JPH04191360A - 蒸着方法及びその装置 - Google Patents

蒸着方法及びその装置

Info

Publication number
JPH04191360A
JPH04191360A JP31792090A JP31792090A JPH04191360A JP H04191360 A JPH04191360 A JP H04191360A JP 31792090 A JP31792090 A JP 31792090A JP 31792090 A JP31792090 A JP 31792090A JP H04191360 A JPH04191360 A JP H04191360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
vapor deposition
sheet
substrate
hearth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31792090A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Mihashi
善之 三橋
Yasuyuki Kiyama
来山 泰幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP31792090A priority Critical patent/JPH04191360A/ja
Publication of JPH04191360A publication Critical patent/JPH04191360A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野〕 この発明は、蒸着方法及びその装置に係り、特に、プラ
ズマを利用して大面積の板状部材に均一被膜を形成する
上で有効な蒸着方法及びこれを用いて連続生産を可能と
した蒸着装置に関する。
〔従来の技術〕
一般に、被膜形成対象物に均一被膜を形成する手法とし
ては、所定の真空環境に保持される蒸着処理炉内のハー
ス上の蒸発原料を蒸発させ、被膜形成対象物に被膜を付
着させるという真空蒸着技術が広く採用されている。
このような真空蒸着技術においては、膜質を改善する上
でホローカソード法や高周波励起法が導入され、グロー
放電によるプラズマ流に基づく蒸着被膜か通常行われて
いる。
〔発明か解決しようとする課題: ところが、このような手法にあっては、建築用ビルの窓
ガラス、自動車用ガラス、大型デイスプレィ用ガラス等
の大面積基板に対し、効率良く、しかも、高品質の被膜
を蒸着するのは困難であった。
すなわち、例えば、ホローカソード法では、カソード部
がプラズマにさらされるため、カソード部か溶融したり
、変形したりしてしまい、安定した連続蒸着を行うこと
が難しいばかりか、生成されたイオンがカソード側へ逆
流する可能性もあり、長時間大電力放電を安全に行うこ
とも難しいという技術的課題がある。
一方、高周波励起法では、放電を起こすのにリング状の
アンテナ等を用い、かつ、バイアスをかけるために被膜
形成対象となる基板側に金属板等を配置する必要もあり
、大面積範囲で−様な放電領域を作ることが難しくなっ
てしまうばかりか、放電は真空処理炉内のガス圧力に影
響されるために、放電か不安定であり、大面積基板に連
続して安定な蒸着を高速で行うことは難しいという問題
がある。
このような技術的課題を解決するために、本件出願人は
、アーク放電によって発生したアーク放電プラズマ流を
横方向においてシート状に変形させた後、該シート状プ
ラズマの下方に置かれた蒸発原料ハース上に上記シート
プラズマを屈曲させて導き、蒸発原料を蒸発させ、該蒸
発原料の上方に置かれた被膜形成対象物である基板に被
膜を形成するようにした技術を既に提供している(時開
1平2−101160号公報参照)。
しかしながら、このようなタイプにあっては、被膜形成
対象物である基板が大型化してくると、その分だけ、蒸
着処理炉の設置スペースが嵩み、装置が大型化してしま
うという技術的課題が生ずる。
この発明は、以上の技術的課題を解決するためになされ
たものであって、固体状態の昇華性蒸発原料に着目し、
蒸着処理炉の設置スペースを抑えなから、大面積の板状
部材が被膜形成対象物であるとしても、この大面積の板
状部材に連続して安定な蒸着を高速で行うことか可能な
蒸着方法及びその装置を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
すなわち、この発明に係る蒸着方法は、第1図(a)に
示すように、蒸着処理炉1内の蒸着処理ステージSの近
傍に縦方向に延びる昇華性蒸発原料5を予め設置してお
き、プラズマガン4からのアーク放電プラズマ流Pを縦
方向にてシート状に変形させた状態で上記昇華性蒸発原
料5へ導き、昇華性蒸発原料5を蒸発させ、上記蒸着処
理ステージSに縦置き配置された被膜形成対象となる基
体2面に蒸発粒子5aによる被膜を形成するようにした
ことを特徴とするものである。
また、このような方法発明を具現化する装置発明は、例
えば第1図(b)に示すように、蒸着処理炉1と、被膜
形成対象となる基体2が略垂直状態で保持され、上記蒸
着処理炉l内の蒸着処理ステージSに基体2を順次搬送
する搬送キャリア3と、蒸着処理ステージS内に向かう
アーク放電プラズマ流Pか生成される1若しくは複数の
プラズマカン4と、蒸着処理ステージSの近傍にて縦方
向に延びる昇華性蒸発材料5が収容され、アーク放電の
アノードとなるハース6と、上記プラズマカン4から生
成されるプラズマ流Pを縦方向においてシート状に変形
させるジ−プラズマ形成手段7と、このシートプラズマ
案内手段7にて形成されたシートプラズマPsをハース
6側へ導くシートプラズマ案内手段8とを備え、ハース
6内の昇華性蒸発材料5を蒸発させて蒸着処理ステージ
Sに位置する基体2面に蒸発粒子5aによる被膜を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
このような技術的手段において、方法発明の蒸着処理炉
1としては、静止状態の基体2を蒸着するタイプであっ
てもよいし、基体2を搬入搬送しながら蒸着する所謂イ
ンライン型のものであってもよいが、蒸着作業効率及び
蒸着被膜の厚みの均一性を高めるという観点からすれば
、上記インライン型のものが好ましい。この場合におい
て、蒸着処理炉l内の真空度は10−3Torr程度若
しくはそれ以下に保たれるのか好ましい。
そして、上記蒸着処理炉1へ導入される放電ガスとして
は、特に限定されないか、A r、 He等の不活性カ
スが好ましい。また、蒸着処理炉1内のガス雰囲気は、
かかるAr等の不活性ガスの他に反応ガスとして02N
2等を添加するようにしてもよい。
また、蒸着被膜を形成する基体2としては、カラス、プ
ラスチック、金属等素材的に限定されるものではないが
、基体2としては特に加熱する必要がないので、1耐熱
性の低いもの、例えばプラスチックの板又はフィルム、
予め有機高分子膜を有するガラス板、例えばカラーフィ
ルタ膜を有する液晶カラーデイスプレィ用ガラス基板等
にも充分適用することができる。
更に、搬送キャリア3としては、少なくとも基体2の保
持部が設けられた垂直ベースを有し、蒸着処理ステージ
Sにて所定の蒸着処理を行えるものであれば適宜設計変
更することができる。この場合において、垂直ベースや
保持部の数、配置については適宜設計変更して差し支え
ない。
そして、搬送キャリア3の駆動搬送手段については、通
常、適宜駆動源からの駆動力をチェーンやギア等の駆動
伝達系を用いて搬送キャリア3に直接的に伝達するもの
が用いられるが、駆動搬送手段側からのダストの発生を
抑えるという観点からすれば、磁気浮上型のりニアモー
タ搬送系等を利用して搬送キャリア3を非接触搬送する
ように設計することが好ましい。
更にまた、プラズマガン4の数や配設ピッチについては
、被膜形成対象となる基体2の大きさやシートプラズマ
生成手段7の能力に応じて適宜選択することができる。
この場合において、上記プラズマガン4の配設部位とし
ては、蒸着処理炉1の上下方向に沿って一個又は複数個
配設すればよいが、基体2の蒸着被膜の均一性を高める
という観点からすれば、蒸着処理炉lの相対向する部位
にプラズマガン4を一個又は複数個配設し、−刃側のプ
ラズマガン4のビーム中心と他方側のプラズマガン4の
ビーム中心とを交互に配置するようにすることが好まし
い。
また、プラズマガン4の取付けについては、蒸着処理炉
1の外部、内部のいずれに取付けてもよいが、プラズマ
ガン4の交換作業性を考慮すると、蒸着処理炉lの外部
に仕切りバルブを介してプラズマガン4を着脱自在に取
付けるようにすることが好ましい。
そしてまた、プラズマガン4の具体的構成としては、ア
ノード(通常ハース6が兼ねている)との間でアーク放
電を起こし、「アーク放電プラズマ流Pを生成し得るも
のであれば適宜選択して差し支えないが、複合陰極型プ
ラズマガン、圧力勾配型プラズマガンあるいは両者を組
み合わせたもの(真空第25巻第10号参照)。
ここで、複合陰極型プラズマガンは、熱容量の小さいW
、Ta、MO等の高融点金属からなるコイル状又はパイ
プ状の補助陰極と、La B6からなる主陰極とを有し
、上記補助陰極に初期放電を集中させ、それを利用して
主陰極を加熱し、主陰極か最終陰極としてアーク放電を
行うようにしたものであり、補助陰極か2,500℃以
上の高温になって寿命に影響する以前に主陰極か1,5
00〜1,800℃に加熱されて大電子流放出か可能な
状態になり、補助陰極のそれ以上の温度上昇か回避され
るという利点を有する。
また、圧力勾配型プラズマガンは、陰極と陽極との間に
中間電極を介在させ、陰極領域をI Torr程度に、
一方、陽極領域を10−3Torr程度に保って放電を
行うものであり、陽極領域からのイオン逆流による陰極
の損傷がない上に、中間電極のない放電形式に比べて、
放電電子流を作り出すためのキャリアガスのガス効率が
飛躍的に高く、大電流放電が可能であるという利点を有
する。
このため、上述した複合陰極型プラズマガンと圧力勾配
型プラズマガンとを組み合わせたプラズマガンを構成す
るようにすれば、上述した利点を同時に得ることができ
るのでこの発明のプラズマカンとして大変好ましい。
また、この発明において使用される昇華性蒸発原料5と
しては、昇華性を有する棒状ブロックの固体蒸発原料で
あればよく、例えば、金属、合金、これらの酸化物、硼
化物、炭化物、珪化物、窒化物あるいはこれらのうちの
−若しくは二種類以上を含む混合物からなるものを使用
することができる。そして、特に限定されるものではな
いか、所定の金属酸化物からなる蒸発原料を用いるよう
にすれば、低抵抗の高透過率の透明導電膜(例えば錫を
含む酸化インジウム膜、アンチモンを含む酸化錫膜、ア
ルミニウムを含む酸化亜鉛膜等)を得ることが可能にな
る。
また、ハース6については、少なくとも棒状ブロックの
昇華性蒸発原料5が縦方向において収容され、基体2に
対する成膜領域に略対応した範囲で蒸発原料5が蒸発可
能なものであれば適宜設計変更して差し支えない。この
場合において、ハース6内に収容される昇華性蒸発原料
5は単一構成のものでもよいし、複数に分割されたもの
でも差し支えない。
そして、上記ハース6には、ハース6の溶解及び支持部
品が高温になることを防止するために冷却水供給手段を
付設することが必要であり、また、蒸発原料5の蒸発に
必要な電力を供給するためにハース6をアーク放電のア
ノードにすることか必要である。
そしてまた、上記ハース6の配設構造については、蒸着
処理炉1内に固定的に配設してもよいが、蒸発原料5を
効果的に使用するという観点からすれば、上記ハース6
内全域にシートプラズマPsを導くように設計すること
が好ましく、例えば、蒸発原料5の消費度合に応じて上
記ハース6位置を移動させたり、シートプラズマ生成案
内手段7にシートプラズマPの屈曲度合を可変にする機
能を付加する等適宜設計変更することができる。
更に、上記シートプラズマ形成手段7としては、プラズ
マガン4にて生成されたプラズマ流Pを縦方向に沿って
変形させるものであれば、マグネットやコイル等でプラ
ズマ流Pを両側から押し潰す磁界を形成する等適宜設計
変更して差し支えない。そして、複数のプラズマガン4
から生成されるシートプラズマP、を略同−平面内に隣
接させて大面積のシートプラズマを形成する場合には、
シートプラズマの幅方向、すなわち、縦方向の磁場の均
一性を保つために、シートプラズマの両端の外側にはも
う一組のマグネット等のシートプラズマ形成手段7を配
置するのが好ましい。
また、上記シートプラズマ案内手段8としては、縦方向
に沿って広がるシートプラズマP5がハース6側へ導か
れる磁界を形成するものであれば、ハース6の背面側に
マグネット等を配設する等適宜設計変更することができ
る。そして、各マグネット等の配役関係については、各
プラズマガン4毎にマグネット等を分割配置してもよい
し、共通化したマグネット等を用いるようにしてもよい
また、プラズマガン4とハース6との位置関係が比較的
遠くに設定される場合には、ハース6付近までシートプ
ラズマP、を効率良く導くという観点からすれば、シー
トプラズマ案内手段8として、シートプラズマP3をハ
ース6近傍位置まで誘導する誘導コイル等の誘導手段を
包含させるように設計することが好ましい。
そしてまた、プラズマガン4とハース6との位置関係が
比較的遠くに設定される場合には、シートプラズマP5
がハース6側へ到達するまでの間に収束してしまう可能
性があるため、このような事態を有効に回避するという
観点からすれば、シートプラズマ案内手段8として、ハ
ース6の背面側に比較的幅狭の電磁石を複数配列し、順
次切換え通電するようにして収束しつつあるシートプラ
ズマPsのシート状態を確保するように設計することが
好ましい。
更に、シートプラズマ案内手段8の配設箇所としては蒸
着処理炉lの内外を問わないが、蒸着処理炉l外に配設
するようにすれば、蒸着処理炉1内と無関係に、マグネ
ット等の種類や形状を変えたり、マグネット等と蒸発原
料5との間の距離を変化させることが可能になり、シー
トプラズマPs案内用の作用磁界を容易に調整すること
が可能になる点で好ましい。
また、この発明にあっては、搬送キャリア3の片側面を
成膜領域としてもよいか、生産効率を上げるという観点
からすれば、搬送キャリア3の両側面に基体2の保持部
を設け、一つの蒸着処理ステージSの両側あるいは二つ
の蒸着処理ステージSの異なる片側に夫々ハース6を設
置し、搬送キャリア3の両側面を成膜領域にすることが
好ましい。
〔作用〕
上述したような技術的手段によれば、−若しくは複数個
配設されたプラズマガン4からのプラズマ流Pは、シー
トプラズマ形成手段7によって縦方向に延びるシート状
に変形した後、シートプラズマ案内手段8によってハー
ス6内の昇華性蒸発材料5へ案内される。
この状態において、シートプラズマP5が照射されたハ
ース6内の昇華性蒸発原料5は周囲に拡散しながら蒸発
し、蒸発粒子5aが蒸着処理ステージSに縦置き配置さ
れた基体2側へ向かい、基体2表面に付着する。
このような被膜動作過程において、上記シートプラズマ
P5はアーク放電を利用しているため、従来のグロー放
電型プラズマに比べて、プラズマ密度が50〜100倍
高く、ガスの電離度は数lO%となり、イオン密度、電
子密度、中性活性種密度も非常に高い。このような高密
度のプラズマを蒸発原料5上に集束させると、蒸発原料
5から非常に多数の粒子を取り出すことが可能になり、
従来の蒸着法に比較して3〜10倍の高速成膜を実現す
ることができる。
また、酸素、アルゴン等の雰囲気ガスの多くは、反応性
の高いイオンや中性の活性状態をとり、加えて、蒸発粒
子5aも基体2に到達する前に、シートプラズマPsの
中を通り、反応性の高い中性の活性種になる。この結果
、基体2上での反応性が高まり、基体2を加熱しなくて
も、高速成膜を実現することもできる。
更に、この発明にあっては、基体2がある程度大型のも
のであったとしても、基体2を横置き搬送するシステム
に比べて、蒸着処理炉1の設置スペースが不必要に大き
く設定されることはない。
〔実施例〕
以下、添付図面に示す実施例に基づいてこの発明の詳細
な説明する。
第2図ないし第4図はこの発明が適用された蒸着装置の
一実施例を示す。
同図において、符号10は所定の真空環境に保持され且
つ被膜形成対象となるガラス基板Gが蒸着処理ステージ
S(この実施例では第一蒸着処理ステージS1.第二蒸
着処理ステージS2)に順次搬入される所謂インライン
型の蒸着処理炉であり、ガラス基板Gの搬送路を区画す
る搬送用チャンバ11とここの搬送用チャンバ11の各
蒸着処理ステージS 、、 S 、に対応した箇所の相
互に異なる側に膨出形成される成膜チャンバ12.13
(この実施例では磁界を遮らない非磁性ステンレス鋼を
使用)とで構成されている。
尚、成膜用チャンバ12.13にはガス導入口及び真空
排気口(いずれも図示せず)が開設され、上記ガス導入
口からは反応ガス(この実施例では0□)が導入される
一方、上記真空排気口にはダり1・を介して真空ポンプ
か連通接続され、成膜用チャンバ1’2.13内が10
−’Torr程度の真空度に保たれている。
また、20は各蒸着処理ステージS、、S2に被膜形成
対象となるガラス基板Gを順次搬送する搬送キャリアで
あり、この搬送キャリア20は、図示外の駆動モータか
ら伝達される駆動力によって、搬送用チャンバ11内に
適宜間隔毎に敷設されたガイドロール14上を案内搬送
されるようになっている。また、この実施例において、
搬送キャリア20は、上記ガイドロール14上に載置さ
れるキャリア本体21と、このキャリア本体21上に立
設される垂直ベース22と、この垂直ベース22の両側
面に夫々四箇所ずつ形成される基板保持部23(具体的
にはガラス基板Gの上端部保持用の基板受け23a及び
ガラス基板Gの両側縁を押え込む基板押さえクランプ2
3b)とを備えている。尚、搬送キャリア20の搬送時
における倒れを防止する上で、上記垂直ベース22の上
端部は図示外のガイドレールに沿って案内搬送されるよ
うになっている。
更に、符号30は昇華性蒸発材料(この実施例では錫ド
ープ酸化インジウム〔以下、ITOという〕)が収容さ
れるハースであり、夫々の成膜チャン/<12.13の
各蒸着処理ステージS、、S。
に対向した部位において縦方向に沿って設置されている
このハース30は、例えば第5図に示すように、底板3
1の背面側に冷却水が循環する縦方向に延びる冷却定盤
32を取付ける一方、上記底板31の両側にはi対の押
え側板33を取付けると共に、上記冷却底板32及び押
え側板33の上端部には押え天板34を取付け、直方体
状の1701072Mを抱き込み保持するようにしたも
のである。
尚、1701072Mを角部の少ない形状、例えば半円
柱状のような形状にすれば1701072Mを壊れ難く
することが可能であり、このような場合には、第6図に
示すように、底板31、押え側板33、押え天板34の
形状を適宜変えてハース30構成を変更するようにすれ
ばよい。
また、符号40は上記成膜用チャンバ12,13の一側
壁の上下方向にて所定ピッチ間隔で二つ並設されるプラ
ズマガンである。
更にまた、符号7oはプラズマガン4oがらのプラズマ
流Pを縦方向においてシート状に押し潰すシートプラズ
マ形成装置であり、この実施例では、一対のN極とN極
とを対向させた永久磁石70による磁界にてプラズマガ
ン4oからのプラズマ流Pを縦方向において偏平に押し
潰すようになっている。尚、シートプラズマ形成装置7
oとして、永久磁石70に変えて一対の電磁石にて同様
な磁界を形成するようにしてもよい。
また、符号80は形成されたシートプラズマをハース3
0部位へ案内するシートプラズマ案内装置であり、この
実施例では、プラズマガン4oの細心に中心位置が一致
したリング状の支持フレーム81を配設すると共に、こ
の支持フレーム81+=誘導:+−1’ル82を巻装し
、この誘導コイル82による磁界にて、偏平状態に押し
潰されたシートプラズマP3をハース30の手前位置ま
で誘導する一方、上記ハース30の背面側に位置する成
膜チャンバ12.13の外側には、上下の各プラズマガ
ン40(具体的には40a、40b)に対応して永久磁
石83を夫々配設し、永久磁石83による磁界にて各プ
ラズマガン40からのシートプラズマPsをハース30
上へ集束させるようになっている。
更に、符号90.91は夫々の成膜チャンバ12.13
内に配設され、上記ハース40からのIToブロックM
の蒸発粒子Maを蒸着処理ステージS 、、 S 、側
へ導く蒸発経路規制シールド板であり、ハース40の両
側から蒸着処理ステージ5182側へ向かって拡開配置
されている。尚、プラズマガン40側に配設される蒸発
経路規制シールド板90には、プラズマガン40からの
プラズマ流Pが通過するための開口90aが開設されて
いる。
次に、この実施例に係る蒸着装置の作動を説明する。
図示外のスタートスイッチをオン動作させると、カラス
基板Gか両側に保持された搬送キャリア20が搬送用チ
ャンバ11内を所定の速度で移動し始める一方、各成膜
チャンバ12.13のプラズマガン40が一斉に動作し
、各プラズマガン40からアーク放電による高密度のプ
ラズマ流Pが生成される。
この後、上記シートプラズマ形成装置70にて上記プラ
ズマ流Pが縦方向に沿ったシートプラズマPsに押し潰
された後、シートプラズマ案内装置80の誘導コイル8
2にてシートプラズマP5がハース30の手前まで誘導
される。
このように誘導されたシートプラズマPsは、シートプ
ラズマ案内装置80の永久磁石83にてハース40内の
ITOブロックMに向かって高密度の状態で集束する。
すると、ハース30内のIToブロックMは縦方向に延
びるシートプラズマ案内手段の広がりをもって効率的に
蒸発し、蒸発粒子Maがハース30表面から周囲に向か
って拡散する。
このとき、上記蒸発粒子Maの一部は、矢印Aて示すよ
うに、蒸着処理ステージS、、S2に進入してくるガラ
ス基板Gに直接的に向かい、他のものは、矢印Bで示す
ように、蒸発経路規制シールド板90.91で反射又は
付着後回蒸発して蒸着処理ステージS 、、 S 2へ
と向かう。
このため、蒸着処理ステージS1では、搬送キャリア2
0の片側に位置するガラス基板Gに対して蒸発粒子Ma
による被膜が形成され、蒸着処理ステージS2では、搬
送キャリア20の反対側に位置するガラス基板Gに対し
て蒸発粒子Maによる被膜が形成される。
〔発明の効果〕
以上説明してきたように、請求項1若しくは2記載の蒸
着方法及びその装置によれば、プラズマガンからのアー
ク放電によるプラズマ流を縦方向に沿ってシート状に変
形させ、このシートプラズマを縦方向に延びる昇華性蒸
発原料に集束させることにより、昇華性蒸発材料を効率
的に蒸発させ、基体上での蒸発粒子の反応性を高めた状
態で、縦置きの基体へ蒸発粒子による被膜を形成するよ
うにしたので、基体を加熱することなく、基体の高さ方
向全域に亘って膜厚の均一な高品質の蒸着被膜を高速且
つ効率的に形成することができるほか、基体を横置き配
置するタイプに比べて、基体が大型化したとしても、装
置の設置スペースを拡大する必要がないため、装置の設
置スペースの低減化という要請に沿った連続生産システ
ムを容易に提供することができる。
また、請求項3記載の蒸着装置によれば、搬送キャリア
の両側面を成膜領域として設定するようにしたので、基
体に対する被膜生産効率をより向上させることができる
【図面の簡単な説明】
第1図(a)はこの発明に係る蒸着方法の概略を示す説
明図、第1図(b)はこの発明に係る蒸着装置の概略を
示す説明図、第2図はこの発明に係る蒸着装置の一実施
例を示す斜視図、第3図は第2図中■方向から見た矢視
図、第4図は第2図中■−IV線断面図、第5図は実施
例で用いられるハースの具体例を示す斜視図、第6図は
その変形例を示す斜視図である。 〔符号の説明〕 S・・・蒸着処理ステージ ト・・蒸着処理路 2・・・基体 3・・・搬送キャリア 4・・・プラズマガン 5・・・昇華性蒸発原料 6・・・ハース 7・・・シートプラズマ形成手段 8・・・シートプラズマ案内手段 特許出願人  旭硝子 株式会社 代 理 人  弁理士 小寒 雅裕 (外2名) 第1 図(a) 2(基体)   ’<5a(蒸発粒子)第1図(b) j(M平ヤリり ( ら 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)蒸着処理炉(1)内の蒸着処理ステージ(S)の近
    傍に縦方向に延びる昇華性蒸発原料(5)を予め設置し
    ておき、 プラズマガン(4)からのアーク放電プラズマ流(P)
    を縦方向にてシート状に変形させた状態で上記昇華性蒸
    発原料(5)へ導き、昇華性蒸発原料(5)を蒸発させ
    、 上記蒸着処理ステージ(S)に縦置き配置された被膜形
    成対象となる基体(2)面に蒸発粒子(5a)による被
    膜を形成するようにしたことを特徴とする蒸着方法。 2)蒸着処理炉(1)と、 被膜形成対象となる基体(2)が略垂直状態で保持され
    、上記蒸着処理炉(1)内の蒸着処理ステージ(S)に
    基体(2)を順次搬送する搬送キャリア(3)と、 蒸着処理ステージ(S)内に向かうアーク放電プラズマ
    流(P)が生成される1若しくは複数のプラズマガン(
    4)と、 蒸着処理ステージ(S)の近傍にて縦方向に延びる昇華
    性蒸発材料(5)が収容され、アーク放電のアノードと
    なるハース(6)と、 上記プラズマガン(4)から生成されるプラズマ流(P
    )を縦方向においてシート状に変形させるシートプラズ
    マ形成手段(7)と、 このシートプラズマ形成手段(7)にて形成されたシー
    トプラズマ(P_s)をハース(6)側へ導くシートプ
    ラズマ案内手段(8)とを備え、 ハース(6)内の昇華性蒸発材料(5)を蒸発させて蒸
    着処理ステージ(S)に位置する基体(2)面に蒸発粒
    子(5a)による被膜を形成するようにしたことを特徴
    とする蒸着装置。 3)請求項2記載のものにおいて、 上記搬送キャリア(3)の両側面に基体(2)の保持部
    を設け、 一つの蒸着処理ステージ(S)の両側あるいは二つの蒸
    着処理ステージ(S)の異なる片側に夫々ハース(6)
    を設置し、 搬送キャリア(3)の両側面を成膜領域にしたことを特
    徴とする蒸着装置。
JP31792090A 1990-11-26 1990-11-26 蒸着方法及びその装置 Pending JPH04191360A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31792090A JPH04191360A (ja) 1990-11-26 1990-11-26 蒸着方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31792090A JPH04191360A (ja) 1990-11-26 1990-11-26 蒸着方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04191360A true JPH04191360A (ja) 1992-07-09

Family

ID=18093521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31792090A Pending JPH04191360A (ja) 1990-11-26 1990-11-26 蒸着方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04191360A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007297695A (ja) * 2006-05-08 2007-11-15 Fujifilm Corp 真空蒸着用ルツボおよび真空蒸着装置
WO2016114072A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社神戸製鋼所 アーク成膜装置およびアーク成膜方法、ならびに固体蒸発材

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007297695A (ja) * 2006-05-08 2007-11-15 Fujifilm Corp 真空蒸着用ルツボおよび真空蒸着装置
WO2016114072A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社神戸製鋼所 アーク成膜装置およびアーク成膜方法、ならびに固体蒸発材
JP2016130330A (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 株式会社神戸製鋼所 アーク成膜装置およびアーク成膜方法、ならびに固体蒸発材

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5855686A (en) Method and apparatus for vacuum deposition of highly ionized media in an electromagnetic controlled environment
US6244212B1 (en) Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
JP2005213616A (ja) 蒸着方法および装置ならびにプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2635385B2 (ja) イオンプレーティング方法
JP3836184B2 (ja) 酸化マグネシウム膜の製造方法
JP4570232B2 (ja) プラズマディスプレイ保護膜形成装置および保護膜形成方法
JPH04191360A (ja) 蒸着方法及びその装置
JP3371454B2 (ja) 連続真空蒸着装置
JP3399570B2 (ja) 連続真空蒸着装置
CN101560644A (zh) 磁控溅射设备和薄膜的制造方法
JP3865841B2 (ja) 電子ビーム蒸着装置
JPH07122133B2 (ja) イオンプレ−テイング方法とその装置
JPH0329216A (ja) 透明電導膜の形成方法
JP2778955B2 (ja) 連続多段イオンプレーテイング装置
JPH04232257A (ja) 蒸着方法及びその装置
JP2878299B2 (ja) イオンプレーティング方法
JP2002115049A (ja) 成膜方法及び装置
EP0263880B1 (en) Continuous ion plating device for rapidly moving film
JPH0672300B2 (ja) ハイブリツドイオンプレ−テイング装置
KR101277068B1 (ko) 인라인 스퍼터링 시스템
KR100329632B1 (ko) 음극아크 방전을 이용한 대면적 평판 코팅장치
JP2002180241A (ja) 成膜装置
JP3741160B2 (ja) 連続真空蒸着装置および連続真空蒸着方法
KR20020053010A (ko) 박막형성방법 및 장치
JPH07254315A (ja) 被膜の形成方法