JP4868592B2 - 合金ナノ粒子作製方法、合金薄膜作製方法及び同軸型真空アーク蒸着装置 - Google Patents
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Description
また、前記一方の同軸型真空アーク蒸着源において、前記一方の同軸型真空アーク蒸着源として白金で少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源を用い、前記他方の同軸型真空アーク蒸着源としてルテニウムで少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源を用い、白金−ルテニウム合金ナノ粒子を作製することができる。
11 真空チャンバ 12 基板ステージ
13 回転駆動手段 14 加熱手段
15 同軸型真空アーク蒸着源 15a カソード電極
15b アノード電極 15c トリガ電極
15d 絶縁碍子 15e トリガ電源
15f アーク電源 15g 直流電圧源
15h コンデンサユニット 16 ガス導入系
16a、16c バルブ 16b マスフローコントローラー
16d ガスボンベ 17 真空排気系
17a、17c バルブ 17b ターボ分子ポンプ
17d ロータリーポンプ 18 コントローラ
19 CPU 20 遅延ユニット
Claims (11)
- 少なくとも2つの同軸型真空アーク蒸着源の各トリガ電極と各アノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、異なる蒸着用金属材料で少なくとも先端部が構成された各カソード電極と各アノード電極との間にアーク放電を発生させる際に、前記少なくとも2つの蒸着源によるアーク放電を同時発生させ、前記各カソード電極を構成する異なる金属材料から生成する金属ナノ粒子を真空チャンバ内へ同時放出せしめ、処理基板上に合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 円筒状のトリガ電極と蒸着用金属材料で少なくとも先端部が構成された円柱状又は円筒状のカソード電極とが、円筒状の絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定されており、前記カソード電極の周りに同軸状に円筒状のアノード電極が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源を少なくとも2つ、蒸着源として備えた真空チャンバからなる同軸型真空アーク蒸着装置であって、各カソード電極を構成する金属材料がそれぞれ異なるものであり、蒸着金属が処理基板に対して斜入射できるように前記蒸着源を配置してなる同軸型真空アーク蒸着装置を用い、各蒸着源のトリガ電極とアノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、カソード電極とアノード電極との間にアーク放電を発生させる際に、前記少なくとも2つの蒸着源によるアーク放電を同時発生させ、前記各カソード電極を構成する異なる金属材料から生成する金属ナノ粒子を真空チャンバ内へ同時放出せしめ、処理基板上に合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 請求項1又は2記載の同軸型真空アーク蒸着源として、白金で少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源と、ルテニウムで少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源との2つを用い、白金−ルテニウム合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 請求項1又は2記載の同軸型真空アーク蒸着源として、カーボンで少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源と、タングステンで少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源との2つを用い、タングステン−カーボン合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 請求項1又は2記載の同軸型真空アーク蒸着源を2つ用い、一方の同軸型真空アーク蒸着源を、充電コンデンサ容量500μF〜2000μF、放電電圧100V〜400Vで動作させ、他方の同軸型真空アーク蒸着源を、充電コンデンサ容量2000μF〜9000μF、放電電圧60V〜100Vで動作させ、処理基板上に合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 請求項5記載の同軸型真空アーク蒸着源において、前記一方の同軸型真空アーク蒸着源として白金で少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源を用い、前記他方の同軸型真空アーク蒸着源としてルテニウムで少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源を用い、白金−ルテニウム合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 請求項5記載の同軸型真空アーク蒸着源において、前記一方の同軸型真空アーク蒸着源としてカーボンで少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源を用い、前記他方の同軸型真空アーク蒸着源としてタングステンで少なくとも先端部が構成されたカソード電極を備えた蒸着源を用い、タングステン−カーボン合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の少なくとも2つの同軸型真空アーク蒸着源のうち、アーク放電の発生開始時点の早い蒸着源のトリガ電極に、遅延回路から遅延信号を送り、これにより、このトリガ電極のトリガ放電の発生開始時点のタイミングをずらすと共に、アーク放電の発生開始時点のタイミングをずらし、それぞれの蒸着源によるアーク放電を同期させ、処理基板上で同時に各金属ナノ粒子の衝突が起こるようにして、処理基板上に合金ナノ粒子を作製することを特徴とする合金ナノ粒子作製方法。
- 少なくとも2つの同軸型真空アーク蒸着源の各トリガ電極と各アノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、異なる蒸着用金属材料で少なくとも先端部が構成された各カソード電極と各アノード電極との間にアーク放電を発生させる際に、前記少なくとも2つの蒸着源によるアーク放電を同時発生させ、前記各カソード電極を構成する異なる金属材料から生成する金属ナノ粒子を真空チャンバ内へ同時放出せしめ、処理基板上に合金ナノ粒子を積層した合金薄膜を作製することを特徴とする合金薄膜作製方法。
- 円筒状のトリガ電極と蒸着用金属材料で少なくとも先端部が構成された円柱状又は円筒状のカソード電極とが、円筒状の絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定されており、前記カソード電極の周りに同軸状に円筒状のアノード電極が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源を少なくとも2つ、蒸着源として備えた真空チャンバからなる同軸型真空アーク蒸着装置であって、各カソード電極を構成する金属材料がそれぞれ異なるものであり、蒸着金属が処理基板に対して斜入射できるように前記蒸着源を配置してなる同軸型真空アーク蒸着装置を用い、各蒸着源のトリガ電極とアノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、カソード電極とアノード電極との間にアーク放電を発生させる際に、前記少なくとも2つの蒸着源によるアーク放電を同時発生させ、前記各カソード電極を構成する異なる金属材料から生成する金属ナノ粒子を真空チャンバ内へ同時放出せしめ、処理基板上に合金ナノ粒子を積層した合金薄膜を作製することを特徴とする合金薄膜作製方法。
- 円筒状のトリガ電極と蒸着用金属材料で少なくとも先端部が構成された円柱状又は円筒状のカソード電極とが、円筒状の絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定されており、前記カソード電極の周りに同軸状に円筒状のアノード電極が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源を少なくとも2つ、蒸着源として備えた真空チャンバからなる同軸型真空アーク蒸着装置であって、各カソード電極を構成する金属材料がそれぞれ異なるものであり、蒸着金属が処理基板に対して斜入射できるように前記蒸着源を配置してなり、前記トリガ電極用の各トリガ電源にトリガ放電の発生開始時点のタイミングをずらすための遅延回路を備えた遅延ユニットを接続してなることを特徴とする同軸型真空アーク蒸着装置。
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