JP3399570B2 - 連続真空蒸着装置 - Google Patents

連続真空蒸着装置

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JP3399570B2 JP02156193A JP2156193A JP3399570B2 JP 3399570 B2 JP3399570 B2 JP 3399570B2 JP 02156193 A JP02156193 A JP 02156193A JP 2156193 A JP2156193 A JP 2156193A JP 3399570 B2 JP3399570 B2 JP 3399570B2
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清 根橋
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【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンプレーティング
装置を含む真空蒸着装置に係わり、更に詳しくは、連続
真空処理設備において蒸着材料を蒸発又は昇華させて被
処理材に合金を蒸着させる装置に関する。
【0002】
【従来の技術】真空蒸着(vacuum deposition)は、真空
中で材料を加熱して蒸発又は昇華させ、蒸着材料を基板
(被処理材)の表面に凝固させて皮膜を作る成膜プロセ
スである。かかる成膜プロセスにおいて蒸着材料を加熱
するために例えば電子ビームを用い薄板状の連続した走
行基板に金属を蒸着させる連続真空蒸着装置が従来から
知られている。この連続真空蒸着装置は、2種以上の金
属の合金皮膜が容易にでき、かつ付着速度が大きい等の
多くの長所を有している。2種以上の合金皮膜を形成す
る従来の連続真空蒸着装置は、例えば特開平4−218
660号公報、及び特開平4−235272号公報に開
示されている。かかる従来の連続真空蒸着装置では、2
種の蒸着材料を収納した2つのルツボが走行基板の走行
方向に隣接して配置されていた。すなわち、従来の連続
真空蒸着装置では、図6及び図7に示すように、連続し
て走行する薄板帯状の走行基板9と、電子ビーム4を放
射する電子銃3と、蒸着材料A、Bを収容するルツボ6
a、6bと、走行基板及びルツボを内蔵し10-3〜10
-5torrに真空排気2された真空チャンバー1とを備
え、電子銃3により電子ビームを放射し、図示しない磁
界により電子ビーム4の方向を曲げてルツボ6a、6b
内の蒸着材料A、Bを加熱して蒸発又は昇華させ、蒸発
流7a、7bからなる合金流8を走行基板9の表面に凝
固させて合金皮膜を作るようになっている。また走行基
板はガイドローラ10を介して水平に走行する。かかる
連続真空蒸着装置により2種金属の合金皮膜を走行基板
状に形成することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】蒸着材料A、Bを収納
したルツボ6a、6bを走行基板9の走行方向に密接さ
せて配置してもルツボ6a、6bの中心間距離は相当大
きくなってしまう。例えば、通常のルツボ6a、6bの
中心間距離は200〜900mm程度となる。すなわ
ち、ルツボの壁厚は片側で20〜70mmあり(蒸着材
料やルツボ材料、使用温度により異なる)、内のり幅が
100mmの小さいルツボであってもルツボの中心間距
離は140〜240mmとなり、ルツボの内のり幅が2
00mm以上の通常のルツボでは、ルツボの中心間距離
は更に大きくなってしまう問題がある。従って、例え
ば、蒸着材料A、Bの蒸発速度の比率が各ルツボの中心
上で2:1になるように(図8参照)各ルツボの蒸発量
を制御しても、このルツボの中心間距離が大きいため、
走行基板9上の合金蒸着領域での蒸着速度の比率が走行
基板の位置により逐次異なってしまう問題点があった。
すなわち、図8において、ルツボ6aの中心ではAの蒸
発速度とBの蒸発速度の比率がほぼ2:1であるが、そ
の他の合金蒸着領域ではこの比率が異なっており、その
結果、厚さ方向に異なる合金皮膜が走行基板上に形成さ
れてしまう問題点がある。従って、走行基板9上に成膜
された膜質が走行基板の蒸着された位置により異なり、
必要な品質を十分満足できない問題点があった。また、
図8で示したように所望の合金比率が得られる領域は合
金蒸着領域の一部だけであるため、図9に示すように、
ルツボ6a、6bからの高さhを小さくすると(例えば
図でh3)、走行基板への蒸着歩留りは良い(走行基板9
の端部から外側に漏れる量が少ない)が、合金蒸着領域
が狭くなり、蒸着速度が速くなり、膜質が悪化する問題
点があった。そのため、従来の連続真空蒸着装置では、
図にh1 或いはh2 で示すように、走行基板の高さhを
大きくせざるを得なかったが、この結果蒸着歩留りが悪
化する(走行基板9の端部から外側に漏れる量が多い)
問題点があった。
【0004】本発明は上記種々の問題点を解決するため
に創案されたものである。すなわち、本発明は、合金蒸
着領域のいずれの位置においても合金の蒸着速度比率が
一定であり、厚さ方向にも均一の合金皮膜を走行基板上
に得ることができる連続真空蒸着装置を提供することを
目的とする。更に本発明は、ルツボからの走行基板の高
さに影響されることなく、均一の合金皮膜を走行基板上
に得ることができる連続真空蒸着装置を提供することを
目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空中
で複数のルツボから異なる複数の蒸着材料を蒸発又は昇
華させ、連続的に供給される走行基板の表面に合金膜を
形成させる連続真空蒸着装置において、複数の蒸着材料
を収納した前記複数のルツボは、走行基板の走行方向と
交差する方向にほぼ同一線上に、混在するように配置さ
れる、ことを特徴とする連続真空蒸着装置が提供され
る。本発明の好ましい実施例によれば、前記複数のルツ
ボは2種の蒸着材料を収納し、走行基板の走行方向とほ
ぼ直交する同一線上に配置され、かつ、2種の蒸着材料
を収納するルツボが交互に配置される。また、電子銃か
らの電子ビームが各ルツボに振り分けて照射され、かつ
走行基板の幅方向の蒸着速度が均一に分布するように、
各ルツボに投入する電子ビームのパワーが調整される、
ことが好ましい。
【0006】
【作用】上記、本発明の構成によれば、複数の蒸着材料
を収納した複数のルツボが、走行基板の走行方向と交差
する方向にほぼ同一線上に、混在するように配置される
ので、走行基板の走行方向のルツボの中心位置が実質的
に一致し、従来のようにルツボの中心間距離が大きくな
らない。従って、ルツボの中心で蒸発速度の比率を一定
に制御すれば、合金蒸着領域の全体にわたってこの比率
が維持され、その結果、厚さ方向にも均一の合金皮膜を
走行基板上に形成することができる。すなわち、走行基
板上に成膜された膜質は走行基板の蒸着された位置にか
かわらず均一であり、良質の蒸着皮膜を得ることができ
る。また、所望の合金比率が得られる領域が蒸着領域の
全域であるため、ルツボからの走行基板の高さhを小さ
くしても、合金蒸着領域は広く、従って蒸着速度を遅く
でき、膜質が悪化しない。これにより、ルツボからの走
行基板の高さに影響されることなく、均一の合金皮膜を
走行基板上に得ることができる。
【0007】
【実施例】以下に本発明の好ましい実施例を図面を参照
して説明する。図1は、本発明による連続真空蒸着装置
の全体構成図であり、図2は図1のC−C線における平
面図である。図1及び図2において、連続真空蒸着装置
は、連続して走行する薄板帯状の走行基板9と、電子ビ
ーム4を放射する電子銃3と、蒸着材料A、Bを収容す
るルツボ6a、6bと、走行基板及びルツボを内蔵し1
-3〜10-5torrに真空排気2された真空チャンバ
ー1とを備え、電子銃3により電子ビーム4を放射し、
図示しない磁界により電子ビーム4の方向を曲げてルツ
ボ6a、6b内の蒸着材料A、Bを加熱して蒸発又は昇
華させ、蒸発流7a、7bからなる合金流8を走行基板
9の表面に凝固させて合金皮膜を作るようになってい
る。また走行基板はガイドローラ10を介して水平に走
行する。かかる連続真空蒸着装置により2種金属の合金
皮膜を走行基板状に形成することができる。この構成
は、従来の連続真空蒸着装置と同様である。
【0008】本発明の連続真空蒸着装置において、複数
の蒸着材料を収納した前記複数のルツボ6a、6bは、
走行基板9の走行方向と交差する方向にほぼ同一線上
に、混在するように配置されている。すなわち、図1及
び図2において、複数のルツボ6a、6bが2種の蒸着
材料A、Bを収納しており、この複数のルツボ6a、6
bは走行基板9の走行方向とほぼ直交する同一線上に配
置され、かつ、2種の蒸着材料A、Bを収納するルツボ
6a、6bは交互に配置されている。なお、走行基板9
の走行方向に直角な方向の同一線上に蒸着材料AとBの
ルツボを交互に並べるのは、実用上A、Bの蒸着材料に
よって走行基板上の蒸着速度(例えばα/sec)の分
布が均一になるようにするためである。従って、A、
B、A、B、A、Bの順序でなくても良く、例えばAの
ルツボ6aの幅がなんらかの理由で小さい場合は、A、
A、B、A、A、B、A、A、B・・・の順序でも良
い。また、図1及び図2の例では蒸着材料はA、Bの2
種であるが、3種以上の場合でも同様である。合金化す
る材料が3種類の場合は、例えばA、B、C、A、B、
C、A、B、C、・・・の順序に互い違いに配置するの
がよい。更に、ルツボを並べる方向は走行基板9の走行
方向と90°(直交)に限定されず、斜めであっても良
い。
【0009】電子銃3からの電子ビーム4は各ルツボ6
a、6bに振り分けて照射する。この照射は、各ルツボ
6a、6bからの蒸着量、及び走行基板9の幅方向の蒸
着速度が均一に分布するように、各ルツボに投入する電
子ビームのパワーを調整する。なお、実際には電圧が一
定であるので、電流値、更に詳しくは各ビーム照射点の
電子ビームの滞在時間を調整する。なお、電子ビームに
よる加熱ではなく、抵抗加熱や誘導加熱による場合はル
ツボへのインプットパワー(入力電力)を調整する。
【0010】図3は本発明の連続真空蒸着装置による走
行基板上の蒸着速度分布を示す図である。ルツボ6a、
6bの中心が一致するため、蒸着材料A、Bの蒸発速度
の比率がルツボの中心上で2:1になるように各ルツボ
の蒸発量を制御すれば、走行基板9上の合金蒸着領域で
の蒸着速度の比率は走行基板の位置にかかわらず一定と
なる。すなわち、図3において、ルツボ6a、6bの中
心でAの蒸発速度とBの蒸発速度の比率がほぼ2:1で
あり、その他の合金蒸着領域でもこの比率が保持されて
いる。従って、厚さ方向にも均一の合金皮膜を走行基板
上に形成することができる。また、走行基板9上に成膜
された膜質が走行基板の蒸着された位置にかかわらず一
定であり、必要な品質を十分満足することができる。
【0011】図4は、本発明による連続真空蒸着装置に
おける電子ビームによる蒸発の強さ(A)と、この場合
の蒸着レイト(速度)(B)を示しており、図5は従来
の連続真空蒸着装置における同様の図を示している。従
来の図5において、例えばA材料が収納されている80
0mm幅のルツボに(A)で示したパターン(照射位置
及び蒸発の強さの比率)になるように電子ビームを調整
すると、ルツボ直上、450mmの基板上の蒸着速度分
布(B)が得られる。B材料のルツボは蒸発の強さが所
定の合金比となにように全体の比率を変える。本発明の
図4では、A材料、B材料のルツボが交互に配置されて
いるため、例えばA材料では、ルツボ全長が同一の長さ
の場合、A材料のビーム照射点がほぼ1/2になる。し
かし、図のように電子ビームを調整することにより、蒸
着レイト(速度)分布(従って膜厚分布)は所定の範囲
内(例えば平均±5%以内)にすることができる。B材
料も同様にする。すなわち、図4(B)と図5(B)の
比較から明らかなように、複数のルツボを互い違いに配
置した場合でも、上述した電子ビームの調整により鋼板
への蒸着使用範囲の全体にわたりほぼ均一の膜厚分布を
得ることができる。
【0012】なお、イオンプレーティングの場合(図示
せず)は、図1における蒸発流7a、7bにイオン化プ
ローブ法、高周波法、等により電子を衝突させイオン化
させて一部の蒸発流7a、7bをイオン化し、走行基板
9に負の電圧を印加させ、イオン化された蒸発流7a、
7bを引き寄せて成膜させる。また蒸発流7a、7bの
近傍に反応性ガス(例えば窒素(N2 )や酸素(O2
を導入し、併せてイオン化させ、蒸発流7a、7bと共
に、走行基板上に成膜させることにより、通常の湿式め
っきでは扱えなかった窒化物、炭化物、酸化物などの蒸
着も可能である。
【0013】上述したように、本発明によれば、複数の
蒸着材料を収納した複数のルツボが、走行基板の走行方
向と交差する方向にほぼ同一線上に、混在するように配
置されるので、走行基板の走行方向のルツボの中心位置
が実質的に一致し、従来のようにルツボの中心間距離が
大きくならない。従って、ルツボの中心で蒸発速度の比
率を一定に制御すれば、合金蒸着領域の全体にわたって
この比率が維持され、その結果、厚さ方向にも均一の合
金皮膜を走行基板上に形成することができる。すなわ
ち、走行基板上に成膜された膜質は走行基板の蒸着され
た位置にかかわらず均一であり、良質の蒸着皮膜を得る
ことができる。また、所望の合金比率が得られる領域が
蒸着領域の全域であるため、ルツボからの走行基板の高
さhを小さくしても、合金蒸着領域は広く、蒸着速度を
遅くでき、膜質が悪化しない。従って、ルツボからの走
行基板の高さに影響されることなく、均一の合金皮膜を
走行基板上に得ることができる。
【0014】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、走行
基板上の合金蒸着領域におけるA材料とB材料の蒸着速
度の比率をいずれの場所においても同一とすることがで
きるため、膜質が均一な蒸着処理基板(例えば鋼板)が
得られ実用に足ることができる。また、ルツボを走行基
板9の走行方向に複数(2個)並べる必要がないので、
その分真空チャンバー1のサイズを小さくできる。この
ことは、真空チャンバーの真空排気ポンプも小さくする
ことができ、設備費の低減、ランニングコストの低減、
ひいては蒸着処理品のコストを低減できる。更に、走行
基板上の合金化比率は走行方向のいずれの場合において
も同比率となるため、合金蒸着領域を広く取れる。この
ことは生産性アップにつながり、蒸着処理のコストを更
に下げることができる。更に重要なことは、合金の比率
が極めて厳しい(許容される合金化の比率が極めて狭い
範囲に限定される)場合でも、本発明により広い合金蒸
着領域で蒸着が可能となる。これにより、合金化比率の
許容範囲が狭いため従来実質上不可能であった合金も成
膜することができる。更に、膜質は一般に蒸着速度が早
くなれば悪くなるが合金蒸着領域が広いため、従来と同
じ走行基板9の走行速度でも蒸着速度(成膜速度)を遅
くすることができ、膜質を大幅に向上させることができ
る。更に、合金蒸着領域が従来例より広くなるため、従
来と同一蒸着速度(成膜速度)が必要な場合であっても
ルツボ〜走行基板間の距離を小さくでき、これによって
蒸着歩留りを向上でき、生産コストを下げることができ
る。走行基板9の端部(ルツボの両端部)より外側への
蒸発流分の無効蒸着量はルツボ〜走行基板間距離が短い
方が良い。更に、走行基板9の走行方向の無効蒸着量も
合金蒸着領域が広くなった分減り、生産コストの低下、
チャンバー壁や遮蔽板11に付着した蒸着物の除去作業
の重労働も軽減される。
【0015】従って要約すれば、本発明による連続真空
蒸着装置により、合金蒸着領域のいずれの位置において
も合金の蒸着速度比率が一定であり、厚さ方向にも均一
の合金皮膜を走行基板上に得ることができ、かつ、ルツ
ボからの走行基板の高さに影響されることなく、均一の
合金皮膜を走行基板上に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による連続真空蒸着装置の全体構成図
である。
【図2】 図1のC−C線における平面図である。
【図3】 本発明の連続真空蒸着装置における走行基板
の位置と蒸着速度との関係を示す図である。
【図4】 本発明による連続真空蒸着装置における電子
ビームによる蒸発の強さ(A)と、この場合の鋼板上の
蒸着レイト(速度)(B)とを示す図である。
【図5】 従来の連続真空蒸着装置における図4と同様
の図である。
【図6】 従来の連続真空蒸着装置の全体構成図であ
る。
【図7】 図6のD−D線における平面図である。
【図8】 従来の連続真空蒸着装置における走行基板の
位置と蒸着速度との関係を示す図である。
【図9】 ルツボと走行基板間の距離が諸特性に及ぼす
影響を示す図である。
【符号の説明】
1 真空チャンバー 2 真空排気 3 電子銃 4 電子ビーム 6 ルツボ 6a 蒸着材料Aを収納するルツボ 6b 蒸着材料Bを収納するルツボ 7a 蒸着材料Aの蒸発流 7b 蒸着材料Bの蒸発流 8 蒸着材料AとBの各々の蒸発流が混合している領域 9 走行基板 10 ガイドローラ 11 遮蔽板 12 走行基板レベル上の蒸着速度分布 12a 走行基板レベル上の蒸着材料Aの蒸着速度分布 12b 走行基板レベル上の蒸着材料Bの蒸着速度分布 A、B 蒸着材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 14/00 - 14/58

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空中で複数のルツボから異なる複数の
    蒸着材料を蒸発又は昇華させ、連続的に供給される走行
    基板の表面に合金膜を形成させる連続真空蒸着装置にお
    いて、 複数の蒸着材料を収納した前記複数のルツボは、走行基
    板の走行方向と交差する方向にほぼ同一線上に、混在す
    るように配置される、ことを特徴とする連続真空蒸着装
    置。
  2. 【請求項2】 前記複数のルツボは2種の蒸着材料を収
    納し、走行基板の走行方向とほぼ直交する同一線上に配
    置され、かつ、2種の蒸着材料を収納するルツボが混在
    するように配置される、ことを特徴とする請求項1に記
    載の連続真空蒸着装置。
  3. 【請求項3】 電子銃からの電子ビームが各ルツボに振
    り分けて照射され、かつ走行基板の幅方向の蒸着速度が
    均一に分布するように、各ルツボに投入する電子ビーム
    のパワーが調整される、ことを特徴とする請求項1に記
    載の連続真空蒸着装置。
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