JPH0336519Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0336519Y2 JPH0336519Y2 JP13916588U JP13916588U JPH0336519Y2 JP H0336519 Y2 JPH0336519 Y2 JP H0336519Y2 JP 13916588 U JP13916588 U JP 13916588U JP 13916588 U JP13916588 U JP 13916588U JP H0336519 Y2 JPH0336519 Y2 JP H0336519Y2
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- peripheral wall
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- Expired
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、真空蒸着装置等において使用される
昇華物の蒸発源装置に関する。
昇華物の蒸発源装置に関する。
（従来の技術）
従来、昇華物の蒸発装置は、例えば第１図示の
ように、真空排気される真空蒸発室ａ内に、冷却
水通路ｂを備えた、内のりの長さＬが600mm、高
さＨが40mm、紙面の垂直方向の幅が100mmの長方
形の周壁ｃを有する比較的大形の銅製のハースｄ
を設け、これをラツクピニオン機構等により往復
動自在に構成し、該ハースｄ内にその周壁ｃとほ
ぼ同じ高さを有する例えばSiO2のブロツクの昇
華物ｅを収め、ピアス式等の電子銃ｈから電子ビ
ームｆを該昇華物ｅに照射してこれを蒸発させ、
該昇華物ｅの薄膜を被蒸着物ｇの表面に形成する
を一般とする。ｉは偏向磁石である。
ように、真空排気される真空蒸発室ａ内に、冷却
水通路ｂを備えた、内のりの長さＬが600mm、高
さＨが40mm、紙面の垂直方向の幅が100mmの長方
形の周壁ｃを有する比較的大形の銅製のハースｄ
を設け、これをラツクピニオン機構等により往復
動自在に構成し、該ハースｄ内にその周壁ｃとほ
ぼ同じ高さを有する例えばSiO2のブロツクの昇
華物ｅを収め、ピアス式等の電子銃ｈから電子ビ
ームｆを該昇華物ｅに照射してこれを蒸発させ、
該昇華物ｅの薄膜を被蒸着物ｇの表面に形成する
を一般とする。ｉは偏向磁石である。
（考案が解決しようとする課題）
ハースｄ内の昇華物ｅは、電子ビームｆを電子
銃ｈの電極によりハースｄの幅方向に振り更にハ
ースｄをその長さ方向に往復させることによつ
て、電子ビームｆの均一な照射を受けても、昇華
物ｅの中央部と端部とで温度が異なるために、第
２図示のように、周壁ｃに近い部分が蒸発されず
に残り、蒸発速度が蒸発時間の経過と共に変化
し、被蒸着物ｇに均一な膜厚分布で昇華物を蒸着
することが困難であつた。
銃ｈの電極によりハースｄの幅方向に振り更にハ
ースｄをその長さ方向に往復させることによつ
て、電子ビームｆの均一な照射を受けても、昇華
物ｅの中央部と端部とで温度が異なるために、第
２図示のように、周壁ｃに近い部分が蒸発されず
に残り、蒸発速度が蒸発時間の経過と共に変化
し、被蒸着物ｇに均一な膜厚分布で昇華物を蒸着
することが困難であつた。
本考案は長時間に亘り安定して昇華物の蒸発を
行なえる装置を提供することを目的とするもので
ある。
行なえる装置を提供することを目的とするもので
ある。
（課題を解決するための手段）
本考案では、真空蒸発室内に、電子ビームが照
射されて蒸発するブロツク状の昇華物を収めるた
めに周壁を有する水冷ハースを設けるようにした
ものに於いて、該水冷ハースを該昇華物のブロツ
クの高さよりも低い周壁を備えた浅皿形に形成す
ることにより、前記目的を達成するようにした。
射されて蒸発するブロツク状の昇華物を収めるた
めに周壁を有する水冷ハースを設けるようにした
ものに於いて、該水冷ハースを該昇華物のブロツ
クの高さよりも低い周壁を備えた浅皿形に形成す
ることにより、前記目的を達成するようにした。
（作用）
真空蒸発室内に設けた水冷ハース上に、ブロツ
ク状の昇華物を載せ、電子ビームを該昇華物に均
一に照射すると、該昇華物が蒸発して被蒸着物の
表面に薄膜状に付着する。本考案の場合、該ハー
スの周壁の高さが昇華物のブロツクの高さよりも
低く浅皿状に形成されているので、該昇華物は周
壁の影響を受けず、その中央部と端部とでほぼ同
一の温度になり、長時間に亘る蒸発を行なつても
均一な蒸発速度が得られ、被蒸着物に均一な膜厚
分布で蒸着膜を形成することが出来る。
ク状の昇華物を載せ、電子ビームを該昇華物に均
一に照射すると、該昇華物が蒸発して被蒸着物の
表面に薄膜状に付着する。本考案の場合、該ハー
スの周壁の高さが昇華物のブロツクの高さよりも
低く浅皿状に形成されているので、該昇華物は周
壁の影響を受けず、その中央部と端部とでほぼ同
一の温度になり、長時間に亘る蒸発を行なつても
均一な蒸発速度が得られ、被蒸着物に均一な膜厚
分布で蒸着膜を形成することが出来る。
（実施例）
本考案の実施例を図面第３図に基づき説明する
に、同図に於いて符号１は真空排気された真空蒸
着室、２は該真空蒸着室１内にラツクピニオン機
構等の適当な移動手段で矢印方向へ例えば１mm／
minの速度で往復動するように設けられた銅製の
ハース、３は該ハース２の外側底面に設けられた
冷却管を示し、該冷却管３には必要に応じて冷却
液が循環される。該ハース２にはブロツク状に固
めた例えばSiO2、ITO或いはCr等の昇華物４が
載せられ、これにピアス式等の電子銃８から誘導
された例えば20KV、1.2A、ビーム径1.5mmφの電
子ビーム５が照射される。
に、同図に於いて符号１は真空排気された真空蒸
着室、２は該真空蒸着室１内にラツクピニオン機
構等の適当な移動手段で矢印方向へ例えば１mm／
minの速度で往復動するように設けられた銅製の
ハース、３は該ハース２の外側底面に設けられた
冷却管を示し、該冷却管３には必要に応じて冷却
液が循環される。該ハース２にはブロツク状に固
めた例えばSiO2、ITO或いはCr等の昇華物４が
載せられ、これにピアス式等の電子銃８から誘導
された例えば20KV、1.2A、ビーム径1.5mmφの電
子ビーム５が照射される。
該ハース２は、昇華物４のブロツクの高さより
も低く該ブロツクがずれない程度に支える低い周
壁６を有し、該ブロツクが長さ600mm、幅100mm、
高さ40mmの断面を有する場合、該周壁６の高さは
10mmに形成される。７は該ハース２の上方に置か
れた被蒸着物、９は偏向磁石である。
も低く該ブロツクがずれない程度に支える低い周
壁６を有し、該ブロツクが長さ600mm、幅100mm、
高さ40mmの断面を有する場合、該周壁６の高さは
10mmに形成される。７は該ハース２の上方に置か
れた被蒸着物、９は偏向磁石である。
該昇華物４は、ハース２の矢印方向の移動と、
電子銃８の電極がハース２の幅方向に電子ビーム
５を振ることにより、均一な電子ビーム５の照射
を受けて蒸発し、被蒸着物７の表面に薄膜状に付
着するが、該昇華物４はハース２の周壁６よりも
高い位置に蒸発面が存するので、周壁６の影響を
受けず、昇華物４の中央部と端部とがほぼ等しい
温度になり、第４図示のように全面均一に蒸発
し、局所的に蒸発が進むことがない。従つて長時
間蒸発を続けても一様な速度の蒸発状態が得ら
れ、被蒸着物７に形成される薄膜を均一な厚さで
形成することが出来る。
電子銃８の電極がハース２の幅方向に電子ビーム
５を振ることにより、均一な電子ビーム５の照射
を受けて蒸発し、被蒸着物７の表面に薄膜状に付
着するが、該昇華物４はハース２の周壁６よりも
高い位置に蒸発面が存するので、周壁６の影響を
受けず、昇華物４の中央部と端部とがほぼ等しい
温度になり、第４図示のように全面均一に蒸発
し、局所的に蒸発が進むことがない。従つて長時
間蒸発を続けても一様な速度の蒸発状態が得ら
れ、被蒸着物７に形成される薄膜を均一な厚さで
形成することが出来る。
（考案の効果）
以上のように本考案によるときは、水冷ハース
の周壁を昇華物のブロツクの高さよりも低く形成
したので、電子ビームにより周壁の影響を受けず
に均一に昇華物を蒸発させることが出来、被蒸着
物に均一な膜厚分布で薄膜を蒸着出来る等の効果
がある。
の周壁を昇華物のブロツクの高さよりも低く形成
したので、電子ビームにより周壁の影響を受けず
に均一に昇華物を蒸発させることが出来、被蒸着
物に均一な膜厚分布で薄膜を蒸着出来る等の効果
がある。
第１図は従来の昇華物蒸発源装置の截断側面
図、第２図は第１図示の装置の蒸発状態を示す截
断側面図、第３図は本考案の実施例の截断側面
図、第４図は第３図示の装置の蒸発状態を示す截
断側面図である。 １…真空蒸着室、２…ハース、３…冷却管、４
…昇華物、５…電子ビーム、６…周壁。
図、第２図は第１図示の装置の蒸発状態を示す截
断側面図、第３図は本考案の実施例の截断側面
図、第４図は第３図示の装置の蒸発状態を示す截
断側面図である。 １…真空蒸着室、２…ハース、３…冷却管、４
…昇華物、５…電子ビーム、６…周壁。
Claims (1)
- 真空蒸発室内に、電子ビームが照射されて蒸発
するブロツク状の昇華物を収めるために周壁を有
する水冷ハースを設けるようにしたものに於い
て、該水冷ハースを該昇華物のブロツクの高さよ
りも低い周壁を備えた浅皿形に形成したことを特
徴とする昇華物蒸発源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13916588U JPH0336519Y2 (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13916588U JPH0336519Y2 (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261956U JPH0261956U (ja) | 1990-05-09 |
| JPH0336519Y2 true JPH0336519Y2 (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=31402169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13916588U Expired JPH0336519Y2 (ja) | 1988-10-27 | 1988-10-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336519Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP13916588U patent/JPH0336519Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0261956U (ja) | 1990-05-09 |
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