状态或熔化状态的膜料原料进行平整,直至最后冷却获得表面平整、内部结构致密的膜料。
请参阅图3,本发明第二实施例提供一种蒸镀设备200,其包括一个腔体210,一个伞架220,一个离子源230,一个加热系统240,及一个膜料加工装置100。
所述腔体210为真空腔体,其通过相连通的真空泵(图未示)来获得内部的真空环境。
所述伞架220、所述离子源230、所述加热系统240及所述膜料加工装置100均设置于所述腔体210的内部。
所述伞架220用于承载待镀膜元件,并使待镀膜元件的待镀表面朝向膜料(即靶材)。本实施例中,所述加热系统240为电子枪,其用于产生加热蒸镀膜料的高能电子束,以在制取膜料时使膜料原料受热融化,或在镀膜加工时使膜料蒸发形成膜料粒子。所述离子源230为等离子体离子源,其用于形成蒸镀所需的等离子体,等离子体在真空环境中与膜料粒子相碰撞,使膜料粒子获得额外能量,膜料粒子撞向待镀表面后将附着于待镀表面,形成所需的膜层。
本实施例中,所述伞架220设置于所述腔体210的上部,所述离子源230朝向所述伞架220,所述膜料加工装置100中坩埚10的容置孔11朝向所述伞架220,所述加热系统240位于所述坩埚10的一侧,所述加热系统240产生的高能电子束在磁场(图未示)的影响下射向盛放于所述坩埚10内的膜料原料或膜料。
相对于现有技术,本发明的膜料加工装置具有如下优点:其一,利用驱动器与平整盖,可以在制取膜料的过程中实现自动平整坩埚内的膜料,使膜料均匀受热,确保最终获得表面平整、内部结构致密的膜料,便于后续获得速率稳定的蒸镀加工过程。其二,无需反复地对蒸镀腔进行破真空与抽真空的操作,既减少了不必要的工时浪费,也可以避免因频繁地破真空与抽真空而影响真空泵的寿命及工作效率。其三,实现自动平整坩埚内的膜料可以避免人工平整过程中,出现人为污染膜料的现象。其四,采用具有所述膜料加工装置的蒸镀设备进行蒸镀加工时,可以在制取膜料至蒸镀加工的整个过程实现自动化操作,有利于提高蒸镀效率。
另外,本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化,当然,这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (11)

1.一种膜料加工装置,其用于平整蒸镀膜料,所述膜料加工装置包括:
一个坩埚,其具有一个收容膜料的容置孔;及
一个旋转轴,其与所述坩埚相连接,所述坩埚可以绕所述旋转轴旋转;
其特征在于:
所述膜料加工装置进一步包括一个平整盖,及一个驱动器;所述平整盖与所述坩埚的容置孔相配合以平整容置孔内的膜料;所述平整盖具有一个形状与所述容置孔的形状相对应的平整面,所述驱动器具有一个驱动轴;所述驱动轴与所述平整盖相耦合,所述驱动器驱动所述平整盖绕所述驱动轴旋转以闭合或开启所述坩埚的容置孔;所述平整盖闭合所述容置孔时,所述平整面朝向所述容置孔的底部。
2.如权利要求1所述的膜料加工装置,其特征在于,所述坩埚的容置孔为圆形孔,所述平整盖为圆盘结构,所述平整面为圆形平面,所述平整面的外径等于所述平整盖的外径且略小于所述容置孔的内径。
3.如权利要求2所述的膜料加工装置,其特征在于,所述旋转轴设置于所述坩埚的底部的中央区域,且所述旋转轴与所述容置孔的中心轴同轴。
4.如权利要求3所述的膜料加工装置,其特征在于,所述驱动器的驱动轴与所述容置孔的中心轴相垂直,所述驱动轴的中心与所述容置孔的中心轴的距离等于所述平整盖的中心与所述驱动轴的中心的距离,且所述容置孔的中心轴位于所述平整盖的中心绕所述驱动轴旋转的路径的切线方向上。
5.如权利要求1所述的膜料加工装置,其特征在于,所述旋转轴为伸缩轴结构,其可使所述坩埚相对于蒸镀腔体的底部升降。
6.如权利要求2所述的膜料加工装置,其特征在于,所述膜料加工装置进一步包括一个连接臂,所述连接臂具有一个连接端,及一个与所述连接端相对的耦合端,所述连接端与所述平整盖相连接,所述耦合端与所述驱动器的驱动轴相耦合。
7.如权利要求6所述的膜料加工装置,其特征在于,所述连接臂沿所述平整盖的径向设置于所述平整盖的边缘。
8.如权利要求1所述的膜料加工装置,其特征在于,所述坩埚由热传导性金属材料制成。
9.如权利要求1所述的膜料加工装置,其特征在于,所述平整盖由热传导性金属材料制成。
10.如权利要求1所述的膜料加工装置,其特征在于,所述膜料加工装置进一步包括一个传送机构,所述驱动器连同所述平整盖一起设置于所述传送机构上,所述传送机构带动所述驱动器及所述平整盖相对于所述坩埚相对或背离运动。
11.一种蒸镀设备,其特征在于,所述蒸镀膜设备包括腔体及设置在所述腔体内的如权利要求1~10任一项所述的膜料加工装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106191784A (zh) * 2016-07-22 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀用坩埚
CN107267923A (zh) * 2017-08-15 2017-10-20 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 一种蒸镀复合金属膜层用的子母坩埚装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3554512A (en) * 1969-03-24 1971-01-12 George H Elliott Crucible for holding molten semiconductor materials
US6050446A (en) * 1997-07-11 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Pivoting lid assembly for a chamber
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
EP1160351A2 (en) * 2000-06-01 2001-12-05 The Boc Group, Inc. Electron beam evaporation source

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3554512A (en) * 1969-03-24 1971-01-12 George H Elliott Crucible for holding molten semiconductor materials
US6050446A (en) * 1997-07-11 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Pivoting lid assembly for a chamber
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
EP1160351A2 (en) * 2000-06-01 2001-12-05 The Boc Group, Inc. Electron beam evaporation source
US20020040682A1 (en) * 2000-06-01 2002-04-11 Ramsay Bruce G. Multiple pocket electron beam source

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106191784A (zh) * 2016-07-22 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀用坩埚
CN106191784B (zh) * 2016-07-22 2018-10-30 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀用坩埚
CN107267923A (zh) * 2017-08-15 2017-10-20 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 一种蒸镀复合金属膜层用的子母坩埚装置
CN107267923B (zh) * 2017-08-15 2019-05-17 佛山市南海区晶鼎泰智能科技有限公司 一种蒸镀复合金属膜层用的子母坩埚装置

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120201