JP4972514B2 - 真空アーク蒸着源を用いたフィルム上への微粒子形成装置 - Google Patents
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Description
従来、ポリマフィルム上への微粒子の形成方法としては、エアロゾルデポジションやレーザアブレーション法がある。
例えば、特許文献1には、セラミック材料のエアロゾルを発生させ、分級あるいは解砕によりエアロゾル中の二次粒子を排除した後に、一次粒子あるいはそれに準じる粒径の粒子のみを基板上に吹き付けることにより、焼成させることなく高密度の緻密質のセラミック構造を基板上に得ることが開示されている。
例えば、特許文献2には、レーザ光導入窓を有する真空チャンバと、真空チャンバの外部に設けられたレーザ光を発振するレーザ発振器と、真空チャンバの内部に設けられレーザ光導入窓を通してレーザ光が照射されるターゲットと、ターゲットから飛び出した粒子の飛来する位置に配置される基板を取り付ける基板取付け手段を設けたレーザアブレーション成膜装置が開示されている。
レーザアブレーション装置201の真空槽202は円筒状をしている。
また、レーザアブレーション装置201は、フィルム走行装置203、レーザユニット207、真空排気系209、ターゲット211、ターゲット回転機構272を有する。
また、スキャンすることで成膜レートが減少し、フィルム幅が1m程度にまでなると生産速度が遅くなりすぎて、量産を考えたとき現実的な方法ではなくなる。
被蒸着材料であるフィルムを走行させるフィルム走行手段と、
前記真空アーク蒸着源をパルス駆動する制御手段とを備え、
前記真空アーク蒸着源をフィルムの走行方向に対して交差するように複数配列したことを特徴とする微粒子形成装置。」によって解決される。
蒸着材料のガスを所望の流速、濃度に調整し易いため、良質の微粒子の形成が可能となる。
まず、本発明の第1の実施の形態の触媒担持用同軸型真空アーク蒸着源5を用いた微粒子形成装置1について図3〜5に基いて説明する。
蒸着を行う真空雰囲気を維持するための真空槽2内に、蒸着対象であるフィルム4を蒸着源5の出射口の前方を走行させるようにフィルム走行装置3を配置する。蒸着源5をパルス駆動して蒸着材料を気化させ、フィルム走行装置3によって走行するフィルム4の表面に蒸着させて微粒子を形成させるというものである。
また、蒸着源5において蒸着材料を気化するために電源装置6を用いて蒸着源5に必要な電力を供給する。
以下、各構成要素を詳細に説明する。
フィルム4は、PETやポリイミド・ポリアミド等様々である。
同軸型真空アーク蒸着源5は、円筒状をした蒸着材料11が用いられている。蒸着材料11は、カソード電極12の先に取り付けられている。蒸着材料11としては白金を用いた。なお、蒸着材料には、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム等がある。
また、絶縁碍子14はハット形状をしている(以降、ハット型碍子と呼ぶ)。材質はアルミナが用いられている。
トリガ電極13は円筒状をしており、材質はステンレスである。
また、アノード電極23とカソード電極12は同心円状に取り付けられている。アノード電極23は円筒状をしており、材質はステンレスで出来ている。このアノード電極23の外径は約30mmである。
図1は、要部の斜視図である。
図2は、平面図である。
図2に示すように、同軸型真空アーク蒸着源5a〜5eを直線状に配列した場合、フィルムの幅に対応させる横方向の寸法は150mmになる。
図1は、フィルム4と同軸型真空アーク蒸着源5a〜5eの関係を示す要部の斜視図である。特に図示しないが、フィルム4の上方にキャン85がある。
すなわち、ここでは理解を容易にするため、キャン85は除いた状態で表している。また、キャン85がローラであることによるフィルム4の湾曲も考慮せず、真っ直ぐに表している。
なお、フィルム4の走行方向を矢印で示す。また、図中に簡易に電気的な配線図を記載している。同軸型真空アーク蒸着源5a〜5eに対して、各々電源装置6a〜6eが接続され、これら電源装置6a〜6eは、放電コントローラ65の制御を受けるようになっている。
そして、キャン85の下面と蒸着材料11の先端の距離tsは約160mmである。
コンデンサユニット33は、1つの容量が2200μF、耐圧100vのコンデンサを4つ並列に接続されている。
アーク電源32は、100V 数Aの容量の直流電源であり、8800μFのコンデンサユニット33を充電する。充電時間は約1秒を必要とする。本システムでは、8800μFのコンデンサユニット33が放電を繰り返すことによりパルス駆動する。最短の場合、周期は1Hzで行われる。
コンデンサユニット33の両端子はそれぞれ、アーク電源32のプラス及びマイナス端子間に接続されている。
ターボ分子ポンプ51からロータリポンプ53までは金属製の真空配管で接続されており、真空槽2内の真空排気を行っている。真空排気を行うことで真空槽2内は10-5Pa以下に保たれている。
コンデンサユニット33には、アーク電源32により100Vで電荷を充電しておく。
ここで、コンデンサユニット33は、8800μFとする。トリガ電極13にトリガ電源31からの3.4kVのトリガパルスを印加し、カソード電極12側の蒸着材料11とトリガ電極13の間に、ハット型碍子14を介して印加することで、ハット型碍子14表面で沿面放電が発生し、蒸着材料11とアノード電極23との間でコンデンサユニット33に蓄電された電荷が放電され、蒸着材料11に多量の電流が流入し、白金で成る蒸着材料11が液相から気相、さらに白金のプラズマが形成される。
しかし、蒸着中はイオンがフィルム4上に降り注ぐため、フィルム4の表面にイオンの電荷が滞留してチャージアップする恐れがある。チャージアップすると、後から来た白金のイオンに対しては、反発力が生じるため、白金の微粒子の形成レートを下げることとなる。
本発明の第2実施の形態の微粒子形成装置は、図3の微粒子形成装置1において、同軸型真空アーク蒸着源5の代わりに直線型アーク蒸着源90を用いたものである。
図9は、平面図である。
図9に示すように、直線型真空アーク蒸着源90は、平板状のトリガ電極93a、93bとカソード電極92の先に取り付けられている平板状の蒸着材料91が平板状の絶縁碍子94a、94bと隣接して固定され、前記カソード電極92の先に取り付けられている平板状の蒸着材料91に対向して平板状のアノード電極95が配置される直線配置の真空アーク蒸着源である。
従って、対応する符号をそれぞれ読み替えれば、微粒子形成装置の断面図は、図3の微粒子形成装置1と同じである。
また、図9に示すように、直線型真空アーク蒸着源90a〜90eを直線状に配列した場合、隣接させて配置し易いことは明白である。
図8には、フィルム4と直線型真空アーク蒸着源90a〜90eの関係を示す。特に図示しないが、フィルム4の上方にキャン85がある。
すなわち、ここでは理解を容易にするため、キャン85は除いた状態で表している。また、キャン85がローラであることによるフィルム4の湾曲も考慮せず、真っ直ぐに表している。なお、フィルム4の走行方向を矢印で示す。
また、図中に簡易に電気的な配線図を記載している。直線型真空アーク蒸着源90a〜90eに対して、各々電源装置6a〜6eが接続され、これら電源装置6a〜6eは、放電コントローラ65の制御を受けるようになっている。
金属材料を蒸着する真空アーク蒸着源と、
被蒸着材料であるフィルムを走行させるフィルム走行手段と、
前記真空アーク蒸着源をパルス駆動する制御手段とを備え、
前記真空アーク蒸着源をフィルムの走行方向に対して交差するように複数配列している。
ここで、フィルムは、フィルム走行手段によって、走行する間に蒸着され、その上に微粒子を連続して形成することが可能となる。
さらに、真空アーク蒸着源として、同軸型真空アーク蒸着源を用いた場合は、放電の制御性が良いのでガスを所望の流速、濃度をより正確に調整することが可能となる。
さらに、複数個の真空アーク蒸着源の配列が直線状であり、フィルムの走行方向に対して垂直に配列させたことにより、複数の蒸着源を最も短い距離で交差できるので蒸着源の利用効率が良い。
さらに、キャンがアースされていることにより、蒸着時に照射されフィルム上にチャージした電荷の滞留を抑制されるので、早い形成レートを維持することができる。
また、直線型真空アーク蒸着源を用いた場合は、さらに、複数個を隣接させて並べるのに適しているので、蒸着ガスをより均一化し易い。
さらに、電荷の滞留を抑制したので、微粒子の形成レートを維持できる。
その結果、本発明の実施の形態の微粒子形成装置は、フィルム上に、早い形成レートで、かつ、連続して均一化された良質の微粒子を形成可能となった。
しかし、それに限らず、フィルムに対しで交差していれば蒸着は可能である。
例えば、傾斜して交差させ、個々の蒸着源のカバーする範囲を重なるようにすれば、真空アーク蒸着源の利用効率は多少低下するが、蒸着材料ガスの均一化には良好となる。
すなわち、真空アーク蒸着源各々等間隔のパルス放電を行なえば、蒸着材料のガスの濃度を均一に保つことが可能である。
11・・・蒸着材料、12・・・カソード電極、13・・・トリガ電極、14・・・ハット型碍子(絶縁碍子)、16・・・スリーブ、17・・・スリーブ押さえ、17a・・・上側スリーブ押さえ、17b・・・下側スリーブ押さえ、19・・・ステージ、
21・・・トリガ配線、23・・・アノード電極、24・・・カソード配線、25・・・アノード配線、31・・・トリガ電源、32・・・アーク電源、33・・・コンデンサユニット、
41・・・ガス供給源、42・・・仕切りバルブ、
51・・・ターボ分子ポンプ、52・・・仕切バルブ、53・・・ロータリポンプ、54・・・調整バルブ、
81・・・送り出しロール、82・・・巻き取りロール、83・・・送出ローラ(送出機構)、84・・・巻取ローラ(巻取機構)、85・・・キャン、86・・・アース線、
90・・・直線型真空アーク蒸着源、90a〜90e・・・直線型真空アーク蒸着源、91・・・蒸着材料、92・・・カソード電極、93・・・トリガ電極、94・・・絶縁碍子、95・・・アノード電極、
101・・・エアロゾルデポジション装置(蒸着装置)、102・・・真空槽(成膜槽)、103・・・XYZθステージ、104・・・基板、105・・・エアロゾル発生源、109・・・真空排気系、
151・・・メカニカルブースタポンプ、153・・・ロータリポンプ、
181・・・高圧ガス源、182・・・マスフロー制御器、183・・・エアロゾル発生器、184・・・解砕器、185・・・分級器、186・・・ノズル、187・・・粒子ビーム濃度測定器、188・・・光センサー、188a・・・発光器、188b・・・受光器、
201・・・レーザアブレーション装置(蒸着装置)、202・・・真空槽、203・・・フィルム走行装置、204・・・フィルム、207・・・レーザユニット、208・・・ガス供給系、209・・・真空排気系、
211・・・ターゲット、211a・・・粒子流、
251・・・ターボ分子ポンプ、252・・・仕切りバルブ、253・・・ロータリポンプ、254・・・調整バルブ、
272・・・回転機構、
281・・・送り出しロール、282・・・巻き取りロール、283・・・送出ローラ(送出機構)、284・・・巻取ローラ(巻取機構)、285・・・キャン、
291・・・レーザ光源、292・・・ミラー、293・・・窓(レーザ入射窓)、
Claims (5)
- 金属材料を蒸着する真空アーク蒸着源と、
被蒸着材料であるフィルムを走行させるフィルム走行手段と、
前記真空アーク蒸着源をパルス駆動する制御手段とを備え、
前記真空アーク蒸着源をフィルムの走行方向に多段に、かつフィルムの走行方向に対して交差するように複数配列したことを特徴とする微粒子形成装置。 - 前記真空アーク蒸着源が、同軸型真空アーク蒸着源であることを特徴とする請求項1に記載の微粒子形成装置。
- 前記複数個の真空アーク蒸着源の配列が直線状の配列であり、フィルムの走行方向に対して垂直に配列したことを特徴とする請求項2に記載の微粒子形成装置。
- 前記真空アーク蒸着源が、平板状のトリガ電極と平板状のカソード電極が平板状の絶縁碍子と隣接して固定され、前記平板状のカソード電極に対向して平板状のアノード電極が配置される直線配置の真空アーク蒸着源であることを特徴とする請求項1に記載の微粒子形成装置。
- 前記フィルムの走行案内及び冷却をするキャンを備え、前記キャンが前記フィルム上にチャージした電荷の滞留を抑制する手段を具備したことを特徴とする請求項1に記載の微粒子形成装置。
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